KR900017220A - 다중 충전된 트렌치 구성 및 시드층으로부터의 트렌치 충전 처리 방법 - Google Patents

다중 충전된 트렌치 구성 및 시드층으로부터의 트렌치 충전 처리 방법 Download PDF

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KR900017220A KR1019890004884A KR890004884A KR900017220A KR 900017220 A KR900017220 A KR 900017220A KR 1019890004884 A KR1019890004884 A KR 1019890004884A KR 890004884 A KR890004884 A KR 890004884A KR 900017220 A KR900017220 A KR 900017220A
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Abstract

내용 없음

Description

다중 충전된 트렌치 구성 및 시드층으로부터의 트렌치 충전 처리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제7도는 다른 처리 단계로 본 발명에 따라 트렌치가 구성되고 채워진 반도체 기관을 통하여 간단하게 도시된 된단면도.

Claims (3)

  1. 다중으로 채워진 트렌치를 구성하기 위한 처리 방법에 있어서, 상기외 처리 방법이, 기판표면으로부터 기관으로 선정된 깊이를 연장시키는 측벽을 가진 트렌치를 에칭시키는 단계와, 최소한 유전체와 함게 측벽을 덮게하는 단계와, 제1두게를 가지고 있고, 기관 표멸 위로 연장하는 다중층을 유전체로 덮게 하는 단계와, 최소한 부분직으로 기판 료면에서부터 다중층을 제거시키고, 트랜치 측벽의 하부 부분 위의 유전체 위에 있는 다중층외 잔류부분이 남아 있는 트렌치 측벽의 상부부분위에 유전체로부터 다중층을완전히 제거시키는 단계와, 트렌치를 채우는 다중층의 잔류 부뚠위에 서 다중층을 침 착시 키는 단계를 포함하는 것을 툭징으로 하는 다줄 충전된 트켄치 구성 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서. 트렌치 측벽의 하부부분 위에 있는 유전체상에 다중층의 잔류 부분이 제1두게보다 더 두걸고, 트렌치 깊이의 70퍼센트로다는 작은측벽에 따라높이를 가지는 것을 특징으로 하는 다중 충전 트렌치 구성용 처리 방법.
  3. 시드층으로부7·1 트렌치를 채우기 위한 처리 방법에 있어서, 상기의 처리 방법이, 중요한표면을 가진 기판율 제공하는 단계와, 중요한 표면으로부터 기판으로 선정된 깊이를 연장시키는 바닥과 측벽을 가진 트렌치를 에칭시키는 단계와, 제1두게를 가진 시드충을 루벽에 인가시키는 단계와, 실제로 트렌치를 채우고, 기판표면위로 연장하는 마스킹퐁을 틸착시키는 단계와. 트렌치의 상부 부분과 기판 표면 위의 마스킹충의 제1부분율 재거시키고,상기의 제1 두게로다 더 큰 높이로 트렌치의 하부 부분에서 시드층을 덮고 있는 마스킹층외 제2부분을 남겨두는 단계와. 트렌치의 상루 부틱에서 측벽으로부터 시드풍을 완전히 제거시키고, 트렌치의 하부 부분에서 측벽위에 시드풍의 잔류 루틱을 남겨 놓는 단계를 포함하며, 여기에서 시드층의 잔류부분이 트렌치 깊이의 약 70퍼센트 보다 작고, 제1두게토다 더 큰 측벽을 따라 측정된 높이를 가지며: 시드층의 잔류 부녁위에서 핵을 형성하는 추가 물질을 침착시킴으로써 트렌치를 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 시드층으로부터의 트렌치 충전 처리 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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