KR930002549A - Efg법에 의한 단결정 성장장치 - Google Patents

Efg법에 의한 단결정 성장장치 Download PDF

Info

Publication number
KR930002549A
KR930002549A KR1019910012981A KR910012981A KR930002549A KR 930002549 A KR930002549 A KR 930002549A KR 1019910012981 A KR1019910012981 A KR 1019910012981A KR 910012981 A KR910012981 A KR 910012981A KR 930002549 A KR930002549 A KR 930002549A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
single crystal
crystal growth
growth apparatus
solution
efg method
Prior art date
Application number
KR1019910012981A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0174390B1 (ko
Inventor
한재용
마동준
이성국
Original Assignee
한형수
삼성코닝 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한형수, 삼성코닝 주식회사 filed Critical 한형수
Priority to KR1019910012981A priority Critical patent/KR0174390B1/ko
Publication of KR930002549A publication Critical patent/KR930002549A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0174390B1 publication Critical patent/KR0174390B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

EFG법에 의한 단결정 성장장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 EFG법에 의한 단결정 성장 장치의 개략도,
제4도는 본 발명의 요부인 모세관 다이의 형태를 나타낸 일실시 예시도.

Claims (3)

  1. 컴퓨터(1)에 인상장치(2) 및 고주파 가열장치(3)를 연결하여 결정(13)의 인상 및 도가니(6)내의 온도가 제어되도록 하며, 상기 인상장치(2)에는 종자결정(5)이 부착된 인상축(4)을 설치하여 모세관 현상을 이용하여 용액(14)으로부터 결정(13)을 성장시키는 EPG법에 의한 단결정 성장장치에 있어서, 도가니(6)의 내부에는 다수개의 원통형의 모세관(9)이 형성되고, 저면에는 용액유입공(10)을 다수개 천공시킨 형태의 모세관 다이(8)를 설치하고, 상기 컴퓨터(11)에는 실린더 수직이동장치(11)를 연결하고, 상기 실린더 수직이동장치(11)에는 원통형 실린더(12)를 설치하여 용액(14)의 표면이 하강하여 용액의 압력이 저하는 것을 보상되도록 한 것을 특징으로 하는 EFG법에 의한 단결정 성장장치.
  2. 제1항에 있어서, 모세관(9의 재질을 이리듐(Ir), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo)중 어느 하나로 형성시킨 것을 특징으로 하는 EFG법에 의한 단결정 성장장치.
  3. 제1항에 있어서, 모세관(P)의 직경이 0.1~1.5mm가 되도록 형성시킨 것을 특징으로 하는 EFG법에 의한 단결정 성장장치.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910012981A 1991-07-27 1991-07-27 Efg법에 의한 단결정 성장장치 KR0174390B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910012981A KR0174390B1 (ko) 1991-07-27 1991-07-27 Efg법에 의한 단결정 성장장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910012981A KR0174390B1 (ko) 1991-07-27 1991-07-27 Efg법에 의한 단결정 성장장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930002549A true KR930002549A (ko) 1993-02-23
KR0174390B1 KR0174390B1 (ko) 1999-02-18

Family

ID=19317906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910012981A KR0174390B1 (ko) 1991-07-27 1991-07-27 Efg법에 의한 단결정 성장장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0174390B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102347366B1 (ko) 2020-12-29 2022-01-05 플라텍 주식회사 다용도 청소용구

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102347366B1 (ko) 2020-12-29 2022-01-05 플라텍 주식회사 다용도 청소용구

Also Published As

Publication number Publication date
KR0174390B1 (ko) 1999-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930002549A (ko) Efg법에 의한 단결정 성장장치
DE69712520D1 (de) Züchtung von siliziumkarbid einkristallen
US4390505A (en) Crystal growth apparatus
FR2271868A1 (en) Crystals grown from hydrothermal solns - in autoclave with separate individually temp-controlled double walled sections
DE3743880A1 (de) Siliziumeinkristall-hochziehvorrichtung
GB1029769A (en) Improvements in or relating to processes for the production of semiconductor crystals
FR2376697A2 (fr) Dispositif de fabrication en continu de monocristaux preformes en forme de plaques
KR920021747A (ko) 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법 및 그 장치
KR920016620A (ko) 화합물 반도체 단결정 성장장치
CN215222989U (zh) 一种甘蔗用浸种催芽设备
KR920000981A (ko) GaAs 단결정의 제조방법 및 그 장치
GB1487333A (en) Method for vapour growing crystals
GB1458565A (en) Crystal-growing apparatus
JPH0459689A (ja) 単結晶引上げ装置
SU141629A1 (ru) Устройство дл получени монокристаллов, например, германи
KR870002298A (ko) 단결정성장장치
Basavappa et al. A quick and gentle method for mounting crystals in capillaries
Szurgot et al. On the growth morphology of K2Cr2O7 (KBC) crystals
KR920010756A (ko) LiTaO₃단결정 박판의 제조방법
KR930000718A (ko) 단결정 연속 성장법 및 연속성장 장치
GB1354495A (en) Methods of growing crystals
KR960010451Y1 (ko) 온실용 보온덮개의 높이 조절기구
SU450587A1 (ru) Кристаллодержатель затравочных кристаллов
JPS5688895A (en) Growth of single crystal
SU1406151A1 (ru) Аппарат дл твердофазной ферментации

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060913

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee