KR890702082A - 실리콘 함유 네가티브 레지스트 재료 및 기판을 페터닝함에 있어서 이 재료의 사용방법 - Google Patents

실리콘 함유 네가티브 레지스트 재료 및 기판을 페터닝함에 있어서 이 재료의 사용방법

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KR890702082A
KR890702082A KR1019890700108A KR890700108A KR890702082A KR 890702082 A KR890702082 A KR 890702082A KR 1019890700108 A KR1019890700108 A KR 1019890700108A KR 890700108 A KR890700108 A KR 890700108A KR 890702082 A KR890702082 A KR 890702082A
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디아나 디. 그랜저
레로이 제이 밀러
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에이.더블유.카람벨라스
휴우즈 에어크라프트 캄파니
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Abstract

내용 없음

Description

실리콘 함유 네가티브 레지스트 재료 및 기판을 페터닝함에 있어서 이 재료의 사용방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 기판상의 이층 패터닝계의 측면도이다. 제2도는 패터닝계의 피착 및 네가티브 레지스트 정부층을 갖는 제1도와 이층 패터닝계를 사용하는 기판의 패터닝을 설명하는 도해식 공정도이다.

Claims (14)

  1. 적어도 1개의 트리메틸실록시실릴기를 갖는 실리콘 함유 알킬 메타크릴레이트와 할로겐화 스티렌의 공중합체로 반드시 구성되는 것을 특징으로 하는 중합체 레지스트 재료.
  2. 제1항에 있어서, 적어도 1개의 트리메틸실록실릴기를 갖는 실리콘 함유알킬 메타크릴레이트가 3개의 트리메틸실록시기를 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
  3. 제1항에 있어서, 적어도 1개의 트리메틸실록시실릴기를 갖는 실리콘 함유 알킬 메타크릴레이트가 3-메타크릴로일옥시프로필 트리스(트리메틸실록시)실란임을 특징으로 하는 레지스트 재료.
  4. 제1항에 있어서, 할로겐화 스티렌이 4-클로로스티렌, 4-브로모스티렌, 4-요오도스티렌, 3-클로로메틸스티렌, 4-클로로메틸스티렌, 3-클로로스티렌, 3, 4-디클로로스티렌 및 이들의 혼합물로 되는 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
  5. 제1항에 있어서, 할로겐화 스티렌 대 아릴 메타크릴레이트의 몰비가 할로겐화 스티렌 약 0.1-9몰 대 알킬 메타크릴레이트 1몰인 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
  6. 3-메타크릴로일옥시프로필트리스(트리메틸실록시)실란과 할로겐화 스티렌의 공중합체로 반드시 구성되는 것을 특징으로 하는 중합체 레지스트 재료.
  7. 기판 위에 놓이는 중합체 레지스트 재료의 정부층을 형성하고(여기서, 중합체 레지스트 재료는 적어도 1개의 트리메틸실록시실릴기를 갖는 실리콘 함유 알킬 메타크릴레이트와 할로겐화 스티렌의 공중합체로 반등시 구성됨), 중합체 레지스트 재료 정부층에 패턴을 조사시키고, 패터닝시킨 레지스트 정부층을 현상시켜서 상기 조사단계에서 조사되지 않은 중합체 레지스트 정부층의 부분을 제거시키는 단계로 되는 것을 특징으로 하는 기판을 네가티브 레지스트로 패터닝시키는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 적어도 1개의 트리메틸실록시실릴기를 갖는 실리콘 함유 알킬 메타크릴레이트가 3개의 트리메틸실록시기를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제7항에 있어서, 적어도 1개의 트리메틸실록시실릴기를 갖는 실리콘 함유 알킬 메타크릴레이트가 3-메타크릴로일옥시프로필트리스(트리메틸실록시)실란임을 특징으로 하는 방법.
  10. 제7항에 있어서, 할로겐화 스티렌이 4-클로로스티렌, 4-브로모스티렌, 4-요오도스티렌, 3-클로로메틸스티렌, 4-클로로메틸스티렌, 3-클로로스티렌, 3, 4-디클로로스티렌 및 이들의 혼합물로 되는 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 조사 단계 중에 사용된 방사선이 전자 빔 방사선인 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 조사 단계 중에 사용된 방사선이 이온 빔 방사선인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제7항에 있어서, 중합체 레지스트 재료의 정부층을 형성하는 단계전에, 기판 위에 놓이는 유기 중합체 재료의 바닥층을 형성해서 유기 중합체 레지스트 재료의 정부층이 중합체 재료의 바닥층 위에 형성되는 추가 단계를 포함하는 방법.
  14. 제7항에 있어서, 현상 단계후에, 비조사된 패턴 밑에 놓이지 않는 유기 중합체 재료의 부분을 산소를 사용하는 반응성 이온 에칭에 의해 제거시키는 부가적인 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890700108A 1987-05-21 1988-04-13 실리콘 함유 네가티브 레지스트 재료 및 기판을 패터닝함에 있어서 이 재료의 사용방법 KR910005881B1 (ko)

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US53,217 1987-05-21
US053,217 1987-05-21
PCT/US1988/001162 WO1988009527A2 (en) 1987-05-21 1988-04-13 Silicon-containing negative resist material, and process for its use in patterning substrates

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EP0334906B1 (en) 1993-09-15
EP0334906A1 (en) 1989-10-04
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DE3884188D1 (de) 1993-10-21
WO1988009527A2 (en) 1988-12-01

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