KR870700244A - 레이저 웨이퍼 측정시스템 - Google Patents
레이저 웨이퍼 측정시스템Info
- Publication number
- KR870700244A KR870700244A KR1019860700796A KR860700796A KR870700244A KR 870700244 A KR870700244 A KR 870700244A KR 1019860700796 A KR1019860700796 A KR 1019860700796A KR 860700796 A KR860700796 A KR 860700796A KR 870700244 A KR870700244 A KR 870700244A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sample surface
- light
- ultraviolet
- midpoint
- sample
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 광학측정 시스템의 광학개략도.
Claims (16)
- 샘플표면과 근접한 자외선을 전달하는 고개구율의 대물과, 자외선 레이저 비임을 발생시키도록 동작할 수 있는 레이저와, 자외선 검출기상에 충돌하는 자외선광의 강도를 나타내는 신호를 발생시키도록 동작할 수 있는 자외선 검출기와, 상기 자외선 레이저 비임의 적어도 일부분을 상기 대물에 인도하기 위한 수단으로서, 샘플표면에서 비임광점을 촛점잡아주도록 상기 대물과 함께 동작하는 제1비임전달수단과, 그리고 샘플표면으로부터 방사되는 자외선을 인도하여 상기 대물을 통해 상기 자외선 검출기로 통과시키기 위한 제2비임전달수단을 포함하므로서, 상기 자외선 레이저가 동작될 때 상기 자외선 검출기가 샘플표면으로부터 반사되서 산란되는 자외선을 나타내는 신호를 제공하는 것이 특징인 샘플표면 측정장치.
- 제1항에서, 상기 대물은 가시광도 전달하며, 또한 가시광 검출기상에 충돌하는 가시광의 강도를 나타내는 신호를 발생시키도록 동작되는 가시광 검출기와, 그리고 샘플표면으로부터 방사되어 상기 대물을 통하여 상기 가시광 검출기로 통과시키는 가시광을 검출하기 위한 제3비임전달수단을 더 포함하므로서, 상기 자외선 레이저가 동작될 때 상기 가시검출기는 샘플표면으로부터 방사되는 가시광으로서, 예를 들어 샘플표면상에서 상기 자외선 레이저의 충돌에 의해 결과되는 형광방사를 나타내는 신호를 제공하는 것이 특징인 샘플표면 측정장치.
- 제1항에서, 상기 제1비임전달수단은 상기 촛점잡힌 비임광점의 횡단범위를 제한하기 위한 수단을 포함하는 것이 특징인 샘플표면 측정장치.
- 제3항에서, 상기 제한용 수단은 : 공칭상의 촛점의 중간지점에서 상기 비임을 촛점잡기 위한 상기 자외선 레이저 비임의 경로내에 배치되는 제1렌즈와, 공칭상의 촛점의 상기 중간지점에서 위치된 바늘구멍을 한정하는 수단과, 그리고 상기 바늘구멍으로부터 방사되는 광을 평행조사하기 위한 제2렌즈를 포함하는 것이 특징인 샘플표면 측정장치.
- 제1항에서, 상기 제2비임전달수단은 상기 촛점된 비임광점으로부터 변위된 지점들로부터 방사되는 광이 상기 자외선 검출기에 도달하지 않도록 방지해주는 수단을 포함하는 것이 특징인 샘플표면 측정장치.
- 제5항에서, 상기 방지를 위한 수단은 : 공칭상의 촛점의 중간지점에서 그러한 광을 촛점잡기 위한 샘플표면으로부터 상기 대물을 통하여 지나가는 광의 경로에 배치되는 제1렌즈와, 공칭상의 촛점의 상기 중간지점에 위치되는 바늘구멍을 한정하는 수단과, 그리고 상기 바늘구멍으로부터 방사되는 광을 평행조사하기 위한 제2렌즈를 포함하는 것이 특징인 샘플표면 측정장치.
- 제1항에서, 상기 제1비임전달수단은 상기 촛점된 비임광점의 횡단범위를 제한하기 위한 수단을 포함하여, 여기서 상기 제2비임전달수단은 상기 촛점된 비임광점으로부터 변위된 지점들로부터 방사되는 광이 상기 자외선 검출기에 도달하지 않도록 방지하기 위한 수단을 포함하는 것이 특징인 샘플표면 측정장치.
- 제7항에서, 상기 제1비임전달수단과 상기 제2비임전달수단은 공통경로부분을 따라 광을 인도하는 부분들을 포함하며, 여기서, 상기 제한수단과 상기 방지수단은 양자 모두 상기 공통경로부분내의 공통세트의 소자들에 의해 한정되는 것이 특징인 샘플표면 측정장치.
- 제1항에서, 샘플표면의 펑면내의 적어도 일축을 따라 샘플의 제어된 이동을 부여하는 스테이지 수단을 더 포함하므로서, 상기 자외선 검출기로부터의 신호는 상기 축을 따라 샘플의 윤곽을 제공하도록 그러한 이동과 상호관계될 수 있는 것이 특징인 샘플표면 측정장치.
- 제9항에서, 상기 스테이지 수단은 : 샘플의 위치설정경로를 제공하기 위한 기계적 스테이지와, 그리고 상기 기계적 스테이지에 의해 설정된 위치에 상관하여 샘플을 미세이동시켜 주도록 전기신호에 응답하여 동작하는 상기 기계적 스테이지에 장치되는 압전변환기를 포함하는 것이 특징인 샘플표면 측정장치.
- 자외선 레이저 비임을 발생시키는 단계와, 샘플표면에서 광점을 발생시키도록 레이저 비임을 촛점 잡아주는 단계와, 광점의 근처에서 샘플표면으로부터 방사되는 자외선의 강도를 측정하는 단계와, 샘플표면의 평면내의 적어도 일축을 따라 샘플의 제어된 이동을 부여하는 단계와, 그리고 측정될 모양을 나타내는 강도 윤곽을 추출하도록 축을 따라 위치와 자외선의 강도를 상호관계시키는 단계를 포함하는 샘플표면상의 서브미크론 모양을 측정하는 방법.
- 제11항에서, 상기 방법은 : 광점근처의 샘플표면으로부터 방사되는 가시광의 강도를 측정하는 단계와, 그리고 축을 따라 측정되는 바와같이 형광물질들의 범위정도를 결정하도록 축을 따라 위치와 가시광의 강도를 상호 관계시키는 단계를 더 포함하는 것이 특징인 샘플표면상의 서브미크론모양을 측정하는 방법.
- 제11항에서, 상기 자외선 레이저 비임을 촛점잡는 단계는 공칭상 촛점의 중간지점에 비임을 촛점잡는 준단계와, 공칭상 촛점의 중간지점에 바늘구멍을 제공하는 준단계와, 그리고 바늘구멍으로부터 방사되는 광을 고개구율 대물을 통하여 통과시키는 준단계를 포함하는 것이 특징인 샘플표면상의 서브미크론 모양을 측정하는 방법.
- 제13항에서, 바늘구멍으로부터 방사되는 광을 평행조사하는 단계를 상기 통과시키는 준단계 이전에 수행하는 준단계를 더 포함하는 것이 특징인 샘플표면상의 서브미크론 모양을 측정하는 방법.
- 제11항에서, 촛점잡힌 비임광점으로부터 변위된 지점들로부터 방사되는 광이 측정되지 않도록 방지하는 단계를 더 포함하는 것이 특징인 샘플표면상의 서브미크론 모양을 측정하는 방법.
- 제15항에서, 상기 방지단계는 :샘플표면으로부터 공칭촛점의 중간지점으로 방사되는 광을 촛점잡아주는 준단계와, 그리고 공칭촛점의 중간지점에 바늘구멍을 제공하는 준단계를 포함하는 것이 특징인 샘플표면상의 서브미크론 모양을 측정하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/711,122 US4656358A (en) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | Laser-based wafer measuring system |
PCT/US1986/000304 WO1986005587A1 (en) | 1985-03-12 | 1986-02-13 | Laser-based wafer measuring system |
US711122 | 2000-11-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR870700244A true KR870700244A (ko) | 1987-05-30 |
Family
ID=24856860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019860700796A KR870700244A (ko) | 1985-03-12 | 1986-02-13 | 레이저 웨이퍼 측정시스템 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4656358A (ko) |
EP (1) | EP0215055A4 (ko) |
JP (1) | JPS62502217A (ko) |
KR (1) | KR870700244A (ko) |
WO (1) | WO1986005587A1 (ko) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3843548B2 (ja) * | 1997-08-06 | 2006-11-08 | 株式会社ニコン | 顕微鏡装置 |
US6320697B2 (en) | 1931-08-07 | 2001-11-20 | Nikon Corporation | Illuminating light selection device for a microscope |
US6347009B1 (en) | 1997-08-06 | 2002-02-12 | Nikon Corporation | Illuminating light selection device for a microscope |
US5041734A (en) * | 1984-09-20 | 1991-08-20 | International Sensor Technology, Inc. | Dosimeter reading apparatus with optical laser converter |
US5081363A (en) * | 1984-09-20 | 1992-01-14 | International Sensor Technology, Inc. | Dosimeter reading apparatus with optical laser converter |
PH25206A (en) * | 1985-12-12 | 1991-03-27 | Lintec K K | Control apparatus for reducing adhesive force of adhesive agent adhering between semiconductor wafer and substrate |
US5144477A (en) * | 1988-04-11 | 1992-09-01 | Medical Research Council | Method of operating a scanning confocal imaging system |
US5032720A (en) * | 1988-04-21 | 1991-07-16 | White John G | Confocal imaging system |
IL86514A0 (ko) * | 1988-05-26 | 1988-11-15 | ||
US4925298A (en) * | 1988-08-05 | 1990-05-15 | Paolo Dobrilla | Etch pit density measuring method |
US4999495A (en) * | 1988-08-31 | 1991-03-12 | Seiko Instruments Inc. | Scanning tunneling microscope |
US4945220A (en) * | 1988-11-16 | 1990-07-31 | Prometrix Corporation | Autofocusing system for microscope having contrast detection means |
FR2640040B1 (fr) * | 1988-12-05 | 1994-10-28 | Micro Controle | Procede et dispositif de mesure optique |
US5091652A (en) * | 1990-01-12 | 1992-02-25 | The Regents Of The University Of California | Laser excited confocal microscope fluorescence scanner and method |
DE69229777T3 (de) * | 1991-04-10 | 2010-12-30 | Mayo Foundation For Medical Education And Research, Rochester | Konfokales abbildungssystem für sichtbares und uv-licht |
US5260578A (en) * | 1991-04-10 | 1993-11-09 | Mayo Foundation For Medical Education And Research | Confocal imaging system for visible and ultraviolet light |
US5281819A (en) * | 1991-06-06 | 1994-01-25 | Aluminum Company Of America | Apparatus for nondestructively determining coating thickness on a metal object and associated method |
US5233460A (en) * | 1992-01-31 | 1993-08-03 | Regents Of The University Of California | Method and means for reducing speckle in coherent laser pulses |
US5590060A (en) * | 1992-03-20 | 1996-12-31 | Metronics, Inc. | Apparatus and method for an object measurement system |
US5486701A (en) * | 1992-06-16 | 1996-01-23 | Prometrix Corporation | Method and apparatus for measuring reflectance in two wavelength bands to enable determination of thin film thickness |
US5372005A (en) | 1992-09-14 | 1994-12-13 | Lawler; Shawn P. | Method and apparatus for power generation |
EP0766298A3 (en) * | 1995-09-27 | 1998-09-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of and apparatus for determining residual damage to wafer edges |
US6067163A (en) * | 1995-10-31 | 2000-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Automated substrate pattern recognition system |
US5976444A (en) * | 1996-09-24 | 1999-11-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Nanochannel glass replica membranes |
DE19722607A1 (de) * | 1997-05-30 | 1998-12-03 | Michael F Braun | Selbsttätiges Verfahren sowie Einrichtung zum Bestimmen der Eigenschaften einer Probe |
US7102737B2 (en) * | 1997-11-04 | 2006-09-05 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for automated, in situ material detection using filtered fluoresced, reflected, or absorbed light |
US6704107B1 (en) | 1997-11-04 | 2004-03-09 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for automated, in situ material detection using filtered fluoresced, reflected, or absorbed light |
US6327513B1 (en) * | 1998-04-16 | 2001-12-04 | Vlsi Technology, Inc. | Methods and apparatus for calculating alignment of layers during semiconductor processing |
US6867406B1 (en) * | 1999-03-23 | 2005-03-15 | Kla-Tencor Corporation | Confocal wafer inspection method and apparatus using fly lens arrangement |
US6208748B1 (en) * | 2000-01-05 | 2001-03-27 | Intel Corporation | Monitoring focus of a lens imaging system based on astigmatism |
JP4414535B2 (ja) * | 2000-01-13 | 2010-02-10 | 進 野田 | 半導体装置の製造方法 |
US7196782B2 (en) | 2000-09-20 | 2007-03-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a thin film characteristic and an electrical property of a specimen |
US7349090B2 (en) | 2000-09-20 | 2008-03-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography |
US6891627B1 (en) | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
DE10048925C2 (de) * | 2000-10-04 | 2002-09-19 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur opto-elektronischen Erfassung der Geometrie kleiner Bohrungen |
US6537708B2 (en) | 2001-01-31 | 2003-03-25 | Photronics, Inc. | Electrical critical dimension measurements on photomasks |
DE10142317B4 (de) * | 2001-08-30 | 2010-07-01 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Vorrichtung zur Bestimmung eines Überlagerungsfehlers und kritischer Dimensionen in einer Halbleiterstruktur mittels Streuungsmessung |
DE102006006246A1 (de) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Battenberg, Günther | Verfahren und Vorrichtung zur vollautomatischen Endkontrolle von Bauteilen und/oder deren Funktionseinheiten |
FI119259B (fi) * | 2006-10-18 | 2008-09-15 | Valtion Teknillinen | Pinnan ja paksuuden määrittäminen |
US8582113B2 (en) | 2007-02-13 | 2013-11-12 | Kla-Tencor Mie Gmbh | Device for determining the position of at least one structure on an object, use of an illumination apparatus with the device and use of protective gas with the device |
WO2010052855A1 (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン寸法計測方法及びそれを用いた走査電子顕微鏡 |
CN102192706B (zh) * | 2010-03-12 | 2012-11-21 | 国家纳米科学中心 | 一种原位测量聚焦激光光斑能量分布的装置及方法 |
US9958327B2 (en) | 2014-10-01 | 2018-05-01 | Nanometrics Incorporated | Deconvolution to reduce the effective spot size of a spectroscopic optical metrology device |
CN108716895A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-10-30 | 北京锐洁机器人科技有限公司 | 桌面级翘曲度扫描方法及设备 |
KR102418198B1 (ko) * | 2019-05-15 | 2022-07-07 | 전상구 | 기판 상의 패턴을 측정하는 시스템들 및 방법들 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1389444A (en) * | 1971-03-09 | 1975-04-03 | Sira Institute | Apparatus for automatic inspection of materials |
US4027973A (en) * | 1973-07-02 | 1977-06-07 | Beckman Instruments, Inc. | Detector apparatus for laser light scattering photometers |
FR2253410A5 (ko) * | 1973-12-03 | 1975-06-27 | Inst Nat Sante Rech Med | |
JPS5263755A (en) * | 1975-11-22 | 1977-05-26 | Nippon Chemical Ind | Pattern line width measuring device |
FR2356931A1 (fr) * | 1976-07-02 | 1978-01-27 | Anvar | Microsonde microscope optique moleculaire a effet raman excitee par laser |
JPS53135660A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-27 | Olympus Optical Co Ltd | Fluorescent photometric microscope using laser light |
US4402613A (en) * | 1979-03-29 | 1983-09-06 | Advanced Semiconductor Materials America | Surface inspection system |
US4269515A (en) * | 1979-08-07 | 1981-05-26 | Altman Associates, Inc. | Electro-optical system for inspecting printed circuit boards |
US4259574A (en) * | 1979-11-06 | 1981-03-31 | International Business Machines Corporation | Microanalysis by pulse laser emission spectroscopy |
US4352016A (en) * | 1980-09-22 | 1982-09-28 | Rca Corporation | Method and apparatus for determining the quality of a semiconductor surface |
GB2113832B (en) * | 1982-01-20 | 1986-08-28 | Dyk Johannes Wilhelmus Van | Electromagnetic radiation scanning of a surface |
JPS59184315A (ja) * | 1983-04-02 | 1984-10-19 | Rikagaku Kenkyusho | 標本の状態検出方法とそのためのレ−ザ−顕微鏡 |
-
1985
- 1985-03-12 US US06/711,122 patent/US4656358A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-02-13 WO PCT/US1986/000304 patent/WO1986005587A1/en not_active Application Discontinuation
- 1986-02-13 JP JP61501347A patent/JPS62502217A/ja active Pending
- 1986-02-13 EP EP19860901619 patent/EP0215055A4/en not_active Withdrawn
- 1986-02-13 KR KR1019860700796A patent/KR870700244A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62502217A (ja) | 1987-08-27 |
US4656358A (en) | 1987-04-07 |
EP0215055A1 (en) | 1987-03-25 |
EP0215055A4 (en) | 1988-05-31 |
WO1986005587A1 (en) | 1986-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR870700244A (ko) | 레이저 웨이퍼 측정시스템 | |
KR830006688A (ko) | 물질표면의 입자를 검출하는 방법 | |
KR890002789A (ko) | 광학적 패턴검출장치 | |
US4402607A (en) | Automatic detector for microscopic dust on large-area, optically unpolished surfaces | |
EP0615123A4 (en) | SURFACE ANALYSIS METHOD AND DEVICE. | |
KR920018886A (ko) | 반도체기판 평가방법 및 그 장치 | |
KR960705200A (ko) | 표면의 광열검사장치 | |
US4713537A (en) | Method and apparatus for the fine position adjustment of a laser beam | |
KR900019162A (ko) | 리니어 프레스넬 존 플레이트(Linear Fresnel Zone Plate)를 사용한 마스크와 반도체 웨이퍼의 위치맞춤 시스템 및 방법 | |
KR880008043A (ko) | 비접촉 자동 초점위치 맞춤방법 및 장치. | |
SE8102772L (sv) | Forfarande for laserinducerad fluoriscensdetektering och anordning for genomforande av forfarandet | |
KR102235245B1 (ko) | 오염 입자 측정용 광 조사 장치 및 이를 이용한 오염 입자 측정 장치 | |
KR920008467A (ko) | 분절체의 표면지형 측정장치 및 방법 | |
KR960035741A (ko) | 주사형 전자현미경 | |
JPH03150451A (ja) | シート検査方法および装置 | |
JPH02259515A (ja) | ケイ光x線膜厚測定装置 | |
EP0291708A3 (en) | Apparatus for measuring the velocity of light scattering moving particles | |
WO2002014842A9 (fr) | Dispositif d'analyse de substances contenant un liquide et procede d'analyse de substances contenant un liquide | |
JPS6370148A (ja) | 微細粒度分布測定装置 | |
JPS5690246A (en) | Optical defect detection device | |
KR950019637A (ko) | 광학식 측정장치 및 그 측정방법 | |
KR930016358A (ko) | 인-패턴 온-라인 코팅 결함 검출 시스템 | |
JPS56157841A (en) | Detecting apparatus for surface defect of body | |
JPH05303999A (ja) | X線発生装置 | |
JPS5794903A (en) | Defect detector for disk surface |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |