KR900017125A - 반도체 웨이퍼의 스퍼터 코팅장치 및 방법 - Google Patents

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디. 허위트 스티븐
와그너 이스라엘
지. 히로니미 로버트
엔. 반 너트 챨스
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다니엘 요크
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 웨이퍼의 스퍼터 코팅장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 원리들을 구체화하는 스퍼터링 시스템에 대한 개략선도로써, 스퍼터링 캐소오드 타겟을 축을 중심으로 하여 절취한 단면과 상기 시스템에 대한 제어회로의 블럭 및 논리선도,
제2도는 제1도의 스퍼터링 타겟에 대한 횡단면도로써, 제1도를 2-2선으로 절취한 부분 단면도,
제3도는 캐소오드 스퍼터링 타겟 조립체에 대한 개략도로써, 자기장의 자속선, 프라즈마 영역 및 본 발명의 일부 특징 및 본 발명에서는 생략된 또다른 특징을 갖는 타켓의 부식영역을 예시한 도면,
제19도는 제1도의 시스템 제어부의 동작을 예시한 흐름도.

Claims (120)

  1. 코팅재료의 분포를 제어하여 기판상에 침착시키는 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 장치는, 단일편 스퍼터링 재료로 형성되고 윤곽이 고른오목형 스퍼터링 표면을 구비하는 환상형 타겟, 상기 스퍼터링 표면의 서로 다른 제1 및 제2 영역에 인접하게 제1 및 제2 자기장을 각각 발생시키는 수단, 상기 각각의 자기장이 발생됨에 따라서 상기 타겟의 제1 및 제2 영역으로부터 상기 스퍼터링 재료를 스퍼터하도록 상기 타겟에 에너지를 가하는 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 자기장을 번갈아 발생시키도록 상기 자기장 발생수단을 활성화시키는 수단이 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 모든 영역으로부터 스퍼터된 총 재료의 침착이 기판표면 전역에서 요망분포가 이루어지도록 상기 영역 각각에 대해 한세트씩 전기 파라메터의 개별 세트를 설정하는 수단이 추가로 구성되어 있으며, 상기 자기장 발생수단은 상기 타겟에 에너지가 가해질때 활성화 되는 자기장에 인접한 각각의 타겟영역으로부터 스퍼터된 재료가 방출되도록 하기 위해, 활성화 될때 상기 제1 및 제2 타겟 영역에 각각 인접하게 제1 및 제2 자기장을 발생시키도록 각각 배치되어 개별적으로 활성화되는 제1 및 제2 전자석을 포함하고, 상기 설정수단은 상기 제1 및 제2 전자석을 번갈아 활성화시키는 타이밍 회로를 포함하며, 그리고, 상기 에너지 공급수단은 각각의 타겟영역에 인접한 자기장이 활성화됨과 동기하여 각기 대응하는 각각의 타겟 영역에 대해 설정된 초기 전기 파라메터에 따라서 상기 타겟에 번갈아 에너지를 가하는 전원을 포함함을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 자기장이 활성화됨과 동기하여 상기 타겟의 전기적인 상태를 검출하는 수단과, 검출된 전기적인 상태에 응답하여 상기 전기 파라메터중 적어도 하나의 파라메터를 변화시키는 제어기가 추가로 구성된 것을 특징으로하는 스퍼터링 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 검출된 전기적인 상태는 상기 타겟에 의해 소모되는 파우워와 관련된 파라메터임을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 전원이 전기장이 활성화됨과 동기하여 상기 타겟의 적어도 하나의 전기 파라메터를 조정하도록 된것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 타이밍 회로가 상기 전자석이 활성화되는 때인 상대 지속시간을 제어하도록 된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  8. 제3항에 있어서, 상기 제어기가 상기 전원이 상기 타겟의 제1 및 제2 영역에 에너지를 가하는때인 상대시간을 설정하도록 된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  9. 제3항에 있어서, 전기 파라메터에 상기 제1 및 제2 자기장을 각각 발생시키는 제1 및 제2 전자석에 인가되는 전류, 상기 타겟에 에너지가 가해질때 상기 타겟에 인가되는 전류 및 전압, 상기 제1 및 제2 자기장이 각각 활성화되는 때인 시간주기의 상대 지속시간이 포함됨을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  10. 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접합기판 표면의 증분에 침착시키는 장치에 있어서, 상기 장치가, 기판표면과 공간을 이루어 지지된 대체로 오목한 스퍼터링 표면을 구비하는 스퍼터링 재료의 타겟으로 구성되어, 상기 스퍼터링 표면은 제한된 제1 및 제2 영역을 포함하는 적어도 두개의 영역을 구비하고, 상기 각각의 영역은 기판표면의 서로 다르게 접한 증분을 갖는 영역의 기하학적인 관계를 확정하는 서로 다른 기하학적 파라메터를 가지며, 상기 영역 각각에 대해 한세트씩 전기 파라메터의 개별세트를 설정하는 제어기로 구성되어 상기 모든 영역으로 부터 스퍼터된 총 재료의 침착이 기판표면 전역에서 요망분포가 되도록 상기 기하학적 파라메터와 관련되며, 상기 타겟에 에너지가 가해질때 활성화되는 자기장에 대응하는 각각의 개별 타겟영역으로부터 스퍼터된 재료가 방출되도록 하기 위해 활성화될때 상기 제1 및 제2 타겟 영역에 대응하는 각각의 제1 및 제2 자기장을 포함하는 적어도 두개의 자기장을 발생하도록 배치된 제1 및 제2 전자석을 포함하는 적어도 두개의 개별적으로 활성화되는 자석, 상기 제1 및 제2 전자석중 타 전자석이 활성화되지 않은 상태에 있을때 일 전자석을 활성화시키는 타이밍 회로, 그리고, 활성화된 전자석에 의해 발생된 전기장에 대응하는 타겟 영역에 대해 설정된 전기 파라메터에 따라 전자석이 활성화됨과 동기하여 상기 타겟에 에너지를 가하는 전원으로 구성된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  11. 