KR20100006483A - 자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론스퍼터링 방법 - Google Patents

자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론스퍼터링 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100006483A
KR20100006483A KR1020080066723A KR20080066723A KR20100006483A KR 20100006483 A KR20100006483 A KR 20100006483A KR 1020080066723 A KR1020080066723 A KR 1020080066723A KR 20080066723 A KR20080066723 A KR 20080066723A KR 20100006483 A KR20100006483 A KR 20100006483A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnetic field
field forming
control unit
unit
target
Prior art date
Application number
KR1020080066723A
Other languages
English (en)
Inventor
정윤모
이기용
정민재
나흥열
홍종원
강유진
Original Assignee
삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성모바일디스플레이주식회사 filed Critical 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority to KR1020080066723A priority Critical patent/KR20100006483A/ko
Priority to US12/481,239 priority patent/US20100006423A1/en
Publication of KR20100006483A publication Critical patent/KR20100006483A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3458—Electromagnets in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3476—Testing and control
    • H01J37/3482—Detecting or avoiding eroding through

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 자장 형성 유니트를 제공한다. 상기 자장 형성 유니트는 기판에 증착되는 금속 물질로 이루어지는 타켓으로 일정의 자장을 제공하는 자장 형성부와, 상기 자장 형성부와 전기적으로 연결되며, 외부로부터 전기적 신호를 전송 받아 상기 자장 형성부에 자장을 형성할 수 있는 전류를 선택적으로 공급하는 자장 형성부 제어 모듈을 구비한다. 또한, 본 발명은 자장 형성 제어 유니트를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치 및 자장 형성 제어 유니트도 제공한다. 따라서, 본 발명은 스퍼터링 공정이 진행되지 않는 경우에 타켓의 자화를 방지하고, 공정이 진행되는 경우에 타켓으로의 자장을 형성시키어 기판으로의 균일 증착을 시킬 수 있다.

Description

자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론 스퍼터링 방법{UNIT FOR CONTROLLING MAGNETIC FIELD FORMING AND MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND MAGNETRON SPUTTERING METHOD USING THE UNIT}
본 발명은 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 타켓의 자화를 방지함과 아울러 기판에 균일한 증착도를 수행할 수 있는 자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론 스퍼터링 방법에 관한 것이다.
전형적으로 반도체 또는 액정 표시 장치의 제조 공정에서는 모제가 되는 웨이퍼 또는 유리 기판 등의 피처리체에 소정의 박막을 패턴 또는 회로 패턴을 형성하기 위한 박막 공정을 실시한다.
상기 액정 표시 장치의 제조 공정에서는 스퍼터링 방법을 사용하여 유리 가판에 게이트 배선, 데이터 배선을 형성하기 위한 메탈 레이어 및 화소 전극, 공통 전극을 형성하기 위한 투광성 전도막을 증착하고, 이를 패터닝하여 소정의 회로 패턴을 형성한다.
상기 스퍼터링 방법은 진공 분위기가 형성되는 공정 챔버의 내부에 아르곤 또는 헬륨 등의 공정 가스를 주입하여 플라즈마 분위기를 형성하고, 상기 플라즈마 이온을 타켓과 충돌시키어 타켓에서 방출된 원자를 기판에 증착시키는 기술이다.
근래에는 상기 기술이 더 진보되어 타켓의 주위에 플라즈마 이온을 집진시키는 마그네트론 스퍼터링 방법이 사용되고 있다.
상기 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하는 장치를 설명하도록 한다.
도 1은 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치를 보여주는 도면이다.
도 1을 참조 하면, 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치는 가스 유입관(110)과 가스 배출관(120)이 구비되는 공정 챔버(100)와, 공정 챔버(100)의 내부에 설치되며 기판(140)이 안착되는 안착부(130)와, 공정 챔버(100)의 내부에서 안착부(130)의 상부에 위치되는 자석(50)과, 상기 자석(50)을 공정 챔버(100)의 상측에 고정하는 고정 플레이트(60)와, 상기 자석(50)과 안착부(130)의 사이에 위치되는 타켓(200)을 갖는다.
상기 구성을 참조 하면, 자석(50)은 일정 이상의 자장을 형성하고, 타켓(200)을 공정에 필요한 자장으로 자화시킨다.
이와 같은 상태에서, 진공이 형성되는 공정 챔버(100)의 내부에 플라즈마 분위기가 형성되면, 플라즈마 이온은 자화된 타켓(200)의 주변에 집진될 수 있다.
따라서, 일정량 이상으로 플라즈마 이온이 타켓(200)의 주변에 집진되어 타켓(200)에 충돌되기 때문에, 보다 많은 양의 타켓(200)의 원자들은 타켓(200)으로부터 방출되어 기판(140)에 보다 빠른 속도로 증착될 수 있다.
이러한 마그네트론 스퍼터링 장치는 공정 제어 따른 니켈과 같은 금속 증착량 제어가 용이하고, 대면적의 기판에 용이하게 적용 가능하기 때문에 종래에 널리 사용된다.
여기서, SGS(Super Grain Silicon)는 MIC(Metal Induced Crystallization)이나 MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)의 경우와 다르게 기판 상에 소량, 예컨대 1011 내지 1016 atom/cm2 이하의 농도로 금속을 증착시켜야 하기 때문에 기판(140) 상에 증착되는 증착 균일도 및 증착 속도의 제어가 매우 중요하다.
그러나, 도 1에 도시된 바와 같은 스퍼터링 장치에서 스퍼터링 공정이 진행된 이후에도 자석(50)은 항상 일정의 자장을 형성하기 때문에 타켓(200)에 일정의 자장을 형성시킨다.
따라서, 상기 타켓(200)은 공정이 진행되지 않는 상태에서도 일정의 자장이 항상 형성되기 때문에, 자화되어 왜곡되는 문제점을 갖는다.
종래에는 상기 타켓(200)이 자화됨으로 인하여 공정 진행시에 기판(140)에 증착되는 금속의 증착 균일도를 확보할 수 없는 문제점이 있다.
또한, 종래에는 대면적의 기판(140)의 상면에 금속을 증착시키는 경우에 타켓(200)의 국부적인 영역에 대하여 분할되는 자장을 형성시키지 못하기 때문에, 기판(140) 상에 증착되는 박막의 증착 균일도를 보정할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있도록 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 기판으로의 스퍼터링 공정 진행 여부에 따라 타켓으로의 자장 형성을 선택적으로 제어함으로써, 스퍼터링 공정이 진행되지 않는 경우에 타켓의 자화를 방지하고, 공정이 진행되는 경우에 타켓으로의 자장을 형성시키어 기판으로의 균일 증착을 시킬 수 있는 자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론 스퍼터링 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 스퍼터링 공정 진행 중에 자장 형성부인 마그네트론의 저부에서 타켓을 왕복 이동시키어 타켓 물질을 기판에 균일하게 증착시킬 수 있는 자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론 스퍼터링 방법을 제공함에 있다.
일 측면에 있어서, 본 발명의 자장 형성 유니트는 기판에 증착되는 금속 물질로 이루어지는 타켓으로 일정의 자장을 제공하는 자장 형성부와, 상기 자장 형성부와 전기적으로 연결되며, 외부로부터 전기적 신호를 전송 받아 상기 자장 형성부에 자장을 형성할 수 있는 전류를 선택적으로 공급하는 자장 형성부 제어 모듈을 포함한다.
여기서, 상기 자장 형성부는 일정 길이를 갖는 바 형상의 내부 페라이트와, 상기 페라이트의 외주에 외감되는 코일과, 상기 코일의 외주에 설치되며 외면에 니 켈이 코팅되는 외부 페라이트를 구비하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 자장 형성부는 일정 길이를 갖는 바 형상의 내부 페라이트와, 상기 페라이트의 외주에 외감되는 내부 코일과, 상기 내부 코일의 외주에 외감되는 외부 코일과, 상기 외부 코일의 외주에 설치되며 외면에 니켈이 코팅되는 외부 페라이트를 구비할 수도 있다.
또한, 상기 자장 형성부는 상기 타켓의 일면으로부터 일정 거리 이격되어 배치되며, 단일개로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 자장 형성부는 상기 타켓의 일면으로부터 일정 거리 이격되어 배치되며, 다수개로 이루어지어 서로 나란하게 배치될 수도 있다.
이에 더하여, 상기 자장 형성부 제어 모듈은 상기 기판에 금속 물질이 증착되는 공정을 제어하는 공정 제어부와 전기적으로 연결되고, 상기 공정 제어부는 상기 기판에 금속 물질이 증착되는 공정이 진행되는 경우에 상기 자장 형성부 제어 모듈로 전기적 신호를 전송하는 것이 바람직하다.
다른 측면에 있어서, 본 발명의 자장 형성 유니트를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치는 기판이 안착되는 안착부를 갖는 공정 챔버와, 상기 안착부의 상부에 위치되도록 상기 공정 챔버의 내부에 설치되며, 상기 기판에 증착되는 금속 물질로 이루어지고, 일정의 왕복 이동 경로를 따라 이동 가능한 타켓과, 상기 타켓의 상부에 위치되도록 상기 공정 챔버의 내부에 설치되며, 상기 타켓으로 일정의 자장을 제공하는 자장 형성부와, 상기 기판에 금속 물질이 증착되는 공정을 제어하는 공정 제어부와, 상기 공정 제어부 및 상기 자장 형성부와 전기적으로 연결되며, 상기 공 정 제어부로부터 공정 진행 유무에 대한 전기적 신호를 전송 받아 상기 타켓을 선택적으로 이동시키며, 상기 자장 형성부에 자장을 형성할 수 있는 전류를 선택적으로 공급하는 자장 형성부 제어 모듈을 포함한다.
여기서, 상기 타켓은 이동 유니트와 연결되고, 상기 이동 유니트는 상기 타켓의 양측부를 고정하는 고정 프레임과, 상기 고정 프레임을 슬라이딩 이동 가능하도록 가이드하는 가이드 프레임과, 상기 고정 프레임을 슬라이딩 이동 시키는 리니어 모터를 구비하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 자장 형성부 제어 모듈은 이동 제어부와 전류 공급 제어부를 구비하고, 상기 이동 제어부는 상기 리니어 모터와 전기적으로 연결되고, 상기 전류 공급 제어부는 상기 자장 형성부와 전기적으로 연결되되, 상기 기판에 금속 물질이 증착되는 공정이 진행되는 경우에 상기 자장 형성부 제어 모듈은 상기 공정 제어부로부터 공정의 진행됨에 대한 전기적 신호를 전송 받아 상기 이동 제어부를 사용하여 상기 타켓을 왕복 이동시키고, 상기 전류 공급 제어부를 사용하여 상기 자장 형성부로 일정의 전류를 공급하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 자장 형성부는 일정 길이를 갖는 바 형상의 내부 페라이트와, 상기 페라이트의 외주에 외감되는 코일과, 상기 코일의 외주에 설치되며 외면에 니켈이 코팅되는 외부 페라이트를 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 자장 형성부는 일정 길이를 갖는 바 형상의 내부 페라이트와, 상기 페라이트의 외주에 외감되는 내부 코일과, 상기 내부 코일의 외주에 외감되는 외부 코일과, 상기 외부 코일의 외주에 설치되며 외면에 니켈이 코팅되는 외부 페 라이트를 구비할 수도 있다.
또한, 상기 자장 형성부는 상기 타켓의 일면으로부터 일정 거리 이격되어 배치되며, 단일개로 이루어지는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 자장 형성부의 길이 방향은 상기 왕복 이동 경로와 직교를 이루는 것이 바람직하다.
또한, 상기 자장 형성부는 상기 타켓의 일면으로부터 일정 거리 이격되어 배치되며, 다수개로 이루어지어 서로 나란하게 배치될 수도 있다.
여기서, 상기 자장 형성부의 길이 방향은 상기 왕복 이동 경로와 동일 한 것을 이루는 것이 바람직하다.
또 다른 측면에 있어서, 본 발명의 자장 형성 유니트를 사용한 마그네트론 스퍼터링 방법은 공정 제어부를 사용하여 기판에 타켓의 금속 물질이 증착되는 공정이 진행되는지의 여부를 판단하고, 자장 형성부 제어 모듈을 사용하여 상기 공정 진행 여부에 따라 상기 타켓에 자장을 형성하는 자장 형성부로 자장을 형성하기 위한 전류 공급을 결정한다.
여기서, 상기 자장 형성부 제어 모듈은 이동 제어부와 전류 공급 제어부를 구비하고, 상기 기판에 금속 물질이 증착되는 공정이 진행되는 경우에 상기 자장 형성부 제어 모듈은 상기 공정 제어부로부터 공정의 진행됨에 대한 전기적 신호를 전송 받아 상기 이동 제어부를 사용하여 상기 타켓을 왕복 이동시키고, 상기 전류 공급 제어부를 사용하여 상기 자장 형성부로 일정의 전류를 공급하는 것이 바람직하다.
본 발명은 기판으로의 스퍼터링 공정 진행 여부에 따라 타켓으로의 자장 형성을 선택적으로 제어함으로써, 스퍼터링 공정 후에 타켓이 자화되는 것을 미연에 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 스퍼터링 공정 진행 중에 자장 형성부인 마그네트론의 저부에서 타켓을 왕복 이동시키어 타켓 물질을 기판에 균일하게 증착시킬 수 있는 효과를 갖는다.
이하, 첨부되는 도면들을 참조로 하여, 본 발명의 자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론 스퍼터링 방법을 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 설비의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 3은 도 2의 표시 부호 A를 보여주는 도면이다. 도 4는 도 2의 자장 형성부의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5는 도 2의 자장 형성부의 다른 예를 보여주는 도면이다. 도 9는 본 발명의 자장 형성 제어 유니트의 동작의 일 예를 보여주는 흐름도이다.
먼저, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치의 일 예를 설명하도록 한다.
도 2를 참조 하면, 본 발명의 자장 형성 유니트를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치는 기판(140)이 안착되는 안착부(130)를 갖는 공정 챔버(100)와, 상기 안착부(130)의 상부에 위치되도록 상기 공정 챔버(100)의 내부에 설치되며, 상기 기 판(140)에 증착되는 금속 물질로 이루어지고, 일정의 왕복 이동 경로(a)를 따라 이동 가능한 타켓(200)과, 상기 타켓(200)의 상부에 위치되도록 상기 공정 챔버(100)의 내부에 설치되며, 상기 타켓(200)으로 일정의 자장을 제공하는 자장 형성부(400)와, 상기 기판(140)에 금속 물질이 증착되는 공정을 제어하는 공정 제어부(500)와, 상기 공정 제어부(500) 및 상기 자장 형성부(400)와 전기적으로 연결되며, 상기 공정 제어부(500)로부터 공정 진행 유무에 대한 전기적 신호를 전송 받아 상기 타켓(200)을 선택적으로 이동시키며, 상기 자장 형성부(400)에 자장을 형성할 수 있는 전류를 선택적으로 공급하는 자장 형성부 제어 모듈(600)을 갖는다.
상기 공정 챔버(100)는 일측에 불활성 가스가 유입되는 가스 유입관(110)과, 타측에 가스가 배출되는 가스 배기관(120)이 설치된다.
상기 타켓(200)은 이동 유니트(300)와 연결된다.
상기 이동 유니트(300)는 상기 타켓(200)의 양측부를 고정하는 고정 프레임(310)과, 상기 고정 프레임(310)을 슬라이딩 이동 가능하도록 가이드하는 가이드 프레임(320)과, 상기 고정 프레임(310)을 슬라이딩 이동 시키는 리니어 모터(330)로 구성된다. 상기 고정 프레임(310)에는 슬라이딩 돌기(311)가 마련되고, 상기 가이드 프레임(320)에는 상기 슬라이딩 돌기(311)가 끼워져 상기 고정 프레임(310)의 활주를 안내하는 슬라이딩 홀(312)이 형성된다.
따라서, 상기 타켓(200)은 리니어 모터(330)의 작동에 의하여 일정의 왕복 구간에서 일정의 왕복 이동 경로(a)를 따라 왕복 이동될 수 있다.
