KR880005174A - 헥사플루오로이소프로필리덴 그룹-함유 폴리아미드 및 이의 피복물 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (19)
- 하기 일반식의 폴리아미드.상기식에서, X는 2가의 그룹이고 ; a는 0.10 내지 0.50 몰분획이고 ; b는 0.25 내지 0.50 몰분획이고 ; c는 0.00 내지 0.40 몰분획이고 ; d는 0.00 내지 0.25몰분획이고 ; a+b+c+d=1이며, 상기의 몰분획은 상기 폴리아미드의 X+Y+Z의 총 몰수를 기준으로 하고 ; n은 2 내지 500의 정수이고 ; R은 수소 및 C9이하의 치환되거나 비치환된 지방족 또는 방향족 1가 그룹 중에서 독립적으로 선택되고 ; Y및 Z는 C60이하의 치환되거나 비치환된 지방족, 방향족 또는 치환족 2가 그룹 및 그들의 혼합물중에서 독립적으로 선택된다.
- 제1항에 있어서, 2가 그룹 Y 및 Z가 디플루오로메틸렌 ; C2내지 C12의 폴리디플루오로메틸렌 ; C2내지 C12의 치환되거나 비치환된 메틸렌 또는 폴리메틸렌 ; 사이클로헥실렌 ; 사이클로헥세닐렌 ; 피페라지닐렌 ; 아릴렌 ; 비아릴렌 ; 나프탈레닐렌 ; 및 아릴렌 환사이의 결합그룹의 단일 탄소-탄소결합, 메틸렌, C2내지 C12의 폴리메틸렌, 디플루오로메틸렌, C1내지 C12의 폴리디플루오로메틸렌, 이소프로필리덴, 헥사플루오로이소프로필리덴, 옥시, 티오, 설피닐, 설포닐, 설포닐디옥시, 설폰아미도, 카보닐,사이클로헥실렌, 사이클로헥세닐렌, 나프탈렌닐렌 및 그들의 혼합물중에서 독립적으로 선택되는 폴리아릴렌 중에서 독립적으로 선택되나, 단 2가 그룹 Z는 메틸렌 또는 디플루오로메틸렌이 아니고 ; 치환체 A가 C1내지 C8의 치환되거나 비치환된 알킬, 페닐 및 나프틸중에서 독립적으로 선택되고 ; 그룹 D가 옥시, 티오, 카보닐, 옥시카보닐, 설프아미도, 설피닐, 설포닐, 설포닐디옥시, 벤젠디카보닐, 벤젠디옥시카보닐,중에서 독립적으로 선택되고 ; 정수 n'가 1 내지 25이고 ; 정수 n"가 1 내지 12이며 ; 상기의 2가 폴리아릴렌이 일반식.(여기에서, W는 상기의 독립적으로 선택되는 결합그룹이고 ; 정수 n"'은 0, 1, 2 또는 3이나, 단 n"'이 0인 경우, W는 탄소-탄소결합이 아니다)을 갖는 폴리아미드.
- 제2항에 있어서, 몰분획 "a"가 약 0.25 내지 약 0.50인 폴리아미드.
- 제3항에 있어서, 2가 그룹 Y 및 Z가 각각 약 70 내지 100몰%의 치환되거나 비치환된 방향족 2가그룹 또는 치환되거나 비치환되거나 비치환된 방향족 2가 그룹들의 혼합물을 함유하고 ; 상기 Y의 몰%가 상기 폴리아미드중의 Y의 몰을 기준으로하며, 상기 Z의 몰%가 상기 폴리아미드중의 Z의 몰을 기준으로 하는 폴리아미드.
- 제4항에 있어서, 상기의 방향족 2가 그룹 Y가 치환되거나 비치환된 m-페닐렌, P-페닐렌 및 2가 그룹및 그들의 혼합물 중에서 선택되는 폴리아미드.
- 제5항에 있어서, 상기의 치환되거나 비치환된 m-페닐렌이 약 20 내지 100몰%의 2가 그룹 Y를 구성하는 폴리아미드.
- 제5항에 있어서, 상기의 m-페닐렌이 약 40 내지 약 60몰%의 2가그룹 Y를 구성하는 폴리아미드.
- 제4항에 있어서, 상기의 2가그룹 Y가 약 40 내지 약 60몰%의 m-페닐렌 및 약 60 내지 약 40몰%의 2가 그룹을 함유하는 폴리아미드.
- 제4항에 있어서, 상기의 2가 그룹 Y가 약 40 내지 약 6몰%의 m-페닐렌 및 약 60 내지 약 40몰%의 P-페닐렌을 함유하는 폴리아미드.
- 제4항에 있어서, 2가 그룹 Z가 하기의 일을 갖는 폴리아미드.상기식에서, R' 및 R"은 수소, 하이드록시, C1내지 C6의 저급알콕시, C6내지 C9의 아릴옥시, 클로로, 플루오로, 니트로, 카복시 및 C10이하의 카복실 지방족 또는 방향족 에스테르중에서 독립적으로 선택되나, 단 R"'이 헥사플루오로이소프로필리덴 그룹인 경우, R' 및 R"은 모두 하가 아니고 ; R"'은 탄소-탄소결합, 메틸렌, 이소프로필렌, C2내지 C12의 폴리메틸렌, 디플루오로메틸렌, C2내지 C12의 폴리디플루오로메틸렌, 설피닐, 설포닐, 티오, 옥시, 카보닐, 이소프로필리덴, 헥사플루오로-이소프로필리덴, 벤젠디카보닐 및 벤젠디옥시카보닐 중에서 독립적으로 선택된다.
- 제10항에 있어서, R"'이인 폴리아미드.
- 제11항에 있어서, 2가 그룹 Z가 약 40 내지 약 60몰%의 m-페닐렌 및 약 60 내지 약 40몰%의 P-페닐렌을 함유하는 폴리아미드.
- 제11항에 있어서, 2가 그룹 Z가 약 40 내지 60몰%의 m-페닐렌 및 약 60 내지 약 40몰%의 구조식의 2가 그룹 Y를 함유하는 폴리아미드.
- 제1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12 또는 13항에 따른 폴리아미드 및 방사성 감응성 퀴논 디아지드를 함유하는 내열성 포지티브(positive) 감광성 내식막.
- 방사선 감응성 퀴논 디아지드 및 제1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12 또는 13항에 따른 폴리아미드를 함유하는 포지티브 감광성 내식막 조성물을 기질에 적용시킨 다음, 상기의 감광성 내식막 조성물을 미리 결정된 형태의 방사선에 노출시켜 상기의 감광성 내식막에 제거가능한 노출부위를 생성시키고, 이어서 상기의 제거 가능한 노출부위를 기질로 부터 제거한 다음, 비노출된 감광성 내식막 조성물을 약 80 내지 약 350℃의 온도에서 어닐링함을 특징으로 하여, 제품을 제조하는 방법.
- 제1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12 또는 13항에 따른 폴리아미드를 함유하는 방사선-안전성 고온 보호 피복물.
- 제1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12 또는 13항에 따른 폴리아미드로 부터 유도된 폴리옥사졸을 함유하는 방사선-안정성 고온 보호 피복물.
- 제1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12 또는 13항에 따른 폴리아미드를 함유하는 방사선 안정성 보호 피복물을 기질에 적용시킨 다음, 상기의 피복물을 약 80 내지 약 350℃에서 어닐링함을 특징으로 하여 제품을 제조하는 방법.
- 제1항에 따른 폴리아미드 및 디아지드 퀴논 방사선 감작제(Sensitizer)를 함유하며, 폴리아미드중에 존재하는 2가 그룹 X, Y 및 Z의 몰분획을 서로에 대하여 조절함으로써 감광성 내식막의 감광도를 결정하여 미리 결정된 감광도를 갖는 감광성 내식막을 제조함을 특징으로 하여, 미리 경정된 감광도를 갖는 포지티브 감광성 내식막을 제조하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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