KR900005120B1 - 반도체 장치용 절연수지조성물 및 반도체장치 - Google Patents

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히다찌 가세이 고오교오 가부시기가이샤
요꼬야마 료오지
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 장치용 절연수지조성물 및 반도체 장치
제1도는 평탄성의 설명에 사용한 도면.
제2-6도는 본 발명의 반도체 장치에 있어서, 제1배선도체층(14)위에 충간절연막 및 제2배선도체층(18)을 형성하는 경우의 한 실시예를 공정순으로 나타낸 개략적인 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반도체기판 2 : 2산화실리콘막
3 : 배선도체층 4 : 유기수지절연막
11 : 반도체기판 12 : 2산화실리콘막
13 : 두루우호울(창(窓)) 14 : 제1배선도체층
15 : 경화물(硬化物)의 막 16 : 크롬증착막(蒸着膜)
17 : 두루우호울(창) 18 : 제2배선도체층
본 발명은 반도체 장치에 관한 것이다. 더욱 상세히 말하면 고집적화에 적합한 신회성이 높은 다층배선구조를 지닌 반도체 장치에 관한 것이다.
종래 2층배선을 주체로 하는 다층배선구조를 지닌 반도체 장치를 제조하려면, 먼저 반도체기판상에 제1배선도체층을 형성한 다음, 절연막을 형성하고, 이어서 공지의 포토에칭(photo etching)법으로 절연막의 일정한 부분에 개구를 형성하여 제1배선도체층의 일부를 노출하고, 이어서 제2배선도체층이 되도록 금속막을 진공증착 또는 스퍼터링(sputtering)법에 따라 형성하고 나아가서 이것을 포토에칭하여 제2배선도체층을 형성하고 있다. 이런 경우 배선도체층으로서는 알루미늄을 주체로 하는 금속막이 가장 많이 사용되고 있으며, 또 절연막 재료로서는 SiO2막을 주체로 하는 무기절연막 또는 폴리이미드 또는 폴리이미드계 수지의 유기수지절연막이 많이 사용되고 있다.
배선도체층이 알루미늄을 주체로 하고 있으므로, 알루미늄의 융해 및 알루미늄의 반도체 접합부에의 꿰뚫고 빠져 나가는 것을 방지하기 위하여, 배선도체층위의 절연막의 형성온도는 450℃ 이하로 할 필요가 있으며, 이 때문에 SiO2, 질화실리콘등의 무기절연막은 400℃ 정도의 비교적 저온에서 화학기상(氣相)성장법, 고주파 스퍼터링법등에 따라 형성하지 않으면 아니된다. 그러나, 화학기상성장법에 의한 경우에는 SiO2막은 균열이 발생하기 쉽고, 보통 1㎛ 이하의 두께밖에는 형성할 수 없으며, 또 스퍼터링법에 의한 경우에는 무기절연막은 생성속도가 작다고 하는 결점이 있었다. 또 무기절연막은 하부의 배선도체층의 요철(단차)를 잇는 그대로 충실하게 재현하여 형성할 수 있으므로 단차 피복성이 좋지않고, 상부 배선도체층이 단차의 측면하에서 단선하기 쉬워져서 신뢰성이 부족하다고 하는 결점이 있었다.
이와같은 무기절연막의 결점을 개량하기 위하여, 유동성이 있고, 단차 피복성의 양호한 폴리이미드 또는 폴리이미드계 수지의 유기수지막을 배선도체상의 절연막으로서 형성하여, 하부배선도체층의 요철을 평탄하게 하고, 단차를 해소하도록 하고 있다. 이것들 폴리이미드(방향족디아민과 방향족 테트라카르복시산 2무수물을 반응시켜서 얻을 수 있는 폴리아미크산 중합체 경화물) 또는 폴리이미드계수지(예컨데 방향족디아민, 방향족 테트라카르복시산 2무수물 및 방향족 디아미노카르복시아미드등을 반응시켜서 얻을 수 있는 폴리아미크산 중합체의 경화물)의 재료로서는, 예컨데 히다찌 가셍디고오교오(주)제품의 PIQ 니스(varnish)(등폭상표)등이 사용되어 이 PIQ 니스를 하부 배선 도체상에 회전도포하여, 용매성분을 휘발시킨 다음, 200-400℃에서 가열하여 PIQ의 경화피막을 형성시킨다. 이러한 재료는 통상 수지분농도 10-20중량%, 전도 5-50포아즈(poise)로 조정되어 있다.
제1도에 나타낸 바와 같이, 반도체기판(1) 및 2산화실리콘막(2)위에 형성한 배선도체층(3)이 두께를(ta), 유기수지절연막(4)을 형성한 다음에 잔존하고 있는 단차부의 두께를(tb)라고 하였을때의
Figure kpo00001
의 값을 단차피복성(평탄성 (平坦性)이라고 정의하면, 폴리이미드 또는 폴리이미드계 수지를 사용하는 경우의 평탄성은 0.15-0.4이다.
유기수지절연막을 형성한 다음, 하부의 배선도체층과 상부배선도체층 사이를 접속하기 위하여, 수지절연막의 일정한 부분에 개구(두루우호울)를 형성하는 경우에는 히드리진을 함유하는 염기성의 에칭액을 사용한 습식에칭법을 실행할 수 있다. 이 습식에칭법은 종횡방향 모두 같은 속도로 진행하는 등방성에칭이기 때문에, 폴리이미드 또는 폴리이미드계수지의 0.15-0.4라고 하는 평탄성으로서 대체로 실용상에서는 문제가 없다. 그러나 평탄부위와 단차부위의 유기수지절연막의 막의 두께차가 여전히 있고, 또한 습식에칭법에서는 평탄부와 단차부상에서 적정한 에칭시간이 다르다. 단차부위의 막의 두께가 엷으므로 평탄부위의 에칭이 적정한 상태로 되었을때는 단차부위는 오우버에칭으로 된다. 이 때문에, 에칭정밀도가 나빠지게 되고, 폴리이미드 또는 폴리이미드계수지를 절연막 재료로할 경우에는 실용상 5㎛ 각의 개구를 형성하는 것이 한계로 되어 있다. 한편, 반도체장치의 고집적화에 따라, 미세한 배선화가 해를 거듭하여 추진되어, 이에 따라서 배선도체층의 패터어닝 및 수지절연막을 개구함에 습식에칭법으로부터 미세에칭이 가능한 플라스마(plasma) 또는 반응식이온 에칭법등의 건식에칭법에도 변화하여 오고 있다. 이러한 건식에칭에 따라 2㎛이하의 미세한 개구에칭을 하기 위하여는 감광성(photresist)을 고해상(高解傷)으로 노출할 필요가 있으며, 하지(下地)의 배선도체층 형성에서 발생한 단차를 유기수지절연막으로 가급적 평탄화 하는 것이 바람직하다. 이러기 위하여는 종래의 폴리이미드 또는 폴리이미드계 수지의 형성막의 두께는 같은 정도로 유지하고, 단차피복성(평탄성)을 높이기 위하여 수지분농도를 높이고, 또한 점도(분자량)을 낮추는 것이 요구되었다.
그러나 종래의 폴리아미크산중행체형의 폴리이미드 또는 폴리이미드계 수지에서는 제조상 수지분농도를 높이며, 또한 점도를 낮춤에 있어 한계가 있어, 적당한 평탄성을 지닌 수지는 얻을 수 없었다. 이 결과, 종래의 폴리이미드 또는 폴리이미드계 수지를 배선도체층위에 형성하고, 그런 다음 건식에칭으로 수지절연막을 에칭하는 경우에는 에칭정밀도가 나빠서, 더욱 고집적화된 다층배선구조의 반도체장치를 얻는다는 것은 곤란하였다.
본 발명의 목적은 종래기술의 결점을 제거하여, 하지배선도체층에 대한 단차피복성에 뛰어나고, 또한 건식에칭법에 의한 미세에칭성에도 뛰어난 다층배선구조를 지닌 반도체 장치를 제공함에 있다.
본 발명자등은, 폴리아미크산에스테르소중합체(oligomer)의 경화물을 다층배선 구조의 반도체장치의 절연막재료로서 사용함에 따라 하지배선도체층이 지닌 단차가 평탄화되어, 그 때문에 상부 배선도체층과 하부 배선도체층의 단차측면에서 단선이 불량한 걱정도 없고, 또한 미세한 절연막의 개구를 위한 에칭이 가능하게 되어, 미세배선 및 미세두루우호울을 지닌 고집적화에 적합한 신뢰성이 높은 다층배선 구조를 지닌 반도체 장치를 얻을 수 있음을 발견하여 본 발명을 하기에 이르렀다.
