JPH03247582A - 化合物半導体結晶の製造装置 - Google Patents
化合物半導体結晶の製造装置Info
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- JPH03247582A JPH03247582A JP4445290A JP4445290A JPH03247582A JP H03247582 A JPH03247582 A JP H03247582A JP 4445290 A JP4445290 A JP 4445290A JP 4445290 A JP4445290 A JP 4445290A JP H03247582 A JPH03247582 A JP H03247582A
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Landscapes
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、縦型′温度勾配炉の中に原料融液を収容する
るつぼを配置し、下方より徐冷固化して単結晶を成長さ
せる化合物半導体単結晶の製造装置に関する。
るつぼを配置し、下方より徐冷固化して単結晶を成長さ
せる化合物半導体単結晶の製造装置に関する。
（従来の技術）
従来、縦型温度勾配炉の中に原料融液を収容するるつぼ
を配置し、下方より徐冷固化して単結晶を成長させる化
合物半導体単結晶の製造装置としては、 ■石英アンプル内にるつぼを収容して、これを密閉封止
するもの（特開昭６３−３１０７８７号公報）、■成長
容器内にるつぼを収容して、開口に栓をして密閉するも
の（Ｊ、Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ７４（１９８
６）４９１〜５０６）、 などが知られている。
を配置し、下方より徐冷固化して単結晶を成長させる化
合物半導体単結晶の製造装置としては、 ■石英アンプル内にるつぼを収容して、これを密閉封止
するもの（特開昭６３−３１０７８７号公報）、■成長
容器内にるつぼを収容して、開口に栓をして密閉するも
の（Ｊ、Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ７４（１９８
６）４９１〜５０６）、 などが知られている。
製造装置■は、蒸気圧の高い物質を含む化合物半導体単
結晶を成長させるときに、石英アンプルが破壊される虞
れがある。また、石英アンプルの封止や成長結晶の取り
出しのための石英アンプルの破壊という煩雑な作業を必
要とし、かつ、成長毎に石英アンプルを更新する費用負
担もあって、生産コストが高いものになる。
結晶を成長させるときに、石英アンプルが破壊される虞
れがある。また、石英アンプルの封止や成長結晶の取り
出しのための石英アンプルの破壊という煩雑な作業を必
要とし、かつ、成長毎に石英アンプルを更新する費用負
担もあって、生産コストが高いものになる。
また、製造装置■は、成長容器を栓により完全に密閉す
ることは不可能であり、容器内の蒸気が栓の隙間から逃
げるため、組成をコントｏ−ルスることが難しく、スト
イキオメトリツクな結晶を歩留まり良く製造することは
困難であった。
ることは不可能であり、容器内の蒸気が栓の隙間から逃
げるため、組成をコントｏ−ルスることが難しく、スト
イキオメトリツクな結晶を歩留まり良く製造することは
困難であった。
これらの問題を解決するために、本発明者らは、先に特
願平１−２５９９０号出願の中で、密閉性に優れ、繰り
返し使用可能な成長容器を備えた製造装置を提案した。
願平１−２５９９０号出願の中で、密閉性に優れ、繰り
返し使用可能な成長容器を備えた製造装置を提案した。
第４図はこの装置の断面図である。るっぽ１を内蔵する
サセプタ２を下軸３の上端に取り付け、該サセプタ２の
上端の周囲に液体封止剤４を収容する受け皿５を設け、
該サセプタ２の上部を覆うキャップ６の下端を該液体封
止剤４に浸漬させて密閉型の成長室を形成し、るつぼｌ
の周囲に配置したヒータ７で原料融液８を加熱して上下
方向に温度勾配を設け、るつぼ１の底部の種結晶９から
単結晶１０を成長させるものである。
サセプタ２を下軸３の上端に取り付け、該サセプタ２の
上端の周囲に液体封止剤４を収容する受け皿５を設け、
該サセプタ２の上部を覆うキャップ６の下端を該液体封
止剤４に浸漬させて密閉型の成長室を形成し、るつぼｌ
の周囲に配置したヒータ７で原料融液８を加熱して上下
方向に温度勾配を設け、るつぼ１の底部の種結晶９から
単結晶１０を成長させるものである。
（発明が解決しようとする課題）
上記の液体封止剤を使用する製造装置は、上記の利点を
有するものの、るつぼを内蔵するサセプタ上端の広い開
口部分に液体封止側受け皿を設けるため、その直径が大
きくなり、必然的に温度勾配炉の直径も大きくせざるを
得ない。このように、大きな直径の温度勾配炉は、温度
の制御性が悪くなり、良質の単結晶を得ることが困難に
る。また、受け皿がるつぼ上方の高温部にあるため、液
体封止剤の蒸気圧も高くなり、例えば、液体封止剤とし
て酸化硼素を用いてＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体単結晶を
成長させるときには、硼素が蒸発して汚染の原因となっ
た。
有するものの、るつぼを内蔵するサセプタ上端の広い開
口部分に液体封止側受け皿を設けるため、その直径が大
きくなり、必然的に温度勾配炉の直径も大きくせざるを
得ない。このように、大きな直径の温度勾配炉は、温度
の制御性が悪くなり、良質の単結晶を得ることが困難に
る。また、受け皿がるつぼ上方の高温部にあるため、液
体封止剤の蒸気圧も高くなり、例えば、液体封止剤とし
て酸化硼素を用いてＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体単結晶を
成長させるときには、硼素が蒸発して汚染の原因となっ
た。
他方、高解離圧成分を含有する単結晶を成長させるとき
に、成長室内に該成分の蒸気を満たし、その蒸気圧によ
り該成分の抜けを防止して完全なストイキオメトリツク
な結晶を製造することは、上記の特開昭６３−３１０７
８７号公報に記載されているが、この装置は上記の密封
石英アンプルの欠点を有している。
に、成長室内に該成分の蒸気を満たし、その蒸気圧によ
り該成分の抜けを防止して完全なストイキオメトリツク
な結晶を製造することは、上記の特開昭６３−３１０７
８７号公報に記載されているが、この装置は上記の密封
石英アンプルの欠点を有している。
そこで、本発明は、上記の問題を解消し、密閉性に優れ
、繰り返し使用可能な成長室を用い、かつ、縦型温度勾
配炉の制御性を高め、液体封止剤蒸気による汚染を防止
し、必要に応じて、成長室内に高蒸気圧成分の蒸気を満
たして該成分の抜けを防止することのできる化合物半導
体結晶の製造装置を提供しようとするものである。
、繰り返し使用可能な成長室を用い、かつ、縦型温度勾
配炉の制御性を高め、液体封止剤蒸気による汚染を防止
し、必要に応じて、成長室内に高蒸気圧成分の蒸気を満
たして該成分の抜けを防止することのできる化合物半導
体結晶の製造装置を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は、（Ｉ）縦型温度勾配炉の中に原料融液を収容
するるつぼを配置し、下方より徐冷固化して単結晶を成
長させる化合物半導体単結晶の製造装置において、上記
るつぼを支持するサセプタを下軸の上端に取り付け、該
サセプタの下部周囲に液体封止剤を収容する受け皿を設
け、上記るつぼを覆うキャップの下端を該液体封止剤に
浸漬させて密閉型の成長室を形成したことを特徴とする
化合物半導体結晶の製造装置、（２）上記サセプタの下
方に高解離圧物質を置く空間を確保し、該空間の温度を
検出する手段を付設し、かつ、該検出温度に応じて該空
間温度を制御する手段を設けることにより、密閉型成長
室内を該高解離圧物質の蒸気で所定圧力に保持すること
を可能にしたことを特徴とする上記（１）記載の化合物
半導体結晶の製造装置、及び、（３）縦型温度勾配炉の
中に原料融液を収容するるつぼを配置し、下方より徐冷
固化して単結晶を成長させる化合物半導体単結晶の製造
装置において、上記るつぼを内蔵するサセプタを下軸の
上端に取り付け、該サセプタの上端の周囲に液体封止剤
を収容する受け皿を設け、該サセプタの上部を覆うキャ
ップの下端を該液体封止剤に浸漬させて密閉型の成長室
を形成し、該サセプタの下方に高解離圧物質を置く空間
を確保し、該空間の温度を検出する手段を付設し、かつ
、該検出温度に応じて該空間温度を制御する手段を設け
ることにより、密閉型成長室内を該高解離圧物質の蒸気
で所定圧力に保持することを可能にしたことを特徴とす
る化合物半導体結晶の製造装置である。
するるつぼを配置し、下方より徐冷固化して単結晶を成
長させる化合物半導体単結晶の製造装置において、上記
るつぼを支持するサセプタを下軸の上端に取り付け、該
サセプタの下部周囲に液体封止剤を収容する受け皿を設
け、上記るつぼを覆うキャップの下端を該液体封止剤に
浸漬させて密閉型の成長室を形成したことを特徴とする
化合物半導体結晶の製造装置、（２）上記サセプタの下
方に高解離圧物質を置く空間を確保し、該空間の温度を
検出する手段を付設し、かつ、該検出温度に応じて該空
間温度を制御する手段を設けることにより、密閉型成長
室内を該高解離圧物質の蒸気で所定圧力に保持すること
を可能にしたことを特徴とする上記（１）記載の化合物
半導体結晶の製造装置、及び、（３）縦型温度勾配炉の
中に原料融液を収容するるつぼを配置し、下方より徐冷
固化して単結晶を成長させる化合物半導体単結晶の製造
装置において、上記るつぼを内蔵するサセプタを下軸の
上端に取り付け、該サセプタの上端の周囲に液体封止剤
を収容する受け皿を設け、該サセプタの上部を覆うキャ
ップの下端を該液体封止剤に浸漬させて密閉型の成長室
を形成し、該サセプタの下方に高解離圧物質を置く空間
を確保し、該空間の温度を検出する手段を付設し、かつ
、該検出温度に応じて該空間温度を制御する手段を設け
ることにより、密閉型成長室内を該高解離圧物質の蒸気
で所定圧力に保持することを可能にしたことを特徴とす
る化合物半導体結晶の製造装置である。
なお、サセプタは、ｐＢＮコートカーボン、モリブデン
等により作成することができ、キャップは、ｐＢＮコー
トカーボン、ｐＢＮ等により作成することができる。ま
た、液体封止剤としては、酸化硼素や原料融液自体を用
いることも可能である。
等により作成することができ、キャップは、ｐＢＮコー
トカーボン、ｐＢＮ等により作成することができる。ま
た、液体封止剤としては、酸化硼素や原料融液自体を用
いることも可能である。
（作用）
第１図〜第３図は、本発明の具体例を示した断面図であ
る。第１図及び第２図の装置は、成長室のシール部をる
つぼの下方に設けたものであり、第２図及び第３図の装
置は、高解離圧物質を収容する空間を成長室の下部に設
けたものである。
る。第１図及び第２図の装置は、成長室のシール部をる
つぼの下方に設けたものであり、第２図及び第３図の装
置は、高解離圧物質を収容する空間を成長室の下部に設
けたものである。
第１図の装置は、るつぼ１を支持するサセプタ２を下軸
３の上端に取り付け、該サセプタ２の下部周囲に液体封
止剤４を収容する受け皿５を設け、るっぽ１を覆うキャ
ップ６の下端を該液体封止剤４に浸漬させて密閉型の成
長室を形成するもので、るっぽ１の周囲に配置したヒー
タ７で縦方向に温度勾配を設け、るつぼ１内の原料融液
８に所定の温度分布を形成し、るつぼ１底部に置いた種
結晶９から単結晶１０を成長させる。成長後、上軸】１
を上昇させることにより、キヤ・ツブ６の下端を液体封
止剤４から引き上げて成長室の密閉を解き、単結晶１０
を取り出す。
３の上端に取り付け、該サセプタ２の下部周囲に液体封
止剤４を収容する受け皿５を設け、るっぽ１を覆うキャ
ップ６の下端を該液体封止剤４に浸漬させて密閉型の成
長室を形成するもので、るっぽ１の周囲に配置したヒー
タ７で縦方向に温度勾配を設け、るつぼ１内の原料融液
８に所定の温度分布を形成し、るつぼ１底部に置いた種
結晶９から単結晶１０を成長させる。成長後、上軸】１
を上昇させることにより、キヤ・ツブ６の下端を液体封
止剤４から引き上げて成長室の密閉を解き、単結晶１０
を取り出す。
このように、成長室を形成する液体封止剤の受け皿をる
つぼ下方に設けたので、縦型温度勾配炉の直径を小さく
することができ、該温度勾配炉の制御性を高めることが
できた。また、比較的低温部に受け皿を設けたので、液
体封止剤の蒸気圧を低く抑えることができ、該蒸気に起
因する汚染を防止することができるようになった。
つぼ下方に設けたので、縦型温度勾配炉の直径を小さく
することができ、該温度勾配炉の制御性を高めることが
できた。また、比較的低温部に受け皿を設けたので、液
体封止剤の蒸気圧を低く抑えることができ、該蒸気に起
因する汚染を防止することができるようになった。
第２図は、第１図の装置を改良したものであり、改良点
のみ説明すると、サセプタ２下部に高解離圧物質１２を
収容するための空間を設け、下軸３の先端近くに熱電対
１３を配置して該空間の温度を測定し、測定信号をヒー
タ制御回路１４及び成長室内圧力制御回路１５に送り、
ヒータ７の温度を制御して成長室内の高解離圧成分の蒸
気圧を調節するものである。
のみ説明すると、サセプタ２下部に高解離圧物質１２を
収容するための空間を設け、下軸３の先端近くに熱電対
１３を配置して該空間の温度を測定し、測定信号をヒー
タ制御回路１４及び成長室内圧力制御回路１５に送り、
ヒータ７の温度を制御して成長室内の高解離圧成分の蒸
気圧を調節するものである。
このように、成長室の低温部に高解離圧物質を置いて該
物質の加熱温度を制御することができるので、成長室内
の高解離圧成分蒸気の圧力を確実に制御することができ
、該成分の抜けを防止することができ、ストイキオメト
リツクの単結晶を得ることができるようになった。
物質の加熱温度を制御することができるので、成長室内
の高解離圧成分蒸気の圧力を確実に制御することができ
、該成分の抜けを防止することができ、ストイキオメト
リツクの単結晶を得ることができるようになった。
第３図は、第２図の装置の変形であり、るつぼ１を内蔵
するサセプタ２を下軸３の上端に取り付け、該サセプタ
２の上端の周囲に液体封止剤４を収容する受け皿５を設
け、該サセプタ２の上部を覆うキャップ６の下端を該液
体封止剤４に浸漬させて密閉型の成長室を形成し、該サ
セプタ２の下方に高解離圧物質１２を置く空間を確保し
、該空間の温度を検出するための熱電対１３を下軸３の
先端近くに配置して該空間の温度を測定し、測定信号を
ヒータ制御回路１４及び成長室内圧力制御回路１５に送
り、ヒータ７の温度を制御して成長室内の高解離圧成分
の蒸気圧を調節するものである。
するサセプタ２を下軸３の上端に取り付け、該サセプタ
２の上端の周囲に液体封止剤４を収容する受け皿５を設
け、該サセプタ２の上部を覆うキャップ６の下端を該液
体封止剤４に浸漬させて密閉型の成長室を形成し、該サ
セプタ２の下方に高解離圧物質１２を置く空間を確保し
、該空間の温度を検出するための熱電対１３を下軸３の
先端近くに配置して該空間の温度を測定し、測定信号を
ヒータ制御回路１４及び成長室内圧力制御回路１５に送
り、ヒータ７の温度を制御して成長室内の高解離圧成分
の蒸気圧を調節するものである。
この装置は、液体封止剤４をるっぽ１の上方に設ける欠
点を有するものの、密閉成長室内の高解離圧成分蒸気の
圧力制御については、第２図の装置と同様の作用効果が
あり、高解離圧成分の抜けのないストイキオメトリツク
の単結晶を得ることができる。
点を有するものの、密閉成長室内の高解離圧成分蒸気の
圧力制御については、第２図の装置と同様の作用効果が
あり、高解離圧成分の抜けのないストイキオメトリツク
の単結晶を得ることができる。
（実施例１）
第１図の装置を用いてＣｄＴｅ単結晶の成長を行った。
直径３６ｎ＋ｍのｐＢＮ製るつぼに４００ｇのＣｄＴｅ
多結晶を入れ、ｐＢＮコートカーボンのサセプタとキャ
ップを用い、受け皿にはＢ、０３を収容して密閉成長室
を形成し、口径６０ｍｍの温度勾配炉を用いて結晶成長
させた。得られたＣｄＴｅ単結晶は、石英アンプルを用
いる従来装置で成長させたものと同様に優れた結晶性を
有していた。
多結晶を入れ、ｐＢＮコートカーボンのサセプタとキャ
ップを用い、受け皿にはＢ、０３を収容して密閉成長室
を形成し、口径６０ｍｍの温度勾配炉を用いて結晶成長
させた。得られたＣｄＴｅ単結晶は、石英アンプルを用
いる従来装置で成長させたものと同様に優れた結晶性を
有していた。
第４図の装置で、上記の装置と同様に直径３６ｍ＋ｍの
るつぼを使用するためには、口径８４１１１の炉が必要
になり、ヒータの出力も大幅に高める必要があり、かつ
、ヒータとるつぼとの間隔が広がるので、るつぼ内の温
度制御の精度も低下することを避けることはできない。
るつぼを使用するためには、口径８４１１１の炉が必要
になり、ヒータの出力も大幅に高める必要があり、かつ
、ヒータとるつぼとの間隔が広がるので、るつぼ内の温
度制御の精度も低下することを避けることはできない。
（実施例２）
第３図の装置を用いてＣｄＴｅ単結晶を成長させた。
直径３６ｍｍのｐＢＮ製るつぼにＣｄＴｅ多結晶原料４
００ｇを入れ、サセプタ下部の空間にＣｄを１０ｇを置
き、受け皿にＢ、０３を入れて、まず、炉内及び成長室
内を真空排気し、ヒータでＢ、０３を溶融してキャップ
の下端を溶融Ｂ、０．に浸漬させて成長室を密閉した。
００ｇを入れ、サセプタ下部の空間にＣｄを１０ｇを置
き、受け皿にＢ、０３を入れて、まず、炉内及び成長室
内を真空排気し、ヒータでＢ、０３を溶融してキャップ
の下端を溶融Ｂ、０．に浸漬させて成長室を密閉した。
次に、るつぼ底部の種結晶を溶融しないように低温に保
持し、かつ、サセプタ下部のＣｄの加熱温度を調節して
、成長室内のＣｄ蒸気圧を一定に保持するようにフィー
ドバックをかけ、原料を溶融してるつぼ内に温度勾配を
形成して、下軸を徐々に降ろして結晶成長を行った。
持し、かつ、サセプタ下部のＣｄの加熱温度を調節して
、成長室内のＣｄ蒸気圧を一定に保持するようにフィー
ドバックをかけ、原料を溶融してるつぼ内に温度勾配を
形成して、下軸を徐々に降ろして結晶成長を行った。
このような実験を繰り返したが、得られたＣｄＴｅ単結
晶の電気特性は再現性が良く、キャワア濃度が＜ １０
１ｓｃｔ＊−’で、比抵抗が＞１０’Ｑｃｔｘのｐ型半
導体を得ることができた。また、これらの特性は、半径
方向及び成長軸方向に均一であった。
晶の電気特性は再現性が良く、キャワア濃度が＜ １０
１ｓｃｔ＊−’で、比抵抗が＞１０’Ｑｃｔｘのｐ型半
導体を得ることができた。また、これらの特性は、半径
方向及び成長軸方向に均一であった。
（発明の効果）
本発明は、上記の構成を採用することによって、密閉性
に優れ、繰り返し使用可能な成長室を用いることができ
、かつ、口径の比較的小さな縦型温度勾配炉を使用する
ことができるので制御性を高めることができ、装置のコ
ストを大幅に低下させるとともに、高解離圧成分の抜け
もなく、液体封止剤蒸気による汚染もない、高品質の化
合物半導体結晶の製造を可能にした。
に優れ、繰り返し使用可能な成長室を用いることができ
、かつ、口径の比較的小さな縦型温度勾配炉を使用する
ことができるので制御性を高めることができ、装置のコ
ストを大幅に低下させるとともに、高解離圧成分の抜け
もなく、液体封止剤蒸気による汚染もない、高品質の化
合物半導体結晶の製造を可能にした。
第１図〜第３図は、本発明の具体例である化合物半導体
結晶製造装置の断面図であり、第４図は本発明者らが先
に提案した装置の断面図である。 第２図 ！３彊電対
結晶製造装置の断面図であり、第４図は本発明者らが先
に提案した装置の断面図である。 第２図 ！３彊電対
Claims (3)
- （１）縦型温度勾配炉の中に原料融液を収容するるつぼ
を配置し、下方より徐冷固化して単結晶を成長させる化
合物半導体単結晶の製造装置において、上記るつぼを支
持するサセプタを下軸の上端に取り付け、該サセプタの
下部周囲に液体封止剤を収容する受け皿を設け、上記る
つぼを覆うキャップの下端を該液体封止剤に浸漬させて
密閉型の成長室を形成したことを特徴とする化合物半導
体結晶の製造装置。 - （２）上記サセプタの下方に高解離正物質を置く空間を
確保し、該空間の温度を検出する手段を付設し、かつ、
該検出温度に応じて該空間温度を制御する手段を設ける
ことにより、密閉型成長室内を該揮発性物質の蒸気で所
