KR890001181A - 수지로 밀봉된 반도체장치 및 그것의 제조방법 - Google Patents

수지로 밀봉된 반도체장치 및 그것의 제조방법 Download PDF

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KR890001181A KR1019880006794A KR880006794A KR890001181A KR 890001181 A KR890001181 A KR 890001181A KR 1019880006794 A KR1019880006794 A KR 1019880006794A KR 880006794 A KR880006794 A KR 880006794A KR 890001181 A KR890001181 A KR 890001181A
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히로시 시바다
후유끼 마에하라
아끼라 신다이
히데도시 가도오
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오까베 다까시
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Abstract

내용 없음

Description

수지로 밀봉된 반도체장치 및 그것의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 각기 실시예1에서 만들어진 수지로 밀봉된 반도체장치의 정면도, 배면도, 단면도.

Claims (48)

  1. 수지로 밀봉된 IC 조절장치에 있어서, 상기 장치는 발전기와 전기적으로 접속된 제1접속단자, 상기 발전기 이외의 다른장치와 전기적으로 접속된 제2접속단자, 전도부재상에 장치되고 상기 제1접속단자 및 제2접속단자 모두에 전기적으로 접속되어 상기 발전기의 작용을 제어하는 모노리딕 IC, 상기 모노리딕 IC와 상기 모노리딕 IC에 접속된 상기 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하는 전기 절연수지로된 수지 모울드 부분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2접속단자와 상기 전도부재가 동일한 물질로 만들어진 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 수지모울드부분은 상기 제2접속단자를 그것으로 둘러싸는 방식으로 수지로 몰딩하므로서 그위에 일체로 형성된 콘넥터 하우징을 게다가 더 가지고 있는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 수지모울드부분은 상기 모노리딕 IC와 상기 모노리딕 IC에 접속된 상기 제1 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하기 위해 제1수지로 모울드한 제1모울드부분, 제2수지로 모울드한 제2모울드부분, 상기 제1모울드부분의 적어도 한부분에 있는 외부커버링으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC조절장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 수지모울드부분은 상기 모노리딕 IC와 상기 모노리딕 IC 에 접속된 제1 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하기 위해 제1수지로 모울드한 제1모울드부분, 제2수지로 일체로 모울드하여 콘넥터 하우징 부분과 일체로 되어 있고, 상기 제1모울드 부분의 적어도 한부분을 외부에서 덮어사는 제2모울드부분으로 이루어져있고, 상기 콘넥터 하우징부분은 상기 접속단자를 두러싸는 방식으로 모울드되어 있는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  6. 제5항에 있어서, 제1수지와 제2수지는 같은 종류의 수지인 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  7. 제5항에 있어서, 제1수지와 제2수지는 다른 종류의 수지인 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  8. 제7항에 있어서, 제1수지와 제2수지가 틀린 강도를 갖는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  9. 제8항에 있어서, 제2수지의 강도가 제1수지의 강도보다 큰 것을 특징으로하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  10. 제5항에 있어서, 상기 제2접속단자의 팀단은 상기 단자를 둘러싸는 상기 콘넥터 하우징 부분이 구비된 공동의 내부에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC조절장치.
  11. 제6항에 있어서, 각 제1수지와 제2수지는 몰딩할때는 상기 제1수지가 상기 제2수지보다 낮은 점도를 갖고 있고, 몰딩을 한후에는 상기 제2수지가 제1수지보다 더 큰 강도를 갖는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC조절장치.
  12. 제7항에 있어서, 상기 제1수지는 열경화성수지로 만들어지고, 상기 제2수지는 열가소성수지로 만들어진 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC조절장치.
  13. 제4항에 있어서, 상기 제2수지는 최소한 상기 제1모울드 부분으로부터 연장된 제2접속단자의 기초부분을 상기 제2수지로 덮는 방식으로 모울드된 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  14. 제4항에 있어서, 상기 제2모울드 부분은 상기 제1모울드 부분을 상기 제2수지에 수용하여 거기에 고정결합시키는 방식으로 모울드된 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 및 제2모울드 부분의 접촉면중의 적어도 하나가 거칠게 되어 있는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 거칠 표면이 요철면으로 된 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  17. 제3항에 있어서, 상기 제2접속단자는 제1수지로 모울드된 상기 제1모울드 부분에 의해 규정된 표면방향으로 미리 정해진 각도로 굽혀진 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  18. 수지로 밀봉된 IC 조절장치에 있어서, 상기 장치는 발전기와 전기적으로 접속된 제1접속단자, 상기 발전기 이외의 다른 장치와 접속된 제2접속단자, 전도부재상에 장치된 상기 발전기의 작용을 제어하고, 상기 제1접속단자 및 상기 제2접속단자에 모두 연결된 모노리딕 IC, 상기 모노리딕 IC와 상기 모노리딕 IC에 접속된 제1 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하기 위해 전기 절연수지로 모울드한 수지모울드부분과 상기 제1수지로 상기 모노리딕 IC에 근접하여 모울드하므로서 고정된 열전도가 뛰어난 물질로 만들어진 탈열기로 이루어진 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 수지모울드부분은 상기 제2접속단자를 수지로 둘러싸는 방식으로 몰딩하므로서 콘넥터 하우징 부분을 그위에 입체로 형성한 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 수지모울드부분은 상기 모노리딕 IC와 상기 모노리댁 IC와 전기적으로 접속된 제1 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하기 위해 제1수지로 모울드된 제1모울드부분, 제2수지로 모울드되고 상기 제 1모울드 부분의 적어도 한부분을 외부에서 덮어사는 제2모울드부분으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  21. 제19항에 있어서, 상기 제2접속단자의 팁단은 상기 단자를 둘러싸는 상기 콘넥터 하우징 부분에 구비된 공동의 내부에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  22. 제20항에 있어서, 상기 제1수지는 열경화성수지로 만들어지고 상기 제2수지는 열가소성 수지로 만들어진 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC조절장치.
  23. 제18항에 있어서, 상기 탈열기는 상기 제2접속단자가 굽혀진 방향과 같은 방향으로 상기 모울드 부분의 하나의 표면 전체에 걸쳐 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  24. 수지로 밀봉된 반도체장치에 있어서, 상기 장치는 전기적인 부하와 전기적으로 접속된 여러개의 제1접속단자, 상기 전기적인 부하 이외의 다른장치와 전기적으로 접속된 제2접속단자, 전도 부재상에 장치된 상기 전기적인 부하의 작용을 제어하고, 상기 제1 및 제2접속단자에 모두 접속된 모노리딕 IC, 상기 모노리딕 IC와 상기 모노리딕 IC에 견고하게 고정되고 상기 모노리딕 IC에 접속된 제1 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하는 전기 절연수지로 된 수지모울드부분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 반도체장치.
  25. 제24항에 있어서, 제1 및 제2접속단자와 상기 전도부재는 동일한 물질로 만들어진 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 반도체장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 수지모울드부분은 상기 제2접속단자를 수지로 둘러싸는 방식으로 몰딩하므로서 그위에 일체로 형성된 콘넥터 하우징부분을 게다가 더 가지고 있는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 반도체장치.
  27. 제26항에 있어서, 상기 수지 모울드부분은 상기 모노리딕 IC와 상기 모노리딕 IC에 접속된 제1 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하기 위해 모울드한 제1 모울드부분과 제2 수지로 모울드되고 상기 제1모울드부분의 적어도 한부분을 외부에서 덮어싸는 제2모울드 부분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 반도체장치.
  28. 제27항에 있어서, 상기 제2접속단자의 팁단은 상기 단자를 둘러싸는 상기 콘넥터 부분에 구비된 공동의 내부에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 반도체장치.
  29. 수지로 모울드된 IC 조절장치를 생산하기 위한 방법에 있어서, 상기 방법은 전기적인 부하에 전기적으로 접속된 제1접속단자와 상기 전기적인 부하 이외의 다른 장치에 전기적으로 접속된 제2접속단자중의 적어도 한부분을 전기 전도물질로 만들어진 판으로 된 그것의 프레임부분에 접속하여 리드프레임을 형성하고, 전도부재상의 상기 전기적인 부하의 작용을 제어하는 모노리딕 IC를 장치하고, 상기 모노리딕 IC에 상기 리드프레임을 전기적으로 접속하고, 상기 전도부재와 제1모울드부분을 만들기 위해 전기절연 특성을 가진 제1수지로 상기 모노리딕 IC에 전기적으로 접속된 상기 제1 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하고, 상기 리드프레임으로부터 상기 프레임부분을 분리하여 외부 커버링 몰딩작업을 하므로서 상기 제1모울드 부분의 적어도 한부분을 덮어싸는 제2모울드부분을 만들고, 전기절연특성르 갖는 제2수지로 상기 제2접속단자를 둘러싸는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 제1수지로 밀봉하는 단계는 상기 리드프레임으로부터 상기 프레임부분을 분리하는 단계 이전에 수행되고, 상기 제2수지로 상기 제2모울드부분을 만드는 단계는 상기 리드프레임으로부터 상기 프레임을 분리하는 단계 이후에 수행되는 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  31. 제29항에 있어서, 제2수지로 상기 제2모울드 부분을 만드는 단계는 그 내부에 상기 제2접속단자를 둘러싸는 부분이 상기 제1모울드부분의 적어도 한부분을 덮어사도록 외부커버링 몰딩작업에 의하여 수지로 몰딩하여 상기 제1접속단자 및 제2접속단자의 적어도 한부분을 밀봉하는 공정이며, 상기 공정은 상기 리드프레임으로부터 상기 프레임부분을 분리하는 단계보다 먼저 수행되고, 상기 제1모울드부분을 만들기 위해 상기 제1수지로 상기 모노리딕 IC를 밀봉하는 단계는 상기 리드프레임으로부터 상기 프레임부분을 분리하는 단계 이후에 수행되는 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  32. 제30항에 있어서, 상기 제1수지와 상기 제2수지는 동일한 종류의 수지인 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  33. 제30항에 있어서, 상기 각 제1수지와 상기 제2수지는 서로 다른 종류의 수지인 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  34. 제30항에 있어서, 상기 제1수지와 상기 제2수지의 강도가 틀린 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  35. 제30항에 있어서, 상기 제2수지의 강도는 제1수지의 강도보다 큰 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  36. 제33항에 있어서, 상기 제1 수지는 열경화성수지로 만들어지고, 상기 제2수지는 열가소성수지로 만들어진 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  37. 제36항에 있어서, 상기 제2수지는 상기 제2수지에 의해 수용되는 상기 제1수지의 제1모울드부분의 적어도 한부분을 상기 제2수지가 덮어싸는 방식으로 모울드되어 있는 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  38. 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법에 있어서, 상기 방법은 전기적인 부하에 전기적으로 접속된 제1접속단자와 상기 전기적인 부하 이외의 다른 장치에 전기적으로 접속된 제2접속단자중의 적어도 한부분을 전기전도물질로 만들어진 그것의 프레임부분에 접속하여 리드프레임을 형성하고, 모노리딕 IC와 상기 제1 및 제2접속단자를 전기절연수지로 밀봉함과 동시에 상기 밀봉부분과 일체로된 모울드부분을 만들어 상기 제2접속단자를 둘러싸고, 상기 리드프레임으로부터 상기 프레임부분을 분리하는 것으로 이루어진 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  39. 제38항에 있어서, 상기 제2접속단자의 팁단은 상기 단자를 둘러싸는 상기 모울드부분에 구비된 공동의 내부에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  40. 제29 또는 제38항에 있어서, 상기 리드프레임은 상기 제2접속단자를 상기 프레임과 그것의 팁부분을 제외한 상기 제2접속단자부분 사이에 접속하여 구성되어 있고, 밀봉작업 또는 몰딩작업은 상기 밀봉 또는 모울드된 부분의 외부에 상기 접속부분을 남겨두는 방식으로 수행되며, 분리작업은 상기 접속부분을 분리하는 것에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  41. 제29항 또는 제38항에 있어서, 상기 리드프레임은 상기 제2접속단자의 두 개의 최외곽 단자를 상기 프레임과 그것의 팁단부를 제외한 제2접속단자 부분 사이에 접속된 접속부분을 통하여 상기 리드프레임 부분과 접속하고, 내부의 다른 제2접속단자를 그것의 팁부분을 제외한 상기 제2접속단자부분과 접속된 중간 접속부분을 통하여 제1 접속단자중의 하나와 접속하여 구성되어 있고, 밀봉작업 또는 몰딩작업은 상기 밀봉 또는 모울드부분의 외부에 상기 접속부분을 남기는 방식으로 수행되고, 분리작업은 상기 접속부분과 상기 중간 접속부분의 분리에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  42. 제41항에 있어서, 상기 밀봉 또는 몰딩작업은 상기 밀봉 또는 모울드된 부분의 외부에 상기 접속부분을 남기는 방식으로 수행되고, 상기 중간 접속부분은 상기 밀봉 또는 모울드된 부분에 구비된 간극의 내부에 나타나고, 분리작업은 상기 접속부분과 상기 간극의 내부에 나타난 중간 접속부분을 분리하므로서 수행되는 것을 특징으로 하는 수지로 모울드된 IC 조절장치를 만드는 방법.
  43. 제1항에 있어서, 관통 간극(Penetrating aperture)을 상기 수지모울드부분에 구비시킨 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 IC 조절장치.
  44. 제24항에 있어서, 상기 관통간극을 상기 수지모울드부분에 구비시킨 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 반도체장치.
  45. 수지로 밀봉된 반도체장치에 있어서, 상기 장치는 전기적인 부하에 전기적으로 접속된 여러개의 제1접속단자, 상기 전기적인 부하 이외의 다른 장치에 접속된 제2접속단자, 전도부재상에 장치된 상기 전기적인 부하의 작용을 제어하고, 상기 제1접속단자 및 상기 제2접속단자 모두에 접속된 모노리딕 IC, 상기 모노리딕 IC와 상기 모노리딕 IC에 접속된 상기 제1 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하는 수지 모울드부분으로 이루어져 있으며, 각 접속단자는 상기 모울드부분의 외부에서 상기 모노리딕 IC에 인접한 부분으로 직접 한부분으로서 연장되어 있고, 상기 접속단자의 연장된 부분은 상기 수지내부에 견고하게 고정되어 있으며, 게다가 상기 모울드부분은 그위에 장치되고, 상기 제2접속단자를 둘러싸는 콘넥터 하우징으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 반도체장치.
  46. 제45항에 있어서, 전기적인 부하가 발전기인 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 반도체장치.
  47. 제45항에 있어서, 상기 제1접속단자는 상기 전기적인 부하부분에 직접적으로 접속될 수 있는 단자이며, 상기 제2접속단자는 콘넥터로서 사용될 수 있게 된 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 반도체장치.
  48. 제45 또는 제47항에 있어서, 상기 콘넥터 하우징은 상기 모울드부분에 의해 규정되는 표면방향에 미리 정해진 각도로 굽혀져 있는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880006794A 1987-06-05 1988-06-07 수지로 밀봉된 반도체 장치 및 그것의 제조방법 KR920005700B1 (ko)

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