본 발명은, 배선도체층상의 절연막재료에 유기수지를 사용한 다층배선구조를 지닌 반도체 장치에 있어서, 이 유기수지로서, 방향족 테트라카르복시산 2무수물과 알코올 및 알코올유도체의 적어도 1종을 반응시켜서 얻을 수 있는 방향족테트라카르복시산 에스테르에 방향족 디아민 및 디아미노실록산의 적어도 1종을 반응시켜서 얻을 수 있는 폴리아미크산에스테르소중합체의 경화물을 사용한 반도체 장치에 관한 것이다.
본 발명에서 배선도체상의 절연막 재료로서 사용되는 폴리아미크산에스테르소중합체는, 필요에 따라 용매의 존재하에 방향족 테트라카르복시산 2무수물과 알코올 및 알코올유도체의 적어도 1종과를 반응시켜서 얻을 수 있는 방향족 테트라카르복시산에스테르에, 방향족테트라카르복시산 에스테르와 바람직하기는 대략 같은 물의 방향족 디아민 및/또는 디아미노실록산을 반응시켜서 얻을 수 있다.
이러한 경우 사용되는 용매로서는, 부틸셀로솔르브등의 에테르글리코올계용매, N-메틸-2-피롤리돈(pyrolidone), N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시화물등을 열거할 수 있다. 이것들은 1종 또는 2종 이상이 사용된다. 방향족테트라카르복시산 2무수물은, 일반식
Figure kpo00002
(식중에서 R1은 4가의 방향족 탄화수소기를 의미한다)으로 나타내며, 예컨데 3,3'4,4'-벤조페논테트라카르복시산 2무수물, 피로멜리트산 2무수물, 3,3',4,4'-디페닐테트라카르복시산 2무수물, 시클로펜탄테트라카르복시산 2무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복시산 2무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복시산 2무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복시산 2무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복시산 2무수물, 3,4,9,10-페리렌테트라카르복시산 2무수물, 4,4'-술포닐디프탈산 2무수물등이 사용된다. 이것들은 1종 또는 2종이상이 사용된다.
방향족 테트라카르복시산 2무술물을 에스테르화 하는 알코올 또는 알코올유도체로서는, 예컨데, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로필알코올, 부탄올등의 1가 알코올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린, 트리메틸롤프로판등의 다가 알코올, 알코올유도체로서는 셀로솔브(cellosolve)류, 카르비톨, 키르비톨류등이 사용된다. 이것들은 1종 또는 2종 이상이 사용된다. 알코올과 알코올유도체를 병용하여도 좋다.
본 발명에 사용되는 방향족 디아민은 일반식
Figure kpo00003
(식의 중에서 R2는 2가의 방향족탄화수소기를 의미한다)나타내며, 예컨데, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 벤젠, 메타페닐렌디아민, 파라페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디이민등이 사용된다. 이것들은, 1종 또는 2종 이상이 사용된다. 본 발명에 사용되는 디아미노실록산은 일반식
Figure kpo00004
(식중에서, R3은 탄소수 1-10의 2가의 탄화수소기, R4,R5,R6및 R7은 탄소수 1-10의 1가의 탄화수소기를 의미하며, 이것들은 동일하여도 상이하여도 좋으며, n은 1-10의 정수를 의미한다)으로 나타내며, 예컨데 다음식으로 나타내는 화합물이 바람직하게 사용된다. 이것들은 1종 또는 2종 이상이 사용된다.
Figure kpo00005
Figure kpo00006
Figure kpo00007
방향족디아민과 디아미노실록산은 병용하여도 좋다.
본 발명에 있어서의 방향족테트라카르복시산 2무수물의 에스테르화는 방향족테트라카르복시산 2무수물에 대하여, 알코올 및/또는 알코올유도체를 같은 물 이상 사용하여 하게 된다. 반응온도는 사용하는 용매, 알코올 및 알코올유도체에 따라 달라서 특히 제한은 없으나, 예컨데, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복시산 2무수물을 N-메틸2-피롤리돈 속에서 에탄올과 반응시켜서 에스테르화하는 경우에는, 80-150℃가 바람직하다. 또 에스테르화한 다음, 농도를 조정하기 위하여 과잉의 알코올 또는 알코올유도체를 제거하는 것도 가능하지만, 그 경우, 그 알코올 또는 알코올 유도체의 비등점이상의 온도로 하는 것이 바람직하다. 방향족테트라카르복시산에스테르와 방향족디아민 및/또는 디아미노실록산과의 반응은, 생성하는 경화물의 내열성을 가장 좋게 하기 위하여, 방향족 테트라카르복시산에스테르와 방향족디아민 및/또는 디아미노실록산을 대략 같은몰으로 하여 하는 것이 바람직하다. 또 이 방향족테트라카르복시산에스테르와 방향족디아민 및/또는 디아미노실록산과의 반응은, 반응온도가 지나치게 높아지면 생성하는 폴리아미크산에스테르소중합체가 이미드화하여, 용해성이 떨어져서 석출하여 버리기 때문에 높다하여도 90℃까지의 반응온도에서 실행하는 것이 바람직하다.
이렇게하여 생성한 폴리아미크산에스테르소중합체는 200-400℃, 바람직하기는 50-350℃에서 열처리를 하면, 내열성에 뛰어난 폴리이미드 수지가 형성된다. 폴리아미크에스테르소중합체는 수지분농도를 40-60중량%, 점도를 0.5-50포아즈의 사이에서 변화시킬 수 있고, 하지배선도체층의 막의 두께에 맞추어서 적절한 수지분농도 및 점도를 설정할 수 있다. 이 소중합체의 분자량은 500-20,000 바람직하기는 1000-10,000이다. 상기한 폴리아미크산에스테르소중합체는, 배선도체층상에 스피너등을 사용하여 도포하고, 100-200℃, 바람직하기는 120-180℃의 온도에서 바람직하기는 1-2시간 건조한 다음, 300-400℃ 바람직하기는 320-380℃의 온도에서 바람직하기는 1-2시간 경화시킴에 따라 유지수지절연막이 형성된다.
다음에 도면을 사용하여 본 발명의 반도체 장치의 제조의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
제2-6도는 본 발명의 다층배선구조를 지닌 반도체 장치에서, 제1배선도체층(14)위에 층간절연막(15) 및 제2배선도체층(18)을 형성하는 경우의 한 실시예를 공정순으로 나타낸 개략적인 단면도이다.
본 발명의 반도체 장치를 제조하려면, 제2도에 나타낸 바와같티, 먼저 콜렉터영역(C), 베이스영역(B) 및 이미터영역(E)으로된 반도체소자가 형성되어 있는 반도체기판(11)의 표면에, 화학기상성장법에 따라, 예컨데 2산화실리콘막(12)을 형성시킨다. 이어서 전극 인출부분이되는 일정부분을 포토에칭법으로 제거하고, 2산화실리콘막(12)에 두루우호울(창)(13)을 설치하고, 이미터영역(E) 및 베이스영역(B)의 일부를 노출시킨다. 나아가서, 두루우호울(13)위에 알루미늄을 증착 또는 스퍼터링법에 따라 형성시키며, 포토에칭에 따라 제1배선도체층(14)를 형성시킨다. 이 배선도체층은 1㎛의 두께와 2-5㎛의 폭을 지니고 있었다. 이어서, 폴리아미크산에스테르소중합체를 사용하여 그 경화물인 절연막(15)을 형성시킨다. 이때 사용되는 폴리아미크산에스테르소중합체는 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복시산 2무수물 161.1g와 피로멜리트산 2무수물 109.1g을 N,N-디에틸포름아미드 700g에 첨가하여, 80℃까지 가열하여 용해하고, 이어서 여기에 에탄올 80g을 가한 다음, 120℃에서 3시간 반응시킨 다음, 과잉의 알코올을 제거하고 나서, 얻은 용액을 80℃까지 냉각하고, 이 용액에 4,4'-디아미노디페닐에테르 190g와 1,3비스(아미노프로필) 테트라메틸디실록산 12.4g을 첨가한 다음, 80℃에서 3시간 반응시킴에 따라 얻은 것이다. 이 폴리아미크산에스테르소중합체용액을 200℃에서 2시간 열처리하여, 수지분농도 40중량%, 점도(25℃) 2포아즈로 하였다. 이와같이 하여얻은 소중합체를 3000㎛에서 30초간 스피너로 도포하고, 100℃에서 1시간, 나아가서 200℃에서 1시간 나아가서 350℃에서 1시간의 열경화처리를 하여, 제3도에서 보는 바와 같이 전술한 소중합체의 경화물의 막(15)을 형성시킨다. 얻은 수지막의 두께는 배선도체층(14)이 없는 2산화실리콘막위의 평탄부에서 2.0㎛이며, 막의 두께 1㎛의 배선도체층(14) 위에 형성한 수지막의 평탄성은 0.85-0.90이였다. 이것은 종래의 폴리이미드수지 또는 폴리이미드계열수지를 사용하였을 경우의 수지막에서는 평탄성이 0.15-0.4임에 비하여, 대폭으로 개량되어 있으며, 제1배선도체층(14) 및 반도체소자로부터 전극인출부분의 두루우호울(13)에 따라 형성된 요철을 평탄한 것으로 하여 단차가 대략 해소하고 있음을 나타내고 있다.
이어서 제4도에 나타낸 바와같이, 전술한 경화물의 막(15)위에 크롬을 증착하여 형성한 크롬증착막(16)의 일정부분, 즉 제1배선도체층(14)과 전기적 접속을 하여야할 부분을 노보랙(novolak)계 감광수지를 사용하는 포토에칭법에 따라 제거하여 2-5㎛ 각의 두루우호울형성용 에칭마스크를 형성시킨다. 나아가서 반응성 이온에칭장치(CSE 2120, 일본진공기술사제품)을 사용하여 산소가스에 따라 압력 5mm Torr, 전력-100W, 산소가스유량 10SCCM의 조건하에서 크롬증착막(16)을 제거하고, 노출하는 경화물의 막(15)을 선택적으로 이방(異方)에칭하여 제거한 다음, 제1배선도체층(14)위의 일정부분을 노출시킨 두루우호울(창)(17)을 형성한다. 이어서, 잔존하는 크롬증착막(16)을 예컨데 황산셀륨암모늄등의 수용액으로 된 크롬의 에칭액에 따라 경화물의 막의 층, 2산화실리콘막 및 알루미늄의 배선도체층을 부식하는 일이 없이 제5도에 나타낸 바와같이 제거한다. 이와같이 하여 얻은 경화물막(15)의 두루우호울(창)(17)은 테이퍼각이 65-70도이며, 개구치수는 2㎛ 각의 에칭마스크부에서는 2㎛ 각으로, 또 5㎛ 가의 에칭마스크부에서는 5㎛ 각으로 되어 있으며, 두루우호울치수에 의존하지 않고, 에칭마스크의 설계치수 그대로 극히 좋은 정밀도로 형성되어 있었다. 이와같이 폴리아미크산에스테르소중합체를 사용하여 얻은 경화물막의 평탄성은 극히 뛰어나 있으며, 제6도에 나타낸 바와같이 제1배선도체층(14)과 제2배선도체층(18)의 전기적 접속용으로서 수지막(15)에 두루우호울을 형성하는 경우에, 에칭마스크용의 크롬증착막의 형성이 극히 균일 또한 평탄하게 될 수 있다. 이러한 결과, 크롬 증착막위에 노보랙계감광 수지등의 포토레지스트가 균일하고도 평탄하게 형성되어, 노출이 균일하게 이루어져서, 포토레지스트의 해상도(解像渡)를 살린 상태에서 미세패턴을 형성할 수 있으며, 미세한 2㎛ 각의 두루우호울 에칭마스크를 형성할 수 있었다. 나아가서 반응성 이온에칭을 함에 따라 수지막의 2㎛ 각 두루우호울에칭이 좋은 정밀도로 형성되어 있다. 또 높은 해상도의 포토레지스트를 사용하면 2㎛ 이하의 두루우호울에칭을 할 수도 있다.
이어서, 제6도에서 보는 바와같이, 알루미늄의 증착 또는 스퍼터링과 포토에칭법에 따라 제2배선도체층(18)을 형성시키고, 나아가서 폴리아미크산에스테르소중합체를 사용하여 제2배선도체층(18)위에 경화물의 막을 형성시켜, 전술한 바와같이 수지막의 두루우호울에칭법에 따라 두루우호울을 형성시킨다. 이것들의 공정을 반복함에 따라 본 발명의 다층배선구조의 반도체장치를 얻을 수 있다. 이런 경우에 사용하는 폴리아미크산에스테르소중합체의 수지분농도 및 점도를 적당히 선택하여, 배선도체층의 막의 두께를 변화시킴에 따라, 평탄성이 좋은 수지막을 형성할 수 있었다.
본 발명의 반도체장치는 배선도체층상의 절연막재료로서 상술한 폴리아미크산에스테르소중합체를 사용하는 것이며, 하지배선도체층에 대한 단차피복성(평탄성)에 뛰어나고, 또한 건식에칭법에 의한 미세개구에칭성에도 뛰어나서, 미세배선 및 미세두루우호울을 지닌 고집적화에 적합한 신뢰성이 높은 다층배선구조를 지니게 되었다.
본 발명의 반도체 장치는 하이브리드(IC), 모놀리드식(monolithic) IC, LSI등의 반도체 장치로서 가장 적합하다.

Claims (12)

  1. 방향족테트라카르복시산 2무술물과 알코올 및 알코올 유도체의 적어도 1종의 화합물을 반응시켜, 얻을 수 있는 방향족테트라카르복시산에스테르에 방향족디아민 및 디아미노실록산의 적어도 1종의 화합물을 반응시켜서 얻을 수 있는 폴리아미크산에스테르소중합체의 경화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 절연수지조성물.
  2. 제1항에 있어서, 방향족테트라카르복시산 2무수물은, 일반식
    Figure kpo00008
    (식중에서, R1은 4가의 방향족탄화수소기를 의미 한다)으로 나타낼 수 있음을 특징으로 하는 반도체 장치용 절연수지용조성물.
  3. 제2항에 있어서, 방향족테트라카르복산 2무수물은, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복시산 2무수물, 피로메리트산 2무수물, 3,3',4,4'-디페닐테트라카르복시산 2무수물, 시클로펜탄테트라카르복시산 2무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복시산 2무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복시산 2무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복시산 2무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복시산 2무수물, 3,4,9,10-페리렌테트라카르복시산 2무수물 및 4,4'-술포닐디프탈산 2무수물에서 선택되는 적어도 1종의 화합물임을 특징으로 하는 반도체 장치용 절연수지조성물.
  4. 제1항에 있어서, 알코올 및 알코올유도체는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로필알코올, 부탄올등의 1가 알코올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린, 트리메틸로올프로판등의 다가알코올, 셀로솔브류 및 카르비톨류로부터 선택할 수 있는 적어도 1종의 화합물임을 특징으로 하는 반도체 장치용 절연수지조성물.
  5. 제1항에 있어서, 방향족디아민은 일반식
    Figure kpo00009
    (식중에서, R2는 2가의 방향족탄화수소기를 의미한다)으로 나타내는 화합물임을 특징으로 하는 반도체 장치용 절연수지조성물.
  6. 제5항에 있어서, 방향족디아민은, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노딜페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 벤지딘(benzidine), 메타페닐렌디아민, 파라페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민 및 2,6-나프탈렌디아민으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물임을 특징으로 하는 반도체 장치용 절연수지조성물.
  7. 제1항에 있어서, 디아미노실록산은 일반식
    Figure kpo00010
    (식중에서, R3은 탄소수 1-10의 2가인 탄화수소기, R4,R5,R6및 R7은 탄소수 1-10의 1가인 탄화수기를 의미하며, 이것들은 동일하여도 상이하여도 좋으며, n은 1-10의 정수를 의미한다)로 나타낼 수 있는 화합물임을 특징으로 하는 반도체 장치용 절연수지조성물.
  8. 제7항에 있어서, 디아노실록산은,
    Figure kpo00011
    Figure kpo00012
    로부터 선택된 적어도 1종의 화합물임을 특징으로 하는 반도체 장치용 절연수지조성물.
  9. 제1항에 있어서, 방향족테트라카르복시산 2무수물의 에스테르화는 방향족테트라카르복시산 2무수물에 대하여 알코올 및/또는 알코올유도체를 같은 몰 이상 사용하여, 80-150℃의 온도에서 실행함을 특징으로 하는 반도체 장치용 절연수지조성물.
  10. 제1항에 있어서, 방향족테트라카르복시산에스테르와 방향족디아민 및/또는 디아미노실록산과의 반응은 방향족테트라카르복시산에스테르와 방향족디아민 및/또는 디아미노실록산을 대략 같은 몰으로 하여 90℃이하의 온도에서 실행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 절연수지조성물.
  11. 제1항에 있어서, 폴리아미크산에스테르소중합체는 200-400에서 열처리한 다음, 수지분농도 40-60중량%, 점도 0.5-50Poise(25℃)로 조정되어 있음을 특징으로 하는 반도체 장치용 절연수지조성물.
  12. 반도체기판(11)위에 유기수지로된 수지층과 배선도체층(3)을 설치한 반도체 장치에서, 이 유기수지로서, 방향족테트라카르복시산 2무수물과 알코올 및 알코올유도체의 적어도 1종을 반응시켜서 얻을 수 있는 방향족테트라카르복시산에스테르에 방향족디아민 및 디아민실록산의 적어도 1종을 반응시켜서 얻을 수 있는 폴리아미크산에스테르소중합체의 경화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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