KR880007427A - 공역 디엔의 카르보닐화 방법 및 이를 위한 촉매 시스템 - Google Patents

공역 디엔의 카르보닐화 방법 및 이를 위한 촉매 시스템

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KR880007427A
KR880007427A KR860013726A KR860013726A KR880007427A KR 880007427 A KR880007427 A KR 880007427A KR 860013726 A KR860013726 A KR 860013726A KR 860013726 A KR860013726 A KR 860013726A KR 880007427 A KR880007427 A KR 880007427A
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드랜트 아이트
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오노 알버어스
셀 인터나쵸나아레 레사아치 마아츠샤피 비이부이
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Abstract

내용 없음.

Description

공역 디엔의 카르보닐화 방법 및 이를 위한 촉매 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (26)

  1. 하기 (a)-(c)의 혼합에 의해 제조되는 촉매 시스템의 존재하에 액상내 하드록실 기를 포함하는 화합물의 존재하에 공역 디엔을 선택적으로 카르보닐화 하는 방법:
    (a)팔라듐 또는 이들의 화합물, (b)R1이 하나 또는 그 이상의 전자 끄는 기로 치환된 아길 기를 나타내고, 각 R2및 R3이 하나 또는 그 이상의 전자끄는 기로 임의 치환된 아릴 기를 나타내고, Q가 인, 안티몬 또는 비소를 나타내는 하기 일반식 I에 따른 유기인 유도체:
    (c) pka<4를 갖는 치환된 벤조 산.
  2. 제1항에 있어서, 1,3-부타디엔을 3-펜텐산 또는 그의 유도체로 전환시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 사용되는 치환된 벤조산이 하나 또는 그 이상의 전자 끄는 치환체를 갖고 있고/있거나 더 큰 축합된 방향족 고리 시스템의 부분을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 0-클로로 벤조산, m-클로로 벤조산, p-클로로 벤조산, 2,6-디클로로 벤조산, 0-히드록시 벤조산, 0-메톡시 벤조산, 0-브로모벤조산 m-브로모벤조산 또는 q-안트라센 카르복실 산을 치환된 벤조 산으로서 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 2,6-디클로로벤조산 또는 9-안트라센카르복실 산을 치환된 벤조 산으로서 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항중 어느 한항에 있어서, 아릴기가 하나 또는 그 이상의 전자 끄는 기로 치환된 페닐기인 일반식 I에 따른 포스핀을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 페닐 기가 할로겐 또는 트리할로겐 메틸기로 치환되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 트리 (m-클로로페닐) 포스핀, 트리(p-클로로페닐)포스핀 및 트리(m-트리플루오로메틸페닐)포스핀을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항 내지 제8항중 어느 한항에 있어서, 사용된 모노덴테이트 포스핀과는 별도로 페닐기가 임의로 치환되어 있는 비덴테이트 포스핀을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 팔라듐 아세테이트를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항 내지 10항중 어느 한항에 있어서, 공역 디엔의 몰당 10-5-10-1g원자의 팔라듐을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제1항 내지 제11항중 어느 한항에 있어서, 팔라듐 g원자당 포스핀 2-20몰을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제1항 내지 제12항중 어느 한항에 있어서, 유기포스핀 당량의 치환 벤조산을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제1항 내지 제13항중 어느 한항에 있어서, 별도의 불황성 용매를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제1항 내지 제13항중 어느 한항에 있어서, 디페닐 에테르를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 하기 (a)-(c)의 혼합에 의해 제조된 촉매 시스템의 존재하에, 액상내 히드록실 기를 포함하는 화합물의 존재하에서 공역 디엔을 선택적 카크보닐화 하기 위한 촉매 시스템.
    (a)팔라듐 또는 이들의 화합물, (b)R1이 하나 또는 그 이상의 전자 끄는 기로 치환된 아릴 기를 나타내고, 각 R2및 R3은 하나 또는 그 이상의 전자 끄는 기로 임의 치환된 아릴기를 나타내고, Q가 인, 안티몬 또는 비소를 나타내는일반식 I에 따른 유기인 유도체:
    (c) pak<4를 갖는 치환된 벤조산.
  17. 제16항에 있어서, 하나 또는 그 이상의 전자 끄는 기를 갖고 있고/ 있거나 더 큰 축합된 방향족 시스템의 부분을 형성하는 치환된 벤조산을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서, 0-클로로벤조 산, m-클로로벤조 산, p-클로로 벤조 산, 2,6-디클로로벤조산 0-히드록시 벤조산, 0-메톡시 벤조산, 0-브로모벤조산 또는 q-안트라센카르복실산을 치환된 벤조 산으로서 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제16항 내지 제18항중 어느 한항에 있어서, 2,6-디클로로벤조산 도는 q-안라센카르복실산을 치환된 벤조 산으로서 사용하는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템.
  20. 제16항 내지 제19항중 어느 한항에 있어서, 페닐기가 할로겐 또는 모노-, 디-또는 트리-할로겐 메틸기로 치환된 포스핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템.
  21. 제16항 내지 제20항중 어느 한항에 있어서, 트리(m-클로로페닐), 포스핀, 트리(p-클로로페닐) 포스핀 및 트리(m-트리플루오로메틸페닐)포스핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템.
  22. 제16항 내지 제21항중 어느 한항에 있어서, 모노덴테이트 포스핀뿐만 아니라 비덴테이트 포스핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템.
  23. 제16항에 내지 제23항중 어느 한항에 있어서, 팔라듐 아세테이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템.
  24. 제16항 내지 제23항중 어느 한항에 있어서, 팔라듐 g원자당 2-20몰의 포스핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템.
  25. 제16항 내지 제24항중 어느 한항에 있어서, 유기 포스핀 당량 당 0.1-10당량의 치환된 벤조산을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템.
  26. 제16항 내지 제25항중 어느 한항에 있어서, 불활성 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR860013726A 1986-12-05 1986-12-02 공역 디엔의 카르보닐화 방법 및 이를 위한 촉매 시스템 KR880007427A (ko)

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