JP2529031B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 55
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 91
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 13
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Description
常を検出し、成膜の良否判定が可能なスパッタリング装
置に関する。
大量に記録するのにコンパクトディスク(以下、CDと
略称する)や光ディスクが広く使用されるようになって
きた。CDは、ポリカーボネート等の透明な合成樹脂性
基板の表面にスパッタ(リング)により光反射率の高い
アルミニューム(Al)薄膜層が形成されて構成され、
「1」か「0」のデジタル情報に合わせて、その基板に
ピット(pit) と称する小さな孔を開け、その孔の有無を
レーザ光の反射波の有無により検知しその記録情報を読
み出し得るものである。1枚の基板に対するAlの成膜
は、スパッタにより比較的短時間で可能なことから、そ
れを利用して多数基板への連続成膜が要望される。
図13に示すように構成されている。即ち、成型機1の
プレス押圧成形により「1」「0」のデジタル情報が入
力された基板が生成されると、基板は図13に示すよう
にハンドリングマシンと称する第1搬送機2によって成
膜機3に搬送される。成膜機3は図13に示すように構
成され、搬送された基板4は真空容器である成膜室31
内でスパッタ源32により光反射膜が形成される。スパ
ッタ源32にはターゲット33が基板4に対向して配置
され、これ等両者間に例えば最大15KW程度のパルス
状スパッタ電力が供給されるように直流(DC)電源3
4が接続されている。またこの電源34及び成膜室3に
は共通して制御部5が接続され、一連のスパッタリング
制御が行なわれる。
は、成膜機3におけるスパッタが正常に行なわれ基板4
に対するAl成膜が良好になされたか否かを直ちに判定
する手段がなかったから、例えば、図12に示すよう
に、成膜機3を後続の第2搬送機6→保護膜機7→第3
搬送機8→検査機9からなる製造ラインに組込んだ場合
に、成膜基板4は、保護膜形成工程等を経て、最終の検
査段階(検査機9)に至ってはじめて成膜の良否判断を
受けることとなる。従って、その間、不良成膜基板4は
保護膜形成等の無駄な工程を重ねるだけでなく、検査機
9の負荷をも増大させ、また、検査では判定できない不
良品を多量に発生させる欠点があった。
装置では、スパッタ成膜時の良否が直ぐには検知する手
段がなかったので、多量の不良品を後工程に流し、歩留
りの悪化やラインの効率低下の要因となっていた。
パッタリングの異常を直ちに検知し得て、効率的に製造
ラインを組立て運用するのに有効な異常検出手段を備え
たスパッタリング装置を提供することを目的とする。
基板とが対向配置された真空容器と、前記真空容器内に
放電電力を供給しスパッタリングによって前記基板面に
成膜する電源とを具備し、成膜時間内に一定の放電電力
量が確保されているかを基準値に対応させて比較する比
較手段と、この比較手段から得られた信号に基づき前記
基板の成膜状態の良否を判断する判定手段とを具備する
ことを特徴とするスパッタリング装置である。
電源の出力電力波形を検出する検出器と、この検出器の
出力を基準値に対応させて得られる信号を導出する比較
手段を有し、この比較手段の出力を前記判定手段に適用
することを特徴とする。
前記電源の電力レベルに到達しない時間の累計を、基準
値に対応させて得られる信号を導出する比較手段を有
し,この比較手段の出力を前記判定手段に適用すること
を特徴とする。
前記電源からの放電が途絶した時間の累計を基準値に対
応させて得られる信号を導出する比較手段を有し,この
比較手段の出力を前記判定手段に適用することを特徴と
する。
前記電源により生ずる放電回数を基準値に対応させて得
られる信号を導出する比較手段を有し,この比較手段の
出力を前記判定手段に適用することを特徴とする。
前記電源の電圧値又は電流値を基準値に対応させて得ら
れる信号を導出する比較手段を有し,この比較手段の出
力を前記判定手段に適用することを特徴とする。
対する成膜状況の良否が、成膜室内の雰囲気の圧力状態
や放電電力あるいは放電電圧または電流波形の状態によ
って決定づけられることに着目してなされたものであ
る。そこでこの発明は、成膜後の真空容器内の圧力また
は放電電力あるいは放電電圧または電流の異常を検出
し、夫々予め定めた基準値と比較判定することにより、
スパッタ後直ちに成膜状況の良否を判定する判定手段を
設けたので、例えば連続製造ラインに採用することによ
って、後段の検査機等の負荷を軽減し、また不良基板が
成膜後の無駄な工程を経るという不具合が解消される。
更に、この発明装置によれば、検査機では検査不能な基
板をも検査可能とすることができる。
よるスパッタリング装置の実施例を説明する。なお、図
12及び図13に示した従来の装置と同一構成には同一
符号を付して一部詳細な説明は省略する。
の第1の実施例を示す構成図である。即ち、予め成型機
1によるプレス押圧成形により、「1」「0」のデジタ
ル情報が入力された合成樹脂製の基板4が、第1搬送機
2により成膜機3に搬送されると、成膜機3は従来と同
様にAlのターゲット33と基板4とが真空容器内で対
向配置して構成され、電源34から供給の放電電力によ
り基板4面にAl光反射膜が形成される。成膜機3及び
電源33には制御部5が接続され、制御部5内には具体
的には図2に示す判定手段51が構成されている。
51aが取付けられ、成膜室31内の圧力情報が真空計
51bに供給され、圧力に対応した電圧信号Vpに変換
される。変換された電圧信号Vpはマイコンからなる制
御器51cに供給され、前記圧力測定球51aで検出さ
れた成膜室31内の圧力が正常な成膜に必要な圧力とな
っていたかどうかをプログラム制御により判定し、スパ
ッタ異常を検出する。
常な圧力になっていないとき、その結果を第2搬送機6
に伝達して、該当の基板4を不良基板であるとして除去
操作させるとともに、表示機52にその旨表示する。制
御器51cに対し成膜時の圧力が正常とする場合の基準
値等を設定入力するのはキーボード入力部51cであ
る。
る成膜不良基板4の除外制御信号Qの供給を受けるか
ら、該当する成膜不良基板4は除外され、Alが正常に
スパッタ成膜された基板4のみ保護膜機7に供給され、
合成樹脂の保護膜が被覆される。 また、検査機9に至
る各製造工程の中で、成型機1では、プレス加工での押
圧成型による基板4が製造され、比較的均一化された品
質のものが得られ、形状等の不良品が製造されることは
少ない。また、保護膜機7も成膜された基板面に単に合
成樹脂を塗布し紫外線を照射して硬化させるものである
から、この製造工程でも不良品を生成する率は比較的少
ない。上記各工程に比較し、成膜機3における成膜工程
は、スパッタによる枚葉処理という量産サイクルの要で
あり、真空槽内への基板4の搬入→ターボ分子ポンプに
よる排気→放電(スパッタ)→搬出という複雑かつ高度
に制御された工程の繰返しであり、最も不良品が発生し
やすい。 この第1の実施例では、制御部5内に判定手
段51を設け、予め成膜状況の良否を直ちに判定できる
ので、その結果を後続の搬送機6に供給すれば、不良基
板を除去することができ、後工程の検査機9の負荷が軽
減されるとともに、成膜不良基板4に保護膜が形成され
る無駄は解消される。
に示すように、6秒という短いサイクルの中で、排気→
成膜(スパッタ)→搬送が行われ、成膜室31内での成
膜は、実線Aで示す圧力が排気により十分低下した状態
行われてはじめて良好なAl層が基板4上に形成され
る。従って、一般には成膜室31内の圧力低下が確認さ
れてから、点線Bで示すDC電力を印加しスパッタ成膜
することが考えられるが、成膜開始前の圧力検出では枚
葉処理時間に影響する場合は、製造サイクルのより短縮
化を実現せしめるために、この実施例では成膜後の搬送
時間内に真空槽内圧力を検知して、そのときの測定値が
予め定めた基準値以下であったとき、正常圧下で成膜が
行われたものと見なすものである。
制御によるものであり、スパッタ成膜終了後の搬送時間
内に、スパッタ終了信号Tsが導出され、また、キーボ
ード入力部51dからはこのときの許容最大圧力値Pr
[Pa]が基準値として入力されている。そこで、成膜
の良否判定は図4に示す簡単な手順で実行される。ま
ず、ステップ(イ)において、真空計51bから検出の
例えば0V〜11Vまでの範囲の電圧信号Vpを圧力値
Ps[Pa]に変換する。ステップ(ロ)において、検
出圧力値Psが予め設定された基準値Pr[Pa]以下
かどうかを、各サイクルの成膜終了信号Tsのタイミン
グで比較し、Ps≦Prのときは正常に成膜されたと
し、もしもPs>Prのときには該当の基板4が成膜不
良であるとして異常信号を導出し、その旨表示器52に
表示するとともに、必要に応じ第2搬送機6に除外制御
信号Qを供給制御し、該当基板4を除去することができ
る。
リング装置は、判定手段51を設け成膜機における成膜
状況の良否を、成膜室内の圧力が成膜時に正常であった
かどうかを基準に判定するものであり、その結果をもと
に不良成膜基板をタイムリーに除去できるから、これを
製造ラインに組込んだ場合は後段の検査機9の負荷を軽
減せさ得るとともに、保護膜被覆などの無駄な製造工程
を経ることがなくなり、製造効率の改善が図れる。
る条件として、成膜時の圧力の異常状態に基づくものと
したが、成膜時にパルス状に印加される放電電力波形あ
るいは電圧または電流波形が正常でない場合も不良成膜
あるいはピットの破損等が発生するので、これら放電電
力及び放電電圧または電流波形の異常を検出することに
よって、スパッタ異常を検出することもできる。
パッタリング装置の第2の実施例を説明するもので、放
電電力波形が正常でなく、全体として成膜時に正常な成
膜に必要な電力が印加されることなく不良基板が生成さ
れたとして、異常検出信号を導出するものである。これ
を採用した全体の製造ライン等の構成は、図1及び図2
に示したと同様で、特に電源34は図5に示すように構
成されている。即ち、電源34は3相交流電源を入力と
し、AC/DCコンバータ34aにより、高圧DC電力
を出力し成膜機3に供給するものであるが、AC/DC
コンバータ34aは制御基板34bからの信号により、
出力タイミング(成膜)が制御される。変換出力DC電
力値Pa及び電圧値Pvは、直列抵抗34c及び電圧検
出回路34ba,電流検出回路34bb等の回路の組合
わせによって検出される。これ等の検出値を制御部5内
の判定手段51に供給することによって、成膜時の良不
良の判定が可能となる。なお、図5において、Pkはス
パーク信号を示す。
ら電源34に対して放電開始Hk及び停止制御信号Ht
が供給されるとともに、電源34からは、出力DC電力
に対応したアナログ検出出力信号(Pa)が判定手段5
1に供給される。いま、アナログ検出出力信号(Pa)
は本来は正常な成膜を得るための信号波形が点線Bのよ
うに矩形波となるべきところ、図6に実線Cで示すよう
な波形であるとする。
力が一回のスパッタ中に必要な最低出力電力値Ptに到
達していない時間T1,T2の累計が、予め定めた一定
時間L以上の場合には、正常成膜に必要な電力が成膜機
3に供給されず、正常成膜が行われなかったとして、異
常検出信号Qを後続の第2搬送機6に供給し、該当基板
4を除外することができる。
ラム制御手順を、図7に示したフローチャートにより更
に説明する。即ち、予めステップ(イ)及び(ロ)にお
いて、最大DC出力値Pm及び最低出力値Ptが予め設
定されるとともに、電源34からのアナログ検出信号P
aが判定手段51に供給されている(ステップ(ハ))
から、ステップ(ニ)においてデジタル信号に変換され
る。そこで、ステップ(ホ)では正常成膜を妨げる要因
であるPt≧Paとなる時間長の和を算出する。また、
判定手段51には予め成膜時の放電時間長が設定されて
いる(ステップ(ヘ))から、ステップ(ト)におい
て、成膜時内にPt≧Paとなる実時間長の和が算出さ
れ、ステップ(チ)において予め設定された時間長さL
を越えたとき(YES)に、例えば第2搬送機5に異常
検出信号Qを供給し、また正常な成膜が得られないとし
て表示器52に表示する。
連の製造ラインに適用した場合は、第2搬送機6におい
て、事前に不良成膜基板4は除去されるから、検査機9
の負荷は軽減され、不良品が以後無駄な製造工程を経る
のを回避することができる。
て、正規の放電が行われたか否かを検出し、成膜の良否
