KR830006688A - 물질표면의 입자를 검출하는 방법 - Google Patents

물질표면의 입자를 검출하는 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

물질 표면의 입자를 검출하는 방법과 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예의 설명도.
제2도는 제1도의 실시예에서 광선 통로 표시도.
제3도는 시준광선에 투영된 입자에 의하여 생성된 광선의 분산 범위와 웨이퍼 표면으로 부터의 조준광산 반사의 과정 설명도.
제4도는 웨이퍼 표면의 선정된 부위의 관측 순서의 설명도.
제5도는 시간에 대한 표면주사의 계수적 관계를 표시하는 그래프이며, 움직이는 입자가 표면상에 존재하는 상태가 표시되어 있다.
제6도는 광선빔이 점광원으로 수렴시켜지기전에 렌즈상에 사용되는 마스크 표시도이며, 이 마스크는 웨이퍼 표면상의 조명될 부위를 제한하게 된다.

Claims (15)

  1. 재료표면의 불순물 입자를 검출하는 방법에 있어서, 검사 기구가 내장된 하우징의 내부를 완벽한 광선 비반사 면으로 마련하고, 광원으로 부터의 시준광선빔이 상기재료 표면의 선정된 부위상으로 향하게 되고, 이로서 상기 입자가 그 크기에 비례하는 광선 광도로 광선을 흐트리게되며, 상기 표면 위치를 조정하므로서 시준고아선이 어떤 반사나 흐트러짐없이 광원으로 반사 되돌아오는 시준광선을 유도하게 되며, 상기 재료의 표면상에 광선감지 TV 카메라를 초점을 맞춤으로서 상기 입자를 지시하는 발산 광선을 검출하고, 상기 카메라에 의하여 상기 발산광선으로 부터 수렴된 신호를 진행시켜 상기 입자의 측정계수, 위치 측정을 하게되도록 되어 있는 것이 특징인 입자검출을 위한 방법.
  2. 제1항에 기재된 방법에서 상기 카메라가 실리콘 감도 강화표적형(SIT형)인 것이 특징인 입자 검출방법.
  3. 제1항에 기재된 방법에서 상기 시준 광선빔이 상기 재료표면에 대하여 각도를 가지고 진행하며 상기 카메라는 상기 표면에 대하여 17°이상의 각으로 향하도록 되어있는 것이 특징인 입자 검출방법.
  4. 제1항에 기재된 방법에서 상기 불순물 입자가 카메라에 의하여 0.3미크론과 그 이상 크기의 것이 검출되는 것이 특징인 입자 검출방법.
  5. 제1항에 기재된 방법에서 조작에 앞서 상기 입자의 크기가 해당 입자의 발산광선의 강도와 현미경으로 측정된 입자의 실제 물리적 크기를 비교하므로서 측정척도를 삼는 것을 특징으로하는 입자 검출방법.
  6. 제1항에 기재된 방법에서 상기 재료가 반도체 웨이퍼 인것이 특징인 입자 검출방법.
  7. 제1항에 기재된 방법에서 광원이 3500 내지 8500Å의 파장범위를 가진것이 특징인 검출 방법.
  8. 제1항에 기재된 방법에서 상기 광원이 크세는 또는 Hg~Xe 아크램프이고 핀공상의 렌즈에 의해 초점을 맺고, 볼록진 시준경에 의하여 시준되는 것이 특징인 입자 검출 방법.
  9. 제6항에 기재된 방법에 있어서 상기 웨이퍼를 움직여서 웨이퍼 표면의 필요로 하는 조사부위까지 진행하여 완전히 검사될 수 있는 위치 선정이 될 수 있게한 방법.
  10. 재료상 또는 재료내부에 있는 불순물 입자의 검출을 위한 장치에 있어서, 완벽한 고아선 비반사재의 내부벽으로 되고 완벽하게 외부광선을 배제하도록 밀봉된 하우징이 있고 광범위 파장의 스펙트럼을 가진 광원이 있으며 상기 광선을 시준시키고 상기 재료상에 시준광선을 조명시키는 관측시스템이 있고 상기 검사될 재료를 이동적으로 파지하기 위한 장치가 있어, 이로 더불어 상기 재료를 상기 시준광선에 조명되도록 배치시켜 상기 시준 광선빔이 상기 재료에 충돌하여 카메라쪽으로 반사되는 어떤 반사가 거의 없게하여 광원을 향해 반사되돌아가사 입자가 광선을 흐트러트리도록 하며 상기 관측장치가 재료를 향하고 있는 시준 광선빔과 간섭되는 상기 반사광선의 반사 또는 산란을 방지하도록 되어있고, 상기 재료를 관측하도록 위치된 광선 감지 카메라가 있어 불순물 입자를 지시하는 발산광선이 상기 카메라에 의해 검출되도록 되어 있는 것이 특징인 입자 검출장치.
  11. 제10항에 기재된 장치에 있어서 상기 하우징은 카메라와 광원과 재료를 지지하는 장치에 대하여 별도의 섹숀으로되어 있고, 검사될 재료가 먼지에 오염되지 않도록 보전하기 위한 층류공기흐름 장치를 가진것이 특징인 입자 검출장치.
  12. 제10항에 기재된 장치에서 상기 관측 시스템이 광원으로 부터의 광선을 수렴시키기 위한 렌즈를 가졌으며, 핀공장치상에 적은 광원을 한정시키고 적은 광원으로 부터의 이질적인 광선을 제거하며, 광원으로 부터의 광선을 시준시키기 위한 시준경이 있어 시준 광선빔을 상기 재료 표면사아에 시준광선을 직진시키고 재료표면의 검사부위를 한정하는 장치가 있어 재료의 검사부위에 시준광선빔을 충돌시키게 되어 있는 것이 특징인 입자 검출장치.
  13. 제10항에 기재된 장치에서 광원이 3500 내지 8500Å의 파장 범위리 갖는 크세는 아크램프로 되어 있는 것이 특징 입자 검출 장치.
  14. 제10항에 기재된 장치에서 상기 TV카메라가 실리콘 강력화 표면형(SIT)인 것이 특징인 입자 검출장치.
  15. 제10항에 기재된 장치에서 상기 TV카메라가 2단 강력화찬넬판형(TSIC)인 것이 특징인 입자 검출장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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