定圧力に保持することを可能にしたことを特徴とする請
求項（１）記載の化合物半導体結晶の製造装置。 - （３）縦型温度勾配炉の中に原料融液を収容するるつぼ
を配置し、下方より徐冷固化して単結晶を成長させる化
合物半導体単結晶の製造装置において、上記るつぼを内
蔵するサセプタを下軸の上端に取り付け、該サセプタの
上端の周囲に液体封止剤を収容する受け皿を設け、該サ
セプタの上部を覆うキャップの下端を該液体封止剤に浸
漬させて密閉型の成長室を形成し、該サセプタの下方に
高解離圧物質を置く空間を確保し、該空間の温度を検出
する手段を付設し、かつ、該検出温度に応じて該空間温
度を制御する手段を設けることにより、密閉型成長室内
を該高解離圧物質の蒸気で所定圧力に保持することを可
能にしたことを特徴とする化合物半導体結晶の製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4445290A JP2830306B2 (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 化合物半導体結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4445290A JP2830306B2 (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 化合物半導体結晶の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03247582A true JPH03247582A (ja) | 1991-11-05 |
| JP2830306B2 JP2830306B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=12691882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4445290A Expired - Lifetime JP2830306B2 (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 化合物半導体結晶の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830306B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995033873A1 (fr) * | 1994-06-02 | 1995-12-14 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Procede et dispositif de production d'un monocristal macle |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP4445290A patent/JP2830306B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995033873A1 (fr) * | 1994-06-02 | 1995-12-14 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Procede et dispositif de production d'un monocristal macle |
| DE19580737C2 (de) * | 1994-06-02 | 2002-02-21 | Kobe Steel Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Verbindungs-Einkristallen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2830306B2 (ja) | 1998-12-02 |
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