KR20240021011A - 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법 - Google Patents

레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법 Download PDF

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Abstract

하기 화학식 1로 표시되는 구조단위, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위, 또는 이들의 조합을 포함하는 중합체, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물, 그리고 상기 레지스트 하층막용 조성물을 이용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

[화학식 2]

[화학식 3]

상기 화학식 1 내지 3의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

Description

레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법{RESIST UNDERLAYER COMPOSITION, AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION}
본 기재는 레지스트 하층막용 조성물, 및 이를 이용한 패턴형성방법에 관한 것이다.
최근 반도체 산업은 수백 나노미터 크기의 패턴에서 수 내지 수십 나노미터 크기의 패턴을 가지는 초미세 기술로 발전하고 있다. 이러한 초미세 기술을 실현하기 위해서는 효과적인 리소그래픽 기법이 필수적이다.
리소그래픽 기법은 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판 상에 포토레지스트 막을 코팅하여 박막을 형성하고, 그 위에 디바이스의 패턴이 그려진 마스크 패턴을 개재하여 자외선 등의 활성화 조사선을 조사한 후 현상하여, 얻어진 포토레지스트 패턴을 보호막으로 하여 기판을 에칭 처리함으로써, 기판 표면에 상기 패턴에 대응하는 미세패턴을 형성하는 가공법이다.
반도체 패턴이 점차 미세화됨에 따라 포토레지스트 층의 두께가 얇을 것이 요구되고, 이에 따라 레지스트 하층막의 두께 또한 얇을 것이 요구된다. 레지스트 하층막은 얇은 두께에도 포토레지스트의 패턴이 무너져서는 안되며, 즉, 포토레지스트와의 밀착성 및 접착력이 좋음과 동시에 균일한 두께로 막이 형성될 것이 요구된다. 또한, 노광 광원에 대한 감도가 개선되어 낮은 출력에도 효율적으로 패터닝이 가능한 레지스트 하층막이 요구된다.
일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 미세 패터닝 공정에서도 레지스트의 패턴 붕괴가 일어나지 않고, 우수한 코팅 균일성을 가지며, 노광 광원에 대한 감도가 향상되어 패터닝 성능 및 효율 개선이 가능한 레지스트 하층막을 제공한다.
다른 구현예는 상기 레지스트 하층막용 조성물을 이용한 패턴형성방법을 제공한다.
일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위, 또는 이들의 조합을 포함하는 중합체, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 용매를 포함한다.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
A는 하기 화학식 A-1 내지 화학식 A-3 중 어느 하나인 고리기이고,
L1 내지 L6는, 각각 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
X1 내지 X5는, 각각 독립적으로, 단일결합, -O-, -S-, -S(=O)-, -S(=O)2-, -C(=O)-, -(CO)O-, -O(CO)O-, -NR’- (여기서, R’는 수소, 중수소, 또는 C1 내지 C10 알킬기이다), 또는 이들의 조합이고,
Y1 내지 Y3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
*는 연결지점이다;
[화학식 A-1]
[화학식 A-2]
[화학식 A-3]
상기 화학식 A-1 내지 상기 화학식 A-3에서,
Rx는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
*는 연결지점이다;
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로, 히드록시기, 아미노기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이다.
상기 화학식 1 및 화학식 2의 A는 하기 화학식 A-1, 하기 화학식 A-2, 또는 이들의 조합으로 표시될 수 있다.
[화학식 A-1]
[화학식 A-2]
상기 화학식 A-2에서, Rx는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐기이고, 상기 화학식 A-1 및 화학식 A-2에서, *는 연결지점이다.
상기 화학식 1 및 화학식 2의 L1 내지 L6는, 각각 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
X1 내지 X5는, 각각 독립적으로, 단일결합, -O-, -S-, -C(=O)-, -(CO)O-, -O(CO)O-, 또는 이들의 조합이고,
Y1 내지 Y3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 화학식 3의 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 히드록시기, 아미노기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 화학식 3의 n 및 m은 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수일 수 있다.
상기 화학식 3으로 표시되는 화합물이 하기 화학식 3-1로 표시될 수 있다.
[화학식 3-1]
상기 화학식 3-1에서,
R1 내지 R6는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 아미노기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 3-1의 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 히드록시기, 아미노기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로사이클로알킬기이고, R3 내지 R6는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 화학식 3으로 표시되는 화합물이 하기 화학식 3-2 내지 화학식 3-13 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 3-2]
[화학식 3-3]
[화학식 3-4]
[화학식 3-5]
[화학식 3-6]
[화학식 3-7]
[화학식 3-8]
[화학식 3-9]
[화학식 3-10]
[화학식 3-11]
[화학식 3-12]
[화학식 3-13]
상기 중합체의 중량평균분자량은 1,000g/mol 내지 300,000g/mol 일 수 있다.
상기 중합체 및 화합물의 중량비가 9:1 내지 2:3 일 수 있다.
상기 중합체는 상기 레지스트 하층막용 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 50 중량% 포함될 수 있다.
상기 화합물은 상기 레지스트 하층막용 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 20 중량% 포함될 수 있다.
상기 레지스트 하층막용 조성물은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 노볼락계 수지, 글루코우릴계 수지 및 멜라민계 수지로부터 선택되는 하나 이상의 중합체를 더 포함할 수 있다. 상기 레지스트 하층막용 조성물은 계면활성제, 열산발생제, 광산발생제, 가소제, 또는 이들의 조합인 첨가제를 더 포함할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 기판 위에 식각 대상 막을 형성하는 단계, 상기 식각 대상 막 위에 일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 적용하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계, 상기 레지스트 하층막 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 그리고 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 레지스트 하층막, 및 상기 식각 대상막을 순차적으로 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는 상기 레지스트 하층막 위에 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계, 그리고 상기 포토레지스트 막을 현상하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 레지스트 하층막을 형성하는 단계는 상기 레지스트 하층막용 조성물의 코팅 후 100 ℃ 내지 300 ℃의 온도로 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 미세 패터닝 공정에서도 레지스트의 패턴 붕괴가 일어나지 않고, 우수한 코팅 균일성을 가지며, 가교 특성이 개선된 레지스트 하층막을 제공할 수 있다.
또한, 일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 노광 광원에 대한 감도가 향상되어 패터닝 성능 및 효율이 개선된 레지스트 하층막을 제공할 수 있다.
다른 구현예는 상기 레지스트 하층막용 조성물을 이용한 패턴형성방법을 제공할 수 있다.
도 1 내지 도 6은 일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 이용한 패턴 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 본 명세서에서 특별한 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 중수소, 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로고리기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 상기 치환된 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, 또는 C2 내지 C30 헤테로고리기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다.
본 명세서에서 "아릴기(aryl group)"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 의미하며, 넓게는 탄화수소 방향족 모이어티들이 단일 결합으로 연결된 형태 및 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합고리 또한 포함한다. 아릴기는 모노사이클릭, 폴리사이클릭 또는 융합된 폴리사이클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, “헤테로”란, N, O, S, Se 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1개 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "헤테로알킬(heteroalkyl)기"는 알킬기를 형성하는 하나 이상의 탄소 원소 대신 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원소를 함유하는 기를 의미한다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 2 이상의 헤테로아릴기는 시그마 결합을 통하여 직접 연결되거나, 상기 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 아릴기 및/또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기, 피리도인돌일기, 벤조피리도옥사진일기, 벤조피리도티아진일기, 9,9-디메틸-9,10-디히드로아크리딘일기, 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다.
또한, 본 명세서에서, “중합체”는 올리고머(oligomer)와 중합체(polymer)를 모두 포함할 수 있다.
본 명세서에서 특별히 언급하지 않는 한, “중량평균분자량”은 분체 시료를 테트라하이드로퓨란(THF)에 녹인 후, Agilent Technologies社의 1200 series 겔 투과 크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography; GPC)를 이용하여 측정(컬럼은 Shodex社 LF-804, 표준시료는 Shodex社 폴리스티렌을 사용함)한 것이다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '*'는 화합물의 구조단위 또는 화합물 부분(moiety)의 연결 지점을 가리킨다.
반도체 산업에서는 칩의 크기를 감소시키고자 하는 요구가 끊임없이 이어지고 있는 추세이다. 이러한 추세에 대응하기 위해서는 리소그래피 기술에서 패터닝되는 레지스트의 선폭이 수십 나노 사이즈 수준으로 감소되어야 하고, 이렇게 형성된 패턴을 이용하여 하부 기질에 에칭 공정을 이용하여 하층 재료에 패턴을 전사하게 된다. 그러나, 레지스트의 패턴 사이즈가 작아지면 그 선폭을 견딜 수 있는 레지스트의 높이(aspect ratio)가 제한되고, 이에 따라 레지스트들이 에칭 단계에서 충분한 내성을 가지지 못하는 경우가 있다. 따라서, 레지스트 물질을 얇게 사용하는 경우, 에칭하고자 하는 기질이 두꺼운 경우, 혹은 깊이가 깊은 패턴이 필요한 경우 등에서 이를 보상하기 위해 레지스트 하층막이 사용되어 왔다.
레지스트 하층막은 레지스트의 두께가 얇아짐에 따라 함께 얇을 것이 요구되고, 레지스트 하층막은 얇은 두께에도 포토레지스트의 패턴이 무너져서는 안되며, 포토레지스트와의 밀착성이 우수해야 한다. 또한, 레지스트 하층막용 조성물은 웨이퍼에 균일한 두께로 얇게 도포될 수 있어야 하며, 이로부터 형성된 레지스트 하층막은 패턴 형성성이 우수해야 한다. 이를 위해서는 레지스트 하층막의 감도가 개선되어야 한다.
본원 발명자들은 상기 요구되는 특성을 갖는 하층막을 제공하기 위한 조성물이 특정 구조단위를 포함하는 중합체, 또는 특정 구조의 화합물을 포함하도록 하였다. 그 결과 상기 조성물이 포토레지스트에 대한 밀착성이 향상되고, 막밀도가 증가된 레지스트 하층막을 형성할 수 있음을 확인하였으며, 이와 동시에 노광 광원에 대한 감도가 개선되어 패턴형성성이 우수한 본원 발명을 완성하였다.
