KR890700543A - 결정성장 장치 - Google Patents

결정성장 장치

Info

Publication number
KR890700543A
KR890700543A KR1019880701503A KR880701503A KR890700543A KR 890700543 A KR890700543 A KR 890700543A KR 1019880701503 A KR1019880701503 A KR 1019880701503A KR 880701503 A KR880701503 A KR 880701503A KR 890700543 A KR890700543 A KR 890700543A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
crucible
die assembly
growth surface
passage means
Prior art date
Application number
KR1019880701503A
Other languages
English (en)
Inventor
에스.하베이 데이빗
Original Assignee
버나드 엠. 길스피
모빌 쏠라 에너지 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 버나드 엠. 길스피, 모빌 쏠라 에너지 코포레이션 filed Critical 버나드 엠. 길스피
Publication of KR890700543A publication Critical patent/KR890700543A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/34—Edge-defined film-fed crystal-growth using dies or slits
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/66—Crystals of complex geometrical shape, e.g. tubes, cylinders

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

결정성장 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 EFG방법에 따른 관상 결정체 성장장치를 보인 것으로 이 장치가 본 발명의 실시형태와 결합된 것을 보인 단면도.

Claims (11)

  1. 용융물로 부터 선택된 단면 형태의 중공형 결정체를 성장시키기 위한 시스템에 사용하기 위한 장치에 있어서, 이 장치가 도가니-다이 조립체로 구성되고, 이 도가니-다이 조립체는 액상 원료물질의 공급원이 용입된 챔버, 결정형성에 사용하기 위한 종자결정에 인접하여 원료물질의 액상필름을 지지하기 위한 성장면과, 상기 용융물로 부터 원료 공급물질의 상기 액상필름을 모세관 작용으로 상기 성장면에 공급하기 위한 적어도 하나의 모세관으로 구성되고, 상기 성장면은 상부에서 보았을때에 내측변부와 외측변부가 한정된 환상의 형상을 가지므로서 상기 성장면의 용융물 필름으로부터 중공형 관상동체가 성장되며, 상기 장치가 상기도 가니-다이 조립체로부터 원격한 제1 가스 유입포트를 형성하기 위한 제1 포트, 상기 도 가니-다이 조립체로부터 원격한 제2 가스 유입포트를 형성하기 위한 제2포트, 상기 성장면의 상기 내측변부에 인접하여 상기측 도 가니-다이 조립체에 상기 제1포트수단으로 주입된 가스를 공급하기 위한 제1 통로 수단과, 상기 외측변부에 인접하여 상기 도 가니-다이 조립체에 상기 제1포트수단으로 주입된 가스를 공급하기 위한 제2통로수단으로 구성됨을 특징으로 하는 결정성장 장치.
  2. 청구범위 1항에 있어서, 상기 제1 및 제1 통로 수단이 상기 도 가니-다이 조립체에 일체로 형성됨을 특징으로 하는 장치.
  3. 청구범위 2항에 있어서, 상기 제1 통로 수단이 상기 도 가니-다이 조립체에 형성된 적어도 하나의 통로로 구성되고, 상기 제2통로 수단이 상기 도 가니-다이 조립체에 형성된 적어도 하나의 통로로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
  4. 청구범위 3항에 있어서, 상기 도 가니-다이 조립체가 상기 내측변부에 인접하여 있으나 이로 부터 분리되어 있는 내측면, 상기 외측변부에 인접하여 있으나 이로 부터 분리되어 있는 외측면과, 저면으로 구성되고, 상기 제1통로 수단이 상기 내측면과 상기 저면 사이에 연장된 적어도 하나의 통로로 구성되며 상기 제2 통로수단이 상기 외측면과 상기 저면사이에 연장된 적어도 하나의 통로로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
  5. 청구범위 3항에 있어서, 상기 제1 통로 수단이 상기 제2 통로 수단으로부터 연통되지 않고 분리 형성됨을 특징으로 하는 장치.
  6. 청구범위 4항에 있어서, 상기 제1 통로 수단이 상기 제2 통로 수단으로부터 연통되지 않고 분리 형성됨을 특징으로 하는 장치.
  7. EFG방법에 따라서 용융물로부터 선택된 단면형태의 중공형 결정체를 성장시키기 위한 방법에 있어서, 이 방법이 도 가니-다이 조립체로 구성되고, 이 도 가니-다이 조립체는 액상 원료물질의 공급원이 용입된 챔버, 결정형성에 사용하기 위한 종자결정에 인접하여 원료물질의 액상필름을 지지하기 위한 성장면과, 상기 용융물로부터 원료공급 물질의 상기 액상 필름을 모세관 작용으로 상기 성장면에 공급하기 위한 적어도 하나의 모세관으로 구성되고, 상기 성장면은 상부에서 보았을 때에 내측변부와 외측변부가 한정된 환상의 형상을 가지므로서 상기 성장면의 용융물 필름으로부터 중공형 관상동체가 성장되며, 상기 장치가 상기 도 가니-다이 조립체로부터 원격한 제1 가스 유입포트를 형성하기 위한 제1포트, 상기 도 가니-다이 조립체로부터 원격한 제2가스 유입포트를 형성하기 위한 제2포트, 상기 성장면의 상기 내측변부에 인접하여 상기 도 가니-다이 조립체에 상기 제1포트 수단으로 주입된 가스를 공급하기 위한 제1통로 수단과 상기 외측변부에 인접하여 상기 도 가니-다이 조립체에 상기 제2포트 수단으로 주입된 가스를 공급하기 위한 제2통로 수단으로 구성된 장치를 이용하는 단계 ; 상기 제1포트 수단으로 제1가스를 주입하여 이 제1가스가 상기 성장면의 내측변부에 이접하여 상기 도 가니-다이 조립체에 공급되게 하는 제1가스 주입단계와 ; 상기 제2 포트 수단으로 제2가스를 주입하여 이 제2가스가 상기 성장면의 외측변부에 인접하여 상기 도 가니-다이 조립체에 공급되게 하는 제2가스 주입단계로 구성됨을 특징으로 하는 결정성장 방법.
  8. 청구범위 7항에 있어서, 상기 제1통로 수단이 상기 제2통로 수단으로부터 연통되지 않고 분리형성됨을 특징으로 하는 방법.
  9. 청구범위 7항에 있어서, 상기 제1가스 와/또는 상기 제2 가스가 성장 결정체 주위에 있는 다른 유해가스로부터 성장결정체를 보호하도록 작용하는 불활성 가스로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
  10. 청구범위 7항에 있어서, 상기 제1가스 와/또는 상기 제2가스가 상기 성장면으로부터 성장되어 나오는 성장 결정체의 조성을 변경시키는 반응가스로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
  11. 청구범위 7항에 있어서, 상기 제1가스 와/또는 상기 제2가스가 상기 결정체가 상기 성장면으로부터 성장되어 나올때에 상기 성장 결정체에 불순물을 주입하게 되는 도핑 가스로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880701503A 1987-03-27 1988-03-07 결정성장 장치 KR890700543A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3139287A 1987-03-27 1987-03-27
US031392 1987-03-27
PCT/US1988/000698 WO1988007598A1 (en) 1987-03-27 1988-03-07 An apparatus and process for edge-defined, film-fed crystal growth

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR890700543A true KR890700543A (ko) 1989-04-25

Family

ID=21859193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880701503A KR890700543A (ko) 1987-03-27 1988-03-07 결정성장 장치

Country Status (12)

Country Link
EP (1) EP0309540B1 (ko)
JP (1) JPH0733310B2 (ko)
KR (1) KR890700543A (ko)
CN (1) CN1022336C (ko)
AU (1) AU611682B2 (ko)
CA (1) CA1320101C (ko)
DE (1) DE3890206C2 (ko)
GB (1) GB2210287B (ko)
IL (1) IL85807A (ko)
NL (1) NL8820214A (ko)
WO (1) WO1988007598A1 (ko)
ZA (1) ZA881849B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60328720D1 (de) * 2003-04-18 2009-09-17 Namiki Seimitsu Houseki K K Gehäuse für eine armbanduhr
TW200930849A (en) * 2007-10-23 2009-07-16 Saint Gobain Ceramics & Plastics Inc Scintillator crystals and methods of forming
CN101451271B (zh) * 2008-12-18 2010-12-15 浙江大学 用于边缘限定硅膜生长法生产带状多晶硅的装置
CN103882519A (zh) * 2014-04-04 2014-06-25 天津环煜电子材料科技有限公司 一种硅管及硅管太阳电池级多晶硅棒制备方法
CN103966668A (zh) * 2014-05-30 2014-08-06 江苏中电振华晶体技术有限公司 一种基于保护气氛控制棒状蓝宝石晶体直径的生长方法
CN107059114A (zh) * 2017-03-08 2017-08-18 同济大学 一种导模法生长晶体光纤的模具及方法
US10415149B2 (en) * 2017-03-31 2019-09-17 Silfex, Inc. Growth of a shaped silicon ingot by feeding liquid onto a shaped ingot

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3591348A (en) * 1968-01-24 1971-07-06 Tyco Laboratories Inc Method of growing crystalline materials
US3687633A (en) * 1970-08-28 1972-08-29 Tyco Laboratories Inc Apparatus for growing crystalline bodies from the melt
US3701636A (en) * 1970-09-23 1972-10-31 Tyco Laboratories Inc Crystal growing apparatus
BE791024A (fr) * 1971-11-08 1973-05-07 Tyco Laboratories Inc Procede pour developper des cristaux a partir d'un bain d'une matiere
US4230674A (en) * 1976-12-27 1980-10-28 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Crucible-die assemblies for growing crystalline bodies of selected shapes
US4118197A (en) * 1977-01-24 1978-10-03 Mobil Tyco Solar Energy Corp. Cartridge and furnace for crystal growth
US4415401A (en) * 1980-03-10 1983-11-15 Mobil Solar Energy Corporation Control of atmosphere surrounding crystal growth zone
US4443411A (en) * 1980-12-15 1984-04-17 Mobil Solar Energy Corporation Apparatus for controlling the atmosphere surrounding a crystal growth zone
US4440728A (en) * 1981-08-03 1984-04-03 Mobil Solar Energy Corporation Apparatus for growing tubular crystalline bodies
US4544528A (en) * 1981-08-03 1985-10-01 Mobil Solar Energy Corporation Apparatus for growing tubular crystalline bodies

Also Published As

Publication number Publication date
AU611682B2 (en) 1991-06-20
EP0309540A1 (en) 1989-04-05
GB2210287A (en) 1989-06-07
JPH0733310B2 (ja) 1995-04-12
IL85807A (en) 1991-08-16
ZA881849B (en) 1988-12-28
EP0309540A4 (en) 1989-07-18
WO1988007598A1 (en) 1988-10-06
NL8820214A (nl) 1989-02-01
AU1549188A (en) 1988-11-02
EP0309540B1 (en) 1993-10-06
CA1320101C (en) 1993-07-13
CN88101744A (zh) 1988-10-05
GB2210287B (en) 1990-07-11
CN1022336C (zh) 1993-10-06
JPH01503059A (ja) 1989-10-19
IL85807A0 (en) 1988-09-30
DE3890206C2 (de) 2001-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69509678D1 (de) Epitaktische züchtung von silizium carbidund so hergestellte silizium carbid-strukturen
KR890700543A (ko) 결정성장 장치
GB1528897A (en) Method of purifying silicon
JPH11147785A (ja) 単結晶の製造方法
JPS5756397A (en) Manufacture of single crystal
KR920014956A (ko) 결정 성장방법 및 장치
JPS54109080A (en) Crystal-growing method by limited-edge-crystal growing method
JPS5683933A (en) Liquid phase epitaxial growth
KR920000981A (ko) GaAs 단결정의 제조방법 및 그 장치
GB1432240A (en) Method for the vapour-phase growth of single crystals
JPS52155189A (en) Multiple layer crystal growth
JPS6449257A (en) Thin-film transistor
JPS6418995A (en) Growth of indium phosphide single crystal with high thermal stability
JPS6437500A (en) Production of group iii-v compound semiconductor single crystal
JPS56161639A (en) Method of epitaxially growing in liquid phase
JPS51111057A (en) Crystal growing device
KR900000973A (ko) 화합물 반도체 단결정의 성장장치
JPS57129896A (en) Liquid phase epitaxial growing apparatus
KR890011025A (ko) 실리콘 수지상웨브 결성을 성장시키기 위한 개량된 도가니
JPS647516A (en) Manufacture of compound semiconductor and semiconductor device using thereof
JPS5578550A (en) Semiconductor and manufacture thereof
JPS6437486A (en) Crucible for crystal growth
Mogilevskii et al. Growing Single Crystals of the LaNi sub 5 Intermetallide
JPS5659696A (en) Liquid phase epitaxial growing apparatus
JPS5538039A (en) Device for liquid-phase growth of semiconductor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application