상기 공정 제어부(500)는 공정이 진행됨을 지시하는 장치로써, 예컨대, 기 판(140)이 안착부(130)에 안착시키거나, 공정 챔버(100)의 내부에 공정에 요구되는 진공이 형성시키거나 공정 챔버(100)의 내부로 불활성 가스를 유입시키어 스퍼터링 공정을 진행할 수 있도록 하는 장치일 수 있다.
상기 자장 형성부(400)는 상기 타켓(200)의 상부에 위치되도록 공정 챔버(100)의 내부 상측에 설치되는 고정 플레이트(490)에 고정 설치된다.
상기 자장 형성부(400,401)는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 일정 길이를 갖는 단일개로 이루어진다.
여기서, 상기 자장 형성부(400)의 폭 방향은 상기 타켓(200)의 왕복 이동 경로(a)와 직교를 이룬다.
상기 자장 형성부(400)는 도 4에 도시된 바와 같이 싱글 코일 타입으로 이루어진다. 즉, 상기 자장 형성부(400)는 일정 길이를 갖는 바 형상의 내부 페라이트(410)와, 상기 내부 페라이트(410)의 외주에 외감되는 코일(420)과, 상기 코일(420)의 외주에 설치되며 외면에 니켈이 코팅되는 외부 페라이트(430)로 구성된다.
이에 더하여, 상기 자장 형성부(401)는 도 5에 도시된 바와 같이 듀얼 코일 타입으로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 자장 형성부(401)는 일정 길이를 갖는 바 형상의 내부 페라이트(411)와, 상기 내부 페라이트(411)의 외주에 외감되는 내부 코일(421)과, 상기 내부 코일(421)의 외주에 외감되는 외부 코일(422)과, 상기 외부 코일(422)의 외주에 설치되며 외면에 니켈이 코팅되는 외부 페라이트(431)로 구성될 수도 있다.
한편, 상기 자장 형성부 제어 모듈(600)은 도 2에 도시된 바와 같이 공정 제어부(500)와 전기적으로 연결되는 이동 제어부(620)와 전류 공급 제어부(610)로 구성된다.
상기 이동 제어부(620)는 상기 리니어 모터(330)와 전기적으로 연결되고, 상기 전류 공급 제어부(610)는 상기 자장 형성부(400,401)와 전기적으로 연결된다.
또한, 상기 기판(140)에 금속 물질이 증착되는 공정이 진행되는 경우에, 상기 자장 형성부 제어 모듈(600)은 상기 공정 제어부(500)로부터 공정의 진행됨에 대한 전기적 신호를 전송 받아 상기 이동 제어부(620)를 사용하여 상기 타켓(200)을 왕복 이동시키고, 상기 전류 공급 제어부(610)를 사용하여 상기 자장 형성부(400,401)에 일정의 자장이 형성될 수 있도록 일정의 전류를 공급할 수 있다.
도 2 내지 도 5 및 도 9를 참조 하여, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치의 일 예의 작용을 설명하도록 한다.
도 2 및 도 9를 참조 하면, 공정 제어부(500)는 스퍼터링 공정을 진행할 수 있도록 한다(S100).
즉, 상기 공정 제어부(500)는 공정 챔버(100)의 내부에 진공을 형성할 수 있는 진공 펌프(미도시)를 작동하거나, 안착부(130)에 이송 장치(미도시)를 사용하여 기판(140)을 이송시키어 안착시키거나, 가스 공급부(미도시)로부터 가스 유입관(110)을 통하여 불활성 가스를 공정 챔버(100)의 내부로 유입시키도록 할 수 있다.
이때, 공정 제어부(500)는 상기와 같이 공정이 진행될 수 있도록 함과 아울 러 공정이 진행됨에 대한 전기적 신호를 자장 형성부 제어 모듈(600)로 전송한다.
이어, 상기 자장 형성부 제어 모듈(600)은 스퍼터링 공정의 진행 유무의 판단을 상기 전기적 신호로써 판단할 수 있다(S200).
상기와 같이 스퍼터링 공정이 진행되는 것으로 판단되면, 자장 형성부 제어 모듈(600)의 이동 제어부(620)는 이동 유니트(300)를 동작시키도록 제어할 수 있다.
따라서, 상기 이동 유니트(300)의 리니어 모터(330)는 동작되고, 이에 따라 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 타켓(200)은 왕복 이동 경로(a)를 따라 일정 구간에서 일정 속도로 왕복 이동될 수 있다(S300).
이와 아울러, 자장 형성부 제어 모듈(600)의 전류 공급 제어부(610)는 자장 형성부(400,401)로 일정의 전류값을 공급할 수 있다.
따라서, 상기 일정의 전류값을 공급받은 자장 형성부(400,401)는 일정의 자장이 형성될 수 있다(S400).
여기서, 상기 전류 공급 제어부(610)는 상기 자장 형성부(400,401)에 형성되는 자장에 의하여 타켓(200)의 저면에 형성되는 자장이 200 내지 800 가우스의 범위 내에 포함될 수 있는 전류값을 자장 형성부(400,401)에 공급하는 것이 좋다.
이에 따라, 타켓(200)은 자장 형성부(400,401)의 저부에서 일정의 왕복 이동 경로(a)를 따라 왕복 이동하고, 이와 아울러, 자장 형성부(400,401)는 상기 왕복 이동되는 타켓(200)을 일정의 자장으로 자화시킬 수 있다.
이에 더하여, 일정의 진공이 형성되는 공정 챔버(100)의 내부에는 불활성 가 스가 유입되고, 이로 인하여 공정 챔버(100)의 내부에는 플라즈마가 형성될 수 있다.
이어, 상기 플라즈마 이온들은 자화되는 타켓(200)의 주변으로 집진됨과 아울러 상기 타켓(200)에 충돌되고, 이 충돌로 인하여 타켓(200)으로부터 방출되는 원자들은 기판(140)의 상면에 빠른 속도로 증착될 수 있다.
반면에,본 발명에 따르는 자장 형성부 제어 모듈(600)은 공정 제어부로부터 어떠한 전기적 신호를 받지 못하는 경우에, 스퍼터링 공정이 진행되지 않는 것으로 판단할 수 있다.
이때, 상기 자장 형성부 제어 모듈(600)의 이동 제어부(620)는 리니어 모터(330)의 동작을 수행하지 않도록 하여 타켓(200)의 이동 동작을 정지할 수 있다.
이와 아울러, 상기 자장 형성부 제어 모듈(600)의 전류 공급 제어부(610)는 자장 형성부(400,401)로의 전류값 공급을 차단할 수 있다(S210).
따라서, 전자석과 같은 상기 자장 형성부(400,401)에는 자장이 형성되지 않을 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따르는 자장 형성부 제어 모듈(600)은 스퍼터링 공정이 진행되지 않는 동안에, 자장 형성부(400,401)로 인하여 타켓(200)의 자화되는 것을 방지할 수 있다.
이에 더하여, 본 발명에 따르는 자장 형성부를 도 5에 도시된 바와 같이 듀얼 코일 타입의 자장 형성부(401)를 사용하는 경우에, 내부 코일(421)과 외부 코일(422)을 서로 반대극으로 감음으로써 비대칭 마그네트론 증착원의 효과를 이룰 수 있다.
다음은, 도 6 내지 도 8 및 도 10을 참조 하여, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치의 다른 예를 설명하도록 한다.
도 6은 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 설비의 다른 예를 보여주는 도면이다. 도 7은 도 6의 자장 형성부의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 8은 도 6의 자장 형성부의 다른 예를 보여주는 도면이다. 도10은 본 발명의 자장 형성 제어 유니트의 동작의 다른 예를 보여주는 흐름도이다.
도 6을 참조 하면, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는 상기 일 예의 구성과 실질적으로 동일한 공정 챔버(100)와, 안착부(130), 타켓(200), 상기 타켓(200)을 왕복 이동 경로(a)를 따라 왕복 이동시키는 이동 유니트(300) 및 공정 제어부(500)를 갖는다.
상기 다른 예의 마그네트론 스퍼터링 장치는 상기 일 예와 다른 자장 형성부(700,701) 및 자장 형성부 제어 모듈(600)을 갖는다.
상기 자장 형성부(700,701)는 상기 타켓(200)의 상부에 위치되도록 공정 챔버(100)의 내부 상측에 설치되는 고정 플레이트(490)에 고정 설치된다.
상기 자장 형성부(700,701)는 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 상기 타켓(200)의 일면으로부터 일정 거리 이격되어 배치되며, 다수개로 이루어지어 서로 나란하게 배치된다.
여기서, 상기 자장 형성부(700,701)의 길이 방향은 상기 왕복 이동 경로(a) 와 동일하도록 이루어지는 것이 좋다.
도 7에 도시된 바와 같이 상기 자장 형성부(700)는 싱글 코일 타입으로 이루어진다. 즉, 상기 자장 형성부(700)는 일정 길이를 갖는 바 형상의 내부 페라이트(710)와, 상기 내부 페라이트(710)의 외주에 외감되는 코일(720)과, 상기 코일(720)의 외주에 설치되며 외면에 니켈이 코팅되는 외부 페라이트(730)로 구성된다.
이에 더하여, 도 8에 도시된 바와 같이 상기 자장 형성부(701)는 듀얼 코일 타입으로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 자장 형성부(701)는 일정 길이를 갖는 바 형상의 내부 페라이트(711)와, 상기 내부 페라이트(711)의 외주에 외감되는 내부 코일(721)과, 상기 내부 코일(721)의 외주에 외감되는 외부 코일(722)과, 상기 외부 코일(722)의 외주에 설치되며 외면에 니켈이 코팅되는 외부 페라이트(731)로 구성될 수도 있다.
한편, 상기 자장 형성부 제어 모듈(600)은 도 6에 도시된 바와 같이 공정 제어부와 전기적으로 연결되는 이동 제어부(620)와 전류 공급 제어부(610) 및 전류값 입력부(630)로 구성된다.
상기 이동 제어부(620)는 상기 리니어 모터(330)와 전기적으로 연결되고, 상기 전류 공급 제어부(610)는 상기 자장 형성부(700)와 전기적으로 연결된다. 그리고, 상기 전류값 입력부(630)는 상기 전류 공급 제어부(610)와 전기적으로 연결되어 상기 다수개의 자장 형성부들(700)로 공급되는 전류값들을 개별적으로 전류 공급 제어부(610)에 입력시킬 수 있다.
또한, 상기 기판(140)에 금속 물질이 증착되는 공정이 진행되는 경우에, 상기 자장 형성부 제어 모듈(600)은 상기 공정 제어부(500)로부터 공정의 진행됨에 대한 전기적 신호를 전송 받아 상기 이동 제어부(620)를 사용하여 상기 타켓(200)을 왕복 이동시키고, 상기 전류 공급 제어부(610)를 사용하여 상기 자장 형성부(700)에 일정의 자장이 형성될 수 있도록 일정의 전류를 공급할 수 있다.
도 6 내지 도 8 및 도 10을 참조 하여, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치의 일 예의 작용을 설명하도록 한다.
