KR890006854A - 방사선 경화된 고형 전해질 및 이를 사용한 전기화학적 장치 - Google Patents

방사선 경화된 고형 전해질 및 이를 사용한 전기화학적 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

방사선 경화된 고형 전해질 및 이를 사용한 전기 화학적 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (44)

  1. 단량체성 또는 예비중합체성 방사선 중합성 액상화합물, 방사선 불활성 이온전도성 액체 및 이온성 알칼리 금속염의 혼합물을 형성하고, 이혼합물을 화학방사선에 노출시킴으로써 방사선 중합성 물질을 가교결합시켜 이온 전도성 액체를 함유하는 고형 매트릭스를 형성함을 특징으로 하여 고상 전기화학적 셀에서 사용하기 위한 액상 전해질을 함유하는 내부침투성 중합체 네트워크를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 방사선 중합성 화합물이 분자내에 적어도 하나의 이종원자를 폴리에틸렌성 불포화 화합물인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 방사선 중합성 화합물이 다음 일반식으로 이루어진 그룹으로 부터 선택된 반복단위를 함유하는 방법.
    상기식에서,R'은 수소 또는 저급 알킬 그룹이다.
  4. 제3항에 있어서, 방사선 중합성 화합물이 하기 일반식(Ⅰ)내지(Ⅲ)으로 표시하는 방법.
  5. 제2항에 있어서, 방사선 중합성 화합물이 에틸렌성 불포화 말단그룹을 함유하도록 개질된 폴리에틸렌 그리콜인 방법.
  6. 제5항에 있어서, 염이 리듐, 나트륨, 칼륨 및 암모늄 양이온으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 양이온의 염이며, 음이온이 I,Br,SCN,ClO4 ,CF3SOX , BF4 ,PF6 ,CF3CCl3 ,ASF6 및 CF3COO로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 방사선 중합성 화합물이 폴리에틸렌 그리콜 디아크릴 레이트, 폴리에틸렌 그리콜 디메타트릴레이트 또는 폴리에틸렌 그리콜 디글리시딜 에테르인 방법.
  8. 제6항에 있어서, 이온전도성 액체가 극성 비양자성 용매인 방법.
  9. 제6항에 있어서, 이온전도성 액체가 폴리에틸렌 글리콜 디메틸 티르인 방법.
  10. 제8항에 있어서, 화학방사선이 자외선 또는 전자빔 방사선인 방법.
  11. 제6항에 있어서, 방사선 불활성 액체가 혼합물에 적어도 45중량％의 양으로 존재하는 방법.
  12. 11항에 있어서, 방사선 불활성 액체가 혼합물에 적어도 70중량％의 양으로 존재하는 방법.
  13. 제6항에 있어서, 방사선 중합성 화합물이 2작용성 폴리에틸렌성 불포화 화합물과 3작용성 폴리에틸렌성 불포화 화합물인 방법.
  14. 제6항의 방법에 의해 제조된 내부침투성 중합체 네트워크를 전해질로서 함유하고 고상 전기화학적 셀.
  15. 단량체성 또는 예비중합체성 방사선 중합성 액상 화합물, 방사선 불활성 이온전도성 액체 및 이온성 알칼리 금속염을 함유하는 혼합물로 양극 금속 피복시키고, 이 혼합물을 화학방사선에 노출시킴으로써 방사선 중합성 화합물을 중합시켜 이온전도성 액체를 함유하는 고상 매트릭스를 형성함을 특징으로 하여 양극 반소자를 제조하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 방사선 중합성 물질이 이온전도성인 방법.
  17. 제16항에 있어서, 방사선 중합성 화합물이 분자내에 적어도 하나의 이종원자를 갖는 폴리에틸렌성 불포화 화합물인 방법.
  18. 제17항에 있어서, 양극 금속 박편이 리듐 박편 또는 리듐 피복인 박편인 방법.
  19. 제18항에 있어서, 혼합물이 적어도 45중량％의 방사선 불활성 액체를 함유하는 방법.
  20. 방사선 중합성 단량체성 또는 예비중합체성 액상화합물, 방사선 불활성 이온전도성 액체 및 이온성 알칼리 금속염을 함유하는 방사선 중합성 전해질을 양극 반소자와 음극 반소자 사이에 조립하고, 이 전해질을 화학방사선에 노출시킴을 특징으로 하여 전기화학적 셀을 제조하는 방법.
  21. 단량체성 또는 예비중합체성 방사선 중합성 액상 화합물, 방사선 불활성 이온전도성 액체 및 이온성 알칼리 금속염으로 이루어짐을 특징으로 하는, 액상 전해질을 함유하는 내부침투성 중합체 네트워크를 제조하는데 유용한 방사선 경화성 화합물.
  22. 제21항에 있어서, 방사선 중합성 화합물이 분자내에 적어도 하나의 이종원자를 갖는 폴리에틸렌성 불포화 화합물인 방사선 경화성 조성물.
  23. 활성 음극 재료, 전도체, 단량체성 또는 예비 중합체성 방사선 중합성 액상 화합물 및 방사선 불활성 이온전도성 액체를 함유하는 혼합물로 금속 박편을 피복하고, 이 혼합물을 방사선에 노출시켜 방사선 중합성 화합물을 가교결합시킴을 특징으로 하여 음극 반소자를 제조하는 방법.
  24. 제23항에 있어서, 활성 음극 재료가 내위 첨가화합물인 방법.
  25. 제24항에 있어서, 내위 첨가 화합물이 산화바나듐인 방법.
  26. 제25항에 있어서, 혼합물이 이온성 알칼리 금속염을 추가로 함유하는 방법.
  27. 제26항에 있어서, 방사선 중합성 화합물이 이종원자를 함유하는 에틸렌성 불포화 화합물인 방법.
  28. 단량체성 또는 예비중합체성 방사선 중합성 폴리에틸렌성 불포화 애상 화합물, 방사선 불활성 이온전도성 액체 및 이온성 알칼리 금속염을 함유하는 방사선 중합성 전해질 조성물로 양극 금속 박편 부재를 피복하고, 단량체성 또는 예비중합체성 방사선 중합성 폴리에틸렌성 불포화 액상 화합물, 활성 음극 재료, 전자 전도체, 방사선 불활성 이온전도성 액체를 함유하는 방사선 중합성 음극 조성물로 방사선 중합성 전해질 조성물을 상부 피복시킴을 특징으로 하여 전기 화학적 셀을 제조하는 방법.
  29. 제28항에 있어서, 금속 박편 집전장치를 방사선 중합성 음극 조성물의 표면에 적용하여 조립품을 형성하고, 이 조립품을 방사선에 노출시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  30. 제28항에 있어서, 전해질 조성물과 음극 조성물을 방사선에 노출시키고, 금속 박편 집전장치를 음극 조성물의 표면에 적층시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  31. 이종원자를 함유하는 방사선 중합성 단량성 또는 예비중합체성 폴리에스틸렌성 불포화 액상 화합물, 방사선 불활성 이온전도성 액체, 활성 음극 재료 및 전자 전도체를 함유하는 방사선 중합성 음극 조성물로 금속 박편부재를 피복하고 ; 방사선 중합성 단량체성 또는 예비 중합성 폴리에틸렌성 불포화 액상 화합물, 방사선 불활성 이온전도성 액체 및 이온성 알칼리 금속염을 함유하는 방사선 중합성 전해질 조성물로 방사선 중합성 음극 조성물을 상부 피복 시킴을 특징으로 하여 전기 화학적 셀을 제조하는 방법.
  32. 제31항에 있어서, 양극 금속 박편부재를 전해질 조성물에 적층하여 조립품을 형성하고, 이 조립품을 방사선에 노출시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  33. 제31항에 있어서, 음극 조성물과 전해질 조성물을 방사선에 노출시키고, 양극 금속 박편부재를 전해질 조성물의 표면에 적층시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  34. 단량체성 또는 예비중합체성 방사선 중합성 폴리에틸렌성 불포화 액상 화합물, 방사선 불활성 이온전도성 액체 및 이온성 알칼리 금속염을 함유하는 방사선 중합성전해질 조성물로 양극 금속 박편부재를 피복하고, 전해질 조성물을 방사선에 노출시킨다음, 단량체성 또는 예비 중합체성 방사선 중합성 폴리에틸렌성 불포화 액상 화합물, 활성 음극 재료, 전자 전도체 및 방사선 불활성 이온전도성 액체를 함유하는 방사선 중합성 음극 조성물로 경화된 전해질 조성물을 상부 피복시킴을 특징으로 하여 전기화학적 셀을 제조하는 방법.
  35. 제34항에 있어서, 금속 박편 집전장치를 음극 조성물의 표면에 적층시키고, 음극 조성물을 방사선에 노출시켜 음극 조성물을 경화 시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  36. 제34항에 있어서, 음극 조성물을 방사선에 노출시켜 음극 조성물을 경화시키고, 금속 박편 집전장치를 경화된 음극 조성물의 표면에 적층시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  37. 방사선 중합성 단량체성 또는 예비중합체성 폴리에틸렌성 불포화 액상 화합물, 방사선 불활성 이온전도성 액체, 활성 음극 재료 및 전자 전도체를 함유하는 방사선 중합성 음극 조성물로 금속 박편부재를 피복하고, 음극 조성물을 방사선에 노출시켜 음극 조성물을 경화시킨 다음 ; 방사선 중합성 단량체성 또는 예비 중합체성 폴리에틸렌성 불포화 액상 화합물, 방사선 불활성 이온전도성 액체 및 이온성 알칼리 금속염을 함유하는 방사선 중합성 전해질 조성물로 경화된 음극 조성물을 상부 피복시킴을 특징으로 하여 전기화학적으로 제조하는 방법.
  38. 제37항에 있어서, 양극 금속 박편부재를 전해질 조성물의 표면에 적용하고, 전해질 조성물을 방사선에 노출시켜 전해질 조성물을 경화시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  39. 제37항에 있어서, 전해질 조성물을 방사선에 노출시켜 전해질 조성물을 경화시키고 양극 박편부재를 경화된 전해질 조성물의 표면에 적층시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  40. 단량체성 또는 예비중합체성 방사선 중합성 폴리에틸렌성 불포화 액상 화합물, 방사선 불활성 이온전도성 액체 및 이온성 알칼리 금속염을 함유하는 방사선 중합성 전해질 조성물로 양극 금속 박편부재를 피복하고 ; 단량체성 또는 예비중합체 방사선 중합성 폴리에틸렌성 불포화 액상 화합물 활성음극재료, 전자 전도체 및 방사선 불활성 이온전도성 액체를 함유하는 방사선 중합성 음극 조성물로 금속 박편부재를 피복시킴을 특징으로 하여 전기 화학적 셀을 제조하는 방법.
  41. 제40항에 있어서, 전해질 조성물이 음극 조성물과 접촉하도록 피복된 금속 박편부재를 피복된 양극 부재에 적층시키고, 전해질 조성물과 음극 조성물을 방사선에 노출시켜 조성물을 경화시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  42. 제40항에 있어서, 음극 조성물을 방사선에 노출시켜 조성물을 경화시키고, 경화된 음극 조성물이 전해질 조성물과 접촉하도록 피복된 음극 금속 박편부재를 음극 조성물에 적층시킨 다음, 전해질 조성물을 방사선에 노출시켜 전해질 조성물을 경화시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  43. 제40항에 있어서, 전해질 조성물을 방사선에 노출시켜 전해질 조성물을 경화시키고, 음극 조성물이 경화된 전해질 조성물과 접촉하도록 피복된 금속 박편부재를 경화된 전해질 조성물에 적층시켜 음극 조성물을 방사선에 노출시켜 음극 조성물을 경화시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  44. 제40항에 있어서, 전해질 조성물을 방사선에 노출시켜 전해질 조성물을 경화시키고, 음극 조성물 방사선에 노출시켜 음극 조성물을 경화시킨 다음, 경화된 음극 조성물이 경화된 전해질 조성물과 접촉하도록 경화된 음극 조성물로 피복시킨 금속박편부재에 경회된 조성물로 피복된 양극 금속 박편부재를 적층시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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