KR880002412A - 다층기판 형성시 배선 손상 방지방법 - Google Patents
다층기판 형성시 배선 손상 방지방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR880002412A KR880002412A KR1019860005686A KR860005686A KR880002412A KR 880002412 A KR880002412 A KR 880002412A KR 1019860005686 A KR1019860005686 A KR 1019860005686A KR 860005686 A KR860005686 A KR 860005686A KR 880002412 A KR880002412 A KR 880002412A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer wiring
- insulator
- multilayer board
- layer
- forming multilayer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 다층기판 형성의 공정도.
제4도는 제3도에 의해 형성되는 다층기판의 단면도.
Claims (1)
- 기판(1)의 표면에 산화막(2) 처리를 하고, 그의 상부에 제1층 배선(3)를 형성하며, 제1층 배선(3)의 상부에 절연체(4)를 일정두께로 입힌 다음 열처리를 하여 절연체의 수분을 증발시키고, 제2층 배선(5)을 형성하는 다층기판 형성 방법에 있어서, 제1층 배선(3)상부에 절연체(4)를 일정두께로 입히고, 그의 상부에 제2층 배선(5)을 형성할 때 절연체(4)와 배선(5)의 본딩패드가 넓은 곳에 배기구(6)를 형성하여 제2층 배선을 실시함을 특징으로 하는 다층기판의 형성시 배선 손상 방지방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860005686A KR920008511B1 (ko) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 다층기판 형성시 배선 손상 방지방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860005686A KR920008511B1 (ko) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 다층기판 형성시 배선 손상 방지방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880002412A true KR880002412A (ko) | 1988-04-30 |
| KR920008511B1 KR920008511B1 (ko) | 1992-09-30 |
Family
ID=19251097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019860005686A KR920008511B1 (ko) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 다층기판 형성시 배선 손상 방지방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920008511B1 (ko) |
-
1986
- 1986-07-14 KR KR1019860005686A patent/KR920008511B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920008511B1 (ko) | 1992-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR890015370A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR890007386A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR920005304A (ko) | 반도체집적회로장치의 배선접속구조 및 그 제조방법 | |
| KR880013239A (ko) | 반도체소자의 접속구멍형성 방법 | |
| KR920008849A (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| KR890008976A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR920020618A (ko) | 반도체 장치의 배선 접속 구조 및 그 제조방법 | |
| KR900005593A (ko) | 반도체장치 | |
| KR840000075A (ko) | 반도체 기판과 그 제조방법 | |
| KR880002412A (ko) | 다층기판 형성시 배선 손상 방지방법 | |
| ATE236788T1 (de) | Strukturierte trennfolie zwischen zwei laminierten oberflächen | |
| KR910008835A (ko) | 바이폴라형 반도체장치 | |
| JPS5258491A (en) | Semiconductor device | |
| KR910017624A (ko) | 반도체집적회로장치 | |
| KR880011907A (ko) | 반도체장치에서 배선층의 형성방법 | |
| KR910003802A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR900001025A (ko) | 반도체장치 | |
| KR920013629A (ko) | 반도체장치 | |
| KR900019218A (ko) | 후막소자 | |
| KR880001151A (ko) | 광전 변환 장치 | |
| KR890011061A (ko) | 다층 배선층간의 절연막 형성방법 | |
| KR840006861A (ko) | 박막자기헤드(薄膜磁氣 head)의 제조방법 | |
| JPS5986696U (ja) | Ｅｌパネルの構造 | |
| JPS5990429U (ja) | 断熱性を有する透明複層シ−ト | |
| KR890001192A (ko) | 다층 배선구조 반도체 장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20020820 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |