KR880001438B1 - 반도체 기상성장장치 - Google Patents

반도체 기상성장장치 Download PDF

Info

Publication number
KR880001438B1
KR880001438B1 KR1019830005595A KR830005595A KR880001438B1 KR 880001438 B1 KR880001438 B1 KR 880001438B1 KR 1019830005595 A KR1019830005595 A KR 1019830005595A KR 830005595 A KR830005595 A KR 830005595A KR 880001438 B1 KR880001438 B1 KR 880001438B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
substrate
semiconductor
data
growth apparatus
Prior art date
Application number
KR1019830005595A
Other languages
English (en)
Other versions
KR840006727A (ko
Inventor
히또시 에바다
요시조오 고미야마
Original Assignee
도오시바기까이 가부시기가이샤
이이무라 가즈오
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도오시바기까이 가부시기가이샤, 이이무라 가즈오 filed Critical 도오시바기까이 가부시기가이샤
Publication of KR840006727A publication Critical patent/KR840006727A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR880001438B1 publication Critical patent/KR880001438B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 기상성장장치
제1도는 본 발명에 의한 반도체 기상성장치의 한 실시예를 나타내는 부분 파단 사시도.
제2도는 반응로 및 반출입장치의 부분 단면도.
제3도는 전기제어장치의 블록구성도.
제4도는 서셉터상의 기판과 시험편의 배열예를 나타내는 평면도.
제5도는 소정 패턴으로 서셉터상에 배열되는 기판과 시험편의 위치에 관한 기억장치에 저장된 데이터의 한 실시예를 나타내는 개념도.
제6도는 서셉터의 회전각도를 결정하기 위한 제어회로의 한 실시예를 나타내는 블록도.
제7도는 서셉터상의 기판 및 시험편의 배열을 나타내는 위치처리 프로그램의 주요 처리내용을 나타내는 흐름도.
제8도는 제2도의 벨쟈를 상승시켜서 서셉터에 대한 기판과 시험편의 배열을 행하고 있는 상태를 나타내는 단면도.
제9도는 서셉터상의 기판 및 시험편의 배열의 다른 예를 나타내는 평면도.
제10도는 제9도에 나타낸 배열에 대응하는 기억장치에 기억된 데이터를 나타내는 개념도.
제11도는 바렐형의 서셉터의 횡단면도.
본 발명은 회전 또는 1 내지 2차원 방향으로 이동 또는 회전 가능한 서셉터상에 실리콘, 게르마늄 등의 기판을 배열하고 이 기판상에 에피택설(epitaxial)층을 형성하는 반도체 기상성장장치에 관한 것으로, 좀 더 상세히 설명하면, 상기 서셉터상에 대한 기판의 자동반출입장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 기상성장장치의 서셉터에 복수개의 기판을 소정의 패턴으로 배열하거나 또는 이 서셉터에 배열되어 있는 기판을 반출하는 작업은 거의 사람의 손에 의하여 행하여지고 있었다. 그러나 반도체 기상성장 장치는 고온으로 가동되고, 또 인체에 위험한 반응가스를 사용하므로, 사람의 손에 의한 기판의 반출입을 자동화하여 가급적 사람이 가스반응로에 접근하지 않도록 하는 동시에 능률의 향상을 도모하는 것이 요망되고 있다.
따라서 본 특허출원 후에 일본국에 출원된 특허출원에는 상기 기판을 자동으로 반출입하기 위하여 마아크에 따라서 소정 각도로 서셉터를 위치 또는 지시하기 위하여 상기 서셉터 주위에 배열된 기판의 위치를 검출하기 위한 마이크가 표시된 자동장치가 개시되어 있다. 그러나 서셉터상에 배열된 기판의 크기는 반드시 일정한 것은 아니다. 예를들면, 4 내지 5인치 직경의 웨이퍼가 있다. 또 각 기판의 기상성장은 성장장치의 특성으로 인하여 상당히 다르다. 따라서 서셉터상에 고정된 패턴으로 소정 간격으로 기판을 반드시 배열할 필요는 없는 것이다. 때때로, 성장장치의 특성에 다라 이 배열을 변경시킬 필요가 있다.
본 발명의 목적은 상기 서셉터에 대한 기판의 반출입이 교우괴는 어느 패턴으로든지, 자동적으로 정확하게 행할 수 있게 한 반도체 기상성장장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판이 정확하게 장착될 각도위치를 서셉터가 계속해서 맞추어줄 수 있도록 이동 가능한 서셉터상에 배열되는 위치에 관한 데이터를 저장하는 기억장치를 포함하는 있는 신규의 반동체 기상성장장치를 제공하는데 있다. 본 발명의 반도체 기상성장장치의 회전할 수 있는 서셉터상에 요구되는 패턴으로 복수개의 기판의 위치를 결정하는 장치에 있어서, (a) 컴퓨터 제어장치는, (1) 중앙처리유니트와, (2) 상기 서셉터상의 특정위치에 대응한 복수개의 위치를 가진 데이터영역을 구비한 제1기억부와, 상기 위치에 관한 대응 데이터를 기억하도록 구성되어 있는 번지에 의해 형성된 상기 제1기억부의 상기 데이터영역과, (3) 기판의 크기에 따라서 상기 제1기억부의 위치데이터로 부터 선정된 특정 위치데이터를 기억하는 일시기억부와, (4) 상기 중앙처리유니트의 제어하에 상기 특정 위치데이터를 선정하여 이것을 상기 일시기억부에 전송하는 데이터 입출력장치와, (5) 상기 중앙처리유니트에 접속된 모우터 구동모듈과, (6) 상기 일시기억부의 상기 특정 위치 데이터를 상기 모우터 구동모듈에 공급하는 프로그램을 기억하는 제2기억부를 포함하며, (b) 반출입장치는 수평 및 수직방향으로 이동할 수 있으며, 상기 특정 위치데이터에 대응한 위치에 있는 상기 서셉터상의 상기 기판을 장전 또는 반출하며, (c) 위치결정장치는 상기 특정 위치데이터에 대응한 위치에서 상기 기판을 장전 또는 반출할 수 있도록 상기 서셉터를 회전하는 상기 모우터 구동모듈에 의해 제어되는, 상기 컴퓨터 제어장치는 상기 서셉터의 회전과 상기 반출입장치의 수직 및 수평이동에 의하여 상기 요구되는 패턴으로 상기 기판이 상기 서셉터상에 장전 및 반출되도록 상기 특정 위치데이터에 따라서 상기 반출입장치와 상기 위치결정장치의 이동을 동기하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 기상성장 장치이다.
다음에 본 발명을 본 명세서에 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
제1도에는 본 발명을 구현하는 반도체 기상성장장치를 나타내며, (11)은 고주파 발생장치, (12),(13)은 반응로(R1),(R2)를 갖춘 반도체 기상성장장치의 본체이다. (14)는 제어장치로 각 반응로내의 가스유량, 각 노내온도 및 후술하는 서셉터의 회전등을 제어하기 위한 것이다. (14A)는 제어장치(14)에 설치된 조작패널로 조작키이입력부나 디스플레이 유니트 등(도시되지 않음)을 포함하고 있다. (12A),(13A)는 반응로(R1),(R2)의 개폐등의 조작을 행하기 위한 조작반이다.
제2도는 반응로(R1) 또는 (R2)의 단면과 반출입장치(15)를 나타낸다. 동 도면에 있어서 베이스(20)상에는 환상링(21)이 설치되고, 이 링(21)상에는 벨쟈(bell jar)(22)가 실린더(23)에 의하여 승강 가능하게 설치되어 있다. 벨쟈(22)는 클램프(24)에 의하여 아랫쪽으로 누르는 힘을 받아, 밸쟈(22)와 링(21)의 사이 및 링(21)과 베이스(20) 사이를 기밀하게 밀폐하고, 벨쟈내에 노실(25)을 형성하게 되어 있다. 링(21)의 중심에는 상기 베이스(20)의 아랫쪽에서 노실(25)내로 뻗는 중공축이 설치되고, 이 중공축의 상단에 원형의 서셉터(27)가 일체적으로 회전하도록 부착되어 있다. 상기 중공축은 전동장치(28)를 통하여 펄스모우터 또는 서어보모우터등의 회전각을 제어 가능한 구동모우터(29)에 의하여 회전하도록 이루어져 있다.
중공축내에는 노즐(30)이 설치되고, 그 하단(30a)에 반응가스 등을 도입하여, 상부노즐공(31)에서 노실(25)내로 반응가스등을 분출하도록 이루어져 있다. (32)는 베이스(20)에 연결되어 노실(25)내에서 배기가스 및 미반응의 반응가스 등을 배출하기 위한 배기관이다. 서셉터(27)의 아랫쪽에는 고주파유도가열코일(33)이 와권(渦券)상으로 설치되고, 제1도에 도시된 고주파발생장치(11)에서 고주파전력을 공급하고, 후기하는 바와 같이 소정 패턴으로 서셉터(27) 및 그 위에 배열된 기판(100)을 유도 가열하고, 상기 노즐공(31)에서 분출된 반응가스에 의하여 기판(100)의 표면에 에피택셜층을 형성하게 이루어져 있다.
복수개의 반응가스원이 설치되고, 여기서 나오는 반응가스는 1984년 2월 4일에 에버터(Ebate)등에 특허원 미합중국 특허 제4,430,959호에 상세히 기술된 컴퓨터의 제어하에 파이프 및 밸브를 통하여 반응실내로 도입되게 이루어져 있으며, 이 특허는 본 출원의 출원인에게 양도되었다. 상기 기판상의 에피텍셜 성장 반도체의 동일 반응이 사용된다는 것을 주지할 필요가 있다.
상기 반출입장치(15)는 링(21)의 바깥족에 위치하고, 흡착식등의 핸드(15a)를 가진 아임(15b)을 갖추고 있다. 이 아암(15b)은 제2도에 있어서 좌우로 이동 가능하게 설치되고, 실린더(23)에 의하여 상승된 벨쟈(22)와 베이스(20)상에 놓여 있는 링(21)사이에 형성된 공간을 통하여 서셉터(27)의 윗쪽으로 출입하고, 핸드(15a)에 의하여 서셉터(27)위에 기판(100)을 얹어 놓거나 또는 서셉터(27)상의 기판(100)을 들어 올리도록 되어 있다. 또 반출입장치(15)를 구성하는 (15c)는 승강부, (15d)는 회전부이다.
제3도는 본 발명의 실시예 장치의 제어장치의 블록도이다. 동 도면에 있어서, (40)는 주계산기의 중앙처리유니트(이하 CPU라 한다)로 이CPU에는 데이터버스라인(41)과 입출력버스라인(42)이 접속되어 있다. 데이터버스라인(41)에는 각 반응로(R1) 또는 (R2)에 있어서 수행되는 일련의 프로세스프로그램 및 상기 서셉터(27)상에 배열되는 기판(100)의 배열에 관한 위치처리프로그램 및 예를들면, 제1기억부(43)에 저장되어 있는 데이터를 수정하기 위한 변형프로그램 등의 기타(OTHER JOB)변형 그로그램을 저장하고 있는 제2기억부(45)가 접속되어 있다. 상기 일시기억부(44)는 본 시스템의 가동중에 있어서 사용되는 데이터, 예를들면, 기이보오드로부터의 입력 데이터라든가 각종 스위치류의 온,오프정보 또는 제1기억부(43)에서 옮겨진 프로세스 프로그램을 기억하는 복수개의 기억영역을 가지고 있다. 전송관 기판(100)의 위치데이터는 필요시에 일시기억부(44)에서 교정될 수 있다. 상기에서 "가동중에 있어서 사용되는 데이터"라 함음 실제 가동중에 사용되는 데이터를 의미한다. ROM(43)에 많은 종류의 데이터가 기억되어 있을 때에는, 실제로 사용되는 1데이터를 선정하여 RAM(44)에 전송한다.
상기 입출력버스라인(42)에는 상기 모우터(29)(제2도 참조)를 제어하기 위한 출력모듈 즉 모우터 구동모듈(46)이 접속되어 있다. 또 이 입출력버스라인(42)에는 본 장치에 부수되어 있는, 예를 들면 리미트스위치, 압력스위치, 누름버튼스위치, 밸브, 램프 및 발광다이오드 등의 입출력장치(48)와 CPU(40)를 접속하기 위한 인터페이스모듈(47)이 접속되어 있다.
제4도는 서셉터(27)상에의 기판(100)의 배열예를 도시한 것이다. 각 기판(100)은 서셉터(27)의 중심 0으로 부터 반경( L의 원주상에 서로 겹쳐지지 않도록 배열된다. 이때 서셉터(27)상에 있어서의 각 기판(100)의 위치는 중심 0를 기준점으로 하고 반경 L과 각도 θ1, θ2, …θn으로 이루어지는 극좌표에 의하여 부여된다.A는 원점이다. 또 상기 각도 θ1, θ2, …θn은 기판(100)의 직경 d와 상기 변경 L의 갑에 의하여 결정되는 것이며, 경우에 따라서는 기판(100)보다 작은 규격의 시험편(101) 중강에 배열되는 경우도 있다. 시험편은 동일한 조건하에 형성된 에피택셜 성장 반도체의 품질을 점검하기 위하여 사용된다.
이 배열예의 경우는 상기 각도 θ1, θ2, …θn을 제3도에 나타낸 제1기억부(43)내 있는 데이터를 기억영역에 기억시켜 둔디. 즉 제5도에 나타낸 바와 같이, 기억영역중의 제0-제 n의 각 번지에 대응하는 각도 0,θ1, θ2, …θn의 값과 상기 반경 L의 갑을 디지털 값으로서 등록하여 둔다.
제6도는 모우터(29)에 DC모우터를 이용한 경우의 제어회로의 일례를 나타낸 것이다. 제어회로는 모우터 구동모듈(46)에 배설되어 있으며, 동 도면에 있어서(50)은 모우터(29)에 의하여 고둥되는 펄스발생기, (51)은 비교회로, (52)는 편차카운터, (63)은 D/A변환기, (54)는 F/V변환기, (55)는 파워제어부이고, 상기 각도θ1, θ2, …θn에 대응한 지령펄스를 비교회로(51)에 순차 제공함으로써 모우터(29)로 서셉터(27)를 상기 각도 θ1, θ2, …θn마다 위치 결정하도록 이루어져 있다.
제7도는 상술한 서셉터(27)에 대한 기판(100)의 배열에 관한 위치처리프로그램의 주된 처리내용을 나타내는 흐름도이다. 우선, 기판(100)의 반출입을 위하여 서셉터(27)의 위치결정요구가 신호로서 주어지는 STEP1과, 서셉터(27)를 그 원점 A가 반출입장치(15)의 핸드(15a)에 대응하는 위치까지 회전시킨다(STEP 2).
상기 원점 A의 위치결정은 서셉터(27)에 설치한 도시하지 않은 피검지소자와, 이것과 쌍을 이루고 베이스(20)등에 설치한 검지소자로 행한다. 검지소자를 반출입장치(15)의 아암(15b) 또는 핸드(15a)에 부착하여 두고, 원점 A의 위치결정 전에 아암 (15b)을 서셉터(27)상으로 조출시켜 이 검지소자를 상기 피검지소자에 대향시킬 수 있게 해도 된다.
원점 A의 위치결정이 완료되면, STEP 3에서 원점 A도달신호를 반출입장치(15)에 제공하고, 핸드(15a)에 대응하고 있는 위치(도달위치, 즉 최초는 원점 A위치)의 서셉터(27)상에 기판(100)이 있는가 없는가를 판정한다(STEP 4). 이 판정은 핸드(15a)에 의하여 또는 별도로 설치한 검지수단으로 행하여진다. 기판(100)이 도달위치에 있을 경우 STEP 5에 도시한 바와 같이, 그 기판(100)을 반출입장치(15)로 반출하는 동시에 STEP 6에 나타낸 바와 같이, 새로운 기판(100)을 서셉터(27)의 원점 A위치상에 장전한다. 또 STEP 4에 기판(100)이 없는 것으로 판정되면 반출입장치(15)는 즉시 새기판(100)의 장전만을 행한다. 이리하여 한개의 기판(100)의 반출과 이에 계속되는 또는 이 반출이 없이 한개의 새기판(100)의 장전이 끝나면, STEP 7에 표시한 바와 같이, 반출장전 종료신호를 제어장치(14)에 보낸다. 이 제1의 반출장전 종료신호를 보내면 다음의 기판요구가 STEP 8에서 판정되고, 원점 A에 이어지는 제1번째의 기파요구가 나오고, 제3도에 나타낸 제1기억부(43)중의 제5도에 나타낸 제1번지의 값인 각도 θ1가 출력되고(STEP 9) 서셉터(27)를 제6도에 도시한 비교회로에 의하여 θ1만큼 회전시키도록 무우터(29)를 구동한다. 서셉터(27)가 각도θ1만큼 회전을 종료하면, STEP 10에 나타낸 바와 같이, θ1이 동종료신호를 반출입장치(15)에 보낸다.
이 θ1이동종료신호를 반출입장치(15)에 보내면, STEP 4에 나타낸 바와 같이, θ1위치에 있어서의 기판(100)의 유무가 판정되고, 이하는 상술한 원점 ㅁ 에 대한 동작과 같은 동작이 반복되어 θ1위치에 대한 기판(100)의 반출·장전이 행하여지고, 다음의 제2번째로 나아간다. 이하는 같은 동작을 반복하고, 최종 제n번째에 대한 기판(100)의 반출장전이 종료되면 STEP 8에 있어서의 제x번째 기판요구는 없음이 되고, 일련의 위치처리프로그램을 종료하게 이루어져 있다.
그리고 상기 기판(100)을 장전하는 위치는 미리 제5도에 나타낸 제0- 제n의 각 번지에 기억해 두는 각도 0,θ1n의 값을 적당히 정함으로써 등간격 또는 부등간격으로 적절히 결정할 수 있으며, 또 기판(100)의 직경이 변경되는 경우는 이에 따라 상기 각도 θ1n의 기억치를 적절한 위치결정프로그램을 사용하여 변경함으로써 즉시 대응할 수 있다. 기판(100)을 제5도에 나타낸 제0- 제n의 모든 번지의 위치에 항상 배설할 필요가 있는 것은 아니다. 예를들면 제3번지가 생략된 경우에는 제3의 위치는 생략할 수 있으며, 제4번지의 각도는 θ34로 변한다.
다음은 본 장치의 전체적인 동작을 대하여 설명한다.
우선, 제1도에 나타낸 조작반(12A) 또는 (13A)을 조작하여 반응로(R1) 또는 (R2)의 벨쟈(22)(제2도 참조)를 실린더(23)에 의하여 제8도에 도시한 바와 같이 상승시킨다.
다음은 제7도에 따라서 설명한 위치처리프로그램에 의하여 서셉터(27)를 원점 A위치에서 제1, 제2, …제n번째까지 미리 지정되어 있는 위치에 순차 위치 결정하고, 반출입장치(15)의 아암(15b)을 제4도에 도시한 서셉터(27)상의 기판(100)의 배열반경 L에 대응시켜 소정량 조출하고, 상기 각각의 위치에 대한 기판(100) 및 시험편(101)의 반출·장전을 자동적으로 행한다. 또, 기판(100) 및 시험편(101)의 반출·장전은 첫회의 운전개시시에는 서셉터(27)상의 기판(100) 등이 없으므로, 제7도의 STEP 4에 나타낸 도달위치에 있어서의 기판의 유무의 판정과, STEP 5에 타나낸 기판반출을 미리 생략하고, 마지막회의 운전에서는 STEP 6에 나타낸 기판장전을 미리 생략하느 것이 바람직하다. 이는 위치처리프로그램을 일시적으로 변경함으로써 행하여진다.
서셉터(27)에 대한 기판(100) 및 시험편(101)의 반출·장전이 종료하면, 실린더(23)에 의하여 벨쟈(22)를 하강시키고, 이 벨쟈(22)를 링(21)에 밀착시켜, 클램프(24)에 의하여 벨쟈(22), 링(21) 및 베이스(20)의 각기의 사이를 기밀하게 밀폐시킨다.
다음의 제3도에 나타낸 제1기억부(43)에 저장되어 있는 프로세스프로그램에 의하여 노즐(30)에서 분출하는 가스의 종류나 양과 고주파유도가열코일(33)에 의한 서셉터(27), 기판(100) 및 시험편(101)의 가열과 그온도, 또 모우터(29)에 의한 서셉터(27)의 회전 등을 제어하여 기상성장을 행하게 한다.
이와 같이 1회의 기상성장 조작사이클이 종료하면, 다시 실린더(23)에 의하여 벨쟈(22)를 상승시켜, 서셉터(27)상의 기상성장을 실시한 기판(100)및 시험편(101)의 반출과 새기판(100) 및 시험편(101)의 장전을 위치처리프로그램에 의하여 다시 행한다.
제9도는 서셉터(27)에의 기판(100) 및 시험편(101)의 다른 배열예를 나타낸 것으로, 기판(100)을 다른 반경 L1및 L2의 원주승에 2열로 배열하고, 다시 다른반경L3및 L4원주상에 각기 시험편(101)를 배열하게 한 것이다. 반경L1의 원주상에의 배열은 제4도에나타낸 배열예에 대응한다. 또, 반경 L2의 원주상에의 배열은 기판(100)의 직경이 상기 반경 L1의 원주상에 배열하는 기판(100)과 같아도, 인접하는 기판간의 각도θn+2…은 상기 각도 θ1n과 같은 다른 값이 된다.
제10도는 제9도에 나타낸 기판(100) 및 시험편(101)의 위치데이터를 나타낸 도면이다. 본 실시에서, 각 기판관 및 시험편간의 각도 뿐만 아니라 원점 A 로부터의 절대각도도 기억되어 있다. 이 절대각도는 위치프로세스프로그램에 의하여 이 값의 대소를 비교하여 배열의 순서를 자동적으로 결정한다. 예를들면, 원점 A 에 있어서 제0번지와 제1번지의 위치결정 및 기판의 반출입을 행한후, 절대각도가40°인 제2번지로 전진하기 전에, 서셉터는 절대각도가36°인 제(n+2)번지에 위치하며, 이 위치에서 기판의 반출입을 행한 후에 상기 서셉터는 제2번제에 대응하는 위치로 전진한다. 이리하여 이 기억차아트는 L1-L4와 같이 상이한 반경으 원주상에 상기 기판 및 시험편의 배열될 경우에도 상기 서셉터를 1회 회전시키면 되는 경우에 유용한 것이다.
이 경우에는 전회의 위치결정번지와 다음 위치결정번지의 절대각도의 차이를 제6도에 나타낸 지령펄스로서 입력하며, 이리하여 반출입장치(15)는 다음으로 위치결정되는 번지에 대응하는 반경을 가진 원주상에, 예를들면 제(n+2)번지의 경우에는 반경 L2의 원주상에서 반출입하도록 조작된다.
제11도는 수직바렐형의 서셉터(27a)에 본 발명을 적용한 예를 나타낸 것이다. 이 서셉터(27a)는 도시한 바와 같이, 다면형상이 다각형으로 되어 있으며, 각 외표면상에 기판이나 시험편을 부착하도록 되어 있다. 이경우에도, 서셉터(27a)를 각 기판의 배열각도, θ1, θ2, …에 따라 순차 위치결정하고, 반출입장치에 의하여 기판의 반출·장전을 한다. 이때, 반출입장치는 서셉터(27a)의 축방향으로 이동 가능하게 되어 있고, 이 축방향으로 기판을 적당한 수로 배열할 수 있게 되어 있다.
도시되지는 않았지만, 서셉터(27a)는 투명재료, 예를들면 석영으로 만든 원통형 케이싱 안에 배셜되며, 서셉터에 장착된 기판은 원통형 케잇ㅇ 주위에 배열된 백열전구에 의하여 가열된다.
또, 상기 실시예의 회전형의 서셉터에 본 발명을 적용한 예를 나타낸 것이지만, 이에 한하지 않고, 기판이나 시험편을 평행직성상 1열 내지 수열 배열하는 방식의 서셉터에도 적용할 수 있고, 이 경우에도 회전각도에 따른 서셉터의 위치결정 대신에 X축방향이나 Y축방향의 위치결정을 하면 된다.
또, 상기 실시예는 서셉터의 원점 A을 정하고, 이 원점 A에서 각 배열위치마다 각도, θ1, θ2, …를 지령치로 하여 기억하게 한 예를 표시했지만, 각도 θ1, θ2, …가 일정한 경우에는 그 한개만을 기억시키고, 그 회수를 지정하게 해도 좋고, 또 서셉터의 각도위치나 X,Y좌표상에서의 절대위치가 판독 가능한 경우에는 절대위치에서 지령하도록 해도 좋은 등, 여러가지 변경이 가능한 것은 물론이다.
이상과 같이, 본 발명은 제어장치의 기억장치로 서셉터상에 배열되는 기판위치에 관한 데이터를 기억시켜 두고, 이에 의하여 서셉터를 순차 이치시켜 반출입장치에 의하여 기판의 반출·장전을 행할 수 있게 했으므로 센서 등의 검출기구는 원점검출용이 한개 있으며 되고, 이로 인하여 구조 및 제어가 간단하게 되며, 특히 고온에 노출되는 서셉터에 있어서 매우 유리하며, 또 확실한 위치 결정이 가능하고 동시에 그 설정, 변경이 용이하며, 또 기판간에 크기가 다름 시험편이 존재해도 기판과 마찬가지로 그에 대응할 수 있으며, 기판의 직경이 다른 경우에도 미리 여러가지의 직경에 대응한 데이터를 기억시켜둠으로써 즉시 그것에 대응할 수 있는 등의 효과가 있다.

Claims (12)

  1. 반도체 기상성장장치의 회전할 수 있는 서셉터상에 요구되는 패턴으로 복수개의 기판의 위치를 결정하는 장치에 있어서, (a) 컴퓨터제어장치는, (1) 중앙처리유니트와, (2) 상기 서셉터상의 특정위치에 대응한 복수개의 위치를 가진 데이터영역을 구비한 제1기억부와, 상기 위치에 관한 대응 데이터를 기억하도록 구성되어 있는 번지에 의해 형성된 상기 제1기억부의 상기 데이터영역과, (3) 기판의 크기에 따라서 상기 제1기억부의 위치데이터로부터 선정된 특정 위치데이터를 기억하는 일시기억부와, (4) 상기 중앙처리유니트의 제어하에 상기 특정위치데이터를 선정하여 이것을 상기 일시기억부에 전송하는 데이터 입출력장치와, (5) 상기 중앙처리유니트에 접속된 모우터 구동모듈과, (6) 상기 일시기억부의 상기 특정위치데이터를 상기 모우터 구동모듈에 공급하는 프로그램을 기억하는 제2기억부를 포함하며, (b) 반출입장치는 수평 및 수직방향으로 이동할 수 있으며, 상기 특정 위치데이터에 대응한 위치에 있는 상기 서셉터상의 상기 기판을 장전 또는 반출하며, (c) 위치결정장치는 상기 특정 위치데이터에 대응한 위치에서 상기 기판을 장전 또는 반출할 수 있도록 상기 서셉터를 회전하는 상기 모우터 구동모듈에 의해 제어되며, 상기 컴퓨터 제어장치는 상기 서셉터의 회전과 상기 반출입장치의 수직 및 수평 이동에 의하여 상기 요구되는 패턴으로 상기 기판이 상기 서셉터상에 장전 및 반출되도록 상기 특정 위치데이터에 따라서 상기 반출입장치와 상기 위치결정장치의 이동을 동기하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 기상성장장치.
  2. 제1항에있어서, 상기 서셉터는 회전반으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 기상성장장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 서셉터는 단면이 다각형을 이루는 회전부재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 기상성장장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 반도체기판은 상이한 반경을 가진 하나 이상의 원주상에 따라 상기 회전반 형상의 서셉터상에 배열되며, 또한 상기 반도체기판은 서로 겹쳐지지 않게 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 기상성장장치.
  5. 제5항에 있어서, 반도체 시험편은 상기 기판의 인접 기판 사이에 위치하도록 동일 또는 상이한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 기상성장장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반도체기판은 극좌표 평면상에 배열되며, 상기 서셉터는 상기 극좔표의 일방향에 따라 위치되며, 상기 반출입장치는 상기 극좌표의 다른 방향에 따라서 상기 반도체기판을 위치시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 기상성장장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 회전반은 상기 데이터에 의하여 소정 회전각도위치에 정지되는 것을 특징으로 하는 반도체 기상성장장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 기억장치에는 상기 서셉터의 회전각도위치에 관한 데이터를 저장하는 복수개의 기억영역이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기상성장장치.
  9. 제9항에 있어서, 상기 기억영역은 원반상 서셉터상에 상기 반도체기판의 방사위치에 관한 또 하나의 데이터를 저장하며, 상기 반출입장치는 상기 또 하나의 데이터에 의하여 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 기상성장장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 기억장치는 상이한 크기를 가진 기판에 대응한 복수개의 위치에 관한 또 하나의 데이터를 저장하는 것을 특징으로 반도체 기상성장장치.
  11. 제3항에 있어서, 상기 다각형 회전 서셉터는 그 축에 따라 이동할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기상성장장치.
  12. 제5항에 있어서, 상기 기억장치는 회전각의 절대값 및 원의 반경으로 상기 기판의 장착될 곳에 있는 상기 서셉터의 상기 회전각을 각각 기억하는 복수개의 기억영역을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기상성장장치.
KR1019830005595A 1982-11-27 1983-11-26 반도체 기상성장장치 KR880001438B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57207954A JPS5998520A (ja) 1982-11-27 1982-11-27 半導体気相成長装置
JP82-207,954 1982-11-27
JP207954 1982-11-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR840006727A KR840006727A (ko) 1984-12-01
KR880001438B1 true KR880001438B1 (ko) 1988-08-08

Family

ID=16548283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019830005595A KR880001438B1 (ko) 1982-11-27 1983-11-26 반도체 기상성장장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4770121A (ko)
JP (1) JPS5998520A (ko)
KR (1) KR880001438B1 (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5117769A (en) * 1987-03-31 1992-06-02 Epsilon Technology, Inc. Drive shaft apparatus for a susceptor
US4996942A (en) * 1987-03-31 1991-03-05 Epsilon Technology, Inc. Rotatable substrate supporting susceptor with temperature sensors
US5198034A (en) * 1987-03-31 1993-03-30 Epsilon Technology, Inc. Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
JPH0691952B2 (ja) * 1987-04-17 1994-11-16 株式会社日立製作所 真空装置
KR970006206B1 (ko) * 1988-02-10 1997-04-24 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 자동 도포 시스템
US5041907A (en) * 1990-01-29 1991-08-20 Technistar Corporation Automated assembly and packaging system
US5040056A (en) * 1990-01-29 1991-08-13 Technistar Corporation Automated system for locating and transferring objects on a conveyor belt
JPH06252241A (ja) * 1993-03-02 1994-09-09 Toshiba Corp 半導体製造装置
US6245189B1 (en) 1994-12-05 2001-06-12 Nordson Corporation High Throughput plasma treatment system
JPH0964148A (ja) * 1995-08-18 1997-03-07 Shinkawa Ltd ウェーハリングの供給・返送装置
JP3602372B2 (ja) * 1999-06-07 2004-12-15 松下電器産業株式会社 真空処理装置
US6972071B1 (en) 1999-07-13 2005-12-06 Nordson Corporation High-speed symmetrical plasma treatment system
US6709522B1 (en) 2000-07-11 2004-03-23 Nordson Corporation Material handling system and methods for a multichamber plasma treatment system
US7032614B2 (en) * 2000-11-03 2006-04-25 Applied Materials, Inc. Facilities connection box for pre-facilitation of wafer fabrication equipment
US7063301B2 (en) * 2000-11-03 2006-06-20 Applied Materials, Inc. Facilities connection bucket for pre-facilitation of wafer fabrication equipment
US6841033B2 (en) * 2001-03-21 2005-01-11 Nordson Corporation Material handling system and method for a multi-workpiece plasma treatment system
TW559905B (en) * 2001-08-10 2003-11-01 Toshiba Corp Vertical chemical vapor deposition system cross-reference to related applications
JP4515275B2 (ja) * 2005-01-31 2010-07-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20060281310A1 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 Applied Materials, Inc. Rotating substrate support and methods of use
WO2007038647A2 (en) * 2005-09-27 2007-04-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for coupling semiconductor device manufacturing equipment to the facilities of a manufacturing location
US8022372B2 (en) * 2008-02-15 2011-09-20 Veeco Instruments Inc. Apparatus and method for batch non-contact material characterization
US8958061B2 (en) 2011-05-31 2015-02-17 Veeco Instruments Inc. Heated wafer carrier profiling
JP2014179508A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP6078407B2 (ja) * 2013-04-05 2017-02-08 古河機械金属株式会社 ベルジャ
WO2014200927A1 (en) 2013-06-10 2014-12-18 View, Inc. Glass pallet for sputtering systems
US11688589B2 (en) 2013-06-10 2023-06-27 View, Inc. Carrier with vertical grid for supporting substrates in coater

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3306471A (en) * 1964-05-19 1967-02-28 George C Devol Programmed apparatus
US3765763A (en) * 1969-07-29 1973-10-16 Texas Instruments Inc Automatic slice processing
US3749383A (en) * 1971-04-29 1973-07-31 Rca Corp Apparatus for processing semiconductor devices
JPS5024686A (ko) * 1973-07-09 1975-03-15
US3918593A (en) * 1973-11-26 1975-11-11 Monark Crescent Ab Article handling and transferring machine
US3989003A (en) * 1974-03-15 1976-11-02 The Sippican Corporation Paint spray control system
US4207836A (en) * 1977-07-01 1980-06-17 Hitachi, Ltd. Vacuum vapor-deposition apparatus
US4293249A (en) * 1980-03-03 1981-10-06 Texas Instruments Incorporated Material handling system and method for manufacturing line
US4433951A (en) * 1981-02-13 1984-02-28 Lam Research Corporation Modular loadlock
US4386578A (en) * 1981-05-26 1983-06-07 The Boeing Company High velocity metallic mass increment vacuum deposit gun

Also Published As

Publication number Publication date
US4770121A (en) 1988-09-13
KR840006727A (ko) 1984-12-01
JPS5998520A (ja) 1984-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880001438B1 (ko) 반도체 기상성장장치
JP4674705B2 (ja) 搬送システムの搬送位置合わせ方法及び搬送システム
JP6040757B2 (ja) 搬送機構の位置決め方法、被処理体の位置ずれ量算出方法及び搬送機構のティーチングデータの修正方法
KR101312789B1 (ko) 웨이퍼의 위치 결정 방법
US20100008688A1 (en) Method for aligning transfer position of transfer system
KR20210134828A (ko) 인덱싱된 (indexed) 멀티-스테이션 프로세싱 챔버들 내에서 웨이퍼 배치 보정
KR100802526B1 (ko) 진공처리방법 또는 진공처리장치
KR20120032447A (ko) 기판 위치 검출 장치, 이것을 구비하는 성막 장치 및 기판 위치 검출 방법
US11923232B2 (en) Positioning apparatus, processing system, and positioning method
CN103443912A (zh) 气相生长装置
TW201702160A (zh) 搬送系統、搬送機器人及其教導方法
WO2002007236A1 (fr) Detecteur de deplacement et systeme de traitement
US20220216073A1 (en) Processing module and processing method
WO2005004227A1 (ja) 薄板状物の変位量検出方法及び変位量修正方法
JPH01283934A (ja) エッチング装置およびその制御方法
US20240063051A1 (en) Substrate support unit, and apparatus and method for depositing a layer using the same
JPH08340040A (ja) ウェーハ移載方法
JP2018148099A (ja) 基板処理装置
JP2996299B2 (ja) エッチング装置及びエッチング方法及び位置合わせ方法
JP2008235810A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置並びに被処理基板移載方法
TWI836042B (zh) 半導體處理設備
JP3410118B2 (ja) 基板処理装置
US20230051061A1 (en) Substrate transfer method and substrate transfer device
JP2016189452A (ja) 基板保持方法および基板処理装置
KR100583943B1 (ko) 반도체 종형 확산로의 웨이퍼 및 보트 이송 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19950713

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee