KR880010336A - 반도체 방사선 위치 검출장치 - Google Patents

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KR880010336A
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신 아다찌
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니시하찌죠 미노루
가부시기가이샤 시마즈세이사구쇼
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 방사선 위치 검출장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)도는 본 발명의 실시예의 반(半)블럭도식의 전체회로 구성도, 제1(b)도는, 제1(a)도의 일부분을 상세히 도시하는, 열 및 행측 증폭기와 접속관계를 가진 상기 실시예의 방사선 검출기 각각을 수반한 완추외로를 도시한다.
제2도는 상기 실시예의 분해 사시도.

Claims (3)

  1. 2차원(m,n) 검출기 행렬을 형성하기 위해 배열된 다수의 방사선 검출기로 된 방사선 수상판을 가진 방사선 검출장치이며, 상기 방사선 검출장치는 ; 상기 방사선 검출장치에 의해 검출된 방사선 신호가 출력되는 완충회로와 ; 상기(m,n) 검출기 행렬의 n열들 각각에 속하는 방사선 검출기에 의해 검출된 방사선 신호를 중폭시키는 각각의 m행측 증폭기들로 구성되는 것을 특징으로 하며, 상기 완충회로는 상기 방사선 검출기와 일대일 대응으로 제공된다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 완충회로들 각각이 상기 방사선 검출기들 중 하나에 의해 검출되는 방사선 신호들을 수신하도록 그 게이트들이 공통으로 접속되고 그 각각의 드레인들이 상기 열측 증폭기들 중 하나와 상기 행측 증폭기들 중 하나에 입력되는 두 개의 전계효과 트랜지스터들로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 방사선 위치 검출장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 완충증폭기들 각각이 동일물에 의해 검출된 방사선 신호들을 수신하도록 상기 방사선 검출기들 중 하나에 그 게이트가 접속되고 상기 방사선 신호를 상기 열측 증폭기들 중 하나와 상기 행측 증폭기들 중 하나에 모두 전송시키기 위해 두 출력 단자들을 갖는 전류미러회로에 의해 그 채널 회로가 수반되는 하나의 전계효과 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 방사선 위치 검출장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880001396A 1987-02-16 1988-02-13 반도체 방사선 위치 검출장치 KR920001114B1 (ko)

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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4900943A (en) * 1989-01-03 1990-02-13 Honeywell Inc. Multiplex time delay integration
GB8902443D0 (en) * 1989-02-03 1989-03-22 Jones Barbara L Radiation detector
EP0490997A4 (en) * 1989-09-06 1993-01-27 The University Of Michigan, Intellectual Property Office Multi-element-amorphous-silicon-detector-array for real-time imaging and dosimetry of megavoltage photons and diagnostic x-rays
US5262649A (en) * 1989-09-06 1993-11-16 The Regents Of The University Of Michigan Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation
JP2890553B2 (ja) * 1989-11-24 1999-05-17 株式会社島津製作所 X線像撮像装置
DE4036163A1 (de) * 1990-11-14 1992-05-21 Philips Patentverwaltung Roentgenuntersuchungsgeraet
US5502488A (en) * 1991-05-07 1996-03-26 Olympus Optical Co., Ltd. Solid-state imaging device having a low impedance structure
JP2833729B2 (ja) * 1992-06-30 1998-12-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置
WO1994025878A1 (en) * 1993-04-28 1994-11-10 University Of Surrey Radiation detectors
GB2289983B (en) * 1994-06-01 1996-10-16 Simage Oy Imaging devices,systems and methods
US6035013A (en) * 1994-06-01 2000-03-07 Simage O.Y. Radiographic imaging devices, systems and methods
GB2318411B (en) * 1996-10-15 1999-03-10 Simage Oy Imaging device for imaging radiation
WO2000014573A1 (en) * 1998-09-09 2000-03-16 Oxford Instruments (Uk) Limited Particle sensor
EP1173973A1 (en) 1999-04-26 2002-01-23 Simage Oy Self triggered imaging device for imaging radiation
FR2794287B1 (fr) * 1999-05-25 2003-06-06 Commissariat Energie Atomique Detecteur a semi-conducteur pour la detection de rayonnements ionisants
US6642496B1 (en) * 2002-01-18 2003-11-04 Raytheon Company Two dimensional optical shading gain compensation for imaging sensors
KR100946738B1 (ko) * 2007-12-06 2010-03-12 한국원자력연구원 다수개의 반도체 방사선 센서를 이용한 이동형 방사선 선량계
CN105182401B (zh) * 2015-09-30 2019-05-21 东软医疗系统股份有限公司 一种核探测器晶体位置识别装置
US20200355837A1 (en) * 2017-12-15 2020-11-12 Horiba, Ltd. Silicon drift detection element, silicon drift detector, and radiation detection device
EP3591440A1 (en) * 2018-07-04 2020-01-08 ETH Zurich Detection device and method for detecting sensor signals in a grid of sensor elements

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57109488A (en) * 1980-12-26 1982-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid color image pickup device
EP0167119B1 (en) * 1984-06-30 1991-10-23 Shimadzu Corporation Semiconductor radiation detector
US4580170A (en) * 1984-12-21 1986-04-01 Rca Corporation Suppression of frame-rate flicker in CCD imagers using field interlace
JPS61270971A (ja) * 1985-05-25 1986-12-01 Oki Electric Ind Co Ltd 画像読取装置
US4689808A (en) * 1986-01-31 1987-08-25 Rca Corporation Low noise signal detection for a charge transfer device by quadrature phasing of information and reset noise signals

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CN1023836C (zh) 1994-02-16
DE3862603D1 (de) 1991-06-06
EP0287197A1 (en) 1988-10-19

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