KR880011881A - 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
반도체 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR880011881A KR880011881A KR870001890A KR870001890A KR880011881A KR 880011881 A KR880011881 A KR 880011881A KR 870001890 A KR870001890 A KR 870001890A KR 870001890 A KR870001890 A KR 870001890A KR 880011881 A KR880011881 A KR 880011881A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- alignment structure
- semiconductor device
- forming
- polycrystalline silicon
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/42—Bombardment with radiation
- H01L21/423—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/428—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 정령구조물의 제조공정도.
Claims (1)
- 레이저를 이용한 반도체 장치의 수선에 필요한 정렬 구조물의 제조공정에 있어서, 실리콘기판(11)상에 산화실리콘층(12)과 다결정 실리콘층(13)을 형성하는 제1공전과, 사진 식각 공정을 통하여 다결정 실리콘으로 된 휴우즈링크(16)와 정렬 구조물형태(15)를 형성하는 제2공정과, 상기 다결정 실리콘으로 된 휴우즈 링크(16)와 정렬구조물형태(15)의 상부에 인이 포함된 절연막(17)을 형성하는 제3공정과, 사진 식각공정을 통하여 정렬 구조물형태(15)를 외부로 드러나게 하는 제4공정과, 상기 정렬 구조물형태(15)의 상부에 금속층(20)을 증착시키는 제5공정과, 사진 각각 공정을 통하여 금속으로 된 정렬 구조물(20)을 형성시키는 제6공정으로하여 상기 정렬 구조물의 제조공정이 반도체 소자의 제조공정과 동시에 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019870001890A KR890004572B1 (ko) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 반도체 장치의 수선을 위한 정렬구조물 제작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019870001890A KR890004572B1 (ko) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 반도체 장치의 수선을 위한 정렬구조물 제작방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880011881A true KR880011881A (ko) | 1988-10-31 |
| KR890004572B1 KR890004572B1 (ko) | 1989-11-15 |
Family
ID=19259824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019870001890A KR890004572B1 (ko) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 반도체 장치의 수선을 위한 정렬구조물 제작방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR890004572B1 (ko) |
-
1987
- 1987-03-02 KR KR1019870001890A patent/KR890004572B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890004572B1 (ko) | 1989-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR850000775A (ko) | 에칭기술 | |
| KR890003028A (ko) | 고저항 다결정 실리콘의 제조방법 | |
| KR950012591A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR920005271A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| SE8306070D0 (sv) | Polykristallina kiselskikt for halvledarorgan | |
| KR870003575A (ko) | 반도체장치의 형성방법 | |
| KR950026032A (ko) | 다결정실리콘 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR880011881A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR960005789A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 제조방법 | |
| JPS5330283A (en) | Production of substrates for semiconductor integrated circuits | |
| KR890005918A (ko) | 비정질 실리콘 태양전지 제조방법 | |
| KR960029853A (ko) | 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널 및 제조방법 | |
| KR940016887A (ko) | 반도체 소자의 미세 게이트전극 형성방법 | |
| JPS531471A (en) | Manufacture for semiconductor device | |
| JPS5789239A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| KR920003973B1 (ko) | 다층 배선을 위한 비어 홀 형성방법 | |
| KR880009427A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR910001892A (ko) | 포스퍼러스 도우프드 산화물 플로우 공정방법 | |
| KR950025874A (ko) | 반도체소자의 게이트전극 제조방법 | |
| JPS56158455A (en) | Semiconductor device | |
| KR960026867A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR890001170A (ko) | 반도체 장치의 폴리사이드 구조 제조방법 | |
| KR940001279A (ko) | 반도체의 금속배선 형성방법 | |
| JPS5769785A (en) | Manufacture of semiconductor light emitting device | |
| KR950004548A (ko) | 반도체소자 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040331 Year of fee payment: 16 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |