KR900006632B1 - 전해전극 및 제작법 - Google Patents
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Abstract
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Description
본 발명은 전해에 사용되는 전극에 관한 것으로서 특히 양극에서 산소가 발생되기 쉬운 수용액의 전해에서 현저한 내구성을 나타내는 전해전극 및 그 제작법에 관한 것이다.
지금까지 티타늄(Ti)과 같은 밸브 금속의 기지로 사용하는 전해전극은 현저한 불용해 금속 전극으로 인식되어 왔으며 여러가지 다른 전기화학 분야에서도 사용되어 왔다. 특히 식염의 전해 공업에서 이러한 전극이 염소가 발생하는 양극으로서 극히 유용한 것으로 알려졌다. 밸브 금속으로서는 Ti 이외에도 Ta, Nb, Zr, Hf, V, Mo, W 등이 있다.
이러한 금속 전극은 백금족 금속 또는 그 산화물로 대표되는 여러가지 전기화학적 활성물질을 Ti 기지에 코팅하여 얻는다. 그 예로서 미합중국 특허 제3,632,498호와 제3,711,385호에 발표된 것을 들수 있다. 특히 이러한 전극이 염소의 제조에 사용될때 장시간동안 염소 과전압을 낮게 유지시킬수 있다.
상기한 금속 전극이 산소가 발생하는 전해에서 양극으로 사용되면, 양극의 과전압은 점점 더 상승하게 된다. 극단적으로 이러한 과전압의 상승은 양극이 부동화되어 전해가 더 이상 진행되지 못하는 심각한 문제점을 야기시킬 수도 있다. 이러한 전극의 부동현상은 전극의 산화물피막에서 나온 산소나 또는 피막을 침투하여 기지에 도달된 산소 또는 전해질과 기지가 반응하여 Ti 기지가 산화된다는 가정으로 가장 잘 설명된다고 믿어진다. 또한 부도체산화물은 기지와 전극의 피막사이의 경계면에서 형성되기 때문에 산화물 경계면에 의해 전극피막이 기지로부터 분리되어 전극을 사용할수 없게 되는 단점도 유발될수 있다.
양극 생성물이 산소이거나 또는 부반응으로서 양극에 산소가 발생하는 전해에는 (1) 황산조와 질산조 및 알칼리조등을 사용하는 전해 (2) Cr, Cu, Zn등의 전해분리 (3) 여러가지 종류의 전기도금 (4) 묽은 담함수, 염수 및 염산의 전해 및 (5) 염소산염의 생산에 사용되는 전해등이 있다.
그러나 지금까지 상기한 문제점들은 이러한 공업분야에서 금속 전극을 효과적으로 사용하는데 심각한 장애가 되어왔다.
이러한 문제점의 해결책으로서 산소가 침투하여 전극이 부동화되는 것을 방지하는 기술은 미합중국 특허제3,775,284호에 발표되었다. 상기 기술은 도체기지와 전극피막사이에 Pt-Ir 합금 또는 Co, Mn, Pd, Pb, Pt산화물로된 장벽층을 끼워넣는 것이다. 장벽층으로 삽입된 물질은 전해중에 산소가 기지에 분산되는 것을 어느 정도 방지해준다. 그럼에도 불구하고 장벽층의 물질은 상당한 정도의 전기화학적 활성도를 갖고 있음으로 전극피막을 침투한 전해질과 반응하여 삽입된 장벽층 표면에 전해 생성물 예를들어 가스를 발생시킨다. 따라서 전해생성물의 물리적 화학적 작용에 의해 전극피막이 기지에 꽉 응착되는 것이 방해를 받으므로 전극피막을 구성하는 물질의 수명이 다하기 전에 기지로 부터 전극피막이 분리될 염려가 있다. 또한 장벽층 그 자체가 전극이 충분한 내부식성을 갖게되는 것을 막아주는 문제를 야기시킨다. 따라서 해결책이 또 다른 문제점을 일으켜 전극을 계속 보호해 줄수 없게 된다.
미합중국 특허 제3,773,555호는 Ti과 같은 금속 산화물로 층과 백금족 금속 또는 그 산화물로 된 층을 적층 코팅한 전극을 발표하였다. 그러나 이 전극도 산소가 유리되는 전해에 사용될때 전극이 부동화되는 단점을 안고있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 첫째, 내부동성과 충분한 내구성이 있어 특히 산소의 유리를 내포하는 여러 전해 과정에 사용하기에 적합한 전해전극을 제조하기 위한 것이며, 둘째, 상기 특징을 갖춘 전극을 제조하기 위한 방법을 위한 것이다.
상기 목적은 기지로서 Ti과 같은 도체 금속과 전극활성 물질의 외피를 갖춘 전해전극으로서 성취되며, 상기 전극은 4가 금속 Ti과 Sn중에서 최소한 하나의 금속 산화물과 5가 금속 Ta과 Nb중에서 적어도 하나의 금속 산화물로 구성된 혼합 산화물에 백금을 분산시킨 중간층을 기지와 전극 피막사이에 삽입시킨 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 전해전극을 제조하는 방법에 관한 것이기도 하다.
상기한 본 발명의 중간층은 대단히 우수한 내부식성이며, 극히 낮은 전기화학적 활성도를 가지고, Ti과같은 전극기지를 보호하고 전극의 부동화를 방지하는 전극의 주기능을 충족시켜 준다. 주기능과 관련된 것으로서 중간층은 전극에 양호한 전도성을 부여하며 기지와 전극피막간의 강력한 결속을 유지시켜주는 보조기능도 충족시켜준다.
따라서 본 발명에 의해 산소가 발생하는 전해공정 또는 산소가 유리되는 제2반응을 일으키는 전해공정에 충분한 내구성을 갖춘 전극으로 사용될수 있는 전극이 제조된다.
본 발명을 더욱 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명에서 전극기지는 Ti, Ta, Nb 또는 Ti과 같은 내부식성 도체금속 또는 이러한 금속을 기지로한 산화물로 만들어진다. 지금까지 광범위하게 사용되어온 금속 Ti과 Ti-Ta-Nb계 및 Ti-Pd계 합금과 같은Ti 합금이 본 발명의 기지에 적합하다.
본 기지는 판, 다공판, 봉 또는 그물 모양이거나 또는 다른 바람직한 형상을 할수도 있다. 또한 전극의 내부식성을 높이거나 중간층과의 응집을 향상시키기 위해 사전에 백금과 같은 백금족 금속이나 또는 Ta, Nb와 같은 밸브 금속을 이러한 기지에 코팅시켜 줄 수도 있다.
4가인 Ti 또는/및 Sn 산화물과 5가인 Ta 또는/및 Nb 산화물로 구성된 혼합 산화물에 백금을 분산시킨 중간층이 이 기지에 중첩된다. 본 발명에서는 기지와 전극피막사이에 중간층을 삽입시킴으로서 전도성이 우수하고 특히 산소유리 과정을 수반하는 전해공정에서 충분한 내구성을 지닌 양극으로서 유용한 전극을 생산할 수 있게된다.
본 발명자는 이미 기지로서 Ti과 같은 도체금속을 사용하고 이 기지에 금속 산화물을 코팅한 전해전극을 완성하였다. 상기 전해전극은 Ti 및/또는 Sn 산화물과 Ta 및/또는 Nb 산화물로 구성된 혼합 산화물로 만들어진 중간층을 기지와 전극 피막사이에 삽입시킨 것을 특징으로 한다. 이러한 전해전극을 1983년 8월 9일 출원한 미합중국 특허출원 제521,764호에 발표되어 있다. 이러한 전극은 내부동성을 가지고 있으며 내구성이 우수하다. 전극에 사용된 중간층 N-형 반도체와 같이 우수한 전도성을 나타낸다. 그러나 중간층은 제한된 운반자 농도를 가지고 있음으로 전도도에 대해서는 더 개선될 여지가 있었다.
상기한 종래의 중간층보다 횔씬 우수한 전도성을 갖는 중간층을 얻는다는 생각에서 본 발명은 종래기술에서의 결점을 제거하고 여전히 우수한 전도도와 내구성을 갖는 전극을 생산하게 되었다. 본 발명에서 고려한중간층의 구성 물질로서 Ti 및/또는 Sn 산화물과 Ta 및/또는 Nb 산화물로 구성된 혼합 산화물에 백금을분산시킨 복합재료가 본 발명의 목적에 적합하고 현저한 효과를 나타내는 것으로 판명되었다. 중간층의 물질은 양호한 내부식성을 가지며 전기화학적 활성도가 없고 충분한 전도도를 갖는다. 여기서 "혼합 산화물"이란 말은 비화학량론적이나 또는 격자 결함을 갖는 금속 산화물을 포함한다는 의미이다. 본 발명에서 혼합산화물은 Ta2O5, TiO2, SnO2등으로 대표되는 금속 산화물을 포함한다.
상기한 바와같은 중간층 물질은 실제로 금속 백금이나 4가지 금속(Ti 또는 Sn)산화물 및 5가인 금속(Ta또는 Nb)산화물의 조합체이다.
백금을 분산시켰을때 충분한 효과를 나타내는 혼합 산화물로서 TiO2-Ta2O5-, TiO2-Nb2O5-SnO2-Nb2O5, TiO2-SnO2-Ta2O5, TiO2-SnO2, Nb2O5, SnO2-Ta2O5-Nb2O5및 TiO2-SnO2-Ta2O5-Nb2O5등이 사용될수 있다.
혼합 산화물의 각 구성 산화물의 비율은 특별히 제한되지 않으며 광범위하게 사용할수 있다. 전극의 내구성과 전도성을 오랫동안 유지시키기 위해서는 4가 금속 산화물과 5가 금속 산화물의 비는 금속몰비로서 95 : 5 내지 10 : 90의 범위로서 고정시키는 것이 바람직하다. 혼합 산화물에 분산시키는 백금의 양은 중간층을 구성하고 있는 물질전량에 대해 1 내지 50볼 퍼센트의 범위로 하는 것이 좋다.
중간층의 형성은 상기 중간층을 구성하기로 된 성분금속의 염화물 또는 다른 염을 포함하는 혼합염을 금속기지에 가한후 섭씨 약 350도 내지 600도의 산화성 가스 분위기하에서 코팅된 기지를 가열함으로서 백금이 분산된 혼합 산화물을 만드는 열분해 방법을 이용하는 것이 편리하다. 그 방법이 도체 혼합 산화물에 백금이 분산된 균일하고 조밀한 피막을 얻을수 있는 방법이면 다른 방법도 이용할수가 있다. 상기한 열분해방법에 따라 Ti, Sn, Ta 및 Nb은 쉽게 각 대응 산화물로 변화하고 반면에 백금은 금속 백금으로 열분해되며 전혀 산화물로 되지 않는다. 기지에 가해진 중간층 물질의 양은 금속물로서 약 1.1×10-2몰/㎡을 초과하는 것이 바람직하다. 그 양이 상기한 최저 한게보다 적을 경우에는 형성된 중간층은 그 효과를 충분히 나타낼 수 없게 된다.
결과적으로 전기화학적 활성도를 가지는 전극 활성물질이 상기한 바와같이 기지에 중간층에 중첩되어 전극이 완성되게 된다. 전극 피막용 물질로서는 전기 화학적 성질과 내구성이 우수한 금속 또는 금속 산화물 또는 그 혼합물을 사용할 수 있다. 이러한 필요조건을 충족하는 여러가지 물질중에서 전극이 사용되는 전해반응을 고려하여 적당한 물질을 선택한다. 특히 산소유리과정을 내포한 전해공정에 적합한 것은 백금족 금속 산화물 또는 밸브 금속 산화물의 혼합 산화물이다. 이러한 산화물의 대표적인 것으로 Ir 산화물, Ir 산화물-Ru 산화물계, Ir 산화물-Ti 산화물계, Ir 산화물-Ta 산화물계, Ru 산화물-Ti 산화물계, Ir 산화물-Ru 산화물-Ta 산화물계 및 Ru 산화물-Ir 산화물-Ti 산화물게 혼합 산화물을 들수 있다. 물론 유사하거나 또는 유사하지 않거나 이러한 산화물은 한층 또는 그 이상의 층으로 중첩되어 전극기지에 가해진다.
전극 피막을 형성시키는 방법은 특별히 규정된 것은 아니다. 열분해법과 전기화학적 산화법 및 분말소결법과 같은 여러가지 방법중 어떠한 것을 사용하여도 좋다. 특히 미합중국 특허 제3,711,385호 및 제3,632,498호에 상세히 기술된 열분해 방법이 바람직하다.
4가와 5가 금속의 혼합 산화물에 백금이 분산된 중간층을 금속기지와 전극의 활성피막사이에 삽입하였을때 나타나는 본 발명의 두드러진 효과를 설명할수 있는 정확한 이론은 아직 확립되지 않았으나, 다음 가정에 의해 한가지 논리적인 설명을 할수 있다.
백금이 분산되어 있는 혼합된 금속 산화물의 중간층이 기지의 금속표면을 덮고 있어 그것의 산화를 방지하고 있으므로 기지가 부동화되는 것이 방지된다. 중간층 그 자체의 기지는 4가와 5가 금속의 혼합 산화물에 분산된 백금을 함유하고 있다. 원자가 조정이 나는 일반적으로 알려진 원칙에 따라 이러한 혼합 산화물 그자체는 N형 반도체를 구성하고 높은 전도도를 갖는다. 더구나 혼합 산화물에 분산되어 있는 백금은 혼합산화물에 높은 전자 전도도를 부여한다.
또한 백금은 극히 우수한 내부식성 물질이고 산소발생에 대한 높은 포텐셜을 갖고 있음으로 전기화학적 활성도가 결여되어 있으며 일반적으로 전극과는 반응하지 않고 따라서 전극의 내구성을 향상시켜 주는 역할을 한다. 만약 Ti으로 된 물질이 전극의 제작이나 또는 전해공정에서 전극을 사용하는 중에 부도체 Ti 산화물을 형성시킨다면 중간층의 5가 금속이 분산되어 유사하게 산화물이 반도체로 변환된다. 따라서 전반적으로 전극은 그 전도성이 있는 그대로 유지되고 다른 부동화 과정이 배제된다.
또한 중간층의 물질은 Ti과 같은 기지금속과 백금족 금속 산화물 또는 밸브 금속 산화물과 같은 전극의 활성피막에 밀접하게 부착되는 능력이 있어 기지와 피막 사이에 견고한 결합이 형성된다. 따라서 중간층은 전극의 내구성을 향상시키는네 효과적이다.
본 발명의 몇가지 실시예를 기술하면 다음과 같고, 본 발명이 다음에 기술된 실시예에 국한되는 것은 아니다.
[실시예 1]
시판되는 1.5mm 두께의 티타늄 판을 아세톤으로 탈지시키고 섭씨 105도의 20% 염산 수용액으로 에팅처리하여 전극용 기지를 제작한다. 그 다음에 10g/l의 농도의 Ta을 함유한 Ta-Ti 염화물과 10.4g/l 농도의 Ti을 함유한 Ti 염화물의 10% 염산용액에 10g/l의 농도의 Pt을 함유한 염화 백금산의 10% 염산용액을 혼합한 용액에 기지의 상축면을 가하여 전조시킨 후 섭씨 500도의 퍼플로에서 10분동안 태운다. 그러면 혼합산화물 TiO2-Ta2O5(Ti : Ta 비는 80 : 20)에 백금이 1.3g/㎡의 비율로 분산된 중간층이 Ti 기지에 중첩된다.
다음에 50g/l 농도의 Ir을 함유한 Ir 염화물의 염산용액을 중간층에 가하였다. 코팅된 층을 섭씨 500도의 머플로에서 10분동안 태웠으며 이러한 과정을 세번이상 반복하였다. 결과적으로 전극활성 물질로서 3.0g/㎡의 비로 Ir을 함유한 Ir 산화물을 갖는 전극이 얻어졌다. 섭씨 60도로 유지된 황산염 용액 1l당 150g의 전해질에서 이 전극을 음극인 흑연판과 함께 양극으로 사용하여 100A/d㎡ 전류밀도로 전해 가속시험을 행하였다. 양극은 360시간동안 안정된 전해를 수행하였다. 비교검토를 위해 상기한 중간층에서 백금만이 제외전 전극을 준비하여 같은 전해에서 이 전극은 전해 150시간 후에 부동화되어 더 이상 사용할수 없었다.
[실시예 2]
중간층 물질과 전극의 활성피막을 표 1과 같이 변화시킨 것을 제외하고 실시 1과 같은 방법으로 전극을 준비하였다. 이와같이 준비한 전극으로서 성능시험을 위해 가속전해시험을 수행하였다. 전해는
[표 1]
※ 참고 : 괄호안의 숫자는 성분금속의 몰비.
중간층의 백금량은 1.33g/㎡
전극활성물질의 양은 3g/㎡로 불변.
250A/d㎡의 전류밀도와 섭씨 80℃의 전해질로서 150g/l의 황산용액중에서 행하였으며 음극으로서 백금판을 이용하였다.
표 1로 부터 백금을 함유한 중간층을 갖춘 본 발명의 전극이 백금을 함유하지 않은 중간층을 갖춘 전극보다 수명이 길며 높은 내구성을 나타내었다.
[실시예 3]
백금이 분산된 SnO2-Ta2O5계 혼합 산화물(Sn과 Ta의 금속몰비는 80 : 20, 백금 분산량은 1.3g/㎡)이 중간층으로 사용된 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 전극을 준비하였으며 유사한 시험을 행하였다. 전해시험은 백금판을 음극으로 사용하고 250A/d㎡의 전류밀도와 섭씨 95도의 12N 농도 NaOH 용액에서 수행하였다.
이러한 전극은 46시간의 수면을 가졌으며, 중간층에 백금이 분산된 것을 제외하고는 같은 전극으로 비교시험을 행한결과 16시간의 수명을 가졌다. 따라서 본 발명의 전극이 다른 전극에 비해 대단히 높은 내구성이 있음이 확실시 된다.
Claims (17)
- 도체인 금속기지와 기지의 표면에 부착된 중간층과 중간층의 표면에 부착된 전극활성물질로 구성된 전해전극에 있어서, 중간층은 4가인 Ti과 Sn에서 최소한 하나의 금속 산화물로 5가인 Ta과 Nb에서 최소한 하나의 금속 산화물로 구성된 도체 혼합 산화물에 백금이 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 전해전극.
- 제1항에 있어서, 기지는 Ti 또는 Ta 또는 Nb 또는 Zr 또는 그 합금인 것을 특징으로 하는 전해전극.
- 제1항에 있어서, 중간층은 TiO2및/또는 SnO2와 Ta2O5및/또는 Nb2O5로 구성된 도체 혼합 산화물에 분산된 백금을 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 전해전극.
- 제1항에 있어서, 전극활성물질은 백금족 금속 또는 그 산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전해전극.
- 제1항에 있어서, 혼합 산화물에 분산된 백금의 량은 중간층을 구성하고 있는 물질의 총량에 대해 1내지 50몰 퍼센트의 범위인 것을 특징으로 하는 전해전극.
- 제1항에 있어서, Ti과 Sn에서 최소한 하나의 금속 산화물과 Ta과 Nb에서 최소한 하나의 금속 산화물의 금속몰비는 약 95 : 5 내지 10 : 90인 것을 특징으로 하는 전해전극.
- 제1항에 있어서, 중간층은 금속을 기준으로 하여 0.1×10-2몰/㎡ 이상의 양인 것을 특징으로 하는전해전극.
- 전해전극 제작법에 있어서, 도체금속의 기지를 준비하고, 상기 기지에 Ti 및/또는 Sn과 Ta 및/또는Nb과 백금염을 함유한 용액에 가하여 기지를 코팅시키며, 산화성 분위기하에서 용액과 함께 코팅된 기지를 가열시켜 기지에 중간층을 형성시키고, 상기 중간층을 전극 활성물질의 층으로 코팅하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 전해전극 제작법.
- 제8항에 있어서, 전극활성물질로서 중간층을 코팅하는 것은 열분해법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전해전극 제작법.
- 제8항에 있어서, 중간층은 섭씨 350 내지 600도의 산화성 분위기에서 코팅된 기지를 가열함으로써 형성시키는 것을 특징으로 하는 전해전극 제작법.
- 제8항에 있어서, 기지는 Ti 또는 Ta 또는 Nb 또는 Zr 또는 그 합금인 것을 특징으로 하는 전해전극 제작법.
- 제8항에 있어서, 중간층은 TiO2및/또는 SnO2와 Ta2O5및/또는 Nb2O5로 구성된 도체 혼합 산화물에 분산된 백금을 함유하는 것을 특징으로 하는 전해전극 제작법.
- 제8항에 있어서, 전극활성물질은 백금족 금속 또는 그 산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전해전극 제작법.
- 제8항에 있어서, 혼합 산화물에 분산된 백금의 양은 중간층을 구성하고 있는 물질의 총량에 대하여 1 내지 50몰 퍼센트 범위인 것을 특징으로 하는 전해전극 제작법.
- 제8항에 있어서, Ti과 Sn 중에서 최소한 하나의 금속 산화물과 Ta과 Nb중에서 최소한 하나의 금속 산화물의 금속 몰비가 약 95 : 5 내지 10 : 90인 젓을 특징으로 하는 전해전극 제작법.
- 제8항에 있어서, 중간층의 양은 금속을 기준으로 계산하여 0.1×10-2몰/㎡ 이상인 것을 특징으로하는 전해전극 제작법.
- 제8항에 있어서, 도체금속 기지는 중간층을 형성시키기 전에 백금족 또는 밸브 금속으로 코팅하는것을 특징으로 하는 전지전극 제작법.
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