KR900010989A - 반도체칩 내부의 공급전압 변환회로 - Google Patents
반도체칩 내부의 공급전압 변환회로 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 전체회로도, 제2도는 본 발명의 내부 공급전압 변환회로의 실시회로도이다.
Claims (3)
- 비트라인(BL)(BL)에 프리챠아지 전원(1/2VCC)을 공급하는 비트라인 프리챠아지 공급부(4)와, 기판전압(VBB)을 공급하는 백바이어스 발진기(3)와로 구성되어 외부공급전원부(1)의 공급전원(VCC)에 의하여 구동되는 반도체 내부회로에 있어서, 외부공급전압부(1)의 전원(VCC)을 받아 일정한 레벨의 전원(VCC′)을 출력시키는 내부공급전압 변환부(2)와, 내부공급전압 변환부(2)의 전압(VCC′)을 받아 동작되는 상기 비트라인 프리챠아지 공급부(4) 및 상기 백바이어스 발진기(3)와로 구성시켜된 반도체칩 내부의 공급전압 변환회로.
- 제1항에 있어서, 내부공급전압 변환부(2)는 서로 병렬로 연결되고 기준전압(VREF)과 출력측 궤환전압을 비교하는 차동증폭부(21)(22)와, 상기 차동증폭부(21)(22)에 연결되어 출력전압을 공급하는 출력부(23)와, 출력측에 연결되어 궤환된 출력을 공급하는 궤환부(24)로 구성된 반도체칩 내부의 공급전압 변환회로.
- 제1항에 있어서, 내부공급전압 변환부(2)의 전원(VCC′)을 받아 구동되는 비트라인 프리챠아지 공급부(4)에서 비트라인(BL)에 1/2 VCC′의 프리챠아지 전원이 공급되게 한 반도체칩 내부의 공급전압 변환회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880016957A KR920000830B1 (ko) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 반도체칩 내부의 공급전압 변환회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019880016957A KR920000830B1 (ko) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 반도체칩 내부의 공급전압 변환회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900010989A true KR900010989A (ko) | 1990-07-11 |
| KR920000830B1 KR920000830B1 (ko) | 1992-01-30 |
Family
ID=19280337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880016957A KR920000830B1 (ko) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 반도체칩 내부의 공급전압 변환회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920000830B1 (ko) |
-
1988
- 1988-12-19 KR KR1019880016957A patent/KR920000830B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920000830B1 (ko) | 1992-01-30 |
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