도 6 및 도 10을 참조 하면, 공정 제어부(500)는 스퍼터링 공정을 진행할 수 있도록 한다(S100).
이때, 공정 제어부(500)는 상기와 같이 공정이 진행될 수 있도록 함과 아울러 공정이 진행됨에 대한 전기적 신호를 자장 형성부 제어 모듈(600)로 전송한다.
이어, 상기 자장 형성부 제어 모듈(600)은 스퍼터링 공정의 진행 유무의 판단을 상기 전기적 신호로써 판단할 수 있다(S200).
상기와 같이 스퍼터링 공정이 진행되는 것으로 판단되면, 자장 형성부 제어 모듈(600)의 전류값 입력부(630)는 전류 공급 제어부(610)로 다수개의 자장 형성부들 각각에 공급되는 전류값을 입력시키어 설정할 수 있다(S250).
따라서, 타켓(200)의 상부에 위치되는 다수개의 자장 형성부들(700) 각각에는 독립적인 전류값이 전류 공급 제어부(610)로부터 공급될 수 있다.
여기서, 상기 전류값 입력부(630)는 자장 형성부들(700)에 공급되는 전류값을 선택적으로 전류 공급 제어부(610)에 입력시킬 수 있고, 상기 자장 형성부 들(700)은 타켓(200)의 이동 방향을 따라 서로 나란하게 배열되도록 구성되기 때문에, 상기 전류값 입력부(630)는 타켓(200)의 폭의 크기에 대응되도록 위치되는 자장 형성부들(700)에만 전류값을 공급할 수 있도록 전류 공급 제어부(610)에 입력시킬 수 있다.
따라서, 본 발명은 타켓(200)의 다양한 폭에 대응되는 자장 형성부들(700)만을 작동시킬 수 있기 때문에, 다양한 폭을 갖는 타켓(200)을 용이하게 자화시킬 수 있다.
이에 더하여, 전류값 입력부(630)를 통하여 자장 형성부들(700)을 서로 다른 전류값으로 인한 자장을 형성할 수 있기 때문에, 실질적으로 스퍼터링 공정 진행 이후에 기판(140)에 증착되는 박막의 균일도를 차후 공정에서 용이하게 보정할 수도 있다.
이어, 자장 형성부 제어 모듈(600)의 이동 제어부(620)는 이동 유니트(300)를 동작시키도록 제어할 수 있다(S300).
따라서, 상기 이동 유니트(300)의 리니어 모터(330)는 동작되고, 이에 따라 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 타켓(200)은 왕복 이동 경로(a)를 따라 일정 구간에서 일정 속도로 왕복 이동될 수 있다.
이와 아울러, 자장 형성부 제어 모듈(600)의 전류 공급 제어부(610)는 상기와 같이 전류값 입력부(630)로부터 입력되어진 전류값들을 자장 형성부들(700,701) 각각으로 공급할 수 있다.
따라서, 상기 일정의 전류값을 공급받은 자장 형성부(700,701)는 일정의 자 장이 형성될 수 있다.
여기서, 상기 전류 공급 제어부(610)는 상기 자장 형성부(700,701)에 형성되는 자장에 의하여 타켓(200)의 저면에 형성되는 자장이 200 내지 800 가우스의 범위 내에 포함될 수 있는 전류값을 자장 형성부들에 공급하는 것이 좋다.
이에 따라, 타켓(200)은 자장 형성부들(700,701)의 저부에서 일정의 왕복 이동 경로(a)를 따라 왕복 이동하고, 이와 아울러, 자장 형성부들(700,701)은 상기 왕복 이동되는 타켓(200)을 일정의 자장으로 자화시킬 수 있다.
이에 더하여, 일정의 진공이 형성되는 공정 챔버(100)의 내부에는 불활성 가스가 유입되고, 이로 인하여 공정 챔버(100)의 내부에는 플라즈마가 형성될 수 있다.
이어, 상기 플라즈마 이온들은 자화되는 타켓(200)의 주변으로 집진됨과 아울러 상기 타켓(200)에 충돌되고, 이 충돌로 인하여 타켓(200)으로부터 방출되는 원자들은 기판(140)의 상면에 빠른 속도로 증착될 수 있다.
반면에,본 발명에 따르는 자장 형성부 제어 모듈(600)은 공정 제어부(500)로부터 어떠한 전기적 신호를 받지 못하는 경우에, 스퍼터링 공정이 진행되지 않는 것으로 판단할 수 있다.
이때, 상기 자장 형성부 제어 모듈(600)의 이동 제어부(610)는 리니어 모터(630)의 동작을 수행하지 않도록 하여 타켓(200)의 이동 동작을 정지할 수 있다.
이와 아울러, 상기 자장 형성부 제어 모듈(600)의 전류 공급 제어부(610)는 자장 형성부(700,701)로의 전류값 공급을 차단할 수 있다.
따라서, 전자석과 같은 상기 자장 형성부(700,701)에는 자장이 형성되지 않을 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따르는 자장 형성부 제어 모듈(600)은 스퍼터링 공정이 진행되지 않는 동안에, 자장 형성부(700,701)로 인하여 타켓의 자화되는 것을 방지할 수 있다.
이에 더하여, 본 발명에 따르는 자장 형성부를 도 8에 도시된 바와 같이 듀얼 코일 타입의 자장 형성부(701)를 사용하는 경우에, 내부 코일(721)과 외부 코일(722)을 서로 반대극으로 감음으로써 비대칭 마그네트론 증착원의 효과를 이룰 수 있다.
