KR900005224A - 실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질 - Google Patents

실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질 Download PDF

Info

Publication number
KR900005224A
KR900005224A KR1019890013665A KR890013665A KR900005224A KR 900005224 A KR900005224 A KR 900005224A KR 1019890013665 A KR1019890013665 A KR 1019890013665A KR 890013665 A KR890013665 A KR 890013665A KR 900005224 A KR900005224 A KR 900005224A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
mixture
silicone
photosensitive material
substituted
Prior art date
Application number
KR1019890013665A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950000483B1 (ko
Inventor
아끼노브 다나까
마사즈미 하세가와
Original Assignee
원본미기재
도소오가부시끼가이샤
닛뽕덴신뎅와 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 원본미기재, 도소오가부시끼가이샤, 닛뽕덴신뎅와 가부시끼가이샤 filed Critical 원본미기재
Publication of KR900005224A publication Critical patent/KR900005224A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950000483B1 publication Critical patent/KR950000483B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/06Preparatory processes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/22Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C08G77/24Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen halogen-containing groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/22Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C08G77/26Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen nitrogen-containing groups

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명 제조예 2의 출발 원료인 헥사페닐시클로트리실록산의29Si-NMR 도표를 나타낸다.
제 2 도는 동 제조예 2의 중합반응 시작 10분후, 생성물의 FD-MS 도표를 나타낸다.
제 3 도 및 제 4 도는 동 제조예 2의 중합반응 완료후, 생성물의29Si-NMR도표 및13C-NMR도표를 각각 나타낸다.

Claims (8)

  1. 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 실리콘-함유 고리형 화합물의 반복 단위를 함유함을 특징으로 하는 실리콘-함유 중합체.
    (상기식중, m 및 n은 각각 0을 포함한 양의 정수이지만, m+n〉0이고, X는 알킬기, 알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 치환 페닐기 및 치환 나프틸기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이고, 상기 치환 페닐기 또는 치환 나프틸기의 치환체는 할로겐원자, 할로겐화 알킬기, 아미노기, 아미노알킬기 및 니트로기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이다.)
  2. 제 1 항에 있어서, m+n이 1 내지 4중 어느 것임을 특징으로 하는 실리콘-함유 중합체.
  3. 제 1 항에 있어서, m+n이 1 내지 4인 화합물중 어느 것의 또는 전부의 혼합물을 함유함을 특징으로 하는 실리콘-함유 중합체.
  4. 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 실리콘-함유 고리형 화합물의 반복단위를 함유함을 특징으로 하는 실리콘-함유 중합체를 함유하는 감광성 물질.
    (상기식중, m 및 n은 각각 0을 포함한 양의 정수이지만, m+n〉0이고, X는 알킬기, 알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 치환페닐기 및 치환 나프틸기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이고, 상기의 치환 페닐기 또는 치환 나프틸기의 치환체는 할로겐원자, 할로겐화 알킬기, 아미노기, 아미노알킬기 및 니트로기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이다.)
  5. 제 4 항에 있어서, m+n이 1 내지 4중 어느 것임을 특징으로 하는 감광성 물질.
  6. 제 4 항에 있어서, m+n이 1 내지 4인 화합물중 어느 것의 또는 전부의 혼합물을 함유함을 특징으로 하는 감광성 물질.
  7. 제 4 항에 있어서, 감광성기를 고-분자 물질내 Si기에 직접 또는 그의 곁사슬에 결합시킴을 특징으로 하는 감광성 물질.
  8. 제 4 항에 있어서, 감광제를 고분자 물질에 첨가함 특징으로 하는 감광성 물질.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890013665A 1988-09-22 1989-09-22 실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질 KR950000483B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23629988 1988-09-22
JP63-236299 1988-09-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900005224A true KR900005224A (ko) 1990-04-13
KR950000483B1 KR950000483B1 (ko) 1995-01-20

Family

ID=16998736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890013665A KR950000483B1 (ko) 1988-09-22 1989-09-22 실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5057396A (ko)
EP (1) EP0360274B1 (ko)
KR (1) KR950000483B1 (ko)
DE (1) DE68916143T2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030043264A (ko) * 2001-11-27 2003-06-02 박철홍 전자결핍성화합물과 특이반응하는 폴리치환된 실롤-저몰나노와이어 및 그 제조방법
KR100463858B1 (ko) * 1996-08-29 2005-02-28 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 층간절연막의형성방법

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0432905B1 (en) * 1989-11-15 1998-02-04 Fujitsu Limited Polysilphenylenesiloxane, production process thereof, and resist material and semiconductor device formed thereof
EP0700951B1 (en) * 1994-09-08 2000-12-27 Showa Denko Kabushiki Kaisha Polyorganosiloxane and process for producing the same
TW434458B (en) * 1995-04-04 2001-05-16 Shinetsu Chemical Co Chemically amplified positive resist compositions
US5962581A (en) * 1995-04-28 1999-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicone polymer composition, method of forming a pattern and method of forming an insulating film
JP2697680B2 (ja) * 1995-05-31 1998-01-14 日本電気株式会社 珪素含有高分子化合物および感光性樹脂組成物
KR100475080B1 (ko) * 2002-07-09 2005-03-10 삼성전자주식회사 Si-콘테이닝 수용성 폴리머를 이용한 레지스트 패턴형성방법 및 반도체 소자의 제조방법
KR100979355B1 (ko) 2003-10-09 2010-08-31 삼성전자주식회사 다반응성 환형 실리케이트 화합물, 상기 화합물로부터제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막제조방법
KR100510558B1 (ko) * 2003-12-13 2005-08-26 삼성전자주식회사 패턴 형성 방법
KR100640587B1 (ko) * 2004-09-23 2006-11-01 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법
US11500290B2 (en) * 2018-11-13 2022-11-15 International Business Machines Corporation Adhesion promoters

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1451623A (en) * 1973-10-01 1976-10-06 Mullard Ltd Method of prov8ding a patterned layer of silicon-containing oxide on a substrate
JPS51106196A (en) * 1975-03-17 1976-09-20 Toray Silicone Co Arukitsudojushino seizohoho
JPS5760330A (en) * 1980-09-27 1982-04-12 Fujitsu Ltd Resin composition
JPS59125730A (ja) * 1982-12-28 1984-07-20 Fujitsu Ltd ポジ型レジスト組成物
US4507384A (en) * 1983-04-18 1985-03-26 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Pattern forming material and method for forming pattern therewith
JPS60238827A (ja) * 1984-05-14 1985-11-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 感光性樹脂組成物
US4702990A (en) * 1984-05-14 1987-10-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive resin composition and process for forming photo-resist pattern using the same
KR900002364B1 (ko) * 1984-05-30 1990-04-12 후지쓰가부시끼가이샤 패턴 형성재의 제조방법
JPS60254034A (ja) * 1984-05-30 1985-12-14 Fujitsu Ltd パタ−ン形成方法
JPS61144639A (ja) * 1984-12-19 1986-07-02 Hitachi Ltd 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法
FR2597110A1 (fr) * 1986-04-14 1987-10-16 Rhone Poulenc Multi Tech Composition organopolysiloxane, potentiellement reticulable et utilisable notamment en microlithographie, et son procede d'application

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100463858B1 (ko) * 1996-08-29 2005-02-28 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 층간절연막의형성방법
KR20030043264A (ko) * 2001-11-27 2003-06-02 박철홍 전자결핍성화합물과 특이반응하는 폴리치환된 실롤-저몰나노와이어 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE68916143D1 (de) 1994-07-21
EP0360274A2 (en) 1990-03-28
DE68916143T2 (de) 1994-09-22
US5057396A (en) 1991-10-15
EP0360274B1 (en) 1994-06-15
KR950000483B1 (ko) 1995-01-20
EP0360274A3 (en) 1991-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880001771A (ko) 이형용 실리콘 조성물
KR910010239A (ko) 방사선 감응성 수지 조성물
KR870000289A (ko) 트리시클로데칸의 (메트)-아크릴산 유도체의 제조방법
KR840000609A (ko) 저온성 실리콘 겔
KR900005224A (ko) 실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질
KR860001104A (ko) 테트라히드로프탈이미드의 제조방법
KR970027154A (ko) 예비-성형된 규소 개질된 유기 중합체의 가교결합된 에멀젼
KR880009094A (ko) 코팅용 조성물
KR870000481A (ko) 섬유 처리제
KR900009935A (ko) 액정 조성물
KR830005286A (ko) 실라잔 폴리머의 제조방법
KR830004353A (ko) 메르캅토오르가노 폴리실록산 및 이를 함유한 경화성 조성물
KR870002213A (ko) 도료 조성물
KR870010124A (ko) 이형 필름용 실리콘 조성물
KR920018183A (ko) 감광성 중합체 재료
KR880001770A (ko) 연질 실리콘 탄성중합체 제조용 혼합물
AU579251B2 (en) Process for the preparation of poly(diorganosiloxanes)with alkoxy end groups
KR920701869A (ko) 포지티브 레지스트 조성물
KR930016429A (ko) 전위 촉매를 사용하여 사이클릭 실옥산을 평형화시키는 방법
ATE92515T1 (de) Feuchtigkeitshaertende einkomponentenpolysiloxanmassen.
KR890017315A (ko) 경화성 폴리오르가노 실록산 조성물
KR920014843A (ko) 폴리이소시아네이트 중부가 공정용 촉매로서의 n-(아미노알킬)피롤리딘의 용도
KR890017309A (ko) 실온 경화성 조성물
KR930008068A (ko) 플루오로실리콘 조성물 및 그의 겔상 경화물
KR900016385A (ko) Uv 경화성 페닐-함유 아크릴아미드 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee