JPS61151530A - 電子線レジスト材料組成物 - Google Patents
電子線レジスト材料組成物Info
- Publication number
- JPS61151530A JPS61151530A JP27329784A JP27329784A JPS61151530A JP S61151530 A JPS61151530 A JP S61151530A JP 27329784 A JP27329784 A JP 27329784A JP 27329784 A JP27329784 A JP 27329784A JP S61151530 A JPS61151530 A JP S61151530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copolymer
- electron beam
- resist
- methacryloyloxy
- resist material
- Prior art date
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子線レジスト材料組成物に関する。さらに
詳しく言えば、本発明は、半導体集積回路等の製造に適
用される微細なパターンの形成に適するネガ型電子線レ
ジスト材料組成物に関するものである。半導体集積回路
の微細化が進む今日、回路ノにターンを形成するだめの
リソグラフィー技術として、従来のフォトリソグラフィ
ーに加え、より波長が短かく、解像度に優れた光源を利
用した、Ｄｅｅｐ ＵＶ ＩＪソゲラフイー、電子線リ
ソグラフィー、Ｘ線リソグラフィーが注目されている。
詳しく言えば、本発明は、半導体集積回路等の製造に適
用される微細なパターンの形成に適するネガ型電子線レ
ジスト材料組成物に関するものである。半導体集積回路
の微細化が進む今日、回路ノにターンを形成するだめの
リソグラフィー技術として、従来のフォトリソグラフィ
ーに加え、より波長が短かく、解像度に優れた光源を利
用した、Ｄｅｅｐ ＵＶ ＩＪソゲラフイー、電子線リ
ソグラフィー、Ｘ線リソグラフィーが注目されている。
中でも、電子線リングラフイーは、マスターマスクの製
作やカスタムＬＳ１、の製作に有利なため、半導体製造
工程において次第に普及されつつある。
作やカスタムＬＳ１、の製作に有利なため、半導体製造
工程において次第に普及されつつある。
この電子線リソグラフィーに使用されるレジスト材料と
しては、従来ネガ型のものとしては、ポリグリシジルメ
タクリレート（以下ＰＧＭＡと略記する）、ポジ型のも
のとしてはポリメチルメタクリレート（以下ＰＭＭＡと
略記する）等が広く利用されてきた。しかしＰＧＭＡを
用いた場合は、高感度であるが、解像度が低く、また近
年半導体製造工程において広く用いられているドライエ
ツチングに対する耐性が弱いという欠点があった。また
、ＰＭＭＡを用いた場合においても、高解像度であるが
低感度で、ＰＧＭＡの場合と同様に耐ドライエツチング
性が乏しいという問題点があった。このため、高感度、
高解像度でかつドライエツチングに対する耐性の優れた
レジスト材料が求められていた。
しては、従来ネガ型のものとしては、ポリグリシジルメ
タクリレート（以下ＰＧＭＡと略記する）、ポジ型のも
のとしてはポリメチルメタクリレート（以下ＰＭＭＡと
略記する）等が広く利用されてきた。しかしＰＧＭＡを
用いた場合は、高感度であるが、解像度が低く、また近
年半導体製造工程において広く用いられているドライエ
ツチングに対する耐性が弱いという欠点があった。また
、ＰＭＭＡを用いた場合においても、高解像度であるが
低感度で、ＰＧＭＡの場合と同様に耐ドライエツチング
性が乏しいという問題点があった。このため、高感度、
高解像度でかつドライエツチングに対する耐性の優れた
レジスト材料が求められていた。
そしてこれらの条件を満たすレジスト材料の開発におい
て、例えばクロルメチル化ポリスチレン（ＣＭ８ ）が
、耐ドライエツチング性の良好なレジスト材料として開
発されたが、この場合においても、実際の製造プロセス
において被加工物が段差を有する場合、その段差を平坦
化するため膜厚の厚いレジスト層が必要となり、膜厚が
増大するにつれ解像度が低下するという問題があった。
て、例えばクロルメチル化ポリスチレン（ＣＭ８ ）が
、耐ドライエツチング性の良好なレジスト材料として開
発されたが、この場合においても、実際の製造プロセス
において被加工物が段差を有する場合、その段差を平坦
化するため膜厚の厚いレジスト層が必要となり、膜厚が
増大するにつれ解像度が低下するという問題があった。
また電子線照射においてしばしば問題となる後方散乱の
影響を避けるため膜厚の厚いレジスト層が必要な場合、
解像度が低下するという問題があった。そこでこれらの
問題点を解決する方法として多層レジスト法が提案され
ている。
影響を避けるため膜厚の厚いレジスト層が必要な場合、
解像度が低下するという問題があった。そこでこれらの
問題点を解決する方法として多層レジスト法が提案され
ている。
多層レジスト法とは、例えば三層構造の場合、第一層と
して基盤の平坦化及び後方散乱を避ける目的で膜厚の厚
い有機層を形成した後、中間層に耐イオンエツチング性
に優れた材料であるシリコン酸化膜や窒化膜シリコン膜
の様な無機物層を形成する。そして上層に膜厚の薄い電
子線レジストをスピンコードする。電子線照射後、上層
レジストを現像し、得られたレジスト・クターンをマス
クとして中間層をドライエツチングにより加工し、さら
に、中間層をマスクとして第一層の厚い有機層を反応性
イオンエツチングにより加工するという方法である。こ
の様に三層構造の場合、基盤の平坦化及び後方散乱の回
避を達成できるとともにパターン形成用のレジスト層を
薄膜化することが、できるため高解像度の、Ｑターンが
得られ、かつ膜厚の厚い有機層を異方性エツチングであ
る反応性イオンエツチングにより加工するためアス啄り
ト比の・高い極めて高解像度の微細加工が達成できる。
して基盤の平坦化及び後方散乱を避ける目的で膜厚の厚
い有機層を形成した後、中間層に耐イオンエツチング性
に優れた材料であるシリコン酸化膜や窒化膜シリコン膜
の様な無機物層を形成する。そして上層に膜厚の薄い電
子線レジストをスピンコードする。電子線照射後、上層
レジストを現像し、得られたレジスト・クターンをマス
クとして中間層をドライエツチングにより加工し、さら
に、中間層をマスクとして第一層の厚い有機層を反応性
イオンエツチングにより加工するという方法である。こ
の様に三層構造の場合、基盤の平坦化及び後方散乱の回
避を達成できるとともにパターン形成用のレジスト層を
薄膜化することが、できるため高解像度の、Ｑターンが
得られ、かつ膜厚の厚い有機層を異方性エツチングであ
る反応性イオンエツチングにより加工するためアス啄り
ト比の・高い極めて高解像度の微細加工が達成できる。
しかしながら、このような３層構造の場合、中間層の無
機物層を蒸着などにより形成する必要があり、工程が複
雑でかつ長くなるという欠点があった。
機物層を蒸着などにより形成する必要があり、工程が複
雑でかつ長くなるという欠点があった。
そこで工程を簡略化する事を目的として３層レジスト法
における中間層と上層レジストの役目を一層で果たすレ
ジスト材料つまり、電子線に対し高感度でかつ反応性イ
オンエツチングに対し極めて耐性のあるレジスト材料を
用いた二層構造レジストが提案されるに至った。
における中間層と上層レジストの役目を一層で果たすレ
ジスト材料つまり、電子線に対し高感度でかつ反応性イ
オンエツチングに対し極めて耐性のあるレジスト材料を
用いた二層構造レジストが提案されるに至った。
シリコン原子をポリマー構造中に含む１．ｔ？ ＩＪジ
メチルシロキサンは反応性イオンエツチング時のエッチ
レートがほとんどゼロであり、２層レジスト法の上層レ
ジストとして使用し得ることが知られている。しかし、
ポリジメチルシロキサンの場合、ネガ型レジストとして
の感度、解像度が低いという問題があった。
メチルシロキサンは反応性イオンエツチング時のエッチ
レートがほとんどゼロであり、２層レジスト法の上層レ
ジストとして使用し得ることが知られている。しかし、
ポリジメチルシロキサンの場合、ネガ型レジストとして
の感度、解像度が低いという問題があった。
本発明者らは、反応性イオンエツチングに対する耐性を
向上させるため、シリコン原子をポリマー構造中に含み
、二層レジストの上層として使用可能で高感度、かつ高
解像度なネガ型電子線レジスト材料を得るべく、検討し
た結果メタクリロイルオキシアルキルペンタメチルジシ
ロキサンのホモポリマー又はコポリマーが高感度かつ高
解像度なネガ型電子線レジスト材料となることを見出し
本発明を達成するに至った。
向上させるため、シリコン原子をポリマー構造中に含み
、二層レジストの上層として使用可能で高感度、かつ高
解像度なネガ型電子線レジスト材料を得るべく、検討し
た結果メタクリロイルオキシアルキルペンタメチルジシ
ロキサンのホモポリマー又はコポリマーが高感度かつ高
解像度なネガ型電子線レジスト材料となることを見出し
本発明を達成するに至った。
すなわち、本発明は、高感度で高精度のパターンを容易
に形成しうる新規なネガ型電子線レジスト材料を提供す
るものである。
に形成しうる新規なネガ型電子線レジスト材料を提供す
るものである。
本発明によシ、単位構造が、一般式、
ＣＨ３
（−ＣＨ２−Ｃ−）−
■
Ｃ＝０
（ＣＨ２）Ｘ
Ｈ３Ｃ−８ｉ−ＣＨ３
Ｈ３Ｃ−８１−ＣＨ３
ＣＨ３
（式中、Ｘは３又は４の整数である）
で表わされる構造のメタクリロイルオキシアルキルペン
タメチルジシロキサンのホモポリマー又はコポリマーか
らなることを特徴とするネガ型電子線レジスト材料組成
物が提供される。
タメチルジシロキサンのホモポリマー又はコポリマーか
らなることを特徴とするネガ型電子線レジスト材料組成
物が提供される。
以下に本発明の詳細な説明する。本発明においては、前
掲の一般式で表わされる単位構造を有するメタクリロイ
ルオキシアルキルペンタメチルジシロキサンのホモ、ｆ
５１Ｊマー又はコポリマーを、ネガ型電子線レジスト材
料組成物として使用するものであるが、このメタクリロ
イルオキシアルキルペンタメチルジシロキサンのホモポ
リマーは、例えば、メタクリロイルオキシアルキルペン
タメチルジシロキサンヲＤＭＦ 中、アゾビスイソブチ
ロニトリルを重合開始剤として用い、ラジカル重合を行
なうことにより合成することができる。また、コポリマ
ーについても、例エバ、スチレン、クロルスチレン、ク
ロルメチルスチレン又はグリシジルメタクリレートとの
コ、Ｎ ＩＪママ−、上記と同様な方法で合成すること
ができる。そして、メタクリロイルオキシアルキル滅ン
タメチルジシロキサンとクロルメチルスチレンとのコポ
リマーにおける塩素原子をアンド化する方法としては例
えば、ＤＭＦ溶液中、アジ化ソーダと反応させることに
より合成することができる。
掲の一般式で表わされる単位構造を有するメタクリロイ
ルオキシアルキルペンタメチルジシロキサンのホモ、ｆ
５１Ｊマー又はコポリマーを、ネガ型電子線レジスト材
料組成物として使用するものであるが、このメタクリロ
イルオキシアルキルペンタメチルジシロキサンのホモポ
リマーは、例えば、メタクリロイルオキシアルキルペン
タメチルジシロキサンヲＤＭＦ 中、アゾビスイソブチ
ロニトリルを重合開始剤として用い、ラジカル重合を行
なうことにより合成することができる。また、コポリマ
ーについても、例エバ、スチレン、クロルスチレン、ク
ロルメチルスチレン又はグリシジルメタクリレートとの
コ、Ｎ ＩＪママ−、上記と同様な方法で合成すること
ができる。そして、メタクリロイルオキシアルキル滅ン
タメチルジシロキサンとクロルメチルスチレンとのコポ
リマーにおける塩素原子をアンド化する方法としては例
えば、ＤＭＦ溶液中、アジ化ソーダと反応させることに
より合成することができる。
本発明のレジスト材料組成物を使用する場合はＳｌや５
１０２の基盤上に本発明のレジスト材料組成物をスピン
コードし、加熱乾燥後、所望のパターンを電子線照射し
、適当な現像液、例えばトルエンなどで現像し適当なリ
ンス液、例えばイソプロピルアルコールなどでリンスを
行なうことによりレジストパターンを形成することがで
きる。得られたレジストパターンは、これをマスクに基
盤をエツチングすることにより高精度な微細加工を達成
することができる。また、本発明のレジスト材料組成物
は、反応性イオンエツチングのマスク材料としても良好
に作用するため、下層に厚い有機層を、また、上層に本
発明材料組成物によるレジスト膜を形成し上層をパター
ニングした後、反応性イオンエツチングにより高精度な
有機層の／ξターニングを可能とする二層レジスト法に
も適用することができる。
１０２の基盤上に本発明のレジスト材料組成物をスピン
コードし、加熱乾燥後、所望のパターンを電子線照射し
、適当な現像液、例えばトルエンなどで現像し適当なリ
ンス液、例えばイソプロピルアルコールなどでリンスを
行なうことによりレジストパターンを形成することがで
きる。得られたレジストパターンは、これをマスクに基
盤をエツチングすることにより高精度な微細加工を達成
することができる。また、本発明のレジスト材料組成物
は、反応性イオンエツチングのマスク材料としても良好
に作用するため、下層に厚い有機層を、また、上層に本
発明材料組成物によるレジスト膜を形成し上層をパター
ニングした後、反応性イオンエツチングにより高精度な
有機層の／ξターニングを可能とする二層レジスト法に
も適用することができる。
本発明のレジスト材料組成物は、従来使用されていた。
ｆｆ ＩＪジメチルシロキサン等に比べ、高感度の製品
が得られるが、コポリマーの場合はさらに解像度の目安
となるγ値も飛躍的に向上する。また、ポリジメチルシ
ロキサンが常温で液状であることから生じる取り扱いの
困難さについても本発明に係る材料組成物においては、
その問題は、皆無である。そして、本発明のレジスト材
料組成物は二層レジスト法の上層レジストとしても使用
できるため、二層レジスト法の特徴である基盤からの電
子の後方散乱、段差、Ｑターンの影響の除去、上層の薄
膜化による高解像度性など通常のネガ型電子線レジスト
と比べ優れた特性が得られるなど多くの利点を有する。
が得られるが、コポリマーの場合はさらに解像度の目安
となるγ値も飛躍的に向上する。また、ポリジメチルシ
ロキサンが常温で液状であることから生じる取り扱いの
困難さについても本発明に係る材料組成物においては、
その問題は、皆無である。そして、本発明のレジスト材
料組成物は二層レジスト法の上層レジストとしても使用
できるため、二層レジスト法の特徴である基盤からの電
子の後方散乱、段差、Ｑターンの影響の除去、上層の薄
膜化による高解像度性など通常のネガ型電子線レジスト
と比べ優れた特性が得られるなど多くの利点を有する。
以下に、本発明のレジスト材料組成物の成分物質の合成
例及び実用例を掲げて本発明をさらに詳細に説明するが
、本発明は、これらの例によって特定されるものではな
い。
例及び実用例を掲げて本発明をさらに詳細に説明するが
、本発明は、これらの例によって特定されるものではな
い。
合成例１
四ツロフラスコに〔４−（メタクリロイルオキシ）ブチ
ル〕ペンタメチルジシロキサン２９．７２１アゾビスイ
ソブチロニトリル０．０５４ ｆ 、 Ｎ、Ｎ’−ジメ
チルホルムアミド２０．１ ｔを入れチッ素雰囲気下９
５°Ｃで謳分間重合反応を行なう。反応終了後、トルエ
ン２００１Ｌｌを反応液に添加し、反応液を水冷メタノ
ール１５００ｉＪ中に滴下しポリマーを析出させる。析
出したポリマーを分離し、６０゛Ｃのオーブンで冴時間
乾燥させる。この様にして得られたポリ〔４−（メタク
リロイルオキシ）ブチル〕ペンタメチルジシロキサンの
ゲル・ノＱ−ミエーションクロマトグラフイーによる重
量平均分子量の測定結果は、１．ｌＸ１０’であった。
ル〕ペンタメチルジシロキサン２９．７２１アゾビスイ
ソブチロニトリル０．０５４ ｆ 、 Ｎ、Ｎ’−ジメ
チルホルムアミド２０．１ ｔを入れチッ素雰囲気下９
５°Ｃで謳分間重合反応を行なう。反応終了後、トルエ
ン２００１Ｌｌを反応液に添加し、反応液を水冷メタノ
ール１５００ｉＪ中に滴下しポリマーを析出させる。析
出したポリマーを分離し、６０゛Ｃのオーブンで冴時間
乾燥させる。この様にして得られたポリ〔４−（メタク
リロイルオキシ）ブチル〕ペンタメチルジシロキサンの
ゲル・ノＱ−ミエーションクロマトグラフイーによる重
量平均分子量の測定結果は、１．ｌＸ１０’であった。
合成例２
の合成
四ツロフラスコに［：４−（メタクリロイルオキシ）ブ
チル〕ペンタメチルジシロキサン５ｔ、スチレン３．６
ｆ、アゾビスイソブチロニトリル０．０２５７ ｆ、
Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド１８．４ ｔを入れチ
ッ素雰囲気下９５°Ｃであ分間重合反応を行なう。反応
終了後トルエフ ５０ ｙｔｌを反応液に添加し、反応
液を水冷メタノール４００ｄ中に滴下しポリマーを析出
させる。析出したポリマーを分離しω°Ｃのオーブンで
冴時間乾燥させる。この様にして得られた〔４−（メタ
クリロイルオキシ）ブチル〕ペンタメチルジシロキサン
とスチレンとの共重合体のゲル・１２−ミエーションク
ロマトグラフィーによる重量平均分子量の測定結果は、
３．４Ｘ１０’であった。またこのｚ ＩＪママ−共重
合組成比は、〔４−（メタクリロイルオキシ）ブチル〕
ペンタメチルジシロキサン４２ｍｏ１％スチレン５８
ｍ０１％であった。
チル〕ペンタメチルジシロキサン５ｔ、スチレン３．６
ｆ、アゾビスイソブチロニトリル０．０２５７ ｆ、
Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド１８．４ ｔを入れチ
ッ素雰囲気下９５°Ｃであ分間重合反応を行なう。反応
終了後トルエフ ５０ ｙｔｌを反応液に添加し、反応
液を水冷メタノール４００ｄ中に滴下しポリマーを析出
させる。析出したポリマーを分離しω°Ｃのオーブンで
冴時間乾燥させる。この様にして得られた〔４−（メタ
クリロイルオキシ）ブチル〕ペンタメチルジシロキサン
とスチレンとの共重合体のゲル・１２−ミエーションク
ロマトグラフィーによる重量平均分子量の測定結果は、
３．４Ｘ１０’であった。またこのｚ ＩＪママ−共重
合組成比は、〔４−（メタクリロイルオキシ）ブチル〕
ペンタメチルジシロキサン４２ｍｏ１％スチレン５８
ｍ０１％であった。
合成例３
四ツロフラスコに（４−（メタクリロイルオキシ）ブチ
ル〕ペンタメチルジシロキサン５７、クロルスチレン１
．２Ｆ、アゾビスインブチロニトリル０．σ１２９ｔ、
Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド１８．４ｆを入れチ
ッ素雰囲気下９５°Ｃでお分間１合反応を行なう。反応
終了後トルエン５０１！Ｌｅを反応液に添加し、反応液
を水冷メタノール４００ｙｔｌ中に滴下しポリマーを析
出させる。析出したポリマーを分離し印°Ｃのオーブン
でか時間乾燥させる。この様にして得られた〔４−（メ
タクリロイルオキシ）ブチル〕滅ンタメチルジシロキサ
ンとクロルスチレンとの共重合体のゲル・７で−ミエー
ションクロマトグラフイーによる重量平均分子量の測定
結果は、３．８Ｘ１０’であった。またこのポリマーの
共１合組成比は、〔４−（メタクリロイルオキシ）ブチ
ル〕ペンタメチルジシロキサン５１ ｍｏｌ ％クロル
スチレン４９ｍｏ１％であった。
ル〕ペンタメチルジシロキサン５７、クロルスチレン１
．２Ｆ、アゾビスインブチロニトリル０．σ１２９ｔ、
Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド１８．４ｆを入れチ
ッ素雰囲気下９５°Ｃでお分間１合反応を行なう。反応
終了後トルエン５０１！Ｌｅを反応液に添加し、反応液
を水冷メタノール４００ｙｔｌ中に滴下しポリマーを析
出させる。析出したポリマーを分離し印°Ｃのオーブン
でか時間乾燥させる。この様にして得られた〔４−（メ
タクリロイルオキシ）ブチル〕滅ンタメチルジシロキサ
ンとクロルスチレンとの共重合体のゲル・７で−ミエー
ションクロマトグラフイーによる重量平均分子量の測定
結果は、３．８Ｘ１０’であった。またこのポリマーの
共１合組成比は、〔４−（メタクリロイルオキシ）ブチ
ル〕ペンタメチルジシロキサン５１ ｍｏｌ ％クロル
スチレン４９ｍｏ１％であった。
合成例４
四ツロフラスコにＣ４−Ｃメタクリロイルオキシ）ブチ
ル〕はメタメチルジシロキサン５ ｆ。
ル〕はメタメチルジシロキサン５ ｆ。
クロルメチルスチレン１．３ｆ１アゾビスイソブチロニ
トリル０．０１２９ｔ、 Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムア
ミド１８．４ ｆを入れチッ素雰囲気下９５°Ｃであ分
間重合反応を行なう。反応終了後トルエン５０ ｍｌ！
を反応液に添加し、反応液を水冷メタノール４００ｄ中
に滴下しポリマーを析出させる。析出したポリマーを分
離しω°Ｃのオーブンで２４時間乾燥させる。この様に
して得られた〔４−（メタ”クリロイルオキシ）ブチル
〕ペンタメチルジシロキサンとクロルメチルスチレンと
の共重合体のゲル・ＩＱ−ミエーション・クロマトグラ
フィーによる重量平均分子量の測定結果は４．２×１０
４であった。またこのポリマーの共重合組成比は、〔４
−（メタクリロイルオキシ）ブチル〕滅ンタメチルジシ
ロキサン５５ｍ０１％クロルメチルスチレン４４ ｍｏ
ｌチであった。
トリル０．０１２９ｔ、 Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムア
ミド１８．４ ｆを入れチッ素雰囲気下９５°Ｃであ分
間重合反応を行なう。反応終了後トルエン５０ ｍｌ！
を反応液に添加し、反応液を水冷メタノール４００ｄ中
に滴下しポリマーを析出させる。析出したポリマーを分
離しω°Ｃのオーブンで２４時間乾燥させる。この様に
して得られた〔４−（メタ”クリロイルオキシ）ブチル
〕ペンタメチルジシロキサンとクロルメチルスチレンと
の共重合体のゲル・ＩＱ−ミエーション・クロマトグラ
フィーによる重量平均分子量の測定結果は４．２×１０
４であった。またこのポリマーの共重合組成比は、〔４
−（メタクリロイルオキシ）ブチル〕滅ンタメチルジシ
ロキサン５５ｍ０１％クロルメチルスチレン４４ ｍｏ
ｌチであった。
合成例５
四ツロフラスコに〔４−（メタクリロイルオキシ）ブチ
ル〕ペンタメチルジシロキサン５ｆ、グリシジルメタク
リレ−） ４．７５７ ？、アゾビスインブチロニトリ
ル０．０１７１？、 Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド
１８．４ｒを入れ、窒素雰囲気下９５°Ｃで３５分間重
合反応を行なう。反応終了後、反応液を水冷メタノール
１５０ ｄ中に滴下し、ｔｅ ＩＪママ−析出させる。
ル〕ペンタメチルジシロキサン５ｆ、グリシジルメタク
リレ−） ４．７５７ ？、アゾビスインブチロニトリ
ル０．０１７１？、 Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド
１８．４ｒを入れ、窒素雰囲気下９５°Ｃで３５分間重
合反応を行なう。反応終了後、反応液を水冷メタノール
１５０ ｄ中に滴下し、ｔｅ ＩＪママ−析出させる。
析出したポリマーを分離し印°ＣのオーブンでＵ時間乾
燥させる。この様にして得られた〔４−（メタクリロイ
ルオキシ）ブチル〕ペンタメチルジシロキサンとグリシ
ジルメタクリレートとの共重合体のゲル・パーミェーシ
ョン・クロマトグラフィーによる重量平均分子量の測定
結果は、５．９ｘｌＯ’であった。
燥させる。この様にして得られた〔４−（メタクリロイ
ルオキシ）ブチル〕ペンタメチルジシロキサンとグリシ
ジルメタクリレートとの共重合体のゲル・パーミェーシ
ョン・クロマトグラフィーによる重量平均分子量の測定
結果は、５．９ｘｌＯ’であった。
合成例６
四ツ−フラスコに〔３−（メタクリロイルオキシ）フロ
ビル〕ヘンタメチルジシロキサン４．７５７５’、クロ
ルスチレン１．２］１、アゾビスイノブチロニトリル０
．０１２９ ｆ、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド１８
．１’を入れ窒素雰囲気下、９５°Ｃであ分間重合反応
を行なう。反応終了後、反応液を水冷メタノール１５０
ｍＪ中に滴下しポリマーを析出させる。析出したポリマ
ーを分離し、ω゛Ｃのオーブンでｕ時間乾燥させる。こ
の様にして得られた〔３−（メタクリロイルオキシ）プ
ロピル〕啄ンタメチルジシロキサンとクロルスチレンと
の共１合体のゲル・パーミェーション・クロマトグラフ
ィーによる重量平均分子量の測定結果は、３．ｌＸ１０
’であった。またこのポリマーの共１合組成比は、〔３
−（メタクリロイルオキシ）フロピル〕滅ンタメチルジ
シロキサン６２ｍｏ１％クロルスチレン３８ ｍｏｌ
％であった。
ビル〕ヘンタメチルジシロキサン４．７５７５’、クロ
ルスチレン１．２］１、アゾビスイノブチロニトリル０
．０１２９ ｆ、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド１８
．１’を入れ窒素雰囲気下、９５°Ｃであ分間重合反応
を行なう。反応終了後、反応液を水冷メタノール１５０
ｍＪ中に滴下しポリマーを析出させる。析出したポリマ
ーを分離し、ω゛Ｃのオーブンでｕ時間乾燥させる。こ
の様にして得られた〔３−（メタクリロイルオキシ）プ
ロピル〕啄ンタメチルジシロキサンとクロルスチレンと
の共１合体のゲル・パーミェーション・クロマトグラフ
ィーによる重量平均分子量の測定結果は、３．ｌＸ１０
’であった。またこのポリマーの共１合組成比は、〔３
−（メタクリロイルオキシ）フロピル〕滅ンタメチルジ
シロキサン６２ｍｏ１％クロルスチレン３８ ｍｏｌ
％であった。
合成例７
四ツ−フラスコに〔３−（メタクリロイルオキシ）フロ
ビル〕ヘンタメチルジシロキサン４．７５７ ｔ、クロ
ルメチルスチレン１．３：ｌ、アゾビスイソブチロニト
リル０．０１２９ ｔ、Ｎ 、 Ｎ’−ジメチルホルム
アミド１８．４ｆを入れ窒素雰囲気下、９５°Ｃで３５
分間、重合反応を行なう。反応終了後、反応液を水冷メ
タノール１５０−中に滴下しポリマーを析出させる。析
出したポリマーを分離しデシケータ−中で冴時間減圧乾
燥させる。この様にして得られた〔３−（メタクリロイ
ルオキシ）プロピル〕ぼンタメチルジシロキサンとクロ
ルメチルスチレンとの共重合体のゲル・パーミェーショ
ンクロマトグラフィーによる重量平均分子量の測定結果
は、５．３Ｘ１０’であった。またこのポリマーの共重
合組成比は、〔３−（メタクリロイルオキシ）プロピル
〕ペンタメチルジシロキサン６２ ｍｏ１％クロルメチ
ルスチレンあｍｏ１％であった。
ビル〕ヘンタメチルジシロキサン４．７５７ ｔ、クロ
ルメチルスチレン１．３：ｌ、アゾビスイソブチロニト
リル０．０１２９ ｔ、Ｎ 、 Ｎ’−ジメチルホルム
アミド１８．４ｆを入れ窒素雰囲気下、９５°Ｃで３５
分間、重合反応を行なう。反応終了後、反応液を水冷メ
タノール１５０−中に滴下しポリマーを析出させる。析
出したポリマーを分離しデシケータ−中で冴時間減圧乾
燥させる。この様にして得られた〔３−（メタクリロイ
ルオキシ）プロピル〕ぼンタメチルジシロキサンとクロ
ルメチルスチレンとの共重合体のゲル・パーミェーショ
ンクロマトグラフィーによる重量平均分子量の測定結果
は、５．３Ｘ１０’であった。またこのポリマーの共重
合組成比は、〔３−（メタクリロイルオキシ）プロピル
〕ペンタメチルジシロキサン６２ ｍｏ１％クロルメチ
ルスチレンあｍｏ１％であった。
合成例８
四ツ−フラスコに（３−（メタクリロイルオキシ）プロ
ピル〕ペンタメチルジシロキサン４．７５７ ？、グリ
シジルメタクリレート２．４８８ ｆ、アゾビスイソブ
チロニトリル０．０１７１ｆ、 Ｎ、Ｎ’−ジメチルホ
ルムアミド１８．４？を入れ窒素雰囲気下、９５°Ｃで
あ分間、重合反応を行なう。反応終了後、反応液を水冷
メタノール１５０ ｄ中に滴下しポリマーを析出させる
。析出したポリマーを分離し６０”Ｃのオーブンで、冴
時間、乾燥させる。
ピル〕ペンタメチルジシロキサン４．７５７ ？、グリ
シジルメタクリレート２．４８８ ｆ、アゾビスイソブ
チロニトリル０．０１７１ｆ、 Ｎ、Ｎ’−ジメチルホ
ルムアミド１８．４？を入れ窒素雰囲気下、９５°Ｃで
あ分間、重合反応を行なう。反応終了後、反応液を水冷
メタノール１５０ ｄ中に滴下しポリマーを析出させる
。析出したポリマーを分離し６０”Ｃのオーブンで、冴
時間、乾燥させる。
この様にして得られた〔３−（メタクリロイルオキシ）
プロピル〕ペンタメチルジシロキサンとグリシジルメタ
クリレートとの共重合体のゲル・ノｑ−ミエーション・
クロマトグラフィーニよる重量平均分子量の測定結果は
６．４Ｘ１０’であった。
プロピル〕ペンタメチルジシロキサンとグリシジルメタ
クリレートとの共重合体のゲル・ノｑ−ミエーション・
クロマトグラフィーニよる重量平均分子量の測定結果は
６．４Ｘ１０’であった。
実施例１
合成例１において合成したポＩＪＣ４−（メタクリロイ
ルオキシ）ブチル〕啄ンタメチルジシロキサンをトルエ
ンに溶解し１５ Ｗｔ ％溶液とした。
ルオキシ）ブチル〕啄ンタメチルジシロキサンをトルエ
ンに溶解し１５ Ｗｔ ％溶液とした。
次にスピンコード法により８ｉ０２基盤上に０．５μｍ
となる様この溶液を塗布した。１００°Ｃのオーブン中
１５分間、プリベーキングを行ない加速電圧１５ＫＶの
