JP7392056B2 - レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
Ar1は、ヘテロ環を含む基であり、
Ar2は、置換または非置換の炭素数6~30の芳香族炭化水素基であり、
B1およびB2は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換の炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数6~30の芳香族炭化水素基、またはこれらの組み合わせであり、
X1~X4は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ヒドロキシ基、チオール基、シアノ基、置換もしくは非置換のアミノ基、ハロゲン原子、置換もしくは非置換の炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数2~30のヘテロ環基、またはこれらの組み合わせであり、
l、m、およびnは、それぞれ独立して、0~5の整数であり、
oは、1~30の整数である。
Aは、環内に窒素原子を2つ以上含むヘテロ環であり、
Ra、Rb、およびRcは、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~10のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~10のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
L1~L6は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換の炭素数1~10のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリーレン基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組み合わせであり、
M1~M5は、それぞれ独立して、単結合、-O-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)2-、-C(=O)-、-(CO)O-、-O(CO)O-、-NR””-(ここで、R””は、水素原子、重水素原子、または炭素数1~10のアルキル基である)、またはこれらの組み合わせであってもよく、
*は、連結地点である。
Rxは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1~10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~10のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~10のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせであってもよく、
*は、連結地点である。
Z、Z’、およびZ”は、それぞれ独立して、N、O、S、またはPであり、
上記グループ1で表されるヘテロ環を含む基は、ヒドロキシ基、炭素数1~10のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、酸素原子、炭素数1~30のアルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~30のアルキニル基、炭素数3~30のシクロアルケニル基、NR’R”(ここで、R’およびR”は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、またはこれらの組み合わせである)、炭素数1~20のヘテロアルキル基、炭素数2~30のヘテロシクロアルキル基、炭素数2~30のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせで置換されていてもよい。
Aは、環内に窒素原子を2つ以上含むヘテロ環であり、
Ra、Rb、およびRcは、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~10のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~10のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
L1~L5は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換の炭素数1~10のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリーレン基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組み合わせであり、
M1~M5は、それぞれ独立して、単結合、-O-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)2-、-C(=O)-、-(CO)O-、-O(CO)O-、-NR””-(ここで、R””は水素原子、重水素原子、または炭素数1~10のアルキル基である)、またはこれらの組み合わせであり、
*は、連結地点である。
Rxは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1~10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~10のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~10のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
*は、連結地点である。
Ar1は、ヘテロ環を含む基であり、
Ar2は、置換または非置換の炭素数6~30の芳香族炭化水素基であり、
