KR880005660A - 다층 반도체의 선택적 혼합 처리방법 - Google Patents

다층 반도체의 선택적 혼합 처리방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

다층 반도체의 선택적 혼합 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 원리에 따라 설계된 에너지원으로써 엑시머 레이저를 이용하는 초격자의 선택적 상호 혼합용장치의 블럭 다이어그램. 제4도는 본 발명의 원리에 따라 설계된 에너지원으로써 주파수-이중 NdiYAG 레이저를 이용하는 초격자의 선택적 상호 혼합용 장치의 블럭 다이어그램.

Claims (30)

  1. (a) 각층이 약 5내지 500A°의 두께를 가지며, 적어도 하나의 노출 표면층을 갖는 다층 반도체 구조를 제공하는 단계와, (b) 교대층간의 상호 혼합을 결과시키기에 충분한 에너지 밀도를 제공하는데 적합한 에너지원으로 노출 표면층의 선택된 영역에 걸쳐 상기 다층 반도체 구조를 방사시키는 단계와, (c) 선택적으로 상호 혼합된 다층 반도체 구조를 재싱시키는 단계를 포함하며, 상기 구조는 원래의 반도체 구조의 그것과 상이한 광학적, 전자적 특성을 나타내는 선택된 수평 및 수직적 영역을 가지므로써 특정화되는 것을 특징으로 하는 적어도 두층을 가지며 교대하는 양자웰층과 장벽층을 포함하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 다층 반도체 구조가 합성 초격자를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  3. 제1항에 있어서, 양자웰층이 갈리움 아르세나이드로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  4. 제3항에 있어서, 장벽층이 식 AlXGal-XAS를 갖는 알루미늄 갈리움 아르세나이드로 구성되는 것을 특징으로 하는다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  5. 제4항에 있어서, 끝수 X가 약 0.1내지 0.5 범위내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  6. 제4항에 있어서, 양자웰층이갈리움 아르세나이드로 구성되고, 장벽층이 Al0.3Ga0.7AS로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  7. 제6항에 있어서, 혼합된 반도체 구조의 선택된 영역이 Al0.15GA85AS로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  8. 제3항에 있어서, 제공된 양자웰층이 약 30 내지 150A°범위내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  9. 제8항에 있어서, 양자웰층이 약 50 내지 100A°범위내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  10. 제4항에 있어서, 장벽층이 약 30내지 150A°범위내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  11. 제10항에 있어서, 장벽층의 두께가 약 100A°인 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  12. 제4항에 있어서, 다층 반도체 구조가 약 0°내지 50'C 범위내의 온도에서 제공되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  13. 제4항에 있어서, 다층 반도체 구조가 실제적으로 주위 온도 및 압력에서 제공되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  14. 제1항에 있어서, 에너지원이 펄스된 레이저 비임, 급격하게 주사된 레이저 비임, 펄스된전자비임, 급격하게 주사된 전자 비임 및 그것의 결합으로 구성되는 클래스로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  15. 제1항에 있어서, 에너지원이 엑시머 레이저 비임인 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  16. 제15항에 있어서, 엑시머 레이저 비임이 248㎜의 파장을 갖는 krF 레이저 비임인 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  17. 제1항에 있어서, 에너지원이 펄스된 레이저 비임으로부터의 단일 펄스를포함하는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  18. 제1항에 있어서, 에너지원이 펄스된 레이저 비임으로부터의 다증펄스를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  19. 제6항에 있어서, 에너지원이 펄스된 KrF 레이저 비임으로부터의 단일 펄스를포함하며, 상기 펄스가 약 10내지 30 나노세컨드 범위내의 드웰 시간을 가지고, 에너지 밀도가 약 100내지 400mJ/㎠ 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  20. 제1항에 있어서, 다층 반도체 구조가 2층 구조를 포함하며, 상기 구조가 단일 이질구조인 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  21. 제1항에 있어서, 다층 반도체 구조가 3층 구조를 포함하며, 상기 구조가 이중 이질구조인 것을 특징으로 하는 다층 반도체구조의 선택적 혼합 처리방법.
  22. 제1항에 있어서, 다층 반도체 구조가 도핑 초격자를 제공하기 위하여 교대층의 한 유형내의 불순물 원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 구조의 선택적 혼합 처리방법.
  23. (a) 적어도 두층을 가지며, 교대하는 양자웰층과 장벽층을 포함하고, 각층은 약 5내지 500A°범위내의 두께를 가지며, 적어도 하나의 노출 표면층을 갖는 다층 반도체 구조를 제공하는 단계와, (b) 교대하는 층간에 상호 혼합을 결과시키기에 충분한 에너지 밀도를 제공하는데 적합한 에너지원으로 노출된 표면층의 선택된 영역에 걸쳐 상기 다층 반도체 구조를 방사시키는 단계와, (c) 선택적으로 상호 혼합된 다층 반도체 생산품을 재생하는 단계를 구비하는 공정에 의해 준비된, 변경된 광학적 및 전자적 특성을 나타내는 선택된 수평 및 수직 영역을 가지므로써 특정화되는 것을 특징으로하는 선택적으로 혼합된 다층 반도체 생산품.
  24. 제23항에 있어서, 공정단계가 펄스된 레이저 비임, 급격하게 주사된 레이저 비임, 펄스된 전자비임, 급격하여 주사된 전자 비임 및 그것의 결합으로 구성되는 클라스로부터 선택된 에너지원을 사용하는 것을 특징으로 하는 선택적으로 혼합된 다층 반도체 생산품.
  25. 제24항에 있어서, 에너지원이 엑시머 레이저 비임인 것을 특징으로 하는 선택적으로 혼합된 다층 반도체 생산품.
  26. 제24항에 있어서, 에너지원이 펄스된 레이저 비임으로부터의 단일펄스를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적으로 혼합된 다층 반도체 생산품.
  27. 제24항에 있어서, 에너지원이 펄스된 레이저 비임으로부터의 다중 펄스를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적으로 혼합된 다층 반도체 생산품.
  28. 제20항의 공정에 의한 집적구조의 반도체 생산품.
  29. 제21항의공정에 의한 집적구조의 반도체 생산품.
  30. 제22항의 공정에 의한 집적구조의 반도체 생산품.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870011156A 1986-10-09 1987-10-06 다층 반도체의 선택적 혼합 처리방법 KR880005660A (ko)

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