KR890002971A - 마스크 정렬방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

마스크 정렬방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 한 실시예에 따른 감광성 마스크 정렬을 위한 장치의 개략도. 제 2 도는 본 발명의 또다른 실시예에 따르는 장치 노출과 마스크 정렬의 개략도. 제 3 도는 제 2 도의 장치 일부분에 대한 확대도.

Claims (17)

  1. 감광성 내식막 물질로 부재를 코팅시키는 단계와, 상기 부재의 반대측상에 편평한 제 1 및 제 2 마스크를 정렬시키는 단계와, 화학선 광으로 마스크된 광감지 물질을 노출시키는 단계와, 편평한 부재를 선택적으로 처리하는 마스크로 개선된 광감지 코팅을 이용하고 광감지 물질을 생성시키는 단계를 구비하는 편평한 부재로부터 장치를 제조하는 방법에 있어서, 제 1 마스크내에 제 1 존 플레이트를 형성하는 단계와, 제 1 존 플레이트의 제 1 마스크내의 위치에 대해 설정된 위치에서 제 2 마스크내에 제 1 투명한 슬릿을 형성하는 단계를 특징으로 하며, 정렬 단계는 제 1 존 플레이트를 통해 제 2 마스크로 광 빔을 방향지우는 단계와 광 빔이 제 1 투명한 슬릿을 통해 전송될때까지 제 1 마스크에 대해 제 2 마스크를 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,제 1 마스크내에 제 2 존 플레이트를 형성하는 단계와, 제 2 마스크내에 제 2 투명한 슬릿을 형성하는 단계를 특징으로 하며, 정렬 단계는 제 2 존 플레이트를 통해 제 2 마스크로 광 빔을 방향지우는 단계와 제 2 광 빔이 제 2 투명한 슬릿을 통해 전송될때까지 제 1 마스크에 대해 제 2 마스크를 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 광 빔이 먼저 제 1 투명한 슬릿을 통해 전송된 후, 제 2 마스크는 제 1 투명한 슬릿의 폭을 주사시키도록 광 빔을 야기시키는 바와 같이 제 1 마스크에 대해 이동되며, 그러한 주사동안 광 세기의 복수의 측정은 슬릿을 통해 이루어지며, 측정은 포물선으로 정해지며, 포물선은 제 1 투명한 슬릿의 중심이 거의 광 빔의 중심과 일치시키도록 제 2 마스크를 위치시키는데 사용된 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 광 빔은 반복적으로 제 1 투명한 슬릿의 폭을 주사시키도록 야기되며, 각각의 주사동안, 광 세기에 대한 세개의 측정은 슬릿을 통해 이루어지며, 각각의 주사후, 연속주사에 대한 초기의 위치는 세개의 측정중 둘이 거의 같을때까지 변화되고 광 세기의 세개 측정 대 거리는 거의 포물선으로 묘사되며, 상기 포물선은 제 1 투명한 슬릿을 광 빔상에 집중시키는데 사용된 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 제 1 마스크에 대해 제 2 마스크를 이동시키는 단계는 참고구조에 대해 제 2 마스크를 고정시키는 단계와, 참고구조에 대해 제 1 마스크를 이동시키는 단계를 구비하며, 광 빔은 제 1 마스크에 대해 고정된 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  6. 제 1 및 제 2 편평한 부재를 정렬시키는 방법에 있어서, 제 1 편평한 부재내에 제 1 및 제 2 존 플레이트를 형성하는 단계와, 제 1 및 제 2 존 플레이트를 각각 정렬되도록 제 2 부재내에 제 1 및 제 2 투명한 개구를 형성하는 단계와, 제 1 편평한 부재 반대와 제 1 및 제 2개구 근처 각각에 제 1 및 제 2 광검출기를 위치시키는 단계와, 제 2 편평한 부재로 제 1 존 플레이트를 통해 제 1 광 빔을 방향지우는 단계와, 제 2 부재로 제 2 존 플레이트를 통해 제 2 광 빔을 방향지우는 단계와, 제 1 빔이 제 1 개구를 통해 전송되고 제 1 광검출기에 의해 검출되고 제 2 광 빔을 동시에 제 2 개구를 통해 전송되고 제 2 검출기에 의해 검출될때까지 제 1 부재에 대해 제 2 부재를 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 제 1 부재에 대해 제 2 부재를 이동시키는 단계는 제 1 부재에 대해 제 2 부재를 X선형 방향으로 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 제 1 편평한 부재에 대해 제 2 편평한 부재를 이동시키는 단계는 참고구조에 대해 제 2 부재 고정을 유지시키는 단계와 참고구조에 대해 제 1 부재 이동을 유지시키는 단계를 구비하고, 상기 제 1 및 제 2 광 빔은 제 1 부재에 입력으로 고정된 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 제 1 부재에 대해 제 2 부재를 이동시키는 단계는 제 1 부재에 대해 제 2 부재를 각도방향으로 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  10. 제 6 항에 있어서, 제 1 편평한 부재내에 제 3 존 플레이트를 형성하는 단계와,제 3 존 플레이트로 정렬되도록 제 2 부재내에 제 3 투명한 개구를 형성하는 단계와, 제 1 편평한 부재 반대와제 3 개구 근처에 제 3 광 검출기를 위치시키는 단계와, 제 2 부재로 제 3 존 플레이트를 통해 제 3 광 빔을 방향지우는 단계와, 제 3 빔이 제 3 개구를 통해 전송되고 제 3 광 검출기에 의해 검출될때까지 제 1 부재에 대해 제 2 부재를 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬방법.
  11. 제10항에 있어서, 제 1 및 제 2 광 빔이 각각 제 1 및 제 2 광 검출기에 의해 검출될때까지 제 2 편평한 부재를 이동시키는 단계는 제 1 부재에 대해 제 2 편평한 부재를 X선형 방향으로 이동시키는 단계와, 제 1 부재에 대해 제 2 편평한 부재를 각도방향으로 이동시키는 단계를 구비하고, 상기 제 3 광 빔이 검출될때까지 제 2 부재를 이동시키는 단계는 제 1 부재에 대해 제 2 편평한 부재를 X방향으로 가로지르는 Y선형 방향으로 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  12. 제 6 항에 있어서, 제 2 부재는 제 1 부재에 대해 제 1 광 빔의 최대 광 세기가 제 1 광 검출기에 의해 검출되고, 제 2 광 빔의 최대 광 세기가 제 2 광 검출기에 의해 검출되도록 위치되는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  13. 제12항에 있어서, 제 1 및 제 2 광 빔을 각각 제 1 및 제 2 개구의 폭을 주사시키도록 야기되며, 광 세기에 대한 세개의 같은 간격 측정은 각각의 개구를 통해 이루어지며, 각각 연속주사의 초기 위치를 주사하고 난 후 제 2 마스크의 각도 방위는 세개의 측정중 둘이 거의 같을때까지 변화되고 광 세기의 측정 대 거리는 각각 거의 포물선으로 묘사되며, 상기 포물선은 각각 제 1 빔상의 제 1개구와 제 2 빔상의 제 2 개구를 집중시키는데 사용된 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  14. 감광성 내식막 물질로 부재를 코팅시키는 단계와, 상기 부재의 반대측상에 편평한 제 1 및 제 2 마스크를 정렬시키는 단계와, 화학선 광으로 마스크된 광감지 물질을 노출시키는 단계와, 편평한 부재를 선택적으로 처리하는 마스크로 개선된 광감지 코팅을 이용하고 광감지 물질을 생성시키는 단계를 구비하는 편평한 부재로부터 장치를 제조하는 방법에 있어서, 제 1 마스크내에 제 1 개구를 형성하는 단계와, 제 1 개구와 정렬하여 제 2 마스크내에 제 2 개구를 형성하는 단계를 특징으로 하며, 정렬단계는 제 1 개구를 통해 제 2 마스크로 광빔을 방향지우는 단계와 광빔이 제 1 및 제 2 개구를 통해 전송될때까지 제 2 마스크에 대해 제 1 마스크의 상대 이동을 야기시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  15. 제13항에 있어서, 제 1 개구는 존 플레이트이고, 제 2 개구는 투명한 슬릿이고, 광 검출기는 제 1 및 제 2 개구를 통해 광빔의 전송을 동시에 검출하는데 사용된 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  16. 제14항에 있어서, 제 2 마스크에 대해 제 1 마스크의 상대 이동을 야기시키는 단계는 제 1 및 제 2 개구를 통하는 광전송이 최대인 위치를 결정하도록 광 빔으로 개루를 반복하여 주사하는 단계와, 제 1 및 제 2 개구를 통하는 광전송이 최대인 위치에서 제 1 마스크에 대해 제 2 마스크를 고정시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
  17. 제14항에 있어서, 제 1 마스크내에 제 3 개구를 형성하는 단계와, 제 3 개구와 정렬하여 제 2 마스크내에 제 4 개구를 형성하는 단계를 특징으로 하며, 정렬 단계는 제 3 개구를 통해 제 2 마스크로 제 2 광 빔을 방향지우는 단계와, 제 2 광 빔이 제 3 및 제 4개구를 통해 전송될때까지 제 2 마스크에 대해 제 1 마스크의 이동을 야기시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5319444A (en) * 1988-02-16 1994-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Position detecting method and apparatus
US5325176A (en) * 1988-02-16 1994-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Position detecting method and apparatus including Fraunhofer diffraction detector
US5262257A (en) * 1989-07-13 1993-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Mask for lithography
US5288729A (en) * 1989-10-07 1994-02-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposing method and apparatus
US5135590A (en) * 1991-05-24 1992-08-04 At&T Bell Laboratories Optical fiber alignment method
US5170058A (en) * 1991-10-30 1992-12-08 International Business Machines Corporation Apparatus and a method for alignment verification having an opaque work piece between two artwork masters
JPH05216209A (ja) * 1992-02-03 1993-08-27 Nikon Corp フォトマスク
US5504596A (en) * 1992-12-21 1996-04-02 Nikon Corporation Exposure method and apparatus using holographic techniques
FR2704660B1 (fr) * 1993-04-27 1995-07-13 Sgs Thomson Microelectronics Masques pour une machine d'insolation double face.
US5346583A (en) * 1993-09-02 1994-09-13 At&T Bell Laboratories Optical fiber alignment techniques
EP0752600B1 (en) * 1995-07-06 2003-12-17 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Hologram color filter, and its fabrication method
JPH0961111A (ja) * 1995-08-28 1997-03-07 Nikon Corp パターン座標測定方法および装置
KR0172790B1 (ko) * 1995-09-18 1999-03-20 김영환 위상반전 마스크 및 그 제조방법
JPH09166416A (ja) * 1995-12-13 1997-06-24 Mitsubishi Electric Corp レチクルパターンの相対的位置ずれ量計測方法およびレチクルパターンの相対的位置ずれ量計測装置
US5627378A (en) * 1996-02-28 1997-05-06 Orc Electronic Products, A Divison Of Benson Eyecare Corporation Die set for automatic UV exposure system
US6156220A (en) * 1997-03-10 2000-12-05 Ohlig; Albert H. System and method for optically aligning films and substrates used in printed circuit boards
US6324010B1 (en) 1999-07-19 2001-11-27 Eastman Kodak Company Optical assembly and a method for manufacturing lens systems
US6737223B2 (en) * 2000-08-07 2004-05-18 Shipley Company, L.L.C. Fiber optic chip with lenslet array and method of fabrication
US7086134B2 (en) * 2000-08-07 2006-08-08 Shipley Company, L.L.C. Alignment apparatus and method for aligning stacked devices
US6587618B2 (en) * 2001-03-16 2003-07-01 Corning Incorporated Collimator array and method and system for aligning optical fibers to a lens array
US6621553B2 (en) 2001-03-30 2003-09-16 Perkinelmer, Inc. Apparatus and method for exposing substrates
JP2004253741A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Sumitomo Eaton Noba Kk 移動装置及び半導体製造装置
CN101452228B (zh) * 2007-11-29 2010-11-17 富葵精密组件(深圳)有限公司 自动对位装置
TWI506313B (zh) * 2011-12-27 2015-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 光纖耦合連接裝置
CN102608877B (zh) * 2012-03-30 2013-09-04 上海华力微电子有限公司 光刻套刻方法以及光刻方法
CN102759865B (zh) * 2012-07-26 2016-02-03 四川聚能核技术工程有限公司 曝光对位系统
GB2563435A (en) * 2017-06-16 2018-12-19 The Univ Court Of The Univ Of St Andrews Three-photon light sheet imaging

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3264105A (en) * 1962-05-31 1966-08-02 Western Electric Co Method of using a master art drawing to produce a two-sided printed circuit board
US3759767A (en) * 1971-10-08 1973-09-18 Western Electric Co Mask alignment methods
US3963489A (en) * 1975-04-30 1976-06-15 Western Electric Company, Inc. Method of precisely aligning pattern-defining masks
US4109158A (en) * 1976-05-27 1978-08-22 Western Electric Company, Inc. Apparatus for positioning a pair of elements into aligned intimate contact
JPS5533146A (en) * 1978-08-30 1980-03-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Photoelectric element for detecting and positioning register mark for engraving
FR2436967A1 (fr) * 1978-09-19 1980-04-18 Thomson Csf Procede d'alignement optique de motifs dans deux plans rapproches et dispositif d'alignement mettant en oeuvre un tel procede
DE3121666A1 (de) * 1981-05-30 1982-12-16 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren und einrichtung zur gegenseitigen ausrichtung von objekten bei roentgenstrahl- und korpuskularstrahl-belichtungsvorgaengen
JPS58100853A (ja) * 1981-12-11 1983-06-15 Toshiba Corp 板材相互の位置合わせ装置
JPS59139036A (ja) * 1983-01-31 1984-08-09 Toshiba Corp スクリ−ン位置決め方法
US4545683A (en) * 1983-02-28 1985-10-08 The Perkin-Elmer Corporation Wafer alignment device
DE3443178A1 (de) * 1984-11-27 1986-05-28 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zum positionieren von druckformen vor dem stanzen von registerlochungen sowie anordnung zum durchfuehren des verfahrens

Also Published As

Publication number Publication date
DK373188D0 (da) 1988-07-05
US4835078A (en) 1989-05-30
CA1296180C (en) 1992-02-25
JPH0766904B2 (ja) 1995-07-19
KR970004887B1 (ko) 1997-04-08
JPS6424420A (en) 1989-01-26
SG61093G (en) 1993-07-09
DE3874028T2 (de) 1993-01-07
EP0298642A2 (en) 1989-01-11
DK373188A (da) 1989-01-07
EP0298642B1 (en) 1992-08-26
EP0298642A3 (en) 1989-04-26
DE3874028D1 (de) 1992-10-01
ES2034237T3 (es) 1993-04-01

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