제10항에 있어서, 활성화된 자기장에 인접한 상기 영역과 기판 표면 사이에 상기 기하학적인 관계에서의 변화를 결정하기 위해 상기 타겟의 상기 파라메터들중에 하나를 측정하는 검출기가 추가로 구성되어 있으며, 상기 제어기는 상기 모든 영역으로부터 스퍼터된 총 재료의 침착이 기판표면 전역에서 상기 요망분포가 될 수 있도록 상기 기하학적 관계에서의 변화를 보상하기위해 상기 측정된 파라메터에 대한 상기 측정에 응답하여 상기 전기 피라메터중 적어도 하나를 변화시킴을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 타겟의 상기 파라메터중 하나를 측정하는 검출기가 추가로 구성되어 있으며, 상기 제어기가 상기 측정된 파라메터에 응답하여 상기 전기 파라메터중 적어도 하나를 변화시킴을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 검출기에 기판상에 침착되는 침착율을 측정하는 모니터가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 검출기는 수정 결정 침착율 모니터로 된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 검출기에 상기 타겟의 스퍼터링 표면부에서 표면 심도를 측정하는 모니터가 포함된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  16. 제10항에 있어서, 자기장이 활성화됨과 동기하여 상기 파라메터중의 하나를 측정하는 검출기가 구성된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 측정된 파라메터는 전기 파라메터임을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 측정된 파라메터는 상기 타겟에 의해 소비되는 파우워에 관련됨을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  19. 제12항에 있어서, 상기 제어기가 상기 측정된 파라메터에 응답하여 상기 영역에 대응하는 자기장을 발생시키는 전자석이 활성화됨과 동기하여 상기 영역중 한 영역에 대한 각세트의 전기 파라메터를 제어하도록 된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  20. 제20항에 있어서, 상기 타이밍 회로가 상기 전자석을 번갈아 활성화시키도록 된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 타이밍 회로가 다수의 주기를 통하여 반복해서 상기 전자석을 번갈아 활성화시키도록 된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  22. 제10항에 있어서, 상기 제어기가 설정하는 전기 파라메터는 상기 전원이 상기 타겟의 제1 및 제2영역을 각각 활성화 시키는때의 시간 주기율임을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  23. 제10항에 있어서, 상기 타이밍 회로가 상기 제1 및 제2 전자석중 타 전자석이 활성화되지 않을 때에만 상기 제1 및 제2 전자석을 활성화시키도록 된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  24. 제10항에 있어서, 상기 전원은 자기장이 활성화됨과 동기하여 상기 활성화된 자기장에 대응하는 각각의 타겟영역에 관련된 초기 전기 파라메터와 동등한 레벨로 적어도 하나의 상기 타겟의 동작 전기 파라메터를 공급하도로 조정됨을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  25. 제10항에 있어서, 상기 기하학적 관계가 가시적인 기판표면의 각 증분으로부터 각 영역안으로 타겟 표면의 각 증분을 양분하는 거리와, 각 타겟표면 증분과 관계하는 각 기판표면 증분의 각도를 포함함을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  26. 제10항에 있어서, 상기 영역이 상기 타겟 중앙을 둘러싸는 제1 환상영역과 상기 제1 환상영역을 둘러싸는 제2환상영역을 포함함을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  27. 제10항에 있어서, 상기 타겟의 각 영역을 형성하는 스퍼터링 재료가 전기적으로 접속됨을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  28. 제10항에 있어서, 상기 타겟이 단일편 스퍼터링 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  29. 제28항에 있어서, 상기 타겟의 스퍼터링 표면이 상기 타겟축을 중심으로 회전하는 형상으로 된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  30. 제10항에 있어서, 상기 기판은 일반적으로 평면 형태이며, 상기 타겟은 단일편 스퍼터링 재료로 구성되는 한편, 상기 기판에 접하여 수직축을 구비하며 함께 동심을 이루는 환상성형, 원형 내부 엣지 및 원형 외부 엣지, 상기 기판보다 큰 직경, 그리고 일반적으로 전체적인 오목성형으로 되어 기판에 접하는 스퍼터링 표면을 구비하여, 상기 외부 엣지는 상기 타겟 표면 내부 및 상기 내부 엣지보다는 상기 기판의 평면에 더 밀접하고 상기 스퍼터링 표면은 상기 내부 엣지와 상기 외부 엣지 사이에서 그 반경을 따라 고르게 연속하는 단면을 이룸을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  31. 