判断を行うのに、放電時において、瞬間的な放電切れの
時間を累計して、ある所定時間以上となった場合も、不
良成膜が行われたと見なして、異常信号を導出すること
ができる。実際には、2秒程度という極めて短い時間内
での成膜が要望されるから、アーク放電等により放電が
瞬間的に切れた場合でも、良好な膜厚形成に影響するか
らである。
ッタリング装置の第3の実施例を説明するもので、夫々
放電電力波形及び判定手段51におけるプログラム制御
手順を示したものである。図8において、放電切れ(O
FF)の時間T3,T4が2度あり、その時間長の和T
c(=T3+T4)が、所定基準時間長L1と比較し、
Tc>L1のときに、良好な成膜を得るのに必要な総電
力量が不足したとして、異常検出信号Qを導出する。図
9は図7に示した第2の実施例における判定手段51の
制御手順とほぼ同様であるので簡単に説明する。基準時
間長L1を設定し(ステップ(リ))、放電スタート
(ステップ(ヌ))後に、放電OFF時間長の和Tc
(=T3+T4)を計数する(ステップ(ル))。ステ
ップ(オ)においてTc>L1か否かを判定し、Tc>
L1のときにアーク放電時間長が長く正常な成膜が得ら
れないとして異常検出信号Qを導出し、表示器52に表
示しまた必要に応じ第2搬送機6に供給し制御すること
ができる。
条件として、瞬間的な放電切れの回数が多くなった場合
には、ターゲットや防着シールド等からアルミニューム
の塊状粒子が飛散り、正常な膜が形成されず、ピット破
壊の原因となるので、不良成膜が行われたと見なして、
異常信号を導出することができる。
スパッタリング装置の第4の実施例を説明する放電電力
波形及び判定手段51でのプログラム制御手順を示した
もので、図10は成膜期間中にスパークにより放電切れ
(t1〜t5)が5度発生した場合を示したものであ
る。そこで、放電切れの回数を計数し、その回数が基準
回数L2を越えたときには、仮に総電力量が必要な量に
達していたとしても、基板4面への損傷が無視できない
ので、異常検出信号Qを導出するものである。即ち、図
11において、予め放電切れ基準回数L2を設定し(ス
テップ(ワ))、放電スタート後に電源34からのスパ
ーク(放電切れ)信号Pkが導入され、その回数nがカ
ウントされる(ステップ(カ))。計数された回数nが
基準回数L2以下か否かを判定し(ステップ(ヨ))、
n≧L2のときに第2搬送機6を制御し表示器52に表
示する。
電源34はDC電源として説明したが、本発明スパッタ
リング装置においては、高周波電源に切替え採用して構
成しても同様な効果が得られる。また、上記第2ないし
第4の各実施例においては、電源34からの出力電力波
形Paを検出して、成膜の良否を判断するように説明し
たが、出力電圧波形Prを検出しても同様に実施でき
る。更に、異常検出信号Qは第3搬送機8に供給するよ
うに構成しても良い。
ング装置は、成膜終了後に直ちにその成膜の良否を判定
し、信号を導出するので、例えば量産製造ラインに組込
み、スパッタリング異常による膜厚不良や外観上の不良
等、通常の検査機では検出不可能な不良成膜基板をもタ
イムリーに除去するのに効果的であり、製造効率向上等
に寄与するところ大である。また、この発明はスパッタ
リング単体のみで使用できるし、被成膜品はガラス板、
ウエハ−、金属板、プラスチック等あらゆるものに適用
可能である。
簡単な構成で、タイムリーにかつ適確にその成膜状況の
異常を検出できるものであり、実用上の効果大である。
施例を基板製造ラインに適用した状態を示す構成図であ
る。
力及び電力特性図である。
トである。
施例を示す要部構成図である。
ッタリング時の電力特性図である。
示すフローチャートである。
施例における電力特性図である。
ローチャートである。
実施例における電力特性図である。
順を示すフローチャートである。
Claims (6)
- 【請求項1】 ターゲットと基板とが対向配置された真
空容器と、前記真空容器内に放電電力を供給しスパッタ
リングによって前記基板面に成膜する電源とを具備し、
成膜時間内に一定の放電電力量が確保されているかを基
準値に対応させて比較する比較手段と、この比較手段か
ら得られた信号に基づき前記基板の成膜状態の良否を判
断する判定手段とを具備することを特徴とするスパッタ
