KR950000483B1 - 실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질 - Google Patents

실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질 Download PDF

Info

Publication number
KR950000483B1
KR950000483B1 KR1019890013665A KR890013665A KR950000483B1 KR 950000483 B1 KR950000483 B1 KR 950000483B1 KR 1019890013665 A KR1019890013665 A KR 1019890013665A KR 890013665 A KR890013665 A KR 890013665A KR 950000483 B1 KR950000483 B1 KR 950000483B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
photosensitive material
mixture
photosensitive
polymer
Prior art date
Application number
KR1019890013665A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900005224A (ko
Inventor
아끼노브 다나까
마사즈미 하세가와
Original Assignee
도소오 가부시끼가이샤
야마구찌 도시아끼
닛뽕덴신뎅와 가부시끼가이샤
야마구찌 하루오
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도소오 가부시끼가이샤, 야마구찌 도시아끼, 닛뽕덴신뎅와 가부시끼가이샤, 야마구찌 하루오 filed Critical 도소오 가부시끼가이샤
Publication of KR900005224A publication Critical patent/KR900005224A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950000483B1 publication Critical patent/KR950000483B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/06—Preparatory processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C08G77/24—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen halogen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C08G77/26—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen nitrogen-containing groups

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질
제 1 도는 본 발명 제조예 2의 출발 원료인 헥사페닐시클로트리실록산의29Si-NMR 도표를 나타낸다.
제 2 도는 동 제조예 2의 중합반응 시작 10분후, 생성물의 FD-MS 도표를 나타낸다.
제 3 도 및 제 4 도는 동 제조예 2의 중합반응 완료후, 생성물의29Si-NMR도표 및13C-NMR도표를 각각 나타낸다.
본 발명은 반도체 집적회로 제조시 사용되는 전자선, X-선, 자외선 및 원자외선(deep UV light)에 감응하는 감광성기를 함유하는 내식막(resist)용 물질이며 또한, 층-절연막 및 보호막으로서 유용한 새로운 실리콘-함유 중합체 및 실록산 결합을 함유하는 새로운 감광성 물질에 관한 것이다.
이 실리콘-함유 중합체는 내열성 및 내한성이 우수하며, 이들의 전기적 특성은 광범위한 온도에서 안정하므로 이들은 각종 분야에 사용된다. 더군다나, 최근 감광성 기를 함유한 실리콘-기재 중합체가 개발되었고 이들의 용도 또한 전자 물질로서 넓혀졌다.
전자 분야, 특히 반도체(집적회로)제조에 있어서, 기판의 미세공정(fine processing)은 더욱 복잡해지고 집적 공정(high integration process)시 고도의 정확성이 요구된다. 이에 수반하여, 단계마다 다르게 기판에 초미크론(submicron) 정도로 미세 공정을 수행하는 기술은 문제점을 내포하고 있으며 각종 방법이 고안되었다. 이들 중 하나로서, 상층(top-layer)상에 실리콘-기재 내식막을 사용한 이층(two-layer) 내식막 기술이 제안되었으며 이는 최근들어 특히 각광받고 있다. 이 기술을 설명할 것이다.
할로겐 기체에 대한 저항을 지닌 수지 또는 내식막을 기층(bottom-layer)상에 스핀-피복(spin-coating)시키고, 약하게 또는 세게 굽는다. 그런후, 실리콘-기재 내식막을 상층상에 스핀-피복시킨다.
노출장치를 사용하여, 상층 내식막을 빛에 노출시키고 상층만을 현상시킨다. 그런후, 상층 내식막의 패턴영역을 마스크로서 만들고, 기층 내식막을 O2기체 플라즈마로 부식시킨다. 최종적으로, 기층 내식막을 마스크로서 만들고 기판을 할로겐 기체로 부식시킨다.
상층 내식막으로써 요구되는 기능은 하기와 같다 :
(1) O2플라즈마에 대한 저항성에 있어 탁월하며,
(2) 편평도에 있어 탁월하며,
(3) 높은 유리 전이 온도(glass transition temperature)를 가지며,
(4) 고 해상도를 가지며,
(5) 고감도를 가진다.
실리콘-함유 내식막 물질은 O2플라즈마에 대한 저항성이 우수하며 그를 사용한 몇몇 내식막은 공지된 것이다. 예를 들어, 실릴기를 노블락수지 또는 폴리스티렌의 벤젠고리에 직접 또는 간접적으로 결합시키는 방법, 폴리실란 결합을 이용하는 방법 및 특히 최근들어 사다리 중합체(실세스퀴옥산 결합)를 이용하는 방법이 제안되었다.
그러나 실릴기를 벤젠고리에 직접 또는 간접적으로 결합시킨 형태의 경우, Si의 함량이 낮으며 Si가 곁사슬에 도입되기 때문에 O2플라즈마에 대한 저항성이 불충분한 문제점이 존재한다. 또한 폴리실란 형태의 경우, Si 함량이 화합물의 종류에 따라 증가될 수 있지만 부족한 피복특성 및 안정성이 일반적으로 지적된다. 더군다나, 실세스퀴옥산형 중합체의 경우, O2플라즈마에 대한 저항성은 우수하지만 감도가 충분하지 못한 문제점이 있다.
상기에 기재한 바와같이, O2플라즈마에 대한 저항성 및 편평도에 있어 우수하고 고 Tg, 고 해상도, 고 감도를 모두 가지는 내식막 물질이 개발되지 않았다.
상기 문제점 및 그의 목적을 해결하기 위해 본 발명을 수행하여 O2플라즈마에 대한 저항성 및 편평도에 있어 탁월하며 고 Tg, 고 해상도 및 고감도를 가지는 새로운 실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질을 제공한다.
이와 같은 배경에서 열심히 연구한 결과, 본 발명자들은 반복 단위로서 단일 실록산 고리형 화합물을 함유하는 중합체 또는 반복 단위로서 각종 실록산 고리형 화합물을 함유하는 공중합체를 사용함으로써, 고도로 민감하고 고도로 편평하며 O2플라즈마에 대한 저항성이 탁월하고 높은 Tg을 갖는 내식막 물질을 수득할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 실리콘-함유 고리형 화합물의 반복단위를 함유하는 실리콘-함유 중합체를 제공한다.
Figure kpo00001
(상기식중, m 및 n은 각각 0을 포함한 양의 정수이지만, m+n〉0이고, X는 알킬기, 알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 치환 페닐기 및 치환 나프틸기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이고, 상기 치환페닐기 또는 치환나프틸기의 치환체는 할로겐원자, 할로겐화 알킬기, 아미노기, 아미노알킬기 및 니트로기 또는 그들의 혼합물중 어느 것을 가리킨다)
일반식(Ⅰ)에서 X가 알킬기일 때 특별히 제한받지 않는다. 그러나, 선형 알킬기의 경우, 알킬기는 예를들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기. 헥실기, 옥틸기, 데실기, 도데실기, 비닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 옥테닐기, 데세닐기, 도데세닐기 등이고 분지형 알킬의 경우, 알킬기는 예를들어 sec-프로필기, sec-부틸기, t-부틸기, 2-메틸프로필기, 2-메틸부틸기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기, 2-에틸헥실기 등이다. 상기 알킬기의 수소부분은 F, Cl, Br 또는 I와 같은 할로겐 원자 및/또는 페닐, 나프틸, 치환페닐 또는 치환 나프틸기로 치환될 수 있다. 상기 치환 페닐 또는 치환 나프틸에 있어서 치환체로서 예를들어 염소, 불소, 브롬, 니트로기, 알킬기, 아미노기 등을 언급할 수 있다. 또한, 고리형 알킬의 경우, 시클로프로필기, 시클로프로페닐기, 시클로부틸기, 시클로부테닐기, 시클로펜틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥실기, 시클로헥세닐기, 시클로옥틸기, 시클로옥테닐기 등을 언급할 수 있다. 또한, X가 알콕시기일때에도, 특별히 제한 받지 않으며, 예를들어, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시, 펜톡시, 페녹시 등을 언급할 수 있다.
본 발명의 내식막 물질은 중합체의 주사슬(main-chain)에 Si를 함유하는 실록산 구조를 가지며, Si의 함량도 높으므로 이 물질의 O2플라즈마에 대한 저항성은 매우 높으며 나아가 고리형 환(cyclic ring) 구조이므로 높은 Tg를 갖는다. 물론, 더 높은 Tg를 원할땐, Si기의 곁사슬에 페닐기 또는 나프틸기를 도입시킴으로써 이를 쉽게 얻을 수 있다.
감광성을 부여하는 방법으로서, 본 발명 중합체의 Si기에 직접 또는 그의 곁사슬에, 예를들어 할로겐화 알킬기, 아미노알킬기 등과 같은 감광성기를 도입시킨 화합물을 함유시키는 방법 또는 감광제를 본 발명 중합체에 첨가하는 방법이 있다.
일반식(Ⅰ)로 표시되는 본 발명의 실록산 중합체의 제조방법에는, 단위체 및 고리형 환으로부터 시작하는 두가지 방법이 있다. 예를들어, 단위체로부터 시작할땐, 하기 반응을 이용한다.
Figure kpo00002
(R : 임의의 치환체, n : 양의 정수)
또한, 고리형 환으로부터 시작할땐, 루이스 산에 의한 재배열 또는 Si-C의 분해 반응을 이용한다. 예를들어
Figure kpo00003
ψ : 페닐기
이어서, 2SiOH→Si-O-Si 반응을 이용하여, 중합반응을 완료한다(R : 임의의 치환체). 나아가, 출발 원료로서 페닐기를 함유한 고리형 환을 사용할땐, 하기 반응을 이용한다.
Figure kpo00004
Figure kpo00005
: 페닐기
이어서, H2O 또는 알코올을 반응시켜 SiOH 또는 SiOR′(R′: 임의의 치환제)로 전환시킨다. 여기에 사용되는 할로겐화제로서 H-Hal(Hal : 할로겐원자)과 같은 산, Hal2, 알킬 할라이드, 티오닐 할라이드, 술포닐 할라이드 등을 들 수 있다.
상기 반응을 이용하여 제조한 본 발명 중합체에 감광제를 첨가하거나 감광성기를 도입함으로써, 이 중합체는 감광성 물질로서 유용하게 된다.
감광성기를 도입함에 있어, 감광성기가 될 수 있는 화합물, 예를들어, Si 곁사슬에 H2C=CH-CH2-Si와 같은 이중결합을 함유하는 Si함유물을 사용하여 고리형 환을 만드는 방법이 있다. 또는, 본 발명의 중합체를 제조한 후 Si의 곁사슬에 감광성기를 도입하거나 또는 감광제를 첨가할 수 있다. 나아가, 필요하다면 본 발명의 중합체에 함유되어 있는 SiOH 또는 SiOR″(R″: 알킬기 또는 페닐기)의 결합을 실란 결합제로 수행할 수 있다. 더군다나, 필요하다면, 통상적으로 사용되는 교차결합제, 광중감제 등을 첨가할 수 있다.
하기에서 본 발명을 더욱 상세히 설명할 것이나, 본 발명은 이들에 의해 제한되지 않는다.
[제조예 1]
빙냉한 에테르 100g에 ΦSiHCl210g을 가한다. 다음에, 염산(35% 수용액) 소량 및 클로로메틸 메틸 에테르 50g을 교반하에 혼합물을 빙냉하에서 약 30분간 교반한다. 반응이 완결된 후에, 상기 반응 생성물을 다량의 메탄올 용액에 적가하여 침전을 형성시킨다. 실리콘 NMR로 침전을 분석한 결과 2개의 피크가 인지된다. GPC로 분별하여 분석할 때, 침전은 2가지 종류의 화합물의 혼합물임이 증명되는데, 즉, 트리실릴시클로실록산 및 테트라실릴시클로실록산이다. 다음에, 이들 침전 5g을 약 0.5중량%의 수분을 함유하는 THF(테트라히드로 푸란)용액 100g에 용해하고 소량의 트리에틸아민을 가한 다음, 격렬하게 교반한다. 다음에, 반응용액을 벤젠에 적가하여 시클로실록산 화합물을 침전시킨다. 이들 침전에 H-NMR을 수행할 때, SiOH로부터 유래하는 피크가 확인된다. 계속해서, 염화메틸화를 하기 위하여, 앞서 수득된 침전 5g을 메틸랄 100g 및 염화티오닐 8g중에 가한다. 다음에, 소량의 루이스산(예 : FeCl3)을 가하여 중합반응을 수행하고, 동시에 염화메틸화 반응을 진행시킨다. 약 20시간 동안 반응을 진행시킨 후, 반응 생성물을 메탄올 및 물(1:1)을 함유하는 0℃의 용액 다량중에 적가하여 중합체를 침전시킨다. 건조 후 분자량을 측정했을 때, 분자량은 폴리스티렌으로 환산하여 약 10000이고 Cl함량은 4.1중량%이다.
[실시예 1]
DIBK(디부틸케톤) 45g에 제조에 1에서 수득된 중합체 5g을 가하고, 충분히 교반하여 완전히 용해시킨다. 다음에, 이 용액을 0.2㎛의 필터로 여과하여 내식막용액(resist solution)을 만든다. 이어서, OFPR-800(광내식막 : 도꾜오까사제)을 3인치의 실리콘 기판상에 1㎛의 두께로 피복하고 200℃의 오븐에서 30분간 굽는다. 굽기가 끝난 후, 스핀 피복기의 회전수를 맞추면서 전술한 내식막 용액을 0.2㎛ 두께로 피복한다. 다시 80℃에서 20분간 구운다음, 전자파 노출장치로 그림을 그린다. 다음에, 1-메톡시-2-프로판올/디-n-부틸 에테르=5/2의 용액중에서 현상한다. 이때, 감도는 내식막 필름의 잔류율이 50%인 부분에서 12μC/㎠이다. 계속해서, 건조부식장치(RIE)를 사용하여 O2기체로 부식시킨다.
부식조건 :
가스유출속도 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ40SCCM
RF분말 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ125W
O2압력 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ40m Torr
부식속도 :
본 발명의 내식막 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ 30Å/min
OFPR-800 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ 2000Å/min
상기와 같이, 본 발명의 내식막은 O2플라즈마에 대한 저항성에 있어서 우수함이 확인된다. 전자현미경으로 해상도를 측정할 때, 3㎛ 폭의 선 및 0.2㎛ 폭의 갭 패턴으로 뚜렷하게 분별된다.
[실시예 2]
실시예 1에서 제조된 내식막을 회전수를 맞추면서 실리콘 웨이퍼상에 0.35㎛의 두께로 스핀 피복한다. 다음에, 이것을 80℃의 오븐에서 20분간 굽고 실시예 1과 같은 방법으로 전개시킨다. 80℃ 내지 160℃에서 30분간 구울 때, 패턴의 선의 폭은 어느 온도에서도 변화하지 않는다. 즉, 고온에서 굽는다 해도 내식막의 유출은 발생하지 않음이 확인된다.
