KR840001391A - 다결정 박막(多結晶薄膜) 트랜지스터 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

다결정 박막(多結晶薄膜) 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 증착막의 두께와 결정 입자(結晶粒子)의 지름과의 관계를 표시. 제2도a∼제2도h는 다결정 반도체막을 사용하여 MOSFET를 제조하는 공정을 나타내는 단면도.

Claims (7)

  1. 소정의 기판위에 다결정 실리콘 박막을 형성하고 그 다결정 실리콘 박막에다 캐리어를 주행시키기 위한 한쌍의 전극 영역과 상기의 캐리어를 제어하는 수단과를 최소한 갖고 있는 다결정 박막 트랜지스터에 있어서 상기의 캐리어를 주행시키는 영역의 길이가 다결정 입자의 직경(실질적인 캐리어의 주행 방향의 직경)이 10배 이상이 되게 하고, 또, 캐리어를 주행시키는 영역내의 각 결정 입자의 직경이 150㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 다결정 박막 트랜지스터.
  2. 특허 청구 범위 1의 다결정 박막 트랜지스터에 있어서 상기의 캐리어를 주행시키는 영역의 길이가 결정입자의 직경(실질적인 캐리어의 주행 방향의 직경)의 50배 이상이 되는 것을 특징으로 하는 것.
  3. 상기의 기판의 열 팽창 계수와 기판위에 형성되는 다결정 실리콘 박막의 열 팽창 계수와의 비가 0.14∼2.0의 범위가 되도록 선택하여 된 것을 특징으로 하는 특허청구범위 1과 청구범위 2의 다결정 박막 트랜지스터.
  4. 상기의 다결정 실리콘 박막은 초 고진공중에서 진 공증착에 의하여 형성된 다결정 막인 것을 특징으로 하는 특허청구범위 1과, 청구범위 2, 그리고, 청구범위 3의 다결정 박막 트랜지스터.
  5. 공개의 개요
  6. 소정의 기판위에 다결정 실리콘 박막을 형성하고 그 다결정 실리콘 박막에 캐리어를 주행시키기 위하여 한쌍의 전극 영역과 또, 상기의 캐리어를 제어하는 수단을 최소한 갖고 있는 다결정 박막 트랜지스터에서 상기의 캐리어를 주행시키는 영역의 길이가 결정 입자의 직경(캐리어의 실질적인 주행 방향의 직경)의 10배 이상이 되고 또, 캐리어가 주행하는 영역 내의 각 다결정 입자의 직경이 최소한 1150㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터이며, 상기의 기판의 열팽창계수와의 비를 0.3∼3.0의 범위가 되게 선정하는 것이 양호하다.
  7. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR8203569A 1981-08-19 1982-08-09 다결정 박막 트랜지스터 KR900008942B1 (ko)

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