電子麿照射装置内で電子線照射後トルエンで現像しイソ
プロピルアルコールでリンスジたところ、サブミクロン
パターンが得られた。
となる様この溶液を塗布した。１００°Ｃのオーブン中
１５分間、プリベーキングを行ない加速電圧１５ＫＶの
電子麿照射装置内で電子線照射後トルエンで現像しイソ
プロピルアルコールでリンスジたところ、サブミクロン
パターンが得られた。
なお、５０係残膜率となる時の感度は、１４μｃ／ｃｒ
ｎ２であった。
ｎ２であった。
実施例２
合成例２において合成した〔４−（メタクリロイルオキ
シ）ブチル〕ペンタメチルジシロキサンとスチレンとの
共重合体を実施例１と同様の方法でパターニングしたと
ころサブミクロン・Ｒターンが得られた。なお、５０％
残膜率となる時の感度は、３５μＣ／Ｃｒｎ２であった
。
シ）ブチル〕ペンタメチルジシロキサンとスチレンとの
共重合体を実施例１と同様の方法でパターニングしたと
ころサブミクロン・Ｒターンが得られた。なお、５０％
残膜率となる時の感度は、３５μＣ／Ｃｒｎ２であった
。
実施例３
合成例３において合成した〔４−（メタクリロイルオキ
シ）ブチル〕滅ンタメチルジシロキサンとクロルスチレ
ンとの共重合体を実施例１と同様の方法でパターニング
したところ、サブミクロンパターンが得られた。なお、
５０％残膜率となる時の感度は８μＣ／ｅｒｒ？であっ
た。
シ）ブチル〕滅ンタメチルジシロキサンとクロルスチレ
ンとの共重合体を実施例１と同様の方法でパターニング
したところ、サブミクロンパターンが得られた。なお、
５０％残膜率となる時の感度は８μＣ／ｅｒｒ？であっ
た。
実施例４
８１０２基盤上にポジ型フォトレジスト（商品名ＡＺ
−１３５０Ｊ ）を１．５μｍスピン塗布し、１６０°
Ｃにおいて加分間加熱した。次にポジ型フォトレジスト
層の上に合成例５において合成した〔４−（メタクリロ
イルオキシ）ブチル〕ペンタメチルジシロキサンとグリ
シジルメタクリレートとの共重合体を実施例１と四様な
方法でノミターニングしたところサブミクロンパターン
が得られた。なお、５０％残膜率となる時の感度は、２
．０μｃ／ｃｍ２であった。
−１３５０Ｊ ）を１．５μｍスピン塗布し、１６０°
Ｃにおいて加分間加熱した。次にポジ型フォトレジスト
層の上に合成例５において合成した〔４−（メタクリロ
イルオキシ）ブチル〕ペンタメチルジシロキサンとグリ
シジルメタクリレートとの共重合体を実施例１と四様な
方法でノミターニングしたところサブミクロンパターン
が得られた。なお、５０％残膜率となる時の感度は、２
．０μｃ／ｃｍ２であった。
実施例５
合成例５において合成した〔４−（メタクリロイルオキ
シ）ブチル〕ペンタメチルジシロキサンとグリシジルメ
タクリレートとの共重合体を実施例１と同様の方法で・
ぐターニングしたところサブミクロンパターンが得られ
た。なお、５０チ残膜率となる時の感度は、２．０μｃ
／−２であった。
シ）ブチル〕ペンタメチルジシロキサンとグリシジルメ
タクリレートとの共重合体を実施例１と同様の方法で・
ぐターニングしたところサブミクロンパターンが得られ
た。なお、５０チ残膜率となる時の感度は、２．０μｃ
／−２であった。
実施例６
合成例６において合成した〔３−（メタクリロイルオキ
シ）プロピル〕滅ンタメチルジシロキサンとクロルスチ
レンとの共重合体を実施例１と同様の方法で／ξターニ
ングしたところサブミクロンパターンが得られた。なお
、５０ｑｂ残膜率となる時の感度は、１１μＣ／ｃｒｎ
２であった。
シ）プロピル〕滅ンタメチルジシロキサンとクロルスチ
レンとの共重合体を実施例１と同様の方法で／ξターニ
ングしたところサブミクロンパターンが得られた。なお
、５０ｑｂ残膜率となる時の感度は、１１μＣ／ｃｒｎ
２であった。
実施例７
合成例７において合成した〔３−（メタクリロイルオキ
シ）フロビル〕ペンタメチルジシロキサンとクロルメチ
ルスチレンとの共重合体を実施例１と同様の方法でパタ
ーニングしたところ、サブミクロンパターンが得られた
。なお、５０％残膜率となる時の感度は、ｏ、３２μｃ
／ｃｒｎ２であった。
シ）フロビル〕ペンタメチルジシロキサンとクロルメチ
ルスチレンとの共重合体を実施例１と同様の方法でパタ
ーニングしたところ、サブミクロンパターンが得られた
。なお、５０％残膜率となる時の感度は、ｏ、３２μｃ
／ｃｒｎ２であった。
実施例８
合成例８において合成した〔３−（メタクリロイルオキ
シ）フロビル〕インタメチルジシロキサンとグリシジル
メタクリレートとの共重合体を実施例１と同様の方法で
、ｅターニングしたところサブミクロンパターンが得う
れた。なお、５０％残膜率となる時の感度は、１．９μ
ｃ／Ｃｒｎ２であった。
シ）フロビル〕インタメチルジシロキサンとグリシジル
メタクリレートとの共重合体を実施例１と同様の方法で
、ｅターニングしたところサブミクロンパターンが得う
れた。なお、５０％残膜率となる時の感度は、１．９μ
ｃ／Ｃｒｎ２であった。
実施例９
Ｓｉ０２基盤上に、ｔ？ジ型フォトレジスト（商品名Ａ
Ｚ−１３５０Ｊ）を１．５μｍスピン塗布し、１６０’
Ｃにおいて加分間加熱した。次にポジ型フォトレジスト
層の上に合成例８において合成した〔３−（メタクリロ
イルオキシ）プロピル〕ペンタメチルジシロキサンとグ
リシジルメタクリレートとの共重合体を実施例１と同様
な方法でパターニングしたところ、サブミクロンパター
ンが得られた。なお、５０チ残膜率となる時の感度は２
．０μＣ／ｃｒｎ２であった。
Ｚ−１３５０Ｊ）を１．５μｍスピン塗布し、１６０’
Ｃにおいて加分間加熱した。次にポジ型フォトレジスト
層の上に合成例８において合成した〔３−（メタクリロ
イルオキシ）プロピル〕ペンタメチルジシロキサンとグ
リシジルメタクリレートとの共重合体を実施例１と同様
な方法でパターニングしたところ、サブミクロンパター
ンが得られた。なお、５０チ残膜率となる時の感度は２
．０μＣ／ｃｒｎ２であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、単位構造が、一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｘは３又は４の整数である） で表わされる構造のメタクリロイルオキシアルキルペン
タメチルジシロキサンのホモポリマー又はコポリマーか
らなることを特徴とするネガ型電子線レジスト材料組成
物。 ２、前記のコポリマーが、メタクリロイルオキシアルキ
ルペンタメチルジシロキサンとスチレン、クロルスチレ
ン、クロルメチルスチレン又はグリシジルメタクリレー
トとの共重合体である特許請求の範囲第１項記載のネガ
型電子線レジスト材料組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27329784A JPS61151530A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 電子線レジスト材料組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27329784A JPS61151530A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 電子線レジスト材料組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151530A true JPS61151530A (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=17525888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27329784A Pending JPS61151530A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 電子線レジスト材料組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61151530A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235943A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-10-16 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | リソグラフイ−法を利用した電子デバイスの製造方法 |
| JPH02500152A (ja) * | 1987-05-21 | 1990-01-18 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | シリコン含有ネガレジスト材料および基体のパターン化用処理方法 |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP27329784A patent/JPS61151530A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235943A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-10-16 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | リソグラフイ−法を利用した電子デバイスの製造方法 |
| JPH02500152A (ja) * | 1987-05-21 | 1990-01-18 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | シリコン含有ネガレジスト材料および基体のパターン化用処理方法 |
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