KR900007747B1 - 방사능에 오염된 물질로부터 오염을 제거하는 공정 - Google Patents

방사능에 오염된 물질로부터 오염을 제거하는 공정 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

방사능에 오염된 물질로부터 오염을 제거하는 공정
본 발명은 방사능에 의해 오염된 물질에서 오염을 제거하는 공정에 관한 것이다. 즉 방사능에 의해 오염된 물질로부터 방사성 물질을 분리제거하는 공정에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 공정은 방사성 물질과 접촉된후 물질표면상에 생성된 소위 고착된 오염물을 제거하는 것을 목적으로 한다.
방사능에 의해 오염된 물질로부터 물질에 붙어있는 방사성 입자를 최적분리하는 것이 매우 어렵다는 것은 공지된 사실이다. 그러므로 본 발명은 화학적으로 오염물을 제거하는 수단에 의해 방사성 물질 및 물질표면의 효과적 분리 및 제거가 어려운 고도의 기술을 요함이 없는 상태에서 이루어지는 공정을 제공한다.
그러므로, 주로 본 발명에 따른 공정은 어느 기간동안 오염된 물질 표면을 연속적으로 탄산나트륨 용액과 접촉시키고 ; 이 표면을 가열된 묽은 질산과 소정시간동안 접촉시키면서 과망간산염을 가하고 ; 오염된 물질은 70℃에서 옥살산용액(COOH-COOH.2H2O)과 접촉유지시키고 ; 마지막으로 이렇게 처리된 물질을 세척 건조하는 공정이다.
본 발명의 특징은 후술되는 실시예에서 자세히 서술되며, 본 발명이 이 실시예에 의해서만 국한되는 것은 아니다.
상술된 것처럼, 본 발명의 첫번째 단계에 따라 오염된 물질 또는 처리되는 물질표면 일부를 탄산나트륨 용액과 접촉시킨다. 바람직하게는 탄산나트륨을 가열로 용해시키면 강알카리 용액이 얻어진다. 가열용액과 오염표면과의 접촉을 통하여 오염된 표면상에 존재하며 물질의 방사성 입자제거를 더욱 어렵게 만드는 붕소가 사전에 제거된다.
탄산나트륨의 온도는 바람직하게는 80℃이다. 상기의 접촉시간은 처리되는 표면과 방사성 오염물의 종류와 방사성 오염력등을 고려하여 선택된다. 대부분의 경우에 있어서 5-30분의 접촉시간이 충분하다.
본 발명의 두번째 단계는 첫번째 단계가 완결된후, 오염된 물질을 묽은 질산과 접촉시키면서 과망간산칼륨을 가하는 단계이다. 그러므로, 이 단계는 묽은 질산을 가열함으로서 시작된다. 첫번째 단계에 따라 처리된 물질을 묽은 질산과 접촉시키면서 그래뉼형태의 과망간산 칼륨을 질산에 가한다. 두가지 생성물 사이의 최적 반응이 일어나기 위해서 질산을 70℃로 가열하면서 과망간산칼륨을 첨가하고 계속적인 순환을 유지시킨다. 본 발명의 두번째 단계에 의해 과망간산염 이온(MnO
Figure kpo00001
)은 오염된 입자상에 고착된다는 것을 알수 있다. 이것은 처리된 물질의 표면이 흑색을 나타내는 사실로부터 결정될 수 있다.
묽은 질산에 가해지는 과망간산칼륨의 양과 두번째 단계에서 처리되는 물질이 언급한 생성물과 접촉하는 시간은 물질표면의 크기, 처리되는 표면, 방사성 오염물의 종류 및 강도를 고려하여 선택된다. 하지만 과망간산 칼륨은 묽은 질산 1000
Figure kpo00002
당 1kg의 비로 가해진다.
본 발명의 세번째 단계는 두번째 단계가 완결된후 오염된 물질을 옥살산용액과 접촉시키는 단계이다. 접촉은 승온하에서 바람직하게 수행되는데, 이것은 세번째 단계를 수행하는 공정의 반응속도를 상당히 중가시킨다는 잇점이 있다. 본 발명에 따른 공정의 세번째 단계시에 과망간산염 이온과 물질의 오염성 방사입자는 처리되는 물질표면으로부터 분리된다. 처리되는 물질이 회백색 표면이라면 옥살산용액은 충분한 강산이라서 과망간산염이 존재하지 않게된다. 하지만 농도는 옥살산용액 동량과 두번째 단계의 혼합물의 혼합이 이루어져 중성 혼합물이 얻어지는 농도가 선택 사용된다.
본 발명의 마지막 단계인 네번째 단계에 따라 처리된 물질을 헹군뒤 건조하는 단계로서 헹굼단계는 탈광물수를 사용한다.
하지만, 헹구기전에 오염도가 여전히 심각하다면 과망간산칼륨과 옥살산의 양을 증가시켜 본 발명에 따른 공정의 두번째 및 세번째 단계를 반복한다.
오염된 물질과 상술된 용액과의 접촉은 바람직하게는 침전에 의해 수행된다. 그러므로 본 발명에 따른 공정은 실험실에서의 비교적 소규모 용구 및 엘리먼트의 오염제거를 위해 사용되는 공정이다. 하지만 이것은 본 발명이 대규모의 오염 대상물에 적용되는 것을 제외하는 것은 아니며 다양한 생성물과의 접촉은 습기화를 통하여 이루어지거나 또는 처리되는 표면을 통하여 이루어질 수 있다.
필요하다면 본 발명에 따라 여러가지 잔여의 생성물이 하나의 배치작동에 의해 진공화될 수 있다. 이 생성물을 정확한 혼합비로 혼합하면 중성(pH=7) 혼합물이 얻어지는데 이것은 손상, 막힘 또는 기타 장애를 일으킴이 없이 핵장치의 폐수처리 도관에서 처리될 수 있는 장점을 제공한다.
본 발명 공정을 수행하는데 있어서 여러가지 농도, 다양한 혼합비율 및 접촉시간등이 본 발명의 영역을 벗어나지 않는 범주내에서 변경이 가능하다.

Claims (16)

  1. 오염된 물질표면을 탄산나트륨용액과 소정시간동안 연속적으로 접촉시키고, 오염된 물질 표면을 가열과 함께 묽은 질산과 접촉시키면서 과망간산칼륨을 가하고, 오염된 물질 표면을 소정시간동안 옥살산용액(COOH-COOH.2H2O)과 접촉시키고, 마지막으로 상기 물질을 헹구어 건조시키는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 방사능에 오염된 물질의 오염제거 공정.
  2. 제1항에 있어서, 탄산나트륨 용액을 예열하는 것을 특징으로 하는 공정.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 강알카리 탄산나트륨 용액이 사용되는 것을 특징으로 하는 공정.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 오염된 물질표면을 탄산나트륨 용액과 접촉시키는데 걸리는 시간은 5-30분인 것을 특징으로 하는 공정.
  5. 제1항에 있어서, 오염된 물질을 탄산나트륨용액과 접촉시키면서 묽은 질산과 과망간산칼륨을 함께 접촉시키는데 걸리는 시간은 처리되는 물질의 최대표면과 방사성 오염물의 종류 및 강도를 고려하여 선택되는 것을 특징으로 하는 공정.
  6. 제1항에 있어서, 묽은 질산은 약 70℃의 온도에서 사용되는 것을 특징으로 하는 공정.
  7. 제1항에 있어서, 과망간산칼륨은 1000
    Figure kpo00003
    당 1kg의 비로 가해지는 것을 특징으로 하는 공정.
  8. 제1항에 있어서, 과망간산칼륨은 처리되는 물질표면의 크기와 방사성 오염물의 종류 및 강도를 고려하여 묽은 질산에 가해지는 것을 특징으로 하는 공정.
  9. 제1항에 있어서, 과망간산칼륨은 그래뉼형태로 묽은 질산에 가해지는 것을 특징으로 하는 공정.
  10. 제1항에 있어서, 옥살산 용액은 사용시에 가열되는 것을 특징으로 하는 공정.
  11. 제1항에 있어서, 옥살산용액의 농도는 회백색 금속표면을 갖는 오염물질을 생성하기에 충분한 농도인 것을 특징으로 하는 공정.
  12. 제1항에 있어서, 처리된 물질의 헹굼은 탈광물수에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 공정.
  13. 제1항에 있어서, 옥살산 과량으로 처리한 후에도 오염도가 여전히 존재할 경우 묽은 질산 및 옥살산처리를 적어도 한번더 반복하는 것을 특징으로 하는 공정.
  14. 제13항에 있어서, 상기의 처리를 반복하면 적어도 과망간산칼륨의 농도가 증가하는 것을 특징으로 하는 공정.
  15. 제1항에 있어서, 오염물질과 여러가지 용액과의 접촉은 침지에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 공정.
  16. 제1항에 있어서, 오염된 물질을 처리하여 얻어지는 잔여의 생성물을 얻어진 혼합물과 중성(pH=7)이 되도록 혼합하는 것을 특징으로 하는 공정.
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