일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 포토레지스트의 하부에 도포하여 막을 형성함으로써, 이 막과 포토레지스트 간 밀착성이 향상되어, 미세 패터닝 공정 중에서도 레지스트 패턴의 붕괴를 방지할 수 있다.
구체적으로, 일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위, 또는 이들의 조합을 포함하는 중합체, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 용매를 포함한다.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
A는 하기 화학식 A-1 내지 화학식 A-3 중 어느 하나인 고리기이고,
L1 내지 L6는, 각각 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
X1 내지 X5는, 각각 독립적으로, 단일결합, -O-, -S-, -S(=O)-, -S(=O)2-, -C(=O)-, -(CO)O-, -O(CO)O-, -NR’- (여기서, R’는 수소, 중수소, 또는 C1 내지 C10 알킬기이다), 또는 이들의 조합이고,
Y1 내지 Y3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고, *는 연결지점이다;
[화학식 A-1]
[화학식 A-2]
[화학식 A-3]
상기 화학식 A-1 내지 상기 화학식 A-3에서,
Rx는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
*는 연결지점이다;
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로, 히드록시기, 아미노기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이다.
상기 화학식 1 및 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위가 고리 내에 질소원자를 포함하는 헤테로 고리를 포함함으로써 중합체 간 sp2-sp2 결합이 가능하고, 이로 인해 높은 전자 밀도를 가질 수 있다. 이에 따라 박막의 밀도를 향상시켜 치밀한 구조의 막을 초박막 형태로 구현할 수 있고, 레지스트 하층막 조성물의 노광 시 흡광 효율을 향상시키는 효과를 가질 수 있다. 상기 조성물을 이용하여 레지스트 하층막을 형성할 경우, 포토 공정 중 2차 전자(second electron)가 추가적으로 발생할 수 있고, 추가 생성된 2차 전자 들은 포토 공정 중 포토레지스트에 영향을 주어 산 발생 효율을 극대화시킬 수 있다. 이에 따라 포토레지스트의 포토 공정 속도를 개선함으로써 포토레지스트의 감도를 향상시킬 수 있다.
또한, 일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물이 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 노광 광원에 대한 감도가 향상되고, 이에 따라 포토레지스트의 패터닝 성능 및 효율을 개선할 수 있다. 즉, 에칭 공정의 시간을 단축시키고, 에너지를 절약하면서 패턴을 선명하게 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 화학식 1 및 화학식 2의 A는 상기 화학식 A-1, 하기 화학식 A-2, 또는 이들의 조합으로 표시될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 화학식 A-2에서, Rx는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐기일 수 있고, 상기 화학식 A-1 및 화학식 A-2에서, *는 연결지점이다.
일 실시예에서, 상기 화학식 1 및 화학식 2의 L1 내지 L6는, 각각 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
X1 내지 X5는, 각각 독립적으로, 단일결합, -O-, -S-, -C(=O)-, -(CO)O-, -O(CO)O-, 또는 이들의 조합이고,
Y1 내지 Y3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 화학식 3의 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 히드록시기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 이들의 조합일 수 있다. 일 예로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 또는 데실기이고, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 또는 펜틸기이다. 상기 알킬기는 치환될 수 있으며, 일 예로, 히드록시기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자가 치환된 알킬기일 수 있고, 예를 들어, 메톡시기 또는 에톡시기가 치환된 메틸기, 예를 들어, 메톡시기 또는 에톡시기가 치환된 에틸기, 예를 들어, 히드록시기가 치환된 메틸기, 에틸기, 또는 프로필기, 예를 들어, 플루오르(F), 아이오딘(I)이 치환된 메틸기, 에틸기, 또는 프로필기일 수 있다. 상기 R1 및 R2의 종류에 따라 화학식 3으로 표시되는 화합물은 예를 들어, 광활성 화합물(Photo Acive Compound)일 수 있고, 예를 들어, 가교제일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 화학식 3의 n 및 m은 각각 독립적으로, 0 내지 5, 예를 들어, 0 내지 4, 예를 들어, 0 내지 3의 정수이다.
일 실시예에서, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물이 하기 화학식 3-1로 표시될 수 있다.
[화학식 3-1]
상기 화학식 3-1에서,
R1 내지 R6는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 아미노기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이다.
일 예로, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물이 하기 화학식 3-2 내지 화학식 3-13 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 3-2]
[화학식 3-3]
[화학식 3-4]
[화학식 3-5]
[화학식 3-6]
[화학식 3-7]
[화학식 3-8]
[화학식 3-9]
[화학식 3-10]
[화학식 3-11]
[화학식 3-12]
[화학식 3-13]
상기 중합체는 1,000g/mol 내지 300,000g/mol의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 중합체는 2,000 g/mol 내지 300,000g/mol, 예를 들어 2,000 g/mol 내지 200,000g/mol, 예를 들어 2,000 g/mol 내지 100,000g/mol, 예를 들어 2,000 g/mol 내지 90,000g/mol, 예를 들어 2,000 g/mol 내지 70,000g/mol, 예를 들어 2,000 g/mol 내지 50,000g/mol, 예를 들어 2,000 g/mol 내지 30,000g/mol, 예를 들어 2,000 g/mol 내지 20,000g/mol, 예를 들어 2,000 g/mol 내지 10,000g/mol의 중량평균분자량을 가질 수 있으나, 이들에 제한되지 않는다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가짐으로써 상기 중합체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물의 탄소 함량 및 용매에 대한 용해도를 조절하여 최적화할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 중합체와 상기 화합물의 중량비는 9:1 내지 2:3 일 수 있다. 예를 들어, 상기 중량비는 8:2 내지 2:3, 예를 들어, 7:3 내지 2:3, 예를 들어, 6:4 내지 4:6일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 중합체와 상기 화합물의 중량비는 9:1 내지 2:3, 예를 들어, 8:1 내지 2:3, 예를 들어, 7:1 내지 2:3, 예를 들어, 6:1 내지 2:3, 예를 들어, 5:1 내지 2:3, 예를 들어, 4:1 내지 2:3, 예를 들어, 3:1 내지 2:3의 범위일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. 일 구현예에 따른 조성물에 중합체와 화합물이 상기 범위만큼 포함됨으로써, 레지스트 하층막의 두께, 표면 거칠기 및 평탄화 정도를 조절할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 중합체는 레지스트 하층막용 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 50 중량% 포함될 수 있다. 보다 구체적으로 상기 중합체는 상기 레지스트 하층막용 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 30중량%, 예를 들어 0.1 중량% 내지 30중량%, 예를 들어 0.1 중량% 내지 20중량%, 예를 들어 0.3 중량% 내지 20중량%, 예를 들어 0.3 중량% 내지 10중량% 포함될 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. 상기 범위로 중합체가 상기 조성물에 포함됨으로써, 레지스트 하층막의 두께, 표면 거칠기 및 평탄화 정도를 조절할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 화합물은 레지스트 하층막용 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 20 중량% 포함될 수 있다. 보다 구체적으로 상기 화합물은 상기 레지스트 하층막용 조성물 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 15중량%, 예를 들어 0.01 중량% 내지 10중량%, 예를 들어 0.01 중량% 내지 10중량%, 예를 들어 0.05 중량% 내지 10중량%, 예를 들어 0.05 중량% 내지 5중량%, 예를 들어 0.1 중량% 내지 20중량%, 예를 들어 0.1 중량% 내지 15중량%, 예를 들어 0.1 중량% 내지 10중량% 포함될 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. 상기 범위로 화합물이 상기 조성물에 포함됨으로써, 레지스트 하층막의 두께, 표면 거칠기 및 평탄화 정도를 조절할 수 있다.
일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 용매를 포함할 수 있다. 상기 용매는 일 구현예에 따른 중합체 및 화합물에 대한 충분한 용해성 및/또는 분산성을 가지는 것이면 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 디아세테이트, 메톡시프로판다이올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 트리(에틸렌글리콜)모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 메틸피롤리돈, 메틸피롤리디논, 메틸 2-하이드록시이소부티레이트, 아세틸아세톤, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 상기 중합체, 화합물, 및 용매 외에도, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 노볼락계 수지, 글리콜우릴계 수지, 및 멜라민계 수지로부터 선택되는 하나 이상의 중합체를 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 계면활성제, 열산 발생제, 광산발생제, 가소제, 또는 이들의 조합을 포함하는 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 계면활성제는 레지스트 하층막 형성 시, 고형분 함량의 증가에 따라 발생하는 코팅 불량을 개선하기 위해 사용할 수 있으며, 예컨대 알킬벤젠설폰산 염, 알킬피리디늄 염, 폴리에틸렌글리콜, 제4 암모늄 염 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 열산발생제는 예컨대 p-톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 피리디늄 p-톨루엔술포네이트, 살리실산, 술포살리실산, 구연산, 안식향산, 하이드록시안식향산, 나프탈렌카르본산 등의 산성 화합물 또는/및 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트 그 밖에 유기 술폰산 알킬 에스테르 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 가소제는 특별히 한정되지는 않으며, 공지된 다양한 계통의 가소제를 이용할 수 있다. 가소제의 예시로는 프탈산에스테르류, 아디프산에스테르류, 인산에스테르류, 트리멜리트산에스테르류, 시트르산에스테르류 등의 저분자 화합물, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리아세탈계 등의 화합물 등을 들 수 있다.
상기 첨가제는 상기 레지스트 하층막용 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 내지 40 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함함으로써 레지스트 하층막용 조성물의 광학적 특성을 변경시키지 않으면서 용해도를 향상시킬 수 있다.
상기 첨가제는 상기 레지스트 하층막용 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 내지 40 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함함으로써 레지스트 하층막용 조성물의 광학적 특성을 변경시키지 않으면서 용해도를 향상시킬 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상술한 레지스트 하층막용 조성물을 사용하여 제조된 레지스트 하층막을 제공한다. 상기 레지스트 하층막은 상술한 레지스트 하층막용 조성물을 예컨대 기판 위에 코팅한 후 열처리 과정을 통해 경화된 형태일 수 있다.
이하 상술한 레지스트 하층막용 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 방법에 대하여 도 1 내지 6을 참고하여 설명한다.
도 1 내지 도 6은 본 발명에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 이용한 패턴 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 우선 식각 대상물을 마련한다. 상기 식각 대상물의 예로서는 반도체 기판(100) 상에 형성되는 박막(102)일 수 있다. 이하에서는 상기 식각 대상물이 박막(102)인 경우에 한해 설명한다. 상기 박막(102)상에 잔류하는 오염물 등을 제거하기 위해 상기 박막 표면을 전 세정한다. 상기 박막(102)은 예컨대 실리콘 질화막, 폴리실리콘막 또는 실리콘 산화막일 수 있다.
이어서, 세정된 박막(102)의 표면상에 본원발명의 레지스트 하층막용 조성물을 스핀 코팅방식을 적용하여 코팅한다.
이후 건조 및 베이킹 공정을 수행하여 상기 박막 상에 레지스트 하층막(104)을 형성한다. 상기 베이킹 처리는 100 ℃ 내지 500 ℃에서 수행하고, 예컨대 100 ℃ 내지 300 ℃에서 수행할 수 있다. 보다 구체적인 레지스트 하층막용 조성물에 대한 설명은 위에서 상세히 설명하였기 때문에 중복을 피하기 위해 생략한다.
도 2를 참조하면, 상기 레지스트 하층막(104) 위에 포토레지스트를 코팅하여 포토레지스트 막(106)을 형성한다.
상기 포토레지스트의 예로서는 나프토퀴논디아지드 화합물과 노볼락 수지를 함유하는 양화형 포토레지스트, 노광에 의해 산을 해리 가능한 산 발생제, 산의 존재 하에 분해하여 알칼리수용액에 대한 용해성이 증대하여 화합물 및 알칼리가용성수지를 함유하는 화학 증폭형의 양화형 포토레지스트, 산 발생제 및 산의 존재 하에 분해하여 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대하는 수지를 부여 가능한 기를 지닌 알칼리 가용성 수지를 함유하는 화학 증폭형의 양화형 포토레지스트 등을 들 수 있다.
이어서, 상기 포토레지스트 막(106)이 형성되어 있는 기판(100)을 가열하는 제1 베이킹 공정을 수행한다. 상기 제1 베이킹 공정은 90 ℃ 내지 120 ℃의 온도에서 수행할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 포토레지스트 막을(106)을 선택적으로 노광한다. 상기 포토레지스트 막(106)을 노광하기 위한 노광 공정을 일 예로 설명하면, 노광 장치의 마스크 스테이지 상에 소정의 패턴이 형성된 노광 마스크를 위치시키고, 상기 포토레지스트 막(106) 상에 상기 노광 마스크(110)를 정렬한다. 이어서, 상기 마스크(110)에 광을 조사함으로써 상기 기판(100)에 형성된 포토레지스트 막(106)의 소정 부위가 상기 노광 마스크를 투과한 광과 선택적으로 반응하게 된다.
일 예로, 상기 노광 공정에서 사용할 수 있는 광의 예로는, 365nm의 파장을 가지는 활성화 조사선도 i-line, 248nm의 파장을 가지는 KrF 엑시머 레이저, 193nm의 파장을 가지는 ArF 엑시머 레이저과 같은 단파장 광이 있으며, 이 외에도 극자외광에 해당하는 13.5nm의 파장을 가지는 EUV(Extreme ultraviolet) 등을 들 수 있다.
상기 노광된 부위의 포토레지스트 막(106a)은 상기 비노광 부위의 포토레지스트 막(106b)에 비해 상대적으로 친수성을 갖게 된다. 따라서, 상기 노광된 부위(106a) 및 비노광 부위(106b)의 포토레지스트 막은 서로 다른 용해도를 갖게 되는 것이다.
이어서, 상기 기판(100)에 제2 베이킹 공정을 수행한다. 상기 제2 베이킹 공정은 90 ℃ 내지 150 ℃의 온도에서 수행할 수 있다. 상기 제2 베이킹 공정을 수행함으로 인해, 상기 노광된 영역에 해당하는 포토레지스트 막은 특정 용매에 용해되기 쉬운 상태가 된다.
도 4를 참조하면, 구체적으로, 수산화테트라메틸암모늄(tetra-methyl ammonium hydroxide; TMAH) 등을 이용하여 상기 노광된 영역에 해당하는 포토레지스트 막(106a)을 용해한 후 제거함으로써, 현상 후 남겨진 포토레지스트 막(106b)이 포토레지스트 패턴(108)을 형성한다.
이어서, 상기 포토레지스트 패턴(108)을 식각 마스크로 하여 상기 레지스트 하층막(104)을 식각한다. 상기와 같은 식각 공정에 의해 도 5에 나타낸 것과 같은 유기막 패턴(112)이 형성된다. 상기 식각은 예컨대 식각 가스를 사용한 건식 식각으로 수행할 수 있으며, 식각 가스는 예컨대 CHF3, CF4, Cl2, O2　및 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다. 앞서 설명한 것과 같이, 일 구현예에 따른 레지스트 하층막 조성물에 의해 형성된 레지스트 하층막은 빠른 식각 속도를 가지기 때문에, 단시간 내에 원활한 식각 공정을 수행할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(108)을 식각 마스크로 적용하여 노출된 박막(102)을 식각한다. 그 결과 상기 박막은 박막 패턴(114)으로 형성된다. 앞서 수행된 노광 공정에서, 활성화 조사선도 i-line(파장 365nm), KrF 엑시머 레이저(파장 248nm), ArF 엑시머 레이저(파장 193nm) 등의 단파장 광원을 사용하여 수행된 노광 공정에 의해 형성된 박막 패턴(114)은 수십nm 내지 수백 nm의 폭을 가질 수 있으며, EUV 광원을 사용하여 수행된 노광 공정에 의해 형성된 박막 패턴(114)은 20nm 이하의 폭을 가질 수 있다.
이하, 상술한 중합체의 합성 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물의 제조에 관한 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하도록 한다. 그러나 하기 실시예들에 의하여 본 발명의 기술적 한정되는 것은 아니다.
합성예
중합체의 합성
합성예 1
500ml 3구 둥근 플라스크에 1,3-디알릴-5-(2-히드록시에틸) 이소시아누레이트(1,3-diallyl-5-(2-hydroxyethyl) isocyanurate) 24.9g, 머캅토 에탄올(mercapto ethanol) 7.4 g, AIBN(azobisisobutyronitrile) 0.7 g, 및 N,N-디메틸포름아미드(DMF) 48 g 을 투입하고 콘덴서를 연결한다. 온도를 80 ℃에서 16 시간 동안 반응을 진행시킨 뒤 반응액을 상온으로 냉각시킨다. 반응액을 물 800g이 담긴 1L 광구병에 교반하며 적하하여 검(gum)을 생성시킨 후, 테트라하이드로퓨란(THF) 80g에 용해시킨다. 용해된 레진용액은 톨루엔을 사용하여 침전물을 형성시키며 단분자 및 저분자를 제거한다. 최종적으로 하기 화학식 1-1로 표현되는 중합체 10g (중량평균분자량(Mw)=10,500g/mol)를 얻었다.
[화학식 1-1]
합성예 2
500ml 3구 둥근 플라스크에 1,3,5-트리알릴-1,3,5-트리아지난-2,4,6-트리온(1,3,5-triallyl-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione) 24.9g, 머캅토 에탄올(mercapto ethanol) 7.4 g, AIBN(azobisisobutyronitrile) 0.7 g, 및 N,N-디메틸포름아미드(DMF) 48 g 을 투입하고 콘덴서를 연결한다. 온도를 80 ℃에서 16 시간 동안 반응을 진행시킨 뒤 반응액을 상온으로 냉각시킨다. 반응액을 물 800g이 담긴 1L 광구병에 교반하며 적하하여 검(gum)을 생성시킨 후, 테트라하이드로퓨란(THF) 80g에 용해시킨다. 용해된 레진용액은 톨루엔을 사용하여 침전물을 형성시키며 단분자 및 저분자를 제거한다. 최종적으로 하기 화학식 1-2로 표현되는 구조단위로 이루어지는 중합체 10g (중량평균분자량(Mw)=8,000g/mol)를 얻었다.
[화학식 1-2]
합성예 3
250mL의 4구 플라스크에 1,3-다이알릴-5,5-다이메틸-1,3-다이아지난-2,4,6-트리온(1,3-diallyl-5,5-dimethyl-1,3-diazinane-2,4,6(1H,3H,5H)-trione) 20g과 2,3-다이머캅토-1-프로판올(2,3-Dimercapto-1-propanol) 8.4g, 아조비스이소부티로나이트릴(azobisisobutyronitrile, AIBN) 0.5g, 및 N,N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide) 50g 을 투입하여 반응 용액을 준비하고, 콘덴서를 연결한다. 상기 반응 용액을 60℃에서 5시간 동안 가열하여 반응을 진행시킨 뒤, 반응 용액을 상온으로 냉각시킨다. 이후, 반응 용액을 증류수 300g이 담긴 비이커에서 교반하며 적하하여 검(gum)을 생성시킨 후, 테트라하이드로퓨란(THF) 30g에 용해시킨다. 용해된 레진 용액은 톨루엔으로 침전물을 형성시키며, 단분자 및 저분자를 제거하여, 최종적으로 하기 화학식 2-1로 표시되는 구조단위로 이루어지는 중합체(중량평균분자량(Mw)= 3,700 g/mol)를 얻었다.
[화학식 2-1]
합성예 4
1L 2구 둥근 플라스크에 1,3,5-triglycidyl isocyanurate 148.6g(0.5mol), 2,2'-Thiodiacetic acid 60.0g (0.4 mol), benzyl triethyl ammonium chloride 9.1g, 및 N,N-dimethylformamide 350g를 투입하고 콘덴서를 연결하였다. 온도를 100 ℃로 올리고, 8시간 반응시킨 후, 해당 반응액을 상온(23℃)으로 냉각시켰다. 그 후, 상기 반응액을 1L 광구병으로 옮긴 후, 헥산으로 3회 씻어주고 이어서 정제수를 이용하여 순차로 씻어주었다. 얻어진 검(gum) 상태의 레진을 THF 80g을 이용하여 완전히 용해시킨 다음, 교반 중인 700g의 톨루엔에 천천히 적하하였다. 이후 용매를 제거해줌으로써 최종적으로 하기 화학식 2-2로 표현되는 구조단위로 이루어지는 중합체(중량평균분자량(Mw)=9,100g/mol)를 얻었다.
[화학식 2-2]
합성예 5
250mL의 4구 플라스크에 1,3-다이알릴-5-(1-히드록시에틸)-이소시아누레이트 (1,3-diallyl-5-(2,2-dimethyl)-isocyanurate) 20g과 1,2-다이싸이올(ethane-1,2-dithiol) 6.0g, 아조비스이소부티로나이트릴 (azobisisobutyronitrile, AIBN) 1g, 및 N,N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide) 50g 을 투입하여 반응 용액을 준비하고, 콘덴서를 연결한다. 상기 반응 용액을 50℃에서 5시간 동안 가열하여 반응을 진행시킨 뒤, 3,4-다이플루오로벤질 머캅탄(3,4-Difluorobenzyl Mercaptan) 10g 및 아조비스이소부티로나이트릴(azobisisobutyronitrile, AIBN) 1g을 투입하여 2시간 추가 반응을 진행 후 용액을 상온으로 냉각시킨다. 이후, 반응 용액을 증류수 300g이 담긴 비이커에서 교반하며 적하하여 검(gum)을 생성시킨 후, 테트라하이드로퓨란(THF) 30g에 용해시킨다. 용해된 레진 용액은 톨루엔으로 침전물을 형성시키며, 단분자 및 저분자를 제거하여, 최종적으로 하기 화학식 2-3으로 표시되는 중합체(중량평균분자량(Mw)= 5,500 g/mol)를 얻었다.
[화학식 2-3]
화합물의 합성
합성예 6
500mL의 플라스크에 4,4'-sulfonyldiphenol 10g, diethylamine 24g, paraformaldehyde 10g을 증류수 20g과 함께 넣고 85℃에서 10시간 이상 반응 후 냉각시킨다. 냉각된 반응물은 toluene 100g에 넣고 교반 후에 물 100g을 혼합 후 층분리된 물을 제거하는 작업을 3회 반복 후 toluene을 제거하여 화학식 3-2a로 표시되는 화합물을 얻는다.
[화학식 3-2a]
500mL의 플라스크에 상기 화학식 3-2a 로 표시되는 화합물 21g과 acetic anhydride 30g을 넣고 85℃에서 18시간 반응을 보낸 후 냉각한다. Evaporate를 이용하여 진공상태에서 용매를 모두 제거한 후 얻어진 반응물은 메탄올 20g에 깨끗하게 녹인 후 냉동보관하여 재결정화한다. 재결정된 파우더를 필터 후 건조하여 화학식 3-2b로 표시되는 화합물을 얻는다.
[화학식 3-2b]
500mL의 플라스크에 상기 화학식 3-2b로 표시되는 화합물 19g, 메탄올 140g 및 황산 30g을 넣고 교반한 다음 65℃에서 3일 동안 반응시킨 후 냉각한다. 반응이 끝난 플라스크는 냉동조건으로 24시간 보관하여 결정을 형성시킨 후 필터 하여 파우더를 얻는다. 파우더를 물로 여러 번 헹궈서 중화시킨 후 건조하여 최종적으로 화학식 3-2로 표시되는 화합물을 얻는다.
[화학식 3-2]
합성예 7
상기 합성예 6에서 얻어진 화학식 3-2b로 표시되는 화합물 20g, PGME(Propylene glycol monomethyl ether) 150g 및 황산 30g을 넣고 잘 교반한 다음 65℃에서 3일 동안 반응시킨 후 냉각한다. 반응이 끝난 플라스크는 냉동조건으로 24시간 보관하여 액상의 화합물과 용매를 층분리를 시킨다. 상층의 용매들을 제거한 후 물을 넣고 교반 후 제거하는 방식으로 여러 번 헹궈서 중화시킨 후 농축 건조하여 최종적으로 화학식 3-3으로 표시되는 화합물을 얻는다.
[화학식 3-3]
합성예 8
250mL의 플라스크에 4,4'-sulfonyldiphenol 7.5g, p-Toluenesulfonic acid 22g 및 Acetonitrile 90g을 넣고 30분 교반 후에 N-iodosuccinimide 30g을 투입 후 상온에서 10시간 이상 반응을 진행한다. 반응용액에 에틸아세테이트 400g, 증류수 300g을 넣고 교반하면서 10% Sodium sulfite 수용액 100g 추가 투입하여 충분히 교반 후 층분리 하여 물 층을 제거한 다음, 다시 증류수 300g을 추가 투입 및 교반 후 제거하는 작업을 3회 반복한다. 이후 hexane에 침전시키고, 해당 침전물을 필터에 거른 후 건조하여 하기 화학식 3-12로 표시되는 화합물을 얻었다.
[화학식 3-12]
레지스트 하층막용 조성물의 제조
실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 2
실시예 1
합성예 1 로부터 제조된 중합체와 합성예 6으로부터 최종적으로 얻은 화합물을 하기 100:30의 비율로 0.5g 투입하고, PD1174(TCI社; 가교제) 0.1 g, 및 피리디늄 파라-톨루엔설포네이트 (PPTS) 0.01 g과 함께 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 90g 및 에틸 락테이트 5g에 완전히 용해시킨 후 추가로 용매로 희석하여 실시예 1에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
실시예 2
합성예 6 으로부터 제조된 화합물 대신 합성예 7로부터 제조된 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 2에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
실시예 3
합성예 6으로부터 제조된 화합물 대신 합성예 8로부터 제조된 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 3에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
실시예 4
합성예 6 으로부터 제조된 화합물 대신 하기 화학식 3-8로 표시되는 화합물(4,4'-sulfonyldiphenol, 알드리치社) 을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 4에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
[화학식 3-8]
실시예 5
합성예 6으로부터 제조된 화합물 대신 하기 화학식 3-11로 표시되는 화합물(4,4'-sulfonylbis(fluorobenzene); 알드리치社)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 5에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
[화학식 3-11]
실시예 6
합성예 1 로부터 제조된 중합체 대신 합성예 2로부터 제조된 중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2과 동일하게 하여 실시예 6에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
실시예 7
합성예 1 로부터 제조된 중합체 대신 합성예 2로부터 제조된 중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 하여 실시예 7에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
실시예 8
합성예 1 로부터 제조된 중합체 대신 합성예 2로부터 제조된 중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 4와 동일하게 하여 실시예 8에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
실시예 9
합성예 1 로부터 제조된 중합체 대신 합성예 3으로부터 제조된 중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 하여 실시예 9에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
실시예 10
합성예 1 로부터 제조된 중합체 대신 합성예 4로부터 제조된 중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 5와 동일하게 하여 실시예 10에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
실시예 11
합성예 1 로부터 제조된 중합체 대신 합성예 5로부터 제조된 중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 5과 동일하게 하여 실시예 11에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
비교예 1
합성예 3으로부터 제조된 중합체 0.5g, PD1174(TCI社; 가교제) 0.1 g, 및 피리디늄 파라-톨루엔설포네이트 (PPTS) 0.01 g을 투입하고 프로필렌글리콜 모노메틸에테르90g 및 에틸 락테이트5g에 완전히 용해시킨 후 추가로 용매로 희석하여 비교예 1에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
비교예 2
합성예 3로부터 제조된 중합체 대신 합성예 4로부터 제조된 중합체를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일하게 하여 비교예 2에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
코팅 균일성 평가
실시예 1 내지 11, 및 비교예 1 내지 2로부터 제조된 조성물을 각각 2 ㎖씩 취하여 8 인치 웨이퍼 위에 각각 도포한 후 auto track(TEL社 ACT-8)를 이용하여 main spin 속도 1,500rpm으로 20초 동안 스핀 코팅을 진행 후 205℃에서 60초 동안 경화하여 50 Å두께의 박막을 형성하였다.
횡축으로 51point의 두께를 측정하여 코팅 균일성(coating uniformity)을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 코팅 균일성값이 작을수록 코팅 균일성이 우수한 것을 의미한다.
* 코팅 균일성(Å) = 웨이퍼 내 51point 에서의 Max.두께 - min.두께
　 코팅균일성(@두께 50Å)
실시예 1 5Å
실시예 2 <2Å
실시예 3 <2Å
실시예 4 <2Å
실시예 5 3Å
실시예 6 <2Å
실시예 7 <2Å
실시예 8 <2Å
실시예 9 <2Å
실시예 10 5Å
실시예 11 4Å
비교예 1 5Å
비교예 2 6Å
표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 11에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 코팅 균일성이 6Å미만으로, 우수한 코팅 균일성을 가짐을 확인할 수 있다.
노광 특성 평가
실시예 1 내지 실시예 9, 및 비교예 1 내지 2로부터 제조된 조성물을 각각 스핀-온 코팅 방법으로 도포한 후, 핫플레이트 위에서 205 ℃, 60초 동안 열처리하여 50Å 두께의 레지스트 하층막을 형성하였다. 이후, 상기 포토레지스트 하층막 위에 포토레지스트 용액을 스핀-온 코팅 방법으로 도포한 후, 핫플레이트 위에서 110 ℃에서 1분간 열처리하여 포토레지스트 층을 형성하였다. 상기 포토레지스트 층을 e-beam 노광기 (Elionix사 제조)를 사용하여 200 μC/㎠ 내지 1700 μC/㎠의 범위로 노광한 후, 110 ℃에서 60 초 동안 열처리하였다. 이어서 상기 포토레지스트 층을 23 ℃에서 TMAH 2.38 질량% 수용액으로 현상한 후 순수한 물에 15 초 동안 린스하여 50nm의 라인 앤드 스페이스 (line and space, L/S)의 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 다음, 상기 포토레지스트 패턴의 최적 노광량을 평가하고, 그 결과를 표 2에 나타내었다. 여기서 50nm의 라인 앤드 스페이스 패턴 사이즈를 1:1로 현상하는 노광량을 최적 노광량(Optimum energy)(Eop, μC/㎠)이라 하며, 그 값이 작을수록 감도가 좋은 것을 의미한다. 또한 라인끼리 연결되거나 쓰러짐 없이 라인 패턴이 잘 형성되는 최소 크기를 최소 CD라고 하며, 작은 크기의 패턴이 형성될수록 해상도가 우수한 것을 의미한다.
　 노광량 (Eop,μC/㎠) 최소 CD(nm)
실시예 1 395 49
실시예 2 384 48
실시예 3 358 45
실시예 4 355 46
실시예 5 361 45
실시예 6 380 48
실시예 7 372 46
실시예 8 375 48
실시예 9 389 48
비교예 1 50nm의 패턴 형성되지 않음 54
비교예 2 50nm의 패턴 형성되지 않음 55
표 2를 참조하면, 실시예 1 내지 9에 따른 조성물을 사용해 레지스트 하층막을 형성한 경우, 비교예 1 내지 2 대비 미세 패턴(50nm L/S)의 형성이 가능함을 확인할 수 있으며, 이로부터, 본 발명의 실시예에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 사용할 경우, 비교예 대비 더욱 우수한 감도를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있음을 알 수 있다.
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
100: 기판 102: 박막
104: 레지스트 하층막 106: 포토레지스트 막
108: 포토레지스트 패턴 110: 마스크
112: 유기막 패턴 114: 박막 패턴

Claims (17)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위, 또는 이들의 조합을 포함하는 중합체, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물:
    [화학식 1]

    [화학식 2]

    상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
    A는 하기 화학식 A-1 내지 화학식 A-3 중 어느 하나인 고리기이고,
    L1 내지 L6는, 각각 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
    X1 내지 X5는, 각각 독립적으로, 단일결합, -O-, -S-, -S(=O)-, -S(=O)2-, -C(=O)-, -(CO)O-, -O(CO)O-, -NR’- (여기서, R’는 수소, 중수소, 또는 C1 내지 C10 알킬기이다), 또는 이들의 조합이고,
    Y1 내지 Y3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    *는 연결지점이다;
    [화학식 A-1]

    [화학식 A-2]

    [화학식 A-3]

    상기 화학식 A-1 내지 상기 화학식 A-3에서,
    Rx는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    *는 연결지점이다;
    [화학식 3]

    상기 화학식 3에서,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로, 히드록시기, 아미노기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이다.
  2. 제1항에서, 상기 화학식 1 및 화학식 2의 A는 하기 화학식 A-1, 하기 화학식 A-2, 또는 이들의 조합으로 표시되는 레지스트 하층막용 조성물:
    [화학식 A-1]

    [화학식 A-2]

    상기 화학식 A-2에서, Rx는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알키닐기이고,
    상기 화학식 A-1 및 화학식 A-2에서, *는 연결지점이다.
  3. 제1항에서, 상기 화학식 1 및 화학식 2의 L1 내지 L6는, 각각 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
    X1 내지 X5는, 각각 독립적으로, 단일결합, -O-, -S-, -C(=O)-, -(CO)O-, -O(CO)O-, 또는 이들의 조합이고,
    Y1 내지 Y3은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 헤테로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 또는 이들의 조합인 레지스트 하층막용 조성물.
  4. 제1항에서, 상기 화학식 3의 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 히드록시기, 아미노기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 또는 이들의 조합인 레지스트 하층막용 조성물.
  5. 제1항에서, 상기 화학식 3의 n 및 m은 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수인 레지스트 하층막용 조성물.
  6. 제1항에서, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물이 하기 화학식 3-1로 표시되는 레지스트 하층막용 조성물:
    [화학식 3-1]

    상기 화학식 3-1에서,
    R1 내지 R6는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 아미노기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이다.
  7. 제6항에서, 상기 화학식 3-1의 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 히드록시기, 아미노기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로사이클로알킬기이고, R3 내지 R6는 각각 독립적으로, 수소, 히드록시기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 이들의 조합인 레지스트 하층막용 조성물.
  8. 제1항에서, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물이 하기 화학식 3-2 내지 화학식 3-13 중 어느 하나로 표시되는 레지스트 하층막용 조성물:
    [화학식 3-2]

    [화학식 3-3]

    [화학식 3-4]

    [화학식 3-5]

    [화학식 3-6]

    [화학식 3-7]

    [화학식 3-8]

    [화학식 3-9]

    [화학식 3-10]

    [화학식 3-11]

    [화학식 3-12]

    [화학식 3-13]

  9. 제1항에서, 상기 중합체의 중량평균분자량은 1,000g/mol 내지 300,000g/mol 인 레지스트 하층막용 조성물.
  10. 제1항에서, 상기 중합체 및 화합물의 중량비가 9:1 내지 2:3 인 레지스트 하층막용 조성물.
  11. 제1항에서, 상기 중합체는 상기 레지스트 하층막용 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 50 중량% 포함되는 레지스트 하층막용 조성물.
  12. 제1항에서, 상기 화합물은 상기 레지스트 하층막용 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 20 중량% 포함되는 레지스트 하층막용 조성물.
  13. 제1항에서, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 노볼락계 수지, 글루코우릴계 수지 및 멜라민계 수지로부터 선택되는 하나 이상의 중합체를 더 포함하는 레지스트 하층막용 조성물.
  14. 제1항에서, 계면활성제, 열산발생제, 광산발생제, 가소제, 또는 이들의 조합인 첨가제를 더 포함하는 레지스트 하층막용 조성물.
  15. 기판 위에 식각 대상 막을 형성하는 단계,
    상기 식각 대상 막 위에 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 적용하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계,
    상기 레지스트 하층막 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 그리고
    상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 레지스트 하층막, 및 상기 식각 대상막을 순차적으로 식각하는 단계
    를 포함하는 패턴 형성 방법.
  16. 제15항에서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는
    상기 레지스트 하층막 위에 포토레지스트 막을 형성하는 단계,
    상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계, 그리고
    상기 포토레지스트 막을 현상하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  17. 제15항에서, 상기 레지스트 하층막을 형성하는 단계는 상기 레지스트 하층막용 조성물의 코팅 후 100 ℃ 내지 300 ℃의 온도로 열처리하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법.
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