KR890002971A - 마스크 정렬방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 한 실시예에 따른 감광성 마스크 정렬을 위한 장치의 개략도. 제 2 도는 본 발명의 또다른 실시예에 따르는 장치 노출과 마스크 정렬의 개략도. 제 3 도는 제 2 도의 장치 일부분에 대한 확대도.
Claims (17)
- 감광성 내식막 물질로 부재를 코팅시키는 단계와, 상기 부재의 반대측상에 편평한 제 1 및 제 2 마스크를 정렬시키는 단계와, 화학선 광으로 마스크된 광감지 물질을 노출시키는 단계와, 편평한 부재를 선택적으로 처리하는 마스크로 개선된 광감지 코팅을 이용하고 광감지 물질을 생성시키는 단계를 구비하는 편평한 부재로부터 장치를 제조하는 방법에 있어서, 제 1 마스크내에 제 1 존 플레이트를 형성하는 단계와, 제 1 존 플레이트의 제 1 마스크내의 위치에 대해 설정된 위치에서 제 2 마스크내에 제 1 투명한 슬릿을 형성하는 단계를 특징으로 하며, 정렬 단계는 제 1 존 플레이트를 통해 제 2 마스크로 광 빔을 방향지우는 단계와 광 빔이 제 1 투명한 슬릿을 통해 전송될때까지 제 1 마스크에 대해 제 2 마스크를 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제 1 항에 있어서,제 1 마스크내에 제 2 존 플레이트를 형성하는 단계와, 제 2 마스크내에 제 2 투명한 슬릿을 형성하는 단계를 특징으로 하며, 정렬 단계는 제 2 존 플레이트를 통해 제 2 마스크로 광 빔을 방향지우는 단계와 제 2 광 빔이 제 2 투명한 슬릿을 통해 전송될때까지 제 1 마스크에 대해 제 2 마스크를 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제 1 항에 있어서, 광 빔이 먼저 제 1 투명한 슬릿을 통해 전송된 후, 제 2 마스크는 제 1 투명한 슬릿의 폭을 주사시키도록 광 빔을 야기시키는 바와 같이 제 1 마스크에 대해 이동되며, 그러한 주사동안 광 세기의 복수의 측정은 슬릿을 통해 이루어지며, 측정은 포물선으로 정해지며, 포물선은 제 1 투명한 슬릿의 중심이 거의 광 빔의 중심과 일치시키도록 제 2 마스크를 위치시키는데 사용된 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제 3 항에 있어서, 광 빔은 반복적으로 제 1 투명한 슬릿의 폭을 주사시키도록 야기되며, 각각의 주사동안, 광 세기에 대한 세개의 측정은 슬릿을 통해 이루어지며, 각각의 주사후, 연속주사에 대한 초기의 위치는 세개의 측정중 둘이 거의 같을때까지 변화되고 광 세기의 세개 측정 대 거리는 거의 포물선으로 묘사되며, 상기 포물선은 제 1 투명한 슬릿을 광 빔상에 집중시키는데 사용된 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제 1 항에 있어서, 제 1 마스크에 대해 제 2 마스크를 이동시키는 단계는 참고구조에 대해 제 2 마스크를 고정시키는 단계와, 참고구조에 대해 제 1 마스크를 이동시키는 단계를 구비하며, 광 빔은 제 1 마스크에 대해 고정된 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제 1 및 제 2 편평한 부재를 정렬시키는 방법에 있어서, 제 1 편평한 부재내에 제 1 및 제 2 존 플레이트를 형성하는 단계와, 제 1 및 제 2 존 플레이트를 각각 정렬되도록 제 2 부재내에 제 1 및 제 2 투명한 개구를 형성하는 단계와, 제 1 편평한 부재 반대와 제 1 및 제 2개구 근처 각각에 제 1 및 제 2 광검출기를 위치시키는 단계와, 제 2 편평한 부재로 제 1 존 플레이트를 통해 제 1 광 빔을 방향지우는 단계와, 제 2 부재로 제 2 존 플레이트를 통해 제 2 광 빔을 방향지우는 단계와, 제 1 빔이 제 1 개구를 통해 전송되고 제 1 광검출기에 의해 검출되고 제 2 광 빔을 동시에 제 2 개구를 통해 전송되고 제 2 검출기에 의해 검출될때까지 제 1 부재에 대해 제 2 부재를 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제 6 항에 있어서, 제 1 부재에 대해 제 2 부재를 이동시키는 단계는 제 1 부재에 대해 제 2 부재를 X선형 방향으로 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제 7 항에 있어서, 제 1 편평한 부재에 대해 제 2 편평한 부재를 이동시키는 단계는 참고구조에 대해 제 2 부재 고정을 유지시키는 단계와 참고구조에 대해 제 1 부재 이동을 유지시키는 단계를 구비하고, 상기 제 1 및 제 2 광 빔은 제 1 부재에 입력으로 고정된 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제 7 항에 있어서, 제 1 부재에 대해 제 2 부재를 이동시키는 단계는 제 1 부재에 대해 제 2 부재를 각도방향으로 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제 6 항에 있어서, 제 1 편평한 부재내에 제 3 존 플레이트를 형성하는 단계와,제 3 존 플레이트로 정렬되도록 제 2 부재내에 제 3 투명한 개구를 형성하는 단계와, 제 1 편평한 부재 반대와제 3 개구 근처에 제 3 광 검출기를 위치시키는 단계와, 제 2 부재로 제 3 존 플레이트를 통해 제 3 광 빔을 방향지우는 단계와, 제 3 빔이 제 3 개구를 통해 전송되고 제 3 광 검출기에 의해 검출될때까지 제 1 부재에 대해 제 2 부재를 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬방법.
- 제10항에 있어서, 제 1 및 제 2 광 빔이 각각 제 1 및 제 2 광 검출기에 의해 검출될때까지 제 2 편평한 부재를 이동시키는 단계는 제 1 부재에 대해 제 2 편평한 부재를 X선형 방향으로 이동시키는 단계와, 제 1 부재에 대해 제 2 편평한 부재를 각도방향으로 이동시키는 단계를 구비하고, 상기 제 3 광 빔이 검출될때까지 제 2 부재를 이동시키는 단계는 제 1 부재에 대해 제 2 편평한 부재를 X방향으로 가로지르는 Y선형 방향으로 이동시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제 6 항에 있어서, 제 2 부재는 제 1 부재에 대해 제 1 광 빔의 최대 광 세기가 제 1 광 검출기에 의해 검출되고, 제 2 광 빔의 최대 광 세기가 제 2 광 검출기에 의해 검출되도록 위치되는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제12항에 있어서, 제 1 및 제 2 광 빔을 각각 제 1 및 제 2 개구의 폭을 주사시키도록 야기되며, 광 세기에 대한 세개의 같은 간격 측정은 각각의 개구를 통해 이루어지며, 각각 연속주사의 초기 위치를 주사하고 난 후 제 2 마스크의 각도 방위는 세개의 측정중 둘이 거의 같을때까지 변화되고 광 세기의 측정 대 거리는 각각 거의 포물선으로 묘사되며, 상기 포물선은 각각 제 1 빔상의 제 1개구와 제 2 빔상의 제 2 개구를 집중시키는데 사용된 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 감광성 내식막 물질로 부재를 코팅시키는 단계와, 상기 부재의 반대측상에 편평한 제 1 및 제 2 마스크를 정렬시키는 단계와, 화학선 광으로 마스크된 광감지 물질을 노출시키는 단계와, 편평한 부재를 선택적으로 처리하는 마스크로 개선된 광감지 코팅을 이용하고 광감지 물질을 생성시키는 단계를 구비하는 편평한 부재로부터 장치를 제조하는 방법에 있어서, 제 1 마스크내에 제 1 개구를 형성하는 단계와, 제 1 개구와 정렬하여 제 2 마스크내에 제 2 개구를 형성하는 단계를 특징으로 하며, 정렬단계는 제 1 개구를 통해 제 2 마스크로 광빔을 방향지우는 단계와 광빔이 제 1 및 제 2 개구를 통해 전송될때까지 제 2 마스크에 대해 제 1 마스크의 상대 이동을 야기시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제13항에 있어서, 제 1 개구는 존 플레이트이고, 제 2 개구는 투명한 슬릿이고, 광 검출기는 제 1 및 제 2 개구를 통해 광빔의 전송을 동시에 검출하는데 사용된 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제14항에 있어서, 제 2 마스크에 대해 제 1 마스크의 상대 이동을 야기시키는 단계는 제 1 및 제 2 개구를 통하는 광전송이 최대인 위치를 결정하도록 광 빔으로 개루를 반복하여 주사하는 단계와, 제 1 및 제 2 개구를 통하는 광전송이 최대인 위치에서 제 1 마스크에 대해 제 2 마스크를 고정시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.
- 제14항에 있어서, 제 1 마스크내에 제 3 개구를 형성하는 단계와, 제 3 개구와 정렬하여 제 2 마스크내에 제 4 개구를 형성하는 단계를 특징으로 하며, 정렬 단계는 제 3 개구를 통해 제 2 마스크로 제 2 광 빔을 방향지우는 단계와, 제 2 광 빔이 제 3 및 제 4개구를 통해 전송될때까지 제 2 마스크에 대해 제 1 마스크의 이동을 야기시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 정렬 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US069,901 | 1987-07-06 | ||
US07/069,901 US4835078A (en) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | Method for aligning photomasks |
US069.901 | 1987-07-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR890002971A true KR890002971A (ko) | 1989-04-12 |
KR970004887B1 KR970004887B1 (ko) | 1997-04-08 |
Family
ID=22091910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019880008209A KR970004887B1 (ko) | 1987-07-06 | 1988-07-02 | 마스크 정렬 방법 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4835078A (ko) |
EP (1) | EP0298642B1 (ko) |
JP (1) | JPH0766904B2 (ko) |
KR (1) | KR970004887B1 (ko) |
CA (1) | CA1296180C (ko) |
DE (1) | DE3874028T2 (ko) |
DK (1) | DK373188A (ko) |
ES (1) | ES2034237T3 (ko) |
SG (1) | SG61093G (ko) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 1987-07-06 US US07/069,901 patent/US4835078A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-06-28 DE DE8888305879T patent/DE3874028T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-28 EP EP88305879A patent/EP0298642B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-28 ES ES198888305879T patent/ES2034237T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-30 CA CA000570949A patent/CA1296180C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-02 KR KR1019880008209A patent/KR970004887B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-07-05 DK DK373188A patent/DK373188A/da unknown
- 1988-07-06 JP JP63167035A patent/JPH0766904B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-05-07 SG SG610/93A patent/SG61093G/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DK373188D0 (da) | 1988-07-05 |
US4835078A (en) | 1989-05-30 |
CA1296180C (en) | 1992-02-25 |
JPH0766904B2 (ja) | 1995-07-19 |
KR970004887B1 (ko) | 1997-04-08 |
JPS6424420A (en) | 1989-01-26 |
SG61093G (en) | 1993-07-09 |
DE3874028T2 (de) | 1993-01-07 |
EP0298642A2 (en) | 1989-01-11 |
DK373188A (da) | 1989-01-07 |
EP0298642B1 (en) | 1992-08-26 |
EP0298642A3 (en) | 1989-04-26 |
DE3874028D1 (de) | 1992-10-01 |
ES2034237T3 (es) | 1993-04-01 |
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