KR920000981A - GaAs 단결정의 제조방법 및 그 장치 - Google Patents

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박해성
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한형수
삼성코닝 주식회사
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Abstract

내용 없음

Description

GaAs 단결정의 제조방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도
내용 업음
제2도는 본 발명에 의한 GaAs 단결정 성장장치의 개략도.

Claims (2)

  1. 액체봉지인상법에 의해 GaAs단 결정을 성장시킴에 있어 GaAs를 합성하여 용융시킬때는 B2O3층을 20mm 이상으로 하고 단결정을 성장시킬 때는 B2O3층을 5-10mm하며, 성장된는 단결정이 상기 B2O3층을 벗어나면 또다른 B2O3가 성장된 단결정의 표면을 덮도록 하여 단결정을 성장시킴을 특징으로 하는 GaAs단결정의 제조방법.
  2. 챔버(1)내부에 히터(2)를 설치하고 그 내측으로 도가니 회전축(4)에 의해 회전되는 도가니(3)를 설치하여 결정회전인상축(5)에 의해 단결정을 성장시키는 단결정성장장치에 있어서, 챔버(1)의 상부로 부터 도가니(3)내부의 용액(11)을 덮고 있는 B2O3(9)까지 밸브(7)가 형성된 튜브(6)를 상하 이동되게 설치하고, 결정회전인상축(50의 하단에는 B2O3(9′)를 내장할수 있는 용기(8)를 설치한 것을 특징으로 하는 GaAs단결정의 성장장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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