リング装置。 - 【請求項2】 電源の出力電力波形を検出する検出器
と、この検出器の出力を基準値に対応させて得られる信
号を導出する比較手段を有し、この比較手段の出力を前
記判定手段に適用することを特徴とする請求項1記載の
スパッタリング装置 - 【請求項3】 前記電源の電力レベルに到達しない時間
の累計を、基準値に対応させて得られる信号を導出する
比較手段を有し、この比較手段の出力を前記判定手段に
適用することを特徴とする請求項1記載のスパッタリン
グ装置 - 【請求項4】 前記電源からの放電が途絶した時間の累
計を基準に対応させて得られる信号を導出する比較手段
を有し、この比較手段の出力を前記判定手段に適用する
ことを特徴とする請求項1記載のスパッタリング装置 - 【請求項5】 前記電源により生ずるアーク放電回数を
基準値に対応させて得られる信号を導出する比較手段を
有し、この比較手段の出力を前記判定手段に適用するこ
とを特徴とする請求項1記載のスパッタリング装置 - 【請求項6】 前記電源の電圧値又は電流値を基準値に
対応させて得られる信号を導出する比較手段を有し、こ
の比較手段の出力を前記判定手段に適用することを特徴
とする請求項1記載のスパッタリング装置
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3029431A JP2529031B2 (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | スパッタリング装置 |
DE69120242T DE69120242T2 (de) | 1991-01-30 | 1991-09-27 | Zerstäubungsvorrichtung |
EP91402591A EP0497066B1 (en) | 1991-01-30 | 1991-09-27 | A sputtering apparatus |
US08/003,860 US5336385A (en) | 1991-01-30 | 1993-01-08 | Sputtering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3029431A JP2529031B2 (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05230652A JPH05230652A (ja) | 1993-09-07 |
JP2529031B2 true JP2529031B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=12275954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3029431A Expired - Lifetime JP2529031B2 (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | スパッタリング装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5336385A (ja) |
EP (1) | EP0497066B1 (ja) |
JP (1) | JP2529031B2 (ja) |
DE (1) | DE69120242T2 (ja) |
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- 1991-09-27 DE DE69120242T patent/DE69120242T2/de not_active Expired - Fee Related
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JPH05230652A (ja) | 1993-09-07 |
EP0497066A1 (en) | 1992-08-05 |
EP0497066B1 (en) | 1996-06-12 |
DE69120242T2 (de) | 1996-11-28 |
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