제30항에 있어서, 상기 제1 타겟 영역은 상기 타겟의 상기 내부 엣지를 둘러싸는 상기 스퍼터링 표면상에서 상기 축을 중심으로 회전하는 형상으로 되어 있고, 상기 제2 타겟영역은 상기 제1 영역과 상기 외부 엣지 사이에 있는 상기 스퍼터링 표면상에서 상기 축을 중심으로 회전하는 형상으로 된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기 타겟의 두께는 상기 내부 엣지에서 보다 상기 외부 엣지에서 더 두껍고, 상기 내부 영역에서보다 상기 외부 영역에서 더 많은 스퍼터링 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  33. 제10항에 있어서, 상기 전자석은 상기 제1 영역과 제2 영역 사이의 상기 타겟에 공통 극편을 포함하는 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  34. 제33항에 있어서, 상기 타겟은 상기 기판으로부터 상기 스퍼터링 표면 반대쪽에 배면을 구비하고, 상기 극편은 상기 스퍼터링 표면 가까이 하부에 있는 상기 배면에 삽입됨을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  35. 제34항에 있어서, 상기 타겟은 환상형이며, 상기 극편은 상기 타겟과 동심을 이루는 환상형링으로 된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  36. 제34항에 있어서, 상기 타겟은 구조적으로 강화하고 상기 타겟의 열팽창을 억제하는 상기 극편을 포함하는 수단이 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  37. 제34항에 있어서, 상기 극편에 상기 타겟이 동작할때 발생되는 열을 제거한는 냉각수단이 포함된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  38. 제10항에 있어서, 상기 제2 영역에 있는 상기 타겟의 상기 스퍼터링 표면이 상기 기판의 표면상에 있는 외부적으로 접하는 계단 측부와 거의 접하는 타겟 표면의 증분을 포함함을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  39. 제10항에 있어서, 상기 스퍼터링 표면은 고르지 않고 연속적인지 않은 상기 영역에서는 어떠한 증분도 포함하지 않음을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  40. 제10항에 있어서, 설정된 전기 파라메터에 상기 제1 및 제2 자기장을 각각 발생시키는 제1 및 제2 전자석에 인가되는 전류, 상기 타겟에 에너지가 가해질때 상기 타겟에 인가되는 전류 및 전압과, 상기 제1 및 제2 자기장이 각각 활성화될때의 시간 주기비가 포함된 것을 특징으로 하는 균일 분포된 스퍼터링 재료를 서로 다르게 접한 기판표면의 증분에 침착시키는 장치.
  41. 기판표면 전역에 스퍼터링 재료의 요망분포를 침착시키고 마그네트론 스퍼터링 코팅 장치의 서로 다른 스퍼어링 코팅영역이 서로 다른 비율로 부식될때 상기 분포를 제어하도록 되어 상기 타겟이 상기 기판쪽으로 접하는 스퍼터링 표면을 구비하고 상기 스퍼터링 표면이 그 표면상에 제한된 제1 및 제2 영역을 구비하는 마그네트론 스퍼터 코팅 장치에 있어서, 상기 장치에 추가로, 상기 영역 각각에 대한 독립된 전기 파라메터를 설정하는 제어기가 구성되어, 만일 파라메터가 유지되면 이 파라메터에 따라 상기 타겟의 상기 모든 영역으로부터 스퍼터되는 총 재료가 요망분포로 기판표면에 침착되고, 개별적으로 활성화되는 제1 및 제2 전자석이 구성되어, 상기 각각의 전자석은 상기 타겟에 에너지가 가해질때 활성화되는 자기장에 대응하는 각 타겟영역에서 스퍼터된 재료의 방출 및 상기 타겟의 부식이 일어날 수 있도록 상기 전자석이 활성화될때 상기 제1 및 제2 타겟영역에 각각 대응하는 제1 및 제2 자기장을 포함하는 적어도 두개의 자기장을 발생시키도록 배치되고, 상기 제1 및 제2 전자석을 번갈아 활성화시키는 회로, 각각의 타겟영역에 대해 설정된 전기 파라메터에 따라서 그리고 각각의 타겟영역 대응하는 자기장이 활성화됨과 동기하여 상기 타겟에 번갈아 에너지를 가하는 전원과, 각 인접 타겟영역 각각의 부식상태에서의 변화와 관련되는 상기 동작전기 파라메터에서의 변화를 결정하기 위해서 상기 타겟에 관련된 파라메터를 측정하는 검출기가 구성되어, 상기 제어기가 상기 자기장이 활성화됨과 동기하여 상기 검출기에 의한 측정에 따라 상기 영역중 적어도 한 영역에 관련된 설정전기 파라메터중 적어도 한 파라메터를 개정하도록 된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터 코팅 장치.
  42. 제41항에 있어서, 설정된 전기 피라메터에 상기 제1 및 제2 자기장을 각각 발생시키는 상기 제1 및 제2 전자석에 인가되는 전류, 상기 타겟에 에너지가 가해질때, 상기 타겟에 인가되는 전류 및 전압, 그리고 상기 제1 및 제2 자기장이 각각 활성화되는때인 시간주기가 포함된 것을 특징으로 하는 마크네트론 스퍼터 코팅 장치.
  43. 제41항에 있어서, 측정된 전기 파라메터는 상기 타겟의 스퍼터링 파우워와 관계됨을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터 코팅 장치.
  44. 제43항에 있어서, 상기 전원은 활성화된 자기장에 대응하는 각각의 타겟영역에 관련되어 설정된 전기 파라메터의 레벨과 동등한 레벨로 자기장이 활성화됨과 동기하여 적어도 하나의 전기 파라메터를 상기 타겟에 공급하는 조정 전원임을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터 코팅 장치.
  45. 제41항에 있어서, 상기 전원은 활성화된 자기장에 대응하는 각각의 타겟영역에 관련되어 설정된 전기 파라메터의 레벨과 동등한 레벨로 자기장이 활성화됨과 동기하여 적어도 하나의 전기 파라메터를 상기 타겟에 공급하는 조정전원임을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터 코팅 장치.
  46. 제41항에 있어서, 상기 회로가 한주기 이상의 주기를 통하여 번갈아서 상기 전자석을 반복적으로 활성화시키도록된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터 코팅 장치.
  47. 제41항에 있어서, 상기 회로가 상기 제1 및 제2 전자석중 타 전자석이 활성화되지 않을 때에만 상기 제1 및 제2 전자석을 활성화시키도록 된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터 코팅 장치.
  48. 제41항에 있어서, 상기 검출기에 기판상의 침착율을 측정하는 모니터가 포함된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터 코팅 장치.
  49. 제41항에 있어서, 상기 검출기에 상기 타겟의 스퍼터링 표면부에서의 표면심도를 측정하는 모니터가 포함된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터 코팅 장치.
  50. 제49항에 있어서, 상기 모니터에 상기 스퍼터링 표면부의 부식심도를 검출하도록 된 레이저 장치가 포함되어 있으며, 상기 제어기가 검출된 부식심도에 따라 파라메터들을 개정하도록 상기 레이저 장치에 의해 생성된 출력신호에 응답함을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터 코팅 장치.
  51. 마그네트론 스퍼터링 장치의 스퍼터링 타겟의 서로 다른 영역으로부터 스퍼터 코팅 재료의 침착을 개별적으로 제어하는 장치에 있어서, 상기 장치는, 제1 및 제2 자석을 포함하며, 상기 타겟 영역중 제1 영역과 관련된 제1 프라즈마 유지 자장 및 상기 타겟 영역중 제2 영역과 관련된 제2 프라즈마 유지 자장을 각각 발생시키는 적어도 두개의 독립된 자석과, 상기 제2 자석과 그리고 상기 제1 영역과는 다르고 상기 제1 영역과 전기적으로 접속되는 상기 타겟영역과 관련된 프라즈마 유지자장을 발생시키는 다른 모든 자석을 비활성화시키는 수단과, 상기 제1 전자석이 활성화되고 상기 다른 자석은 활성화되지 않을때 상기 타겟의 전기 파라메터를 측정하는 검출기와, 그리고, 상기 타겟은 스퍼터링 표면을 구비하고 단일편 스퍼터링 재료로 구성되며, 상기 타겟 영역은 상기 스퍼터링 표면과 각각의 전자석에 의해 발생되는 자기장 선로와의 교차에 의해 한정되는 적어도 하나의 경계를 구비하는 상기 타겟의 상기 스퍼터링 표면상에 있는 영역으로 구성됨을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 재료의 침착을 개별적으로 제어하는 장치.
  52. 제51항에 있어서, 상기 검출기의 출력에 응답하여 상기 타겟에 인가되는 전압을 조정하는 제어기로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅 재료의 침착을 개별적으로 제어하는 장치.
  53. 제52항에 있어서, 상기 자석중 적어도 하나는 전자석이며, 상기 제어기는 상기 전자석이 활성화될때 각각의 자기장의 세기를 세트시키기 위해 상기 전자석에 인가되는 전류를 조정하도록 된 것을 특징으로 하는 스퍼터 코팅재료의 침착을 개별적으로 제어하는 장치.
  54. 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟 조립체에 있어서, 상기 타겟 조립체가, 단일편 스퍼터링 재료로 형성된 환상형 타겟으로 구성되어, 상기 타겟은 내부엣지 및 이 내부엣지로부터 순방향으로 신장되는 외부엣지에 의해 경계진 스퍼터링 표면을 구비하고 상기 표면은 상기 내부엣지로부터 상기 외부 엣지로의 래디알 단면을 따라 고르게 연속을 이루는 오목성형으로 되어 있으며, 상기 타겟의 내부엣지 외부에 내부 프라즈마 한정 자기장 및 상기 타겟의 상기 외부엣지 내부에 그리고 상기 내부 자기장 외부에 외부 플라즈마 한정 자기장을 형성하는 제1 자석이 포함되어 있으며 상기 타겟에 인접 배치된 적어도 두개의 자석으로 구성되며, 상기 내부영역에 놓이는 스퍼터링 재료의 두께보다 큰 두께로, 상기 내부영역으로부터 외부로 연속 증가하는 상기 외부영역에 놓이는 상기 스퍼터링 재료를 구비함을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링장치용 타겟 조립체.
  55. 제54항에 있어서, 상기 자기장은 원형 프라즈마 한정 자기장임을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟 조립체.
  56. 제54항에 있어서, 상기 타겟은 단일편 스퍼터링 재료로부터 선반공작으로 형성이 가능하게 회전형상으로된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟 조립체.
  57. 제54항에 있어서, 상기 스퍼터링 표면의 상기 래디알 단면부는 대략적으로 타원형의 원호로 된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟 조립체.
  58. 제54항에 있어서, 상기 자석에 상기 제1 영역과 제2 영역 사이의 상기 타겟에 있는 공통 극편이 포함된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟 조립체.
  59. 제54항에 있어서, 상기 타겟은 상기 스퍼터링 표면으로 부터 상기 타겟 반대쪽에 있는 배면을 구비하며, 상기 극편은 상기 스퍼터링 가까이에 있는 상기 배면에 삽임됨을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟 조립체.
  60. 제59항에 있어서, 상기 극편은 상기 타겟과 동심을 이루는 환상형링으로 된 것을 특징으로 하는 마크네트론 스퍼터링 장치용 타겟 조립체.
  61. 제60항에 있어서, 상기 극편은 구조적으로 상기 타겟을 강화시키고 상기 타겟의 열팽창을 억제하도록 된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟 조립체.
  62. 제61항에 있어서, 상기 극편에는, 상기 타겟이 동작할때 발생되는 열을 제거하는 냉각수단이 포함된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟 조립체.
  63. 제54항에 있어서, 상기 스퍼터링 표면은 고르지 않고 연속적이지 않은 상기 영역에서는 어느 증분도 포함하지 않음을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟 조립체.
  64. 제54항에 있어서, 상기 스퍼터링 표면과 공간을 이루어 이것과 동심을 이루는 평면에 놓인 기판 웨이퍼 지지수단과, 상기 기판의 직경보다 큰 외부 직경을 갖는 상기 타겟이 추가로 구성되어, 상기 웨이퍼는 최대 직경을 이루고 상기 타겟 스퍼터링 표면의 상기 외부엣지는 상기 내부엣지보다는 상기 평면에 더 밀접해 있음을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟 조립체.
  65. 제54항에 있어서, 상기 웨이퍼는 그 상부에 계단을 구비하고, 상기 계단은 내부로 접하는 측부 및 외부로 접하는 측부를 구비하며, 상기 측부는 상기 평면과 수직을 이루고, 상기 스퍼터링 표면의 외부영역은 상기 계단의 외부로 접하는 측부쪽으로 향하는 상기 외부엣지 부근에 내부로 접하는 영역을 구비함을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟 조립체.
  66. 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟에 있어서, 상기 타겟이, 단일 환상편 스퍼터링 재료로 구성되어, 상기 환상편은 내부엣지 및 상기 내부엣지로부터 순방향으로 신장되는 외부엣지에 의해 경계진 스퍼터링 표면을 구비하고, 그 표면상에서 내부 스퍼터링 영역은 상기 내부엣지에 인접하고 외부 스퍼터링 영역은 그 표면상에서 상기 내부영역 및 상기 외부엣지 사이에 위치하며, 상기 표면은 상기 영역전역에서 상기 타겟의 래디알 단면을 따라 고르게 연속을 이루는 오목성형으로 되어 있으며, 그리고, 상기 내부영역에 놓이는 스퍼터링 재료의 두께보다 큰 두께로 상기 내부영역으로부터 외부로 연속 증가하는 상기 외부영역에 놓이는 상기 스퍼터링 재료의 두께를 구비함을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟.
  67. 제66항에 있어서, 상기 타겟의 스퍼터링 표면은 단일편 스퍼터링 재료로부터 선반공작으로 형성이 가능하게 회전형상으로 된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟.
  68. 제66항에 있어서, 상기 스퍼터링 표면의 단면이 상기 반경을 따라 대략적으로 타원을 이룸을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟.
  69. 제66항에 있어서, 상기 타겟은 상기 스퍼터링 표면의 반대쪽에 배면을 구비하며, 환상형 흠이 상기 스퍼터링 표면 부근쪽으로 신장됨을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟.
  70. 제66항에 있어서, 상기 스퍼터링 표면 및 상기 뒷표면이 단일 스퍼터링 재료로부터 선반공작으로 형성이 가능하게 회전 형상으로 된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟.
  71. 제66항에 있어서, 상기 스퍼터링 표면은 고르지 않고 연속적이지 않은 상기 영역에서는 어느 증분도 포함하지 않음을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟.
  72. 제66항에 있어서, 상부에 계단을 구비하는 웨이퍼를 코팅시키기위해, 상기 계단은 상기 평면과 수직을 이루는 내부 및 외부로 접하는 측부를 구비하고, 상기 스퍼터링 표면의 외부영역은 상기 계단의 외부로 접하는 측부쪽으로 근접하게 향해진 상기 외부 엣지 부근의 내부로 접하는 영역을 구비함을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치용 타겟.
  73. 기판표면 전역에 스퍼터된 재료의 요망분포를 침착시키고 서로 다른 비율로 부식되는 단일편 스퍼터링 타겟의 서로 다른 영역으로부터 침착율을 제어하는 방법에 있어서, 상기 방법이, 단일편 스퍼터링 타겟을 제공하고, 이곳에 서로 다르게 접하는 다수의 영역을 확정하고, 제1 및 제2 영역을 포함시키며, 상기 모든 영역으로부터 스퍼터된 총 재료의 침착이 상기 기판표면 전역에 요망분포가 될 수 있도록 하기 위해 상기 영역 각각에 대해 한세트씩 전기 파라메터의 개별값을 설정하고, 상기 타겟에 에너지가 가해질때 상기 제1 영역에서 스퍼터된 재료의 방출 및 상기 타겟의 부식이 일어나도록 하기 위해 상기 제1 영역에 인접한 제1 프라즈마 유지 자기장을 활성화시키고, 상기 제1 자기장이 활성화되고 다른 자기장은 비활성화될때 상기 제1 타겟영역에 대해 설정된 전기 파라메터값에 따라 상기 타겟에 에너지를 가하고, 상기 타겟에 에너지가 가해질때 상기 제2 영역에서 스퍼터된 재료의 방출 및 상기 타겟의 부식이 일어나도록 하기 위해 상기 제2 타겟영역에 인접한 제2 프라즈마 유지 자기장을 활성화시키고, 그리고, 상기 제2 자기장이 활성화되고 다른 자기장이 비활성화될때 상기 제2 타겟영역에 대해 설정된 전기 파라메터에 따라 상기 타겟에 에너지를 가하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 침착율 제어방법.
