KR890702211A - 원자로의 냉각회로 구성요소표면의 오염을 제거하는 방법 - Google Patents

원자로의 냉각회로 구성요소표면의 오염을 제거하는 방법

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아베베 리악토르 게엠베하
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Abstract

내용 없음

Description

원자로의 냉각회로 구성요소표면의 오염을 제거하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (19)

  1. 방사능 오염 표면층을 오염 제거용 산함유수용액으로 처리시켜 원자로의 냉각회로 구성요소 표면을 오염제거시키는 처리 방법에 있어서, 제 1 처리 공정에서는 크롬산과 과망간산 또는 그 염류(salts)를 포함하는 오염제거용 수용액으로 그 오염표면층을 270∼350°K의 온도에서 처리시키고, 제 2 처리공정에서는 그 처리표면층을 상기와 동일한 온도 범위에서의 화학처리 및/또는 물리적 처리에 의해 제거시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 처리 공정에서 오염제거용 산함유수용액에는 크롬산 0.01∼0.5몰, 과망간산 0.001∼0.1몰을 포함하며, 상기 크롬산과 과망간산의 비는 1 : 10∼25.1의 범위임을 특징으로 하는 상기 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 처리 공정에서는 1∼20 시간동안, 바람직하게는 약 10시간동안 처리를 함을 특징으로 하는 상기 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 처리공정에서 오염제거용 산함유수용액을 처리되는 표면층상에 처리할 때 분사 분무시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 처리공정에서 오염제거용 삼함유수용액은 처리되는 표면층에 폼(foam) 또는 요변상(thixotropic phase)으로 처리시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 처리공정에서 점도부여제(thickener)를 첨가한 상기 오염제거수용액은 처리되는 표면층에 하나의 코팅으로 처리시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 처리공정에서 사용된 오염제거 수용액은 크롬산 및 과망간산염에서 제조함을 특징으로 하는 상기 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 제 2 처리공정에서 표면층은 적어도 하나의 유기산 수용액으로 처리함을 특징으로 하는 상기 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 처리공정에 사용된 수용액에는 약 0.1몰을 수산(oxalicacid)을 함유함을 특징으로 하는 상기 방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 제 2 처리공정에 사용된 산수용액에는 환원제와, 착화제 (complexing agents) 및/또는 부식억제제 등의 다른 성분을 첨가시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 제 2 처리공정에서 환원제는 망간 및 크롬의 더 높은 산화단계로 환원시키기 위하여 제 1 처리 공정에서 사용된 오염제거용 수용액에 첨가시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 다른 성분으로 유기산 및/또는 착화제는 상기 표면층을 제고하기 위하여 환원제를 첨가시킨 상기 오염 제거수용액에 첨가시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
  13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수용액은 제 2 처리 공정시에 카티온 교환기에 의해 계속적으로 또는 단속적으로 정제시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
  14. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 처리공정은 다음의 수용액을 이온 교환기에 의해 순화시켜 그 처리 표면을 세척시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
  15. 제 8 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 처리공정은 15분∼8시간 동안 실시함을 특징으로 하는 상기 방법.
  16. 제 8 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 처리공정의 수용액을 그 표면층에 분사되는 분무시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
  17. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 처리공정에서의 수용액은 그 표면에 폼(foam) 또는 요변상(thixotropic phase)으로 처리시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
  18. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 처리공정에서 점도부여제를 첨가한 수용액을 표면층에 하나의 코팅으로 처리시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
  19. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 처리공정에서의 표면층을 기계적 또는 수압으로 제거시킴을 특징으로 하는 상기 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890700977A 1987-10-02 1988-09-28 원자로의 냉각회로 구성요소 표면의 오염을 제거하는 방법 KR970011260B1 (ko)

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