KR900014622A - 투명 전도성 피막의 형성방법과 그에 의한 전도성 기판 및 그 준비방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

투명 전도성 피막의 형성방법과 그에 의한 전도성 기판 및 그 준비방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1,3 및 7도는, 예를 들면 본 발명의 방법에 따라서 피막을 성형하는데 사용되는 장치의 기본설계를 도시하는 각 다이아그램이다.

Claims (13)

  1. 아크 방전에 의해 생성된 아크방전형 플라즈마가 분위기 기체의 압력이 3.0×10-4토르 또는 그 이상이며; 플라즈마는 투명 전도성 피막 형성용 증착재료위에 모여서 증착재료를 증발시키고, 상기 투명 전도성 피막은 상기 증착 재료위에 위치된 기판위에 형성됨을 특징으로 하는 투명전도성 피막의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 분위기 기체는 헬륨 또는 헬륨을 포함하는 기체임을 특징으로 하는 투명전도성 피막의 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 분위기 기체는 아르곤 또는 아르곤을 포함하는 기체이며 분위기 기체의 압력은 5.0×10-4토르 또는 그 이상임을 특징으로 하는 투명전도성 피막의 형성방법.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 투명 전도성 피막은 5000kgf/cm2또는 그 이하의 인장강도를 가짐을 특징으로 하는 투명 전도성 피막의 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 투명 전도성 피막은 산화인듐, 산화주석과 산화 아연으로 구성된 극성기에서 선택된 한가지를 주성분으로서 포함함을 특징으로 하는 투명전도성 피막의 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 투명 전도성 피막은 200℃또는 그 이상의 온도에서 기판 위에 형성되며, 그 피막은 주석이 첨가된 산화 인듐으로 본질적으로 구성되고5000kgf/cm2또는 그 이하의 인장강도 및 2×10-4Ω.cm 또는 그이하의 비저항을 가짐을 특징으로 하는 투명 전도성 피막의 형성방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 투명 전도성 피막은 200℃또는 그 이하의 온도에서 기판 위에 형성되며, 그 피막은 주석이 첨가된 산화인듐으로 본질적으로 구성되고5000kgf/cm2또는 그 이하의 인장강도 및 3×10-4Ω.cm 또는 그이하의 비저항을 가짐을 특징으로 하는 투명 전도성 피막의 형성방법.
  8. 유색 필터를 가진 전도성 기판의 준비 방법은 유식 필터가 기판위에 형성되며; 기판은 200℃또는 그 이항의 온도에 있을 때, 인장 강도가 5000kgf/cm2또는 그 이하이고 비저항은 3×10-4Ω.cm 또는 그이하인 주석이 첨가된 산화인듐으로 본질적으로 구성된 투명 전도성 피막은 제5항에 기술된 방법에 따라 상기 유색필터위에 형성됨을 특징으로 하는 전도성 기판의 준비 방법.
  9. 제1항 내지 7항중 어느 한항에 있어서, 투명 전도성 피막의 형성방법, 또는 제8항에 있어서, 전도성 기판의 준비방법은, 자기장을 플라즈마에 인가함에 의해 아크방전 플라즈마가 판 형태로 변형되고, 시트 플라즈마의 폭방향으로 연장된 연장 영구자석의 자기장에 의해 시트 플라즈마가 증착 재료로 안내되어, 투명 전도성 피막이 증착 재료위에 위치한 기판위에 형성됨을 특징으로 하는 투명 전도성 피막의 형성방법, 또는 전도성 기판의 준비방법.
  10. 투명 전도성 피막은 제1항 내지 4항중 어느 한항에서 기술한 방법에 따라 기판위에 형성된 투명 전도성 피막을 갖는 투명 전도성 기판.
  11. 제10항에 있어서, 상기 투명 전도성 피막은 산화인듐, 산화주석과 산화아연으로 구성된 극성기에서 선택된 한가지를 주성분으로 포함함을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
  12. 제11항에 있어서, 상기 투명 전도성 피막은 주석이 첨가된 산화인듐으로 본질적으로 구성되며 상기 피막은 5000kgf/cm2또는 그 이하의 인장강도 및 2×10-4Ω.cm 또는 그이하의 비저항을 가짐을 특징으로 하는 투명 전도성 기판.
  13. 기판과, 기판위에 형성된 유색필터, 유색 필터위에 형성된 투명 전도성 기판으로 구성되고, 투명 전도성 피막은 주석이 첨가된 산화 인듐으로 본질적으로 구성되며, 상기 피막은 5000kgf/cm2또는 그 이하의 인장강도 및 3×10-4Ω.cm 또는 그이하의 비저항을 가짐을 특징으로 하는 투명 전도성 기판.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100766153B1 (ko) * 1999-12-30 2007-10-10 젠백 에어로스페이스 코포레이션 투명성 산화인듐주석의 전자 빔 증발법

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296272A (en) * 1990-10-10 1994-03-22 Hughes Aircraft Company Method of implanting ions from a plasma into an object
US5218179A (en) * 1990-10-10 1993-06-08 Hughes Aircraft Company Plasma source arrangement for ion implantation
JP2598342B2 (ja) * 1991-02-26 1997-04-09 セイコー電子工業株式会社 多色表示装置の製造方法
JP2912506B2 (ja) * 1992-10-21 1999-06-28 シャープ株式会社 透明導電膜の形成方法
US5435900A (en) * 1992-11-04 1995-07-25 Gorokhovsky; Vladimir I. Apparatus for application of coatings in vacuum
JP3246800B2 (ja) * 1993-05-31 2002-01-15 株式会社東芝 プラズマ装置
EP0636702B1 (en) * 1993-07-28 1999-05-19 Asahi Glass Company Ltd. Methods for producing functional films
US5677012A (en) * 1994-12-28 1997-10-14 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Plasma processing method and plasma processing apparatus
JPH10204625A (ja) * 1997-01-14 1998-08-04 Sumitomo Heavy Ind Ltd ＭｇＯ膜成膜方法及び成膜装置
EP0988407B9 (de) * 1997-06-13 2004-12-15 Unaxis Trading AG Verfahren zur herstellung von werkstücken, die mit einer epitaktischen schicht beschichtet sind
JP4287936B2 (ja) * 1999-02-01 2009-07-01 中外炉工業株式会社 真空成膜装置
US6365016B1 (en) * 1999-03-17 2002-04-02 General Electric Company Method and apparatus for arc plasma deposition with evaporation of reagents
JP2000282225A (ja) * 1999-04-01 2000-10-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜形成方法及び該方法より形成された透明導電膜
ATE256762T1 (de) * 1999-11-17 2004-01-15 Applied Films Gmbh & Co Kg Elektrodenanordnung
US6787989B2 (en) * 2000-06-21 2004-09-07 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Substrate with transparent conductive film and organic electroluminescence device using the same
US7033679B2 (en) * 2001-01-25 2006-04-25 Kyocera Optec Co., Ltd. Metal film and metal film-coated member, metal oxide film and metal oxide film-coated member, thin film forming apparatus and thin film forming method for producing metal film and metal oxide film
US6743488B2 (en) 2001-05-09 2004-06-01 Cpfilms Inc. Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide
WO2005001154A1 (ja) * 2003-06-30 2005-01-06 Nachi-Fujikoshi Corp. 多元系被膜の製造安定化装置と方法および多元系膜被覆工具
JP4396898B2 (ja) * 2003-06-30 2010-01-13 株式会社不二越 多元系被膜の製造装置および方法
JP4233433B2 (ja) * 2003-11-06 2009-03-04 シャープ株式会社 表示装置の製造方法
CN1317422C (zh) * 2003-11-12 2007-05-23 四川大学 透明导电膜的等离子体增强化学气相沉积设备
US9997338B2 (en) * 2005-03-24 2018-06-12 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Method for operating a pulsed arc source
KR101237184B1 (ko) * 2006-03-01 2013-02-25 신메이와 인더스트리즈,리미티드 플라즈마 건 및 이를 구비한 플라즈마 건 성막장치
US7939181B2 (en) * 2006-10-11 2011-05-10 Oerlikon Trading Ag, Trubbach Layer system with at least one mixed crystal layer of a multi-oxide
EP2299536A4 (en) * 2008-06-17 2011-12-21 Nippon Electric Glass Co SUBSTRATE FOR SOLAR CELL AND OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE FOR COLOR-SENSITIZED SOLAR CELL
JP2011044426A (ja) * 2009-07-24 2011-03-03 Nippon Electric Glass Co Ltd 太陽電池用導電膜付ガラス基板
JP6023402B2 (ja) * 2010-12-27 2016-11-09 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法
CN102832297B (zh) * 2011-06-17 2015-09-30 比亚迪股份有限公司 一种半导体发光器件及电流扩散层的制备方法
US9460925B2 (en) 2014-11-05 2016-10-04 Solarcity Corporation System and apparatus for efficient deposition of transparent conductive oxide
CN106887483A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 盐城金合盛光电科技有限公司 硅基异质接面太阳能电池及其制备方法
CN105506548B (zh) * 2016-03-01 2018-05-25 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板修复装置、修复方法及蒸镀系统

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3205919C1 (de) * 1982-02-19 1983-07-21 Freudenberg, Carl, 6940 Weinheim Verfahren zur Herstellung von Festelektrolytschichten fuer galvanische Zellen
JPH0734332B2 (ja) * 1986-03-12 1995-04-12 株式会社ト−ビ 透明導電性フイルムの製造方法
JPH0676656B2 (ja) * 1987-03-12 1994-09-28 上進 浦本 高能率シートプラズマ型スパタリング装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100766153B1 (ko) * 1999-12-30 2007-10-10 젠백 에어로스페이스 코포레이션 투명성 산화인듐주석의 전자 빔 증발법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0385475A2 (en) 1990-09-05
EP0385475A3 (en) 1991-04-03
US5009922A (en) 1991-04-23

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