KR900004108A - 파워 mos 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치 - Google Patents

파워 mos 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A-제1D도는 단자전압 및 인가된 제어신호에 관계하여 4개의 서로 다른 구성으로 본 발명의 모놀리딕 쌍방향 스위치의 실시예를 보인 개략도.
제2도는 복수의 바이어스 구성으로 제1A-제1D도에 보인 회로의 동작을 예시한 시간도표.
제3도는 본 발명의 모놀리딕 쌍방향 스위치의 실시예를 예시한 반도체층의 단면도.
제4도는 제1A-제1D도 회로에 대한 실제변형을 나타낸 도면.

Claims (8)

  1. -자체의 제어단자에 관계없이는 제1주전극(D1,D2)과 연결되며, 자체의 제어단자에 관계하에서는 스위치의 주단자(A1,A2)를 구성하는 제2주전극(S1,S2)과 연결된 두개의 주 파워 트랜지스터(TP1,TP2)와, -각각 상기 파워 트랜지스터(TP1,TP2)의 제어단자 및 제2주단자 사이에 있는 주단자와 연결되고, 자체의 게이트(g1,g2)가 상기 파워 MOS 트랜지스터(TP1,TP2)의 제1공통 주전극과 연결된 두개의 보조 MOS 트랜지스터(T1,T2)와, -각각의 파워 트랜지스터의 제어단자(G1,G2)와 구동스위치의 제어단자(G) 사이에 각각 연결된 두개의 높은 값을 갖는 저항(R1,R2)으로 구성된 것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치.
  2. 제1항에 있어서, 스위칭 오프 지시를 세트시키도록 상기 제어단자(G)를 주전극에 연결하거나 또는 스위칭 온 지시를 세트시키도록 상기 주전극에 비하여 극성이 양(+)인 전압에 연결하는 수단(10,11)이 구성된 것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 주 파워 트랜지스터(TP1,TP2)는 버어티컬 파워 MOS 트랜지스터로써 제1주전극은 드레인이고 제2주전극이 소오스로 된 것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치.
  4. 제3항에 있어서, 보조 MOS 트랜지스터(T1,T2)의 드레시홀드 전압이 상기 파워 MOS 트랜지스터(TP1,TP2)의 드레시홀드 전압에서 다이오드의 순방향 전압 강하를 뺀 값의 전압보다 낮게 선택되도록 된것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리틱 쌍방향 스위치.
  5. 제3항에 있어서, 전압 시프터가 상기 파워 트랜지스터의(TP1,TP2) 드레인으로의 공통 연결부와 게이트 사이에 있는 보조 트랜지스터의 게이트와 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리틱 쌍방향 스위치.
  6. 제3항에 있어서, 제너 다이오드(Z1,Z2)가 상기 보조 트랜지스터(T1,T2) 각각의 게이트 및 소오스 사이에 배열되고, 저항(R11,R22)이 보조 트랜지스터(T1,T2)의 각 게이트 및 파워 MOS 트랜지스터(TP1,TP2)의 공통 드레인 사이에 집적된 것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 파워 MOS 트랜지스터(TP1,TP2)가 다알링톤 회로의 바이폴러 트랜지스터와 결합된 것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 파워 MOS 트랜지스터(TP1,TP2)가 게이트 제어 바이폴러 트랜지스터임을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890012437A 1988-08-31 1989-08-30 파워 mos 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치 KR900004108A (ko)

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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2664219B2 (ja) * 1988-09-20 1997-10-15 株式会社日立製作所 駆動回路
US5245272A (en) * 1991-10-10 1993-09-14 Herbert David C Electronic control for series circuits
JPH06112795A (ja) * 1992-07-31 1994-04-22 Hewlett Packard Co <Hp> 信号切換回路および信号生成回路
DE4240501A1 (de) * 1992-12-02 1994-06-09 Export Contor Ausenhandelsgese Leistungshalbleiter-Schaltungsanordnung
JP3485655B2 (ja) * 1994-12-14 2004-01-13 株式会社ルネサステクノロジ 複合型ｍｏｓｆｅｔ
US5729236A (en) * 1995-04-28 1998-03-17 Texas Instruments Incorporated Identification system reader with multiplexed antennas
US5977569A (en) * 1996-09-24 1999-11-02 Allen-Bradley Company, Llc Bidirectional lateral insulated gate bipolar transistor having increased voltage blocking capability
AU5445999A (en) * 1998-08-31 2000-03-21 Nariisa Imoto Parallel operation device
JP3857462B2 (ja) 1999-03-19 2006-12-13 株式会社東芝 交流スイッチ回路
DE69939535D1 (de) * 1999-08-20 2008-10-23 Em Microelectronic Marin Sa System zur Steuerung eines Zweirichtungs-Schalters mit zwei Transistoren
EP1137158A1 (en) * 2000-03-21 2001-09-26 Kabushiki Kaisha Toshiba AC switch device used for switching AC circuit and AC switch circuit having the AC switch device
US7230354B2 (en) * 2001-12-31 2007-06-12 Lewis James M Driver system for MOSFET based, high voltage, electronic relays for AC power switching and inductive loads
US7439636B2 (en) * 2001-12-31 2008-10-21 Lewis James M Driver system for MOSFET based, high voltage electronic relays for AC power switching and inductive loads
US7183672B2 (en) * 2001-12-31 2007-02-27 Lewis James M MOSFET based, high voltage, electronic relays for AC power switching and inductive loads
US6683393B2 (en) 2001-12-31 2004-01-27 James M. Lewis MOSFET based, high voltage, electronic relays for AC power switching and inductive loads
US7102253B2 (en) * 2001-12-31 2006-09-05 Lewis James M MOSFET based, high voltage, electronic relays for AC power switching and inductive loads
KR20050061574A (ko) * 2002-10-29 2005-06-22 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 반도체 스위치 및 이를 포함하는 시스템
EP1427095B1 (de) * 2002-12-02 2007-04-18 ebm-papst St. Georgen GmbH & Co. KG Elektronisch kommutierter Elektromotor
CA2427039C (en) * 2003-04-29 2013-08-13 Kinectrics Inc. High speed bi-directional solid state switch
JP4850553B2 (ja) * 2006-03-28 2012-01-11 新日本無線株式会社 スイッチ回路
JP4915558B2 (ja) * 2006-07-06 2012-04-11 清水建設株式会社 立て起こし装置
US8097945B2 (en) 2007-11-21 2012-01-17 Lynda Harnden, legal representative Bi-directional, reverse blocking battery switch
JP5130906B2 (ja) * 2007-12-26 2013-01-30 サンケン電気株式会社 スイッチ装置
WO2010082500A1 (ja) * 2009-01-19 2010-07-22 ダイキン工業株式会社 双方向スイッチ回路及びそれを備えた電力変換装置
US8339181B2 (en) * 2009-11-05 2012-12-25 Honeywell International Inc. Low-side driver high-voltage transient protection circuit
EP2707959A4 (en) 2011-05-10 2014-10-22 Enphase Energy Inc FOUR-QUADRANT BIDIRECTIONAL SWITCH
US20130043538A1 (en) * 2011-08-16 2013-02-21 Chao-Cheng Lu Switch
US8933533B2 (en) * 2012-07-05 2015-01-13 Infineon Technologies Austria Ag Solid-state bidirectional switch having a first and a second power-FET
CN102799130B (zh) * 2012-07-26 2015-01-21 西安电子科技大学 低电压微功耗电源开关及控制方法
CN102929163B (zh) * 2012-10-26 2015-07-15 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 自我控制完全断电的电源电子开关电路
JP6098207B2 (ja) * 2013-02-13 2017-03-22 富士電機株式会社 電力変換装置
WO2016073957A1 (en) * 2014-11-06 2016-05-12 Ideal Power Inc. Circuits, methods, and systems with optimized operation of double-base bipolar junction transistors
EP3430723A4 (en) * 2016-03-15 2019-03-06 Ideal Power Inc. BIPOLAR DOUBLE-BASED CONNECTED TRANSISTORS COMPRISING PASSIVE COMPONENTS THAT PREVENT ACCIDENTAL START-UP
JP6722101B2 (ja) 2016-12-27 2020-07-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および過電流保護装置
JP7293592B2 (ja) * 2018-09-14 2023-06-20 富士電機株式会社 半導体素子及び半導体装置
US10917086B2 (en) 2019-05-13 2021-02-09 Stmicroelectronics (Shenzhen) R&D Co. Ltd. Back-to-back power switch controller
US12088210B2 (en) 2021-06-23 2024-09-10 Enphase Energy, Inc. Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor in switched mode power converter applications

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3740581A (en) * 1972-03-08 1973-06-19 Hughes Aircraft Co Precision switching circuit for analog signals
DE2655173C3 (de) * 1976-12-06 1980-01-10 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Schaltvorrichtung mit wenigstens einem Transistor
DE3133518A1 (de) * 1981-08-25 1983-03-17 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt "elektronischer schalter"
US4480201A (en) * 1982-06-21 1984-10-30 Eaton Corporation Dual mode power transistor
GB8321549D0 (en) * 1983-08-10 1983-09-14 British Telecomm Electronic switch
US4591734A (en) * 1984-04-27 1986-05-27 General Electric Company Integratable circuit for controlling turn-off voltage rate-of-change of non-regenerative voltage-controlled switching semiconductor devices
US4649302A (en) * 1984-07-30 1987-03-10 Eaton Corporation DC or AC solid state switch with improved line-derived control circuit power supply
US4888504A (en) * 1988-10-07 1989-12-19 International Rectifier Corporation Bidirectional MOSFET switching circuit with single gate bias

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DE68910458T2 (de) 1994-06-01
US5003246A (en) 1991-03-26
EP0362080B1 (fr) 1993-11-03
FR2635930A1 (fr) 1990-03-02
EP0362080A1 (fr) 1990-04-04

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