도 1은 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 설비의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 표시 부호 A를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2의 자장 형성부의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 2의 자장 형성부의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 설비의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 자장 형성부의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 6의 자장 형성부의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 자장 형성 제어 유니트의 동작의 일 예를 보여주는 흐름도이다.
도10은 본 발명의 자장 형성 제어 유니트의 동작의 다른 예를 보여주는 흐름도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호설명*
100 : 공정 챔버
200 : 타켓
300 : 이동 유니트
400, 401, 700, 701 : 자장 형성부
490 : 고정 플레이트
500 : 공정 제어부
600 : 자장 형성부 제어 모듈
610 : 이동 제어부
620 : 전류 공급 제어부
630 : 전류값 입력부

Claims (17)

  1. 기판에 증착되는 자성체로 이루어지는 타켓으로 일정의 자장을 제공하는 자장 형성부; 및
    상기 자장 형성부와 전기적으로 연결되며, 외부로부터 전기적 신호를 전송 받아 상기 자장 형성부에 자장을 형성할 수 있는 전류를 선택적으로 공급하는 자장 형성부 제어 모듈을 포함하는 자장 형성 제어 유니트.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 자장 형성부는 일정 길이를 갖는 바 형상의 내부 페라이트와, 상기 페라이트의 외주에 외감되는 코일과, 상기 코일의 외주에 설치되며 외면에 니켈이 코팅되는 외부 페라이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 자장 형성부는 일정 길이를 갖는 바 형상의 내부 페라이트와, 상기 페라이트의 외주에 외감되는 내부 코일과, 상기 내부 코일의 외주에 외감되는 외부 코일과, 상기 외부 코일의 외주에 설치되며 외면에 니켈이 코팅되는 외부 페라이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 자장 형성부는 상기 타켓의 일면으로부터 일정 거리 이격되어 배치되며, 단일개로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트.
  5. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 자장 형성부는 상기 타켓의 일면으로부터 일정 거리 이격되어 배치되며, 다수개로 이루어지어 서로 나란하게 배치되는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 자장 형성부 제어 모듈은 상기 기판에 금속 물질이 증착되는 공정을 제어하는 공정 제어부와 전기적으로 연결되고,
    상기 공정 제어부는 상기 기판에 금속 물질이 증착되는 공정이 진행되는 경우에 상기 자장 형성부 제어 모듈로 전기적 신호를 전송하는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트.
  7. 기판이 안착되는 안착부를 갖는 공정 챔버;
    상기 안착부의 상부에 위치되도록 상기 공정 챔버의 내부에 설치되며, 상기 기판에 증착되는 자성체로 이루어지고, 일정의 왕복 이동 경로를 따라 이동 가능한 타켓;
    상기 타켓의 상부에 위치되도록 상기 공정 챔버의 내부에 설치되며, 상기 타 켓으로 일정의 자장을 제공하는 자장 형성부;
    상기 기판에 자성체가 증착되는 공정을 제어하는 공정 제어부; 및
    상기 공정 제어부 및 상기 자장 형성부와 전기적으로 연결되며, 상기 공정 제어부로부터 공정 진행 유무에 대한 전기적 신호를 전송 받아 상기 타켓을 선택적으로 이동시키며, 상기 자장 형성부에 자장을 형성할 수 있는 전류를 선택적으로 공급하는 자장 형성부 제어 모듈을 포함하는 자장 형성 제어 유니트를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 타켓은 이동 유니트와 연결되고,
    상기 이동 유니트는 상기 타켓의 양측부를 고정하는 고정 프레임과, 상기 고정 프레임을 슬라이딩 이동 가능하도록 가이드하는 가이드 프레임과, 상기 고정 프레임을 슬라이딩 이동 시키는 리니어 모터를 구비하는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 자장 형성부 제어 모듈은 이동 제어부와 전류 공급 제어부를 구비하고,
    상기 이동 제어부는 상기 리니어 모터와 전기적으로 연결되고, 상기 전류 공급 제어부는 상기 자장 형성부와 전기적으로 연결되되,
    상기 기판에 금속 물질이 증착되는 공정이 진행되는 경우에 상기 자장 형성 부 제어 모듈은 상기 공정 제어부로부터 공정의 진행됨에 대한 전기적 신호를 전송 받아 상기 이동 제어부를 사용하여 상기 타켓을 왕복 이동시키고, 상기 전류 공급 제어부를 사용하여 상기 자장 형성부로 일정의 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 자장 형성부는 일정 길이를 갖는 바 형상의 내부 페라이트와, 상기 페라이트의 외주에 외감되는 코일과, 상기 코일의 외주에 설치되며 외면에 니켈이 코팅되는 외부 페라이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 자장 형성부는 일정 길이를 갖는 바 형상의 내부 페라이트와, 상기 페라이트의 외주에 외감되는 내부 코일과, 상기 내부 코일의 외주에 외감되는 외부 코일과, 상기 외부 코일의 외주에 설치되며 외면에 니켈이 코팅되는 외부 페라이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  12. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 자장 형성부는 상기 타켓의 일면으로부터 일정 거리 이격되어 배치되 며, 단일개로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 자장 형성부의 길이 방향은 상기 왕복 이동 경로와 직교를 이루는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  14. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 자장 형성부는 상기 타켓의 일면으로부터 일정 거리 이격되어 배치되며, 다수개로 이루어지어 서로 나란하게 배치되는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 자장 형성부의 길이 방향은 상기 왕복 이동 경로와 동일 한 것을 이루는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치.
  16. 공정 제어부를 사용하여 기판에 타켓의 금속 물질이 증착되는 공정이 진행되는지의 여부를 판단하고,
    자장 형성부 제어 모듈을 사용하여 상기 공정 진행 여부에 따라 상기 타켓에 자장을 형성하는 자장 형성부로 자장을 형성하기 위한 전류 공급을 결정하는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론 스퍼터링 방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 자장 형성부 제어 모듈은 이동 제어부와 전류 공급 제어부를 구비하고,
    상기 기판에 금속 물질이 증착되는 공정이 진행되는 경우에 상기 자장 형성부 제어 모듈은 상기 공정 제어부로부터 공정의 진행됨에 대한 전기적 신호를 전송 받아 상기 이동 제어부를 사용하여 상기 타켓을 왕복 이동시키고,
    상기 전류 공급 제어부를 사용하여 상기 자장 형성부로 일정의 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론 스퍼터링 방법.
KR1020080066723A 2008-07-09 2008-07-09 자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론스퍼터링 방법 KR20100006483A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080066723A KR20100006483A (ko) 2008-07-09 2008-07-09 자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론스퍼터링 방법
US12/481,239 US20100006423A1 (en) 2008-07-09 2009-06-09 Magnetic field generation control unit and magnetron sputtering apparatus and method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080066723A KR20100006483A (ko) 2008-07-09 2008-07-09 자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론스퍼터링 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100006483A true KR20100006483A (ko) 2010-01-19

Family

ID=41504149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080066723A KR20100006483A (ko) 2008-07-09 2008-07-09 자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론스퍼터링 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20100006423A1 (ko)
KR (1) KR20100006483A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022245824A1 (en) * 2021-05-20 2022-11-24 Lam Research Corporation Magnetic field control system

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2533161A1 (en) * 2010-11-29 2012-12-12 Hughes Network Systems, LLC Computer networking system and method with javascript injection for web page response time determination
US20130034666A1 (en) * 2011-08-01 2013-02-07 Applied Materials, Inc. Inductive plasma sources for wafer processing and chamber cleaning
CN106958011B (zh) * 2017-05-17 2019-02-22 赵其煜 动态控制溅射靶材利用率的控制装置和控制方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401539A (en) * 1981-01-30 1983-08-30 Hitachi, Ltd. Sputtering cathode structure for sputtering apparatuses, method of controlling magnetic flux generated by said sputtering cathode structure, and method of forming films by use of said sputtering cathode structure
US4865712A (en) * 1984-05-17 1989-09-12 Varian Associates, Inc. Apparatus for manufacturing planarized aluminum films
US4597847A (en) * 1984-10-09 1986-07-01 Iodep, Inc. Non-magnetic sputtering target
US4971674A (en) * 1986-08-06 1990-11-20 Ube Industries, Ltd. Magnetron sputtering method and apparatus
US4842703A (en) * 1988-02-23 1989-06-27 Eaton Corporation Magnetron cathode and method for sputter coating
US4865710A (en) * 1988-03-31 1989-09-12 Wisconsin Alumni Research Foundation Magnetron with flux switching cathode and method of operation
US4957605A (en) * 1989-04-17 1990-09-18 Materials Research Corporation Method and apparatus for sputter coating stepped wafers
JPH04263068A (ja) * 1991-02-18 1992-09-18 Seiko Instr Inc ターゲットホルダ
JP4246547B2 (ja) * 2003-05-23 2009-04-02 株式会社アルバック スパッタリング装置、及びスパッタリング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022245824A1 (en) * 2021-05-20 2022-11-24 Lam Research Corporation Magnetic field control system

Also Published As

Publication number Publication date
US20100006423A1 (en) 2010-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101174154B1 (ko) 스퍼터링 장치
KR100768019B1 (ko) 플라즈마 처리 시스템 및 그 방법
CN101532124B (zh) 溅射阴极、溅射设备及控制设备
TWI613306B (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法
US8911602B2 (en) Dual hexagonal shaped plasma source
JP3879009B2 (ja) スパッタリングカソード
JP2009057608A (ja) スパッタリング装置
KR20130108974A (ko) 음극 스퍼터링에 의한 합금으로의 기판의 코팅
JP2012102384A (ja) マグネトロンスパッタ装置
KR20100006483A (ko) 자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론스퍼터링 방법
JP2019059988A (ja) 成膜装置および成膜方法
JP3618333B2 (ja) プラズマ生成装置
KR20110057465A (ko) 스퍼터링 장치
KR101001658B1 (ko) 마그네트론 스퍼터 코팅 기판 제작 방법 및 이를 위한 장치
JP2010248576A (ja) マグネトロンスパッタリング装置
US9410234B2 (en) Sputtering device and method of forming layer using the same
TWI809039B (zh) 磁控濺鍍裝置的磁體集合體
KR100337065B1 (ko) 스퍼터링 장치의 마그네트론 캐소드
CN116685709A (zh) 溅射装置、溅射装置的控制方法和溅射装置用控制装置
JP7229015B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法
KR102182674B1 (ko) 스퍼터링 장치
KR20190056521A (ko) 전자석을 구비한 스퍼터링 장치
KR20170096155A (ko) 이동 가능한 스퍼터 조립체 및 전력 파라미터들에 대한 제어를 이용하여 기판을 코팅하기 위한 장치 및 방법
US20180174808A1 (en) Sputtering apparatus and sputtering method
JP2001172764A (ja) スパッタリング方法及びスパッタリング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
N231 Notification of change of applicant
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2011101007534; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20111014

Effective date: 20130430

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20111014

Effective date: 20130430