KR860009542A - 마이크로파 발진기 - Google Patents

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KR860009542A
KR860009542A KR1019860003890A KR860003890A KR860009542A KR 860009542 A KR860009542 A KR 860009542A KR 1019860003890 A KR1019860003890 A KR 1019860003890A KR 860003890 A KR860003890 A KR 860003890A KR 860009542 A KR860009542 A KR 860009542A
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resistance element
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KR1019860003890A
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쯔요시 메가다
히로시 사까
히로시 싸까
도시히데 다나까
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마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
다니이 아끼오
마쯔시다덴기산고 가부시기가이샤
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

마이크로파 발진기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 있어서의 마이크로파 발진기의 회로도.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 마이크로파 발진기의 회로도.
제6도는 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 마이크로파 발진기의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
(1) : 칩 (2) : 인덕터 (3) : 드레인바이어스단자
(4) : 스트립선로 (5) : 유전체공진기 (6) : 더미저항
(7) : 바이패스축전기 (8) : 셀프바이어스저항 (9) : 1/4 파장선로
(10) : 출력단자 (11) : 게이트단자 (12) : 드레인단자
(13) : 소오스단자 (14)(15) : 캐패시터 (16)(17)(18) : 스트립선로
(19)(20) : 캐패시터 (21) : MMIC 칩 (22) : 직류저지캐패시터
(23) : 스트립선로 (24) : 고저항 (25) : 스트립선로
(26) : 공진회로 (27) : 마이크로파기판 (28) : 스트립선로
(29) : 공진회로접속단자 (30) : 캐패시터 (31) : MMIC 칩
(32)(33) : 출력정합회로 (34) : 직류저지캐패시터 (35) : 바이어스캐패시터
(36) : 드레인바이어스 단자 (37) : 출력단자 (38) : 바이패스캐패시터
(39) : MMIC 칩 (40) : 소오스바이어스단자

Claims (12)

  1. FET의 게이트단자에 공진회로를 접속하고, 상기 FET의 드레인 단자에 종단을 고주파적으로 접지한 제1의 인덕터를 접속하고, 상기 FET의 소오스 단자로부터 출력을 뽑아내는 것을 특징으로 하는 마이크로파 발진기.
  2. 제1항에 있어서, 소오스단자에 제1의 캐패시터의 일단부를 접속하고, 제1의 캐패시터의 타단부로부터 출력을 뽑아내는 것을 특징으로 하는 마이크로파 발진기.
  3. 제2항에 있어서, 출력단자에 종단을 고주파적으로 접지한 제2의 캐패시터를 접속한 것을 특징으로 하는 마이크로파 발진기.
  4. 제1항에 있어서, 제2의 인덕터와 제3의 캐패시터의 직렬접속회로의 일단부를 소오스단자에 접속, 상기 직렬접속회로의 타단부에 종단을 접지한 제4의 캐패시터를 접속하고, 상기 직렬회로의 타단부로부터 출력을 뽑아내는 것을 특징으로 하는 마이크로파 발진기.
  5. 제1항에 있어서, FET의 소오스단자와 접지간에 제5의 캐패시터를 접속하고, 상기 소오스단자로부터 출력을 뽑아내는 것을 특징으로 하는 마이크로파 발진기.
  6. 제5항에 있어서, 제6의 캐패시터의 일단부를 FET의 소오스단자에 접속하고, 제6의 캐패시터의 타단부로부터 출력을 뽑아내는 것을 특징으로 하는 마이크로파 발진기.
  7. 제1항에 있어서, FET의 소오스단자에 저저항소자의 일단부를 접속하고, 상기 저저항소자의 타단부에 종단단락의 1/4파장스트립선로를 접속하는 동시에, 상기 저저항소자의 타단부와 상기 FET의 게이트단자와의 사이로 고저항소자로 접속한 것을 특징으로 하는 마이크로파 발진기.
  8. 제7항에 있어서, 종단개방 혹은 저항종단된 스트립선로에 유전체 공진기를 결합시켜서 된 공진회로의 상기 스트립선로에 FET의 게이트 단자를 접속시켜서 발진회로를 구성하는 동시에, 상기 공진회로 내에서는 상기 스트립선로와 상기 스트립선로의 접지도체와는 직류적으로 개방상태로 설정한 것을 특징으로 하는 마이크로파 발진기.
  9. 제7항에 있어서, 종단단락의 1/4 파장스트립 선로의 종단을 제1의 바이패스캐패시터를 개재해서 접지단락함과 동시에, FET의 드레인 단자에 접속되는 제1의 인덕터의 종단을 제2의 바이패스캐패시터를 개재해서 접지단락한 것을 특징으로 하는 마이크로파 발진기.
  10. 제7항에 있어서, FET의 게이트 단자에 직접 저지회로를 착설한 것을 특징으로 하는 마이크로파 발진기.
  11. FET의 소오스 단자에 저저항소자의 일단부를 접속하고, 상기 저저항소자의 타단부에 종단단락의 1/4 파장스트립선로를 접속함과 동시에, 상기 저저항소자의 타단부와 상기 FET의 게이트단자와의 사이를 고저항소자로 접속하고, 상기 FET의 게이트단자에 공진회로를 접속한 것을 특징으로 하는 마이크로파 발진기.
  12. 제11항에 있어서, FET의 소오스 단자에 종단을 접지단락한 캐패시터를 접속하고, FET의 드레인단자로부터 출력을 뽑아내는 것을 특징으로 하는 마이크로파 발진기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860003890A 1985-05-21 1986-05-20 마이크로파 발진기 KR900009190B1 (ko)

Applications Claiming Priority (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10883085 1985-05-21
JP108830 1985-05-21
JP60-108830 1985-05-21
JP60-167917 1985-07-30
JP16791785A JPH0738534B2 (ja) 1985-07-30 1985-07-30 マイクロ波モノリシツク集積回路
JP167917 1985-07-30
JP60-275301 1985-12-06
JP60275301A JPS62135002A (ja) 1985-12-06 1985-12-06 マイクロ波発振器
JP275301 1985-12-06
JP61086476A JPS6256004A (ja) 1985-05-21 1986-04-15 マイクロ波発振器
JP86476 1986-04-15
JP61-86476 1986-04-15

Publications (2)

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KR860009542A true KR860009542A (ko) 1986-12-23
KR900009190B1 KR900009190B1 (ko) 1990-12-24

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030031796A (ko) * 2001-10-16 2003-04-23 (주)마이크로라인 단계임피던스공진 발진기를 이용한 레이더디텍터

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030031796A (ko) * 2001-10-16 2003-04-23 (주)마이크로라인 단계임피던스공진 발진기를 이용한 레이더디텍터

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