KR870006725A - 전류 감지 회로 및 집적 파우어 반도체 스위치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

전류 감지 회로 및 집적 파우어 반도체 스위치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 본 발명에 따른 파우어 반도체 장치 및 전류 감지 회로를 포함하는 파우어 반도체 스위치의 도시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 파우어 반도체 장치 2 : 전류 감지 회로
20 : 전압 인가 장치 30 : 레벨 검출 장치
32,33,34 : 보조전류원

Claims (13)

  1. 파우어 반도체 장치에는 각각 적어도 하나의 기본 반도체 소자를 포함하는 제1 및 제2전류 운송부를 갖춘 반도체 본체가 구비되고, 그점에서 제1전류 운송부는 제2전류 운송부보다 훨씬 높은 전류를 운송하기 위해 구비되고 제1 및 제2전류 운송부는 공통 아노우드 및 분리된 제1 및 제2캐소우드를 갖는 상태에서, 파우어 반도체 장치의 출력 전류를 감지하기 위한 전류 감지 회로에 있어서, 상기 전류 감지 회로는 상기 제1캐소우드에 접속되어 상기 제1캐소우드 전압을 상기 제2캐소우드에 인가하는 전압인가 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전압 인가 장치에는 차동 증폭기가 구비되는데, 차동 증폭기의 제1 및 제2입력은 각각 상기 제1 및 제2캐소우드와, 제어 트랜지스터로 접속되고, 그 제어 전극 및 아노우드는 각각 상기 차동 증폭기의 출력 및 제2입력에 접속되는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로.
  3. 제2항에 있어서, 전류 감지 회로에는 레벨 검출 장치가 구비되어 있는데, 레벨 검출 장치의 입력은 제어 트랜지스터의 아노우드에 접속되고, 그 출력은 그 입력의 전류 레벨을 따르고/또는 그 입력에서의 전류 레벨이 그 출력에서 하나의 임계 레벨을 초과하거나 적어도 그 아래로 떨어지면 특정한 고정값을 갖는 각각의 전류 레벨의 발생하는 것을 특징으로하는 전류 감지 회로.
  4. 제3항에 있어서, 레벨 검출 장치에는 그 입력과 출력 사이에 접속된 적어도 하나의 전류 미러가 구비되는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전류 미러가 레벨 검출 장치의 입력에 접속된 다이오우드로서 스위치된 공통 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로.
  6. 제4 또는 5항에 있어서, 적어도 하나의 전류 미러의 출력이 레벨 검출 장치의 출력에 직접 접속되는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로.
  7. 제4,5 또는 6항에 있어서, 적어도 하나의 전류 미러의 출력이, 기준 전류 소스에 접속되고, 검출 트랜지스터에 의해 레벨 검출장치의 출력에 접속되는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로.
  8. 제7항에 있어서, 검출 트랜지스터가, 레벨 검출 장치의 출력에 직접 접속되고, 파우어 반도체 장치의 최대 허용 출력 전류와 관련된 최대 임계 레벨을 결정하는 기준 전류원에 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로.
  9. 제7항에 있어서, 검출 트랜지스터가, 인버터 단에 의해 레벨 검출 장치의 출력에 접속되고, 파우어 반도체 장치의 최소로 요구된 출력 전류와 관련된 최소 임계 레벨을 결정하는 기준 전류원에 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로.
  10. 제9항에 있어서, 인버터 단이 보조 전류 및 인버터 트랜지스터를 포함하고, 상기 인버터 트랜지스터의 전극은 보조전류원 및 상기 검출 트랜지스터의 아노우드에 접속되는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로.
  11. 제8그리고/또는 10항에 있어서, 각각의 검출 트랜지스터 그리고/또는 인버터 트랜지스터를 통하는 전류가 파우어 반도체 장치의 최대허용 출력 전류에서의 레벨 검출 장치 출력 전류보다 크게 되는 방식으로, 검출 트랜지스터 또는 인버터 트랜지스터가 규격화되는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로.
  12. 제11항에 있어서, 검출 트랜지스터 및 인버터 트랜지스터를 통하는 전류가 같아지는 방식으로 검출 트랜지스터 또는 인버터 트랜지스터가 규격화되는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로.
  13. 상기 항들중에 어느 한 항에 따른 전류 감지 회로의 적어도 한 부분을 갖는 집적 파우어 반도체 스위치.
    ※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860010449A 1985-12-10 1986-12-08 집적 전력 반도체 장치용 전류 감지 회로 KR950015174B1 (ko)

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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1213415B (it) * 1986-12-17 1989-12-20 Sgs Microelettronica Spa Circuito per la misura lineare della corrente circolante su un carico.
GB2206010A (en) * 1987-06-08 1988-12-21 Philips Electronic Associated Differential amplifier and current sensing circuit including such an amplifier
JPH01227520A (ja) * 1988-03-07 1989-09-11 Nippon Denso Co Ltd 電力用半導体装置
GB2217937A (en) * 1988-04-29 1989-11-01 Philips Electronic Associated Current divider circuit
US4937469A (en) * 1988-08-30 1990-06-26 International Business Machines Corporation Switched current mode driver in CMOS with short circuit protection
NL8900050A (nl) * 1989-01-10 1990-08-01 Philips Nv Inrichting voor het meten van een ruststroom van een geintegreerde monolitische digitale schakeling, geintegreerde monolitische digitale schakeling voorzien van een dergelijke inrichting en testapparaat voorzien van een dergelijke inrichting.
IT1238305B (it) * 1989-11-30 1993-07-12 Sgs Thomson Microelectronics "circuito di rilevamento della corrente in un transistore di potenza di tipo mos"
JP3031419B2 (ja) * 1990-06-13 2000-04-10 三菱電機株式会社 半導体集積回路
JP2570523B2 (ja) * 1991-08-23 1997-01-08 日本モトローラ株式会社 電流検出回路
US5220207A (en) * 1991-09-03 1993-06-15 Allegro Microsystems, Inc. Load current monitor for MOS driver
US5374857A (en) * 1992-05-29 1994-12-20 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Circuit for providing drive current to a motor using a sensefet current sensing device and a fast amplifier
US5410229A (en) * 1992-07-31 1995-04-25 Black & Decker Inc. Motor speed control circuit with electronic clutch
DE4237122C2 (de) * 1992-11-03 1996-12-12 Texas Instruments Deutschland Schaltungsanordnung zur Überwachung des Drainstromes eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors
US5646520A (en) * 1994-06-28 1997-07-08 National Semiconductor Corporation Methods and apparatus for sensing currents
DE19520735C2 (de) * 1995-06-07 1999-07-01 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Erfassen des Laststroms eines Leistungs-Halbleiterbauelementes mit sourceseitiger Last
KR0158625B1 (ko) * 1995-10-18 1998-12-01 김광호 자유 컬렉터단자를 구비한 바이폴라 트랜지스터 회로
US5999041A (en) * 1996-05-17 1999-12-07 Denso Corporation Load actuation circuit
JP3171129B2 (ja) * 1996-11-01 2001-05-28 株式会社デンソー 定電流制御機能を有する乗員保護装置の駆動回路および定電流制御回路
JP3627385B2 (ja) * 1996-06-28 2005-03-09 株式会社デンソー 電流検出機能を有する負荷電流供給回路
JP2000516338A (ja) * 1996-08-14 2000-12-05 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ソース側負荷を有する電力半導体構成素子の負荷電流を検出するための回路装置
ITMI981217A1 (it) * 1997-06-05 1999-12-02 Denso Corp Struttura perfezionata per un circuito di misura di corrente
DE19729904A1 (de) * 1997-07-12 1999-02-11 Kammerer Gmbh M Schaltungsanordnung zur Überwachung von durch eine Last fließenden Strömen
US6870419B1 (en) 1997-08-29 2005-03-22 Rambus Inc. Memory system including a memory device having a controlled output driver characteristic
US6094075A (en) 1997-08-29 2000-07-25 Rambus Incorporated Current control technique
DE19812920C2 (de) * 1998-03-24 2000-09-07 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Steuerung und Erfassung des Laststromes durch eine Last
GB9908285D0 (en) 1999-04-13 1999-06-02 Koninkl Philips Electronics Nv A power switching circuit
JP3637848B2 (ja) 1999-09-30 2005-04-13 株式会社デンソー 負荷駆動回路
US7051130B1 (en) 1999-10-19 2006-05-23 Rambus Inc. Integrated circuit device that stores a value representative of a drive strength setting
US6321282B1 (en) * 1999-10-19 2001-11-20 Rambus Inc. Apparatus and method for topography dependent signaling
US6646953B1 (en) * 2000-07-06 2003-11-11 Rambus Inc. Single-clock, strobeless signaling system
DE10057486A1 (de) * 2000-06-15 2016-10-13 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verfahren und Schaltungsanordnung zur Erkennung eines Defekts von Halbleiterschaftelementen und dessen/deren Verwendung in Kraftfahrzeugen, insbesondere Bremskraft- und Fahrdynamikreglern
GB0019535D0 (en) 2000-08-10 2000-09-27 Koninkl Philips Electronics Nv Two-terminal switch circuit and voltage threshold responsive circuit component
US6377034B1 (en) 2000-12-11 2002-04-23 Texas Instruments Incorporated Method and circuits for inductor current measurement in MOS switching regulators
US7079775B2 (en) 2001-02-05 2006-07-18 Finisar Corporation Integrated memory mapped controller circuit for fiber optics transceiver
DE10154763A1 (de) * 2001-11-09 2003-05-22 Continental Teves Ag & Co Ohg Verfahren und Schaltungsanordnung zur Erkennung eines Defekts von Halbleiterschaltelementen und deren Verwendung in elektronischen Bremskraft- und Fahrdynamikreglern
ITPR20020037A1 (it) * 2002-07-26 2004-01-26 Zapi S P A Procedimento per misurare le correnti di fase di un dispositivo per il controllo di motori elettrici realizzato in tecnologia ims o affine i
US7119549B2 (en) * 2003-02-25 2006-10-10 Rambus Inc. Output calibrator with dynamic precision
JP3739361B2 (ja) * 2003-02-26 2006-01-25 ローム株式会社 半導体集積回路装置
US8432142B2 (en) 2006-01-17 2013-04-30 Broadcom Corporation Power over ethernet controller integrated circuit architecture
US7586367B2 (en) * 2007-04-25 2009-09-08 Freescale Semiconductor, Inc. Current sensor device
US7679878B2 (en) * 2007-12-21 2010-03-16 Broadcom Corporation Capacitor sharing surge protection circuit
US7994766B2 (en) * 2008-05-30 2011-08-09 Freescale Semiconductor, Inc. Differential current sensor device and method
JP5135199B2 (ja) * 2008-12-22 2013-01-30 パナソニック株式会社 電流検出回路およびそれを用いた電圧コンバータ
DE102010010103B3 (de) * 2010-03-04 2011-05-12 Texas Instruments Deutschland Gmbh Elektronische Vorrichtung zur Steuerung eines Stroms
US9853539B1 (en) 2013-04-08 2017-12-26 Cirrus Logic, Inc. Systems and methods for measuring inductor current in a switching DC-to-DC converter
EP2821799B1 (en) * 2013-07-05 2019-02-13 Dialog Semiconductor GmbH Highly accurate current measurement
US9217780B2 (en) * 2014-01-07 2015-12-22 Qualcomm Incorporated Compensation technique for amplifiers in a current sensing circuit for a battery
US20160164279A1 (en) * 2014-12-09 2016-06-09 Infineon Technologies Ag Circuit and method for measuring a current
DE102016121912B4 (de) * 2016-11-15 2024-05-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelemente und Verfahren zum Betreiben von Halbleiterbauelementen
JP2023046512A (ja) * 2021-09-24 2023-04-05 三菱電機株式会社 半導体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USB387171I5 (ko) * 1973-08-09 1975-01-28
US4064506A (en) * 1976-04-08 1977-12-20 Rca Corporation Current mirror amplifiers with programmable current gains
EP0045841B1 (en) * 1980-06-24 1985-11-27 Nec Corporation Linear voltage-current converter
US4319181A (en) * 1980-12-24 1982-03-09 Motorola, Inc. Solid state current sensing circuit
US4477782A (en) * 1983-05-13 1984-10-16 At&T Bell Laboratories Compound current mirror
IE55753B1 (en) * 1983-09-06 1991-01-02 Gen Electric Power semiconductor device with main current section and emulation current section
US4573021A (en) * 1984-03-22 1986-02-25 Widlar Robert J Circuit output stage arrangement
US4675561A (en) * 1985-11-15 1987-06-23 Precision Monolithics, Inc. FET output drive circuit with parasitic transistor inhibition

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Publication number Publication date
KR950015174B1 (ko) 1995-12-23
NL8503394A (nl) 1987-07-01
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EP0227149B1 (en) 1992-06-17
JPS62247268A (ja) 1987-10-28
DE3685733T2 (de) 1993-01-14
DE3685733D1 (de) 1992-07-23
JPH0734022B2 (ja) 1995-04-12
US5081379A (en) 1992-01-14

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