KR900005224A - 실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질 - Google Patents
실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질 Download PDFInfo
- Publication number
- KR900005224A KR900005224A KR1019890013665A KR890013665A KR900005224A KR 900005224 A KR900005224 A KR 900005224A KR 1019890013665 A KR1019890013665 A KR 1019890013665A KR 890013665 A KR890013665 A KR 890013665A KR 900005224 A KR900005224 A KR 900005224A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- mixture
- silicone
- photosensitive material
- substituted
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/06—Preparatory processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
- C08G77/24—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen halogen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
- C08G77/26—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen nitrogen-containing groups
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명 제조예 2의 출발 원료인 헥사페닐시클로트리실록산의29Si-NMR 도표를 나타낸다.
제 2 도는 동 제조예 2의 중합반응 시작 10분후, 생성물의 FD-MS 도표를 나타낸다.
제 3 도 및 제 4 도는 동 제조예 2의 중합반응 완료후, 생성물의29Si-NMR도표 및13C-NMR도표를 각각 나타낸다.
Claims (8)
- 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 실리콘-함유 고리형 화합물의 반복 단위를 함유함을 특징으로 하는 실리콘-함유 중합체.(상기식중, m 및 n은 각각 0을 포함한 양의 정수이지만, m+n〉0이고, X는 알킬기, 알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 치환 페닐기 및 치환 나프틸기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이고, 상기 치환 페닐기 또는 치환 나프틸기의 치환체는 할로겐원자, 할로겐화 알킬기, 아미노기, 아미노알킬기 및 니트로기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이다.)
- 제 1 항에 있어서, m+n이 1 내지 4중 어느 것임을 특징으로 하는 실리콘-함유 중합체.
- 제 1 항에 있어서, m+n이 1 내지 4인 화합물중 어느 것의 또는 전부의 혼합물을 함유함을 특징으로 하는 실리콘-함유 중합체.
- 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 실리콘-함유 고리형 화합물의 반복단위를 함유함을 특징으로 하는 실리콘-함유 중합체를 함유하는 감광성 물질.(상기식중, m 및 n은 각각 0을 포함한 양의 정수이지만, m+n〉0이고, X는 알킬기, 알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 치환페닐기 및 치환 나프틸기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이고, 상기의 치환 페닐기 또는 치환 나프틸기의 치환체는 할로겐원자, 할로겐화 알킬기, 아미노기, 아미노알킬기 및 니트로기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이다.)
- 제 4 항에 있어서, m+n이 1 내지 4중 어느 것임을 특징으로 하는 감광성 물질.
- 제 4 항에 있어서, m+n이 1 내지 4인 화합물중 어느 것의 또는 전부의 혼합물을 함유함을 특징으로 하는 감광성 물질.
- 제 4 항에 있어서, 감광성기를 고-분자 물질내 Si기에 직접 또는 그의 곁사슬에 결합시킴을 특징으로 하는 감광성 물질.
- 제 4 항에 있어서, 감광제를 고분자 물질에 첨가함 특징으로 하는 감광성 물질.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23629988 | 1988-09-22 | ||
JP63-236299 | 1988-09-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900005224A true KR900005224A (ko) | 1990-04-13 |
KR950000483B1 KR950000483B1 (ko) | 1995-01-20 |
Family
ID=16998736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890013665A KR950000483B1 (ko) | 1988-09-22 | 1989-09-22 | 실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5057396A (ko) |
EP (1) | EP0360274B1 (ko) |
KR (1) | KR950000483B1 (ko) |
DE (1) | DE68916143T2 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030043264A (ko) * | 2001-11-27 | 2003-06-02 | 박철홍 | 전자결핍성화합물과 특이반응하는 폴리치환된 실롤-저몰나노와이어 및 그 제조방법 |
KR100463858B1 (ko) * | 1996-08-29 | 2005-02-28 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 층간절연막의형성방법 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0432905B1 (en) * | 1989-11-15 | 1998-02-04 | Fujitsu Limited | Polysilphenylenesiloxane, production process thereof, and resist material and semiconductor device formed thereof |
EP0700951B1 (en) * | 1994-09-08 | 2000-12-27 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Polyorganosiloxane and process for producing the same |
TW434458B (en) * | 1995-04-04 | 2001-05-16 | Shinetsu Chemical Co | Chemically amplified positive resist compositions |
US5962581A (en) * | 1995-04-28 | 1999-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicone polymer composition, method of forming a pattern and method of forming an insulating film |
JP2697680B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | 珪素含有高分子化合物および感光性樹脂組成物 |
KR100475080B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | Si-콘테이닝 수용성 폴리머를 이용한 레지스트 패턴형성방법 및 반도체 소자의 제조방법 |
KR100979355B1 (ko) | 2003-10-09 | 2010-08-31 | 삼성전자주식회사 | 다반응성 환형 실리케이트 화합물, 상기 화합물로부터제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막제조방법 |
KR100510558B1 (ko) * | 2003-12-13 | 2005-08-26 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 방법 |
KR100640587B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2006-11-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법 |
US11500290B2 (en) * | 2018-11-13 | 2022-11-15 | International Business Machines Corporation | Adhesion promoters |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1451623A (en) * | 1973-10-01 | 1976-10-06 | Mullard Ltd | Method of prov8ding a patterned layer of silicon-containing oxide on a substrate |
JPS51106196A (en) * | 1975-03-17 | 1976-09-20 | Toray Silicone Co | Arukitsudojushino seizohoho |
JPS5760330A (en) * | 1980-09-27 | 1982-04-12 | Fujitsu Ltd | Resin composition |
JPS59125730A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
US4507384A (en) * | 1983-04-18 | 1985-03-26 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Pattern forming material and method for forming pattern therewith |
JPS60238827A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性樹脂組成物 |
US4702990A (en) * | 1984-05-14 | 1987-10-27 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Photosensitive resin composition and process for forming photo-resist pattern using the same |
KR900002364B1 (ko) * | 1984-05-30 | 1990-04-12 | 후지쓰가부시끼가이샤 | 패턴 형성재의 제조방법 |
JPS60254034A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-14 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
JPS61144639A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Hitachi Ltd | 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法 |
FR2597110A1 (fr) * | 1986-04-14 | 1987-10-16 | Rhone Poulenc Multi Tech | Composition organopolysiloxane, potentiellement reticulable et utilisable notamment en microlithographie, et son procede d'application |
-
1989
- 1989-09-21 US US07/410,573 patent/US5057396A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-22 DE DE68916143T patent/DE68916143T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-22 KR KR1019890013665A patent/KR950000483B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-09-22 EP EP89117512A patent/EP0360274B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100463858B1 (ko) * | 1996-08-29 | 2005-02-28 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 층간절연막의형성방법 |
KR20030043264A (ko) * | 2001-11-27 | 2003-06-02 | 박철홍 | 전자결핍성화합물과 특이반응하는 폴리치환된 실롤-저몰나노와이어 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68916143D1 (de) | 1994-07-21 |
EP0360274A2 (en) | 1990-03-28 |
DE68916143T2 (de) | 1994-09-22 |
US5057396A (en) | 1991-10-15 |
EP0360274B1 (en) | 1994-06-15 |
KR950000483B1 (ko) | 1995-01-20 |
EP0360274A3 (en) | 1991-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR880001771A (ko) | 이형용 실리콘 조성물 | |
KR910010239A (ko) | 방사선 감응성 수지 조성물 | |
KR870000289A (ko) | 트리시클로데칸의 (메트)-아크릴산 유도체의 제조방법 | |
KR840000609A (ko) | 저온성 실리콘 겔 | |
KR900005224A (ko) | 실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질 | |
KR860001104A (ko) | 테트라히드로프탈이미드의 제조방법 | |
KR970027154A (ko) | 예비-성형된 규소 개질된 유기 중합체의 가교결합된 에멀젼 | |
KR880009094A (ko) | 코팅용 조성물 | |
KR870000481A (ko) | 섬유 처리제 | |
KR900009935A (ko) | 액정 조성물 | |
KR830005286A (ko) | 실라잔 폴리머의 제조방법 | |
KR830004353A (ko) | 메르캅토오르가노 폴리실록산 및 이를 함유한 경화성 조성물 | |
KR870002213A (ko) | 도료 조성물 | |
KR870010124A (ko) | 이형 필름용 실리콘 조성물 | |
KR920018183A (ko) | 감광성 중합체 재료 | |
KR880001770A (ko) | 연질 실리콘 탄성중합체 제조용 혼합물 | |
AU579251B2 (en) | Process for the preparation of poly(diorganosiloxanes)with alkoxy end groups | |
KR920701869A (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR930016429A (ko) | 전위 촉매를 사용하여 사이클릭 실옥산을 평형화시키는 방법 | |
ATE92515T1 (de) | Feuchtigkeitshaertende einkomponentenpolysiloxanmassen. | |
KR890017315A (ko) | 경화성 폴리오르가노 실록산 조성물 | |
KR920014843A (ko) | 폴리이소시아네이트 중부가 공정용 촉매로서의 n-(아미노알킬)피롤리딘의 용도 | |
KR890017309A (ko) | 실온 경화성 조성물 | |
KR930008068A (ko) | 플루오로실리콘 조성물 및 그의 겔상 경화물 | |
KR900016385A (ko) | Uv 경화성 페닐-함유 아크릴아미드 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |