KR900003427A - 고해리압 화합물 반도체 단결정 성장방법 및 그 장치 - Google Patents

고해리압 화합물 반도체 단결정 성장방법 및 그 장치 Download PDF

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케이지 시로다
고오이찌 사사
켄지 도미자와
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나가노 다께시
미쓰비시긴쏘꾸 가부시기가이샤
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract

내용 없음.

Description

고해리압 화합물 반도체 단결정 성장방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 제1의 발명을 실시하기 위한 장치의 한 예를 표시하는 개략적인 단면도.
제 2 도는 종래의 고해리압 화합물 반도체 단결정 성장방법을 실시하기 위한 장치의 한 예를 표시하는 개략적인 단면도.

Claims (2)

  1. 가열밀봉용기(2)내로 밀봉된 고해리압 성분가스의 압력을 제어하면서 전기한 밀봉용기(2)내에서 화합물 반도체 단결정을 인상하는 쵸크랄스키법에 의한 화합물 반도체 단결정 성장방법으로서, 전기한 화합물 반도체 단결정을 인상하는 상축 포오스바아(4)에 부착된 제1로우드셀(12)과, 전기한 밀봉용기(2)의 벽을 기밀하게 또한 이동자재하게 관통하여 이 밀봉용기(2)내로 연장된 로우드 셀로드(21)에 설치된 제2로우드셀(22)에 의하여 육성된 고해리압 화합물 반도체 단결정의 중량을 측정하고 이 측정 중량에 의하여 육성된 고해리압 화합물 반도체 단결정의 중량에 의하여 육성된 고해리압 화합물 반도체 단결정의 중량을 정확하게 산출하여 육성된 화합물 반도체 단결정의 형상을 제어하는 것을 특징으로 하는 고해리압 화합물 반도체 단결정 성장 방법.
  2. 외용기(1)와, 이 외용기(1)내에 설치된 밀봉용기(2)와 전기한 외용기(1) 및 밀봉용기(2)의 윗벽, 아랫벽을 각각 상하동 또한 회전가능하게 기밀하게 관통하여 밀봉용기(2) 내부로 연장되어 설치된 상축포오스바아(4)및 하축 포오스바아(5)와 전기한 외용기(1)및 밀봉용기(2)의 벽을 이동가능하게 또한 기밀하게 관통하여 이 밀봉용기(2)의 내부로 연장되어 설치된 로우드셀로드(2)와, 전기한 밀봉용기(2)내에서 하축 포오스바아(5)에 의하여 지지된 원료융액용기(7)와, 전기한 밀봉용기(2)를 가열 가능하게 이 밀봉용기(2) 밖으로 설치된 가열기구(8)(8')와 전기한 밀봉용기(2)에 설치된 고해리압 성분가스압 제어로(9)와 전기한 상축 포오스바아(4)에 접속된 제1로우드셀(2)과, 전기한 로우드셀로드(21)에 접속된 제2로우드셀(22)로 이루어진 것을 특징으로 하는 고해리압 화합물 반도체 단결정 성장장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890010564A 1988-08-19 1989-07-26 고해리압 화합물 반도체 단결정 성장방법 및 그 장치 KR940009943B1 (ko)

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