[제조예 2]
메틸랄 80g에 상업적으로 입수가능한 헥사페닐클로로트리실록산 6g을 가한다. 실리콘 NMR로 측정할 때, 33∼34ppm 및 43ppm에서 2개의 피크가 검출된다(참고 : 제 1 도). FD-MS측정(전해에 의해 제거된 이온-질량 스펙트럼)을 수행할 때, 헥사페닐시클로트리실록산으로부터 유래하는 질량 594인 화합물과 옥타페닐시클로테트라실록산으로부터 유래하는 질량 792인 화합물의 혼합물이 확인된다. 또, 염화 티오닐 10g을 가한 다음, 혼합물을 충분히 교반하고 용액의 온도를 -20℃가 되도록 조정한다. 다음에, 소량의 FeCl3촉매를 가하여 20시간 동안 중합반응과 염화메틸화 반응을 함께 수행한다. 반응이 완료된 후에, 반응 생성물을 메탄올 : 물=1:1인 용액중에 적가하여 중합체를 침전시킨다. 건조후에 GPC로 분자량을 측정할 때, 이 생성물의 분자량은 39000이고 Cl함량은 6.8중량%이다.
이 중합반응에 있어서, 촉매를 가하고 10분이 지난후에 샘플링하여 FD-MS 측정을 수행한다. 결과를 제 2 도에 나타낸다. 또, 반응이 완결된 후의 시료의 실리콘 NMR,13C-NMR 및 원소분석의 결과를 제 3 도, 제 4 도 및 제 1 표에 각각 나타낸다.
상기 분석의 결과로부터, 본 중합체의 구조식은 하기와 같다 :
Figure kpo00006
[표 1] 원소 분석 결과
Figure kpo00007
[실시예 3]
제조예 2의 중합체 3.5g을 DIBK 48g에 용해하는 것을 제외하고는 실시예 1 및 2의 공정과 전적으로 동일하다.
○ 감도
50% 잔류율 필름=2.8μC/㎠에 의해 증명되는 바와 같이 고감도가 수득된다.
○ 부식속도
본 발명의 내식막 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ20Å/min
OFPR-800 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ 2000Å/min
○ 해상도
L/S=3㎛/0.2㎛의 뚜렷한 갭 패턴이 수득된다.
○ 열저항 시험
80℃ 또는 160℃ (post-baking), 패턴의 선의 폭이 변하지 않는다.
[실시예 4]
DIBK 45g에 제조예 2의 수지 3.5g 및 4,4′-디아지도벤조페논 1.2g을 용해하고 0.2㎛의 필터로 여과하여 내식막 용액을 수득한다.
OFPR-800을 3인치의 웨이퍼에 피복하여 두께가 1.2㎛가 되도록 하고 200℃에서 30분간 굽는다. 다음에, 본 발명의 내식막을 0.2㎛로 피복한다. PLA-521F(원자외선)를 사용하여 접촉노출을 면밀히 수행한다. 이후에, 실시예 1과 동일한 조건으로 부식을 수행한다.
○ 감도
70% 잔류율 필름=2.2 L.I로서 증명되듯이 원자외선에 대해서도 역시 고감도가 확인된다.
○ 부식속도
본 발명의 내식막 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ25Å/min
OFPR-800 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ 2000Å/min
상기와 같이, 본 발명의 내식막은 광교차결합제를 가했을 때도 O2에 대한 충분한 저항성이 확인된다.
○ 해상도
L/S=3㎛/0.2㎛의 뚜렷한 패턴이 수득된다.
상기와 같이, 본 발명에 따른 반복단위로서 실리콘-함유 고리형 화합물을 함유하는 새로운 실리콘-함유 중합체를 사용한 감광성 물질은 전자선, X-선, 원자외선 및 자외선에 대해서 감도가 매우 높다. 또한 주사슬이 실록산 결합이고 Si함량이 높기 때문에 O2에 대한 부식 저항성이 높다. 또한, 고리형이므로 내열성이 우수하고 또한, 높은 해상도를 갖는다. 따라서, 초 LSI와 같은 반도체 집적회로 원소의 제조에 적합하다.

Claims (8)

  1. 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 실리콘-함유 고리형 화합물의 반복 단위를 함유함을 특징으로 하는 실리콘-함유 중합체.
    Figure kpo00008
    (상기식중, m 및 n은 각각 0을 포함한 양의 정수이지만, m+n〉0이고, X는 알킬기, 알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 치환 페닐기 및 치환 나프틸기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이고, 상기 치환 페닐기 또는 치환 나프틸기의 치환체는 할로겐원자, 할로겐화 알킬기, 아미노기, 아미노알킬기 및 니트로기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이다.)
  2. 제 1 항에 있어서, m+n이 1 내지 4중 어느 것임을 특징으로 하는 실리콘-함유 중합체.
  3. 제 1 항에 있어서, m+n이 1 내지 4인 화합물중 어느 것의 또는 전부의 혼합물을 함유함을 특징으로 하는 실리콘-함유 중합체.
  4. 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 실리콘-함유 고리형 화합물의 반복단위를 함유함을 특징으로 하는 실리콘-함유 중합체를 함유하는 감광성 물질.
    Figure kpo00009
    (상기식중, m 및 n은 각각 0을 포함한 양의 정수이지만, m+n〉0이고, X는 알킬기, 알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 치환 페닐기 및 치환 나프틸기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이고, 상기의 치환 페닐기 또는 치환 나프틸기의 치환체는 할로겐원자, 할로겐화 알킬기, 아미노기, 아미노알킬기 및 니트로기 또는 그들의 혼합물중 어느 것이다.)
  5. 제 4 항에 있어서, m+n이 1 내지 4중 어느 것임을 특징으로 하는 감광성 물질.
  6. 제 4 항에 있어서, m+n이 1 내지 4인 화합물중 어느 것의 또는 전부의 혼합물을 함유함을 특징으로 하는 감광성 물질.
  7. 제 4 항에 있어서, 감광성기를 고-분자 물질내 Si기에 직접 또는 그의 곁사슬에 결합시킴을 특징으로 하는 감광성 물질.
  8. 제 4 항에 있어서, 감광제를 고분자 물질에 첨가함 특징으로 하는 감광성 물질.
KR1019890013665A 1988-09-22 1989-09-22 실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질 KR950000483B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63-236299 1988-09-22
JP23629988 1988-09-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900005224A KR900005224A (ko) 1990-04-13
KR950000483B1 true KR950000483B1 (ko) 1995-01-20

Family

ID=16998736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890013665A KR950000483B1 (ko) 1988-09-22 1989-09-22 실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5057396A (ko)
EP (1) EP0360274B1 (ko)
KR (1) KR950000483B1 (ko)
DE (1) DE68916143T2 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0432905B1 (en) * 1989-11-15 1998-02-04 Fujitsu Limited Polysilphenylenesiloxane, production process thereof, and resist material and semiconductor device formed thereof
US5491203A (en) * 1994-09-08 1996-02-13 Showa Denko K. K. Polyorganosiloxane and process for producing the same
TW434458B (en) * 1995-04-04 2001-05-16 Shinetsu Chemical Co Chemically amplified positive resist compositions
US5962581A (en) * 1995-04-28 1999-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicone polymer composition, method of forming a pattern and method of forming an insulating film
JP2697680B2 (ja) * 1995-05-31 1998-01-14 日本電気株式会社 珪素含有高分子化合物および感光性樹脂組成物
KR100463858B1 (ko) * 1996-08-29 2005-02-28 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 층간절연막의형성방법
KR20030043264A (ko) * 2001-11-27 2003-06-02 박철홍 전자결핍성화합물과 특이반응하는 폴리치환된 실롤-저몰나노와이어 및 그 제조방법
KR100475080B1 (ko) * 2002-07-09 2005-03-10 삼성전자주식회사 Ｓｉ-콘테이닝 수용성 폴리머를 이용한 레지스트 패턴형성방법 및 반도체 소자의 제조방법
KR100979355B1 (ko) 2003-10-09 2010-08-31 삼성전자주식회사 다반응성 환형 실리케이트 화합물, 상기 화합물로부터제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막제조방법
KR100510558B1 (ko) * 2003-12-13 2005-08-26 삼성전자주식회사 패턴 형성 방법
KR100640587B1 (ko) * 2004-09-23 2006-11-01 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법
US11500290B2 (en) * 2018-11-13 2022-11-15 International Business Machines Corporation Adhesion promoters

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1451623A (en) * 1973-10-01 1976-10-06 Mullard Ltd Method of prov8ding a patterned layer of silicon-containing oxide on a substrate
JPS51106196A (en) * 1975-03-17 1976-09-20 Toray Silicone Co Arukitsudojushino seizohoho
JPS5760330A (en) * 1980-09-27 1982-04-12 Fujitsu Ltd Resin composition
JPS59125730A (ja) * 1982-12-28 1984-07-20 Fujitsu Ltd ポジ型レジスト組成物
US4507384A (en) * 1983-04-18 1985-03-26 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Pattern forming material and method for forming pattern therewith
JPS60238827A (ja) * 1984-05-14 1985-11-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 感光性樹脂組成物
US4702990A (en) * 1984-05-14 1987-10-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive resin composition and process for forming photo-resist pattern using the same
EP0163538B1 (en) * 1984-05-30 1989-11-23 Fujitsu Limited Pattern-forming material and its production and use
JPS60254034A (ja) * 1984-05-30 1985-12-14 Fujitsu Ltd パタ−ン形成方法
JPS61144639A (ja) * 1984-12-19 1986-07-02 Hitachi Ltd 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法
FR2597110A1 (fr) * 1986-04-14 1987-10-16 Rhone Poulenc Multi Tech Composition organopolysiloxane, potentiellement reticulable et utilisable notamment en microlithographie, et son procede d'application

Also Published As

Publication number Publication date
DE68916143D1 (de) 1994-07-21
DE68916143T2 (de) 1994-09-22
KR900005224A (ko) 1990-04-13
EP0360274B1 (en) 1994-06-15
EP0360274A2 (en) 1990-03-28
US5057396A (en) 1991-10-15
EP0360274A3 (en) 1991-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1335542C (en) Pattern-forming material and pattern formation method
US6660822B2 (en) Method for forming insulating film between interconnect layers in microelectronic devices
US4745169A (en) Alkali-soluble siloxane polymer, silmethylene polymer, and polyorganosilsesquioxane polymer
US5198520A (en) Polysilanes, polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds
US4826943A (en) Negative resist material
US4822716A (en) Polysilanes, Polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds
KR101413069B1 (ko) 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
JP3739331B2 (ja) シロキサン系樹脂およびこれを用いた半導体層間絶縁膜の形成方法
KR950000483B1 (ko) 실리콘-함유 중합체 및 그를 사용한 감광성 물질
WO2009111122A2 (en) Silsesquioxane resins
EP0432905B1 (en) Polysilphenylenesiloxane, production process thereof, and resist material and semiconductor device formed thereof
JPS60147732A (ja) オルガノシリコン組成物
CN102482533A (zh) 可光图案化介电材料和配制剂及使用方法
EP0229629B1 (en) Photosensitive resin composition
KR100760522B1 (ko) 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법
KR100792045B1 (ko) 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법
US5290899A (en) Photosensitive material having a silicon-containing polymer
JPS6390534A (ja) アルカリ可溶性ラダ−シリコ−ン重合体
JP2004359953A (ja) シロキサン系樹脂及びこれを用いた半導体層間絶縁膜
US4791171A (en) Silylated poly(vinyl)phenol polymers
EP0204963A2 (en) Use of Alkali-Soluble Polyorganosilsesquioxane Polymers in a resist for preparing electronics parts.
US5264319A (en) Photosensitive resin composition having high resistance to oxygen plasma, containing alkali-soluble organosilicon polymer and photosensitive dissolution inhibitor
JPH0558446B2 (ko)
JP3481852B2 (ja) ポリシランおよびポリシランの合成方法
JPH0314333B2 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee