KR850002696A - 유전체 격리 구조를 가진 보상 반도체 장치를 제조 하는 방법 - Google Patents

유전체 격리 구조를 가진 보상 반도체 장치를 제조 하는 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

유전체 격리 구조를 가진 보상 반도체 장치를 제조하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 4, 6, 7도는 본 발명에 따르는 제품의 여러 스테이지에서 유전체 격리구조를 가진 보상 반도체 장치의 객략적인 부분 단면도.

Claims (10)

  1. 유전체 격리 구조에서 적어도 하나의 p형 아일런드(island)와 적어도 하나의 n형 아일런드를 가지며 제1전도형을 가지는 단결정 반도체 기판의 제1메사 부분을 형성하는 단계와, 상기 제1메사 부분을 절연층으로만 덮는 단계와, 상기 절연층상에 다결정 반도체층을 형성하기 위해서 및 상기 기판의 노출면에 상기 제1전도형과 반대인 제2전도형의 결정반 도체층을 형성하기 위해서 반도체층을 애피택셜하게 성장시키는 단계와, 상기 다결정 반도체층과 단결정 반도체층상에 보호층을 형성하는 단계와, 상기 제1메사 부분의 상부에 있는 상기 보호층을 선택적으로 제거시키는 단계, 및 상기 보호층을 마스크로 사용함으로써 상기 제1메사 부분의 상기 노출된 다결정 반도체층을 제거시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 보상 반도체장치를 제조 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제거하는 단계후에, 상기 단결정 반도체층상에 마스킹층을 선택적으로 형성하는 단계와, 남아 있는 다결정 반도체층을 제거시키는 단계와, 상기 마스킹층을 이용하여 선택적으로 그것을 애칭시킴으로써 상기 단결정층의 제2메사 부분을 형성하는 단계와, 상기 마스킹층을 제거시키는 단계와, 상기 제2메사 부분 및 다른 절연층과 함께 상기 제1메사 부분을 포함하는 상기 기판의 노출면을 덮는 단계와, 상기 다른 절연층상에 지지층을 형성하는 단계 및 상기 제1 및 제2메사 부분을 아일런드로 고립시키고 상기 다른 절연층의 부분을 노출시키기 위해 상기 기판을 백래프(backlap)시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 보상 반도체 장치를 제조하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보호층을 선택적으로 제거시키는 상기 단계가 래핑(lapping)방법에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 보상 반도체 장치를 제조하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 제1메사 부분의 상기 형성 단계에서 비등방성 애칭액이 사용되는 것을 특징으로 하는 보상 반도체 장치를 제조하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 마스킹층의 선택적으로 형성한 상기 단계에 앞서, 상기 보호층을 제거시키는 단계와 전노출면 상에 또ㄷ른 마스킹층을 형성하는 단계가 추가로 구성되는 것을 특징으로 하는 보상 반도체 장치를 제조하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제거에 앞서, 상기 잔존하는 다결정 반도체층의 제거를 위한 마스크를 형성하기 위해 상기 다른 마스킹층을 선택적으로 애칭시키는 단계가 추가로 구성되는 것을 특징으로 하는 보상 반도체 장치를 제조하는 방법.
  7. 제2항에 있어서, 제2메사 부분의 상기 형성 단계에서, 비등방성 에칭액이 사용되는 것을 특징으로 하는 보상 반도체 장치를 제조하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 단결정 반도체 기판이 실리콘인 것을 특징으로 하는 보상 반도체 장치를 제조하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 반도체 재료가 실리콘인 것을 특징으로 하는 보상 반도체 장치를 제조하는 방법.
  10. 제2항에 있어서, 상기 지지층이 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 보상 반도체 장치를 제조하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840005729A 1983-09-30 1984-09-19 유전체 격리구조를 가진 보상 반도체장치를 제조하는 방법 KR890003146B1 (ko)

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