  74. 제73항에 있어서, 상기 제1 및 제2 자기장을 반복해서 번갈아 활성화시키는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 침착율 제어방법.
  75. 제73항에 있어서, 상기 제1 자기장이 활성화될때 상기 제1 영역과 다른 상기 타겟의 모든 다른 영역에 인접한 프라즈마 유지 자기장을 비활성화시키고, 상기 제2 자기장이 활성화될때, 상기 제2 영역과 다른 상기 타겟의 모든 다른 영역에 인접한 프라즈마 유지 자기장을 비활성화시키는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 침착율 제어방법.
  76. 제75항에 있어서, 상기 제1 및 제2 자기장을 활성화시키는 단계가 시간적으로 동시에 발생되지 않음을 특징으로하는 침착율 제어방법.
  77. 제75항에 있어서, 상기 자기장들중 한 자기장이 활성화되고 다른 자기장은 비활성화될때 상기 타겟에 관련된 전기 파라메터를 측정하고, 상기 측정단계의 결과에 따라 상기 영역중 적어도 한 영역에 관련된 설정 전기 파라메터값들중 적어도 한값을 개정하고, 그리고 상기 개정된 파라메터값에 따라 활성화 및 비활성화 단계를 반복하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 침착율 제어방법.
  78. 제77항에 있어서, 측정된 전기 파라메터는 상기 타겟의 동작 파우워에 관련된 파라메터임을 특징으로 하는 침착율 제어방법.
  79. 제77항에 있어서, 상기 방법에, 상기 모든 전기 파라메터중 극히 일부를 각각 설정된 값으로 조정하고, 상기 일 자기장이 에너지를 받아 활성화되지만 상기 타 자기장은 비활성화될때 상기 타겟의 적어도 한의 비조정 전기 파라메터를 측정하는 단계가 포함됨을 특징으로 하는 침착율 제어방법.
  80. 제75항에 있어서, 상기 자기장중 일 자기장이 활성화되지만 상기 타 자기장은 비활성화될때 기판상의 침착율을 측정하고, 상기 측정결과에 따라서 상기 영역중 적어도 한 영역과 관련된 설정전기 파라메터값중 적어도 한 값을 개정하고, 상기 개정된 파라메터값에 따라서 상기 활성화 및 비활성화 단계를 반복하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 침착율 제어방법.
  81. 제73항에 있어서, 상기 설정 파라메터에 상기 제1 및 제2 자기장을 각각 발생시키는 제1 및 제2 전자석에 인가되는 전류, 상기 타겟에 에너지가 가해질때 상기 타겟에 인가되는 전류 및 전압, 그리고, 상기 제1 및 제2 자기장이 각각 활성화될때인 상대 시간주기가 포함된 것을 특징으로 하는 침착율 제어방법.
  82. 제73항에 있어서, 상기 에너지를 가하는 단계와 상기 타겟의 전기 파라메터를 상기 설정 파라메터값중의 어느 한 값으로 부터 조정하는 단계가 포함된 것을 특징으로 하는 침착율 제어방법.
  83. 제73항에 있어서, 기판상의 침착율을 측정하고, 상기 측정결과에 따라서 적어도 하나의 설정전기 파라메터를 개정하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 침착율 제어방법.
  84. 제73항에 있어서, 스퍼터링 표면부에서 상기 타겟의 부식심도를 결정하기 위해 스퍼터된 표면부에 상기 타겟의 표면심도를 측정하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 침착율 제어방법.
  85. 제84항에 있어서, 상기 측정단계가 상기 표면에 레이저 빔을 가하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 침착율 제어방법.
  86. 서로 다르게 접하는 기판표면 전역에 제어 분포된 스퍼터 재료를 침착시키는 방법에 있어서, 상기 방법이, 단일편 스퍼터링 타겟을 제공하고, 상기 스퍼터링 타겟의 스퍼터링 표면상에 다수의 서로 다르게 접하는 영역을 확정하여 상기 영역에는 제1 및 제2 영역을 포함시키고 상기 제1 및 제2 스퍼터링 표면영역은 상기 서로 다르게 접하는 기판표면중 서로 다른 표면에 접하도록 하며, 상기 모든 영역으로부터 스퍼터된 총 재료의 침착이 기판표면 전역에서 요망분포가 되도록 하기 위해 상기 영역 각각에 대한 개별적인 전기 파라메터를 설정하고, 상기 타겟에 에너지가 가해질때 활성화되는 자기장에 인접한 각각의 타겟영역에서 스퍼터된 재료가 번갈아 방출되도록 하기 위해 상기 제1및 제2 타겟 영역에 인접한 제1및 제2 프라즈마 유지 자기장을 번갈아 활성화시키고, 그리고, 상기 각각의 타겟영역에 대해 설정된 각각의 전기 파라메터에 따라서 상기 각 영역에 인접한 자기장이 활성화됨과 동기하여 상기 타겟에 번갈아 에너지를 가하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터 재료를 침착시키는 방법.
  87. 제86항에 있어서, 상기 자기장이 활성화됨과 동기하여 상기 타겟으로부터의 스퍼터링률에 관련된 파라메터를 측정하고, 상기 측정결과에 따라 상기 영역중 적어도 어느 한영역에 관련된 설정전기 파라메터값들중 적어도 어느 한값을 개정하고, 그리고, 상기 개정된 파라메터값에 따라서 상기 활성화 및 비활성화 단계를 반복하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터 재료를 침착시키는 방법.
  88. 제86항에 있어서, 상기 설정전기 파라메터가 상기 제1 및 제2 타겟영역에 에너지가 가해지는때인 상대시간을 포함하며, 상기 방법이 상기 영역으로부터 스퍼터되어 이 영역으로부터 상기 기판의 서로 다르게 접하는 표면상에 침착된 재료의 상대량에 영향을 주는 상기 상대시간을 설정하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터 재료를 침착시키는 방법.
  89. 마그네트론 스퍼터링 타겟의 서로 다른 영역으로 부터의 침착을 개별적으로 제어하는 스퍼터링 코팅방법에 있어서, 상기 방법이, 상기 타켓영역중 제1 영역에 관련되는 제1 프라즈마 유지 자기장을 활성화시키는 반면에 전기적으로 상기 제1 영역에 접속된 상기 타겟의 다른 모든 영역에 관련되는 다른 모든 프라즈마 유지 자기장을 비활성화시키고, 상기 제1 자기장이 활성화됨과 동기하여 상기 타겟의 동작에 관련된 파라메터를 측정하고, 상기 타겟영역중 제2 영역에 관련되는 제2 프라즈마 유지 자기장을 활성화시키는 반면 전기적으로 상기 제1 영역에 접속된 상기 타겟의 다른 영역에 관련되는 다른 모든 프라즈마 유지 자기장을 비활성화시키고, 그리고, 상기 제2 자기장이 활성화됨과 동기하여 상기 타겟의 동작에 관련된 파라메터를 측정하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 코팅 방법.
  90. 제89항에 있어서, 상기 측정결과에 응답하여 상기 타겟에 인가되는 파우워를 조정하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 코팅 방법.
  91. 제89항에 있어서, 제1프라즈마 유지 자기장이 전자석에 의해 활성화되고, 상기 방법에, 상기 전자석에 인가되는 전류를 조절하므로써 상기 제1자기장의 활성화된 자기장 세기를 세팅하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 코팅방법.
  92. 제89항에 있어서, 상기 타겟은 스퍼터링 표면을 구비하는 단일편 스퍼터링 재료로 구성되며, 상기 타겟영역은 상기 타겟 스퍼터링 표면과 관련 자기장 선과의 교차에 의해 한정된 경계를 이루는 상기 각각의 타겟의 상기 스퍼터링 표면상에 있는 영역임을 특징으로 하는 스퍼터링 코팅방법.
  93. 제89항에 있어서, 상기 각각의 제1 및 제2 영역에 대해 각각 개별적으로 설정된 전기 파라메이터에 따라서 그리고 상기 각각의 영역에 인접한 자기장이 활성화됨과 동기하여 상기 타겟에 에너지를 가하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 코팅방법.
  94. 제93항에 있어서, 상기 측정결과에 따른 정보에 응답하여 상기 전기 파라메터값을 설정하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 코팅방법.
  95. 제93항에 있어서, 상기 활성화 단계가 번갈아 수행됨을 특징으로 하는 스퍼터링 코팅방법.
  96. 제93항에 있어서, 상기 활성화 단계를 반복적으로 번갈아 수행하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 코팅방법.
  97. 제89항에 있어서, 상기 측정단계에 기판상의 침착율을 모니터하는 단계가 포함된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 코팅방법.
  98. 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법에 있어서, 상기 방법이 기판표면과 공간관계를 이루는 스퍼터링 표면을 구비하는 단일편 스퍼터링 재료로 형성된 타겟을 제공하여, 상기 타겟 표면이 그 상부에 다수의 서로 다른 영역을 구비하고 각각의 영역이 그곳으로부터 스퍼터되는 재료가 기판표면 전역에 서로 다른 분포를 생성하도록 서로 다른 기하학적인 관계를 이루며, 상기 영역중 서로 다른 영역과 각각 관련된 전기 파라메터에 대한 다수의 세트값을 설정하여, 상기 값 및 상기기하학적인 관계가 상기 모든 영역에서 스퍼터되는 총 재료의 침착이 기판표면 전역에서 요망분포가 되도록하는 과정과 관계되며, 상기 타겟에 에너지가 가해질때 각각의 타겟 영역으로부터 스퍼터 재료의 방출을 발생시키기 위해서 각각의 영역과 관련된 파라메터값에 따라 상기 영역 중 서로 다른 영역에 각각 인접한 다수의 자기장을 활성화시키고, 그리고, 자기장이 활성화됨과 동기하여 그리고 각각의 타겟영역과 관련된 파라메터값에 따라서 상기 타겟 에너지를 가하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  99. 제98항에 있어서, 자기장이 활성화됨과 동기하여 상기 전기 파라메터값중 적어도 하나의 값을 조정하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  100. 제98항에 있어서, 상기 전기 파라케터에는 상기 전자석이 인가되는 전류, 상기 타겟에 에너지가 가해질때 상기 타겟에 인가되는 전류 및 전압, 그리고, 상기 자기장 각각이 활성화될때인 시간주기가 포함됨을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  101. 제98항에 있어서, 상기 영역으로부터 스퍼터된 재료의 상대량을 제어하기 위해 상기 에너지를 가하는 단계의 사용율을 제어하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  102. 제98항에 있어서, 상기 기하학적인 관계에, 각 영역내의 타겟표면의 각각의 증분과 그곳으로 부터 볼 수 있는 기판표면의 각각의 증분을 양분하는 거리와, 각각의 타겟표면 증분과 관계하는 각각의 상기 기판표면 증분의 각도가 포함됨을 특징으로 하는 기판 표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  103. 제98항에 있어서, 상기 영역에, 상기 타겟의 중앙을 둘러싸는 내부 환상영역과 상기 내부 환상영역을 둘러싸는 외부 환상영역이 포함됨을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  104. 제103항에 있어서, 상기 타겟이, 기판과 평행으로 접하고 함께 동심을 이루는 환상성형, 원형 내부엣지 및 원형 외부엣지, 기판보다 큰 직경, 그리고, 대체로 전체적이 오목성형으로 되어 기판에 접하는 스퍼터링 표면을 구비하여, 상기 외부엣지는 상기 타겟 표면내부 및 상기 내부엣지보다는 상기 기판의 평판에 더 밀접하고 상기 스퍼터링 표면은 상기 내부엣지와 상기 외부엣지 사이에서 그 반경을 따라 고르게 연속하는 단면을 이룸을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  105. 제104항에 있어서, 상기 타겟은 상기 내부엣지에서 보다는 상기 외부엣지에서 그 두께가 더 두껍고, 상기 내부영역에 보다는 상기 외부영역에 더 많이 놓이는 스퍼터링 재료를 포함함을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  106. 제105항에 있어서, 상기 자기장은 독립적으로 활성화 가능한 전자석에 의해 각각 활성화됨을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  107. 제106항에 있어서, 상기 전자석에, 인접영역 사이의 상기 타겟에 놓이는 공통 극편이 포함된 것을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  108. 제107항에 있어서, 상기 타겟은 상기 기판으로부터 상기 스퍼터링 표면 반대쪽에 위치한 배면을 구비하고, 상기 극편은 상기 스퍼터링 표면 가까운 배후에 위치한 상기 배면에 삽임됨을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  109. 제108항에 있어서, 상기 극편은 상기 타겟을 구조적으로 강화시키고 상기 타겟이 열팽창 되는 것을 억제하는 작용을 하도록 된 것을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  110. 제108항에 있어서, 상기 극편은 상기 타겟으로부터 발생되는 동작열을 제거하는 냉각수단이 포함된 것을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  111. 103항에 있어서, 상기 기판표면은 그 표면상에 외부로 접하는 측부를 갖는 계단을 구비하고, 상기 외부 영역에 있는 상기 타겟의 상기 스퍼터링 표면은 상기 기판표면상에 있는 계단의 외부로 접하는 측부에 거의 인접한 타겟표면의 증분을 포함함을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  112. 제98항에 있어서, 상기 스퍼터링 표면은 오목성형을 이루지 않고 그리고 연속적이지 않은 상기 영역에서는 어떠한 증분도 포함하지 않음을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  113. 제98항에 있어서, 활성화된 자기장에 인접한 타겟영역과 기판표면간의 기하학적인 관계에서의 변화와 관련된 파라메터에서의 변화를 결정하기 위해서 자기장이 활성화됨과 동기하여 상기 타겟의 파라메터를 측정하고, 상기 측정의 결과에 응답하여 상기 전기 파라메터중에 적어도 하나의 파라메터값을 개정된 값으로 변화시켜, 상기 변화된 값이 변화된 기하학적인 관계와 합동을 이루도록 선택하여 상기 모든 영역으로부터 스퍼터된 총 재료의 침착이 기판표면 전역의 상기 요망 분포가 되도록 하고, 상기 변화된 전기 파라메터값에 따라 상기 활성화 및 비활성화 단계를 반복시키는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  114. 제113항에 있어서, 상기 측정된 파라메터는 상기 타겟의 파우워소비와 관계됨을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  115. 제113항에 있어서, 상기 측정된 파라메터는 상기 파우워 소비와 관계됨을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  116. 제113항에 있어서, 상기 측정 단계는 기판상의 침착율을 측정하는 단계를 구성함을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  117. 제98항에 있어서, 상기 측정단계가 상기 타겟의 부식을 모니터함을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  118. 제117항에 있어서, 상기 측정단계가 상기 타겟의 부식을 모니터함을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  119. 제98항에 있어서, 상기 자기장의 활성화를 번갈아 반복하고 동시에 상기 타겟에 반복해서 에너지를 가하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
  120. 제98항에 있어서, 상기 자기장의 활성화가 어느 시간에서도 동시에 발생되지 않도록 된 것을 특징으로 하는 기판표면 전역에 스퍼터 재료의 요망분포를 침착시키는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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