B1およびB2は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換の炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数6~30の芳香族炭化水素基、またはこれらの組み合わせであり、
X1~X4は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ヒドロキシ基、チオール基、シアノ基、置換もしくは非置換のアミノ基、ハロゲン原子、置換もしくは非置換の炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数2~30のヘテロ環基、またはこれらの組み合わせであり、
l、m、およびnは、それぞれ独立して、0~5の整数であり、
oは、1~30の整数である。
Z、Z’、およびZ”は、それぞれ独立して、N、O、S、またはPであり、
上記グループ1で表されるヘテロ環を含む基は、ヒドロキシ基、炭素数1~10のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、酸素原子、炭素数1~30のアルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~30のアルキニル基、炭素数3~30のシクロアルケニル基、NR’R”(ここで、R’およびR”は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、またはこれらの組み合わせである)、炭素数1~20のヘテロアルキル基、炭素数2~30のヘテロシクロアルキル基、炭素数2~30のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせで置換されてもよい。
(合成例A1)
500mlの二口丸底フラスコに、1,3-ジアリル-5-(2-ヒドロキシエチル)イソシアヌレート(1,3-diallyl-5-(2-hydroxyethyl)isocyanurate)20g、1,2-エタンジチオール(1,2-ethandithiol)6.7g、AIBN(azobisisobutyronitrile)1.3g、およびN,N-ジメチルホルムアミド(DMF)40gを投入し、コンデンサを連結した。反応液の温度を60℃に上げ、16時間反応させた後、反応液を常温(23℃)に冷却した。反応液を、水800gが入った1Lの広口瓶に攪拌しながら滴下して、ガム(gum)を生成させた後、テトラヒドロフラン(THF)80gに溶解させた。溶解させた後のレジン溶液について、トルエンを使用して沈殿物を形成させ、単分子および低分子を除去した。最終的に、下記化学式3aで表される重合体15g(重量平均分子量(Mw)=7,500g/mol)を得た。
500mlの三口丸底フラスコに、1,3,5-トリアリル-1,3,5-トリアジナン-2,4,6-トリオン(1,3,5-triallyl-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione)24.9g、3-メルカプトプロパノール(3-mercapto propanol)7.4g、AIBN(azobisisobutyronitrile)0.7g、およびN,N-ジメチルホルムアミド(DMF)48gを投入しコンデンサを連結した。反応液の温度を80℃に上げ、16時間反応させた後、反応液を常温に冷却した。反応液を、水800gが入った1Lの広口瓶に攪拌しながら滴下してガム(gum)を生成させた後、テトラヒドロフラン(THF)80gに溶解させた。溶解させた後のレジン溶液は、トルエンを使用して沈殿物を形成させ単分子および低分子を除去した。最終的に、下記化学式4aで表される重合体10g(重量平均分子量(Mw)=10,500g/mol)を得た。
1Lの二口丸底フラスコに、1,3,5-トリグリシジルイソシアヌレート(1,3,5-triglycidyl isocyanurate)148.6g(0.5mol)、2,2'-チオ二酢酸(2,2'-Thiodiacetic acid)60.0g(0.4mol)、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド(benzyl triethyl ammonium chloride)9.1g、およびN,N-ジメチルホルムアミド(N,N-dimethylformamide)350gを投入しコンデンサを連結した。反応液の温度を100℃に上げ、8時間反応させた後、当該反応液を常温(23℃)に冷却した。その後、反応液を1Lの広口瓶に移し、ヘキサンで3回洗浄し、その次に精製水を用いて順次に洗浄した。得られたガム(gum)状態のレジンを、THF80gを用いて完全に溶解させた後、攪拌中の700gのトルエン中に徐々に滴下した。その後、溶媒を除去することによって、最終的に下記化学式5aで表される構造単位を含む重合体(Mw=9,100g/mol)を得た。
フラスコに、1,4-ベンゼンジカルボニルクロリド(1,4-benzenedicarbonyl chloride)24g、9-ビニル-9H-カルバゾール(9-vinyl-9H-carbazole)50g、および1,2-ジクロロエタン200gを添加した。この溶液に、アルミニウムクロリド 34gを徐々に添加した後、常温で6時間攪拌した。反応が完結し、メタノールを添加した後、形成された沈殿物をろ過乾燥して、化合物を得た。その後、フラスコに得られた化合物 50gとテトラヒドロフラン200gとを添加し、ここに、水素化ホウ素ナトリウム25gの水溶液を徐々に添加して、24時間常温で攪拌した。反応が完結した後、2質量%塩酸水溶液で化合物のpHを約7に中和し、酢酸エチルで抽出および乾燥して、下記化学式1aで表される化合物を得た。
機械攪拌機と冷却管を備えた500mlの二口フラスコに、1,1,2-トリメチル-1H-ベンゾインドール(1,1,2-Trimethyl-1H-benzoindole)20g、10-ヒドロキシフェナントレン-9-カルバルデヒド(10-hydroxyphenanthrene-9-carbaldehyde)10.6g、9-フルオレノン(9-Fluorenone)8.6g、およびパラトルエンスルホン酸(p-Toluenesulfonic acid)4.9gを入れ、さらに51gの1,4-ジオキサン(1,4-Dioxane)を入れてよくかき回した後に、液の温度を110℃に上げて14時間攪拌した。反応終了後、内部の温度を65℃に下げた後、THF200gを入れ、7質量%の重炭酸ナトリウム水溶液(Sodium bicarbonate)を用いて反応液のpHを約5に調整した。その後、酢酸エチル 1000mlを入れて続けて攪拌した後に、分液漏斗を用いて、有機層のみ抽出した。再び水500mlを分液漏斗に入れ振って、残っている酸とナトリウム塩とを除去する工程を3回以上繰り返した後に、有機層を最終的に抽出した。その後、有機溶液をエバポレーターで濃縮し、得られた化合物にTHF700gを添加して溶液を得た。得られた溶液を、攪拌されているヘキサン3000mlが入ったビーカーに徐々に滴下して、沈殿を形成し、溶媒を除去することによって、下記化学式1bで表される構造単位および化学式1cで表される構造単位を含む化合物(Mw=1,540g/mol)を得た。
フラスコに、チアナフテン(Thianaphthene)10g、2-ナフトール(2-Naphthol)10.7g、(E)-1,2-ビス(4-(メトキシメチル)フェニル)エテン((E)-1,2-bis(4-(methoxymethyl)phenyl)ethene)40g、ジエチルスルフェート(diethyl sulfate)18g、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)15gを添加した後、110℃で8時間攪拌した。反応が完結したら、反応液をヘキサン 200gに入れ沈殿を形成させた後、メタノールと水とを添加して、形成させた沈殿をろ過し、残っている単量体をメタノールを用いて除去して、下記化学式1dで表される構造単位および下記化学式1eで表される構造単位を含む化合物(Mw=3,520g/mol)を得た。
フラスコにチアントレン(Thianthrene)20g、2-ナフトール(2-Naphthol)13.3g、p-ホルムアルデヒド(p-formaldehyde)5.6g、p-トルエンスルホン酸(p-Toluenesulfonic acid)1.9g、PGMEA50gを添加した後、70℃で8時間攪拌した。反応が完結すると、ヘキサン200gに入れて沈殿させた後、メタノールおよび水を添加して形成された沈殿をろ過し、残っている単量体を、メタノールを用いて除去して、下記化学式1fで表される構造単位を含む化合物(Mw=4,050g/mol)を得た。
<実施例1~7および比較例1~2>
上記合成例1~7で製造された重合体(または化合物)を、下記表1に示すような質量比率で0.5g投入し、PD1174(TCI社;硬化剤)0.125g、およびピリジニウムp-トルエンスルホネート(PPTS)0.01gと共にプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび乳酸エチルの混合溶媒(混合体積比=7:3)に完全に溶解させる方法を通じて実施例1~7および比較例1~2によるレジスト下層膜用組成物をそれぞれ製造した。
実施例1、実施例5、比較例1および比較例2から製造された組成物を、それぞれ2mlずつ取って8インチウエハーの上にそれぞれ塗布した後、auto track(TEL社 ACT-8)を用いて、main spin速度1,500rpmで20秒間スピンコーティングを行い、210℃で90秒間硬化して、50Å厚さの薄膜を形成した。
実施例1~7および比較例1~2から製造された組成物を、それぞれ2mlずつ取って8インチウエハーの上にそれぞれ塗布した後、auto track(TEL社 ACT-8)を用いて、main spin速度1,500rpmで20秒間スピンコーティングを行い、210℃で90秒間硬化して50Å厚さの薄膜を形成した。
シリコン基板上に実施例1~7および比較例1~2によるレジスト下層膜用組成物をそれぞれスピンコーティング法で塗布した後、ホットプレートの上で210℃、90秒間熱処理して、100nm厚さのレジスト下層膜を形成した。
102 薄膜、
104 レジスト下層膜、
106 フォトレジスト膜、
108 フォトレジストパターン、
110 マスク、
112 有機膜パターン、
114 薄膜パターン。
Claims (19)
- 環内に窒素原子を2つ以上含むヘテロ環を主鎖、側鎖、または主鎖および側鎖に含む重合体;
下記化学式1で表されるモイエティを含む化合物;ならびに
溶媒、を含む、レジスト下層膜用組成物:
上記化学式1中、
Ar1は、下記グループ1から選択される置換または非置換のヘテロ環を含む基であり、
Ar2は、置換または非置換の炭素数6~30の芳香族炭化水素基であり、
B1およびB2は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換の炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数6~30の芳香族炭化水素基、またはこれらの組み合わせであり、
X1~X4は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ヒドロキシ基、チオール基、シアノ基、置換もしくは非置換のアミノ基、ハロゲン原子、置換もしくは非置換の炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数6~30の芳香族炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数2~30のヘテロ環基、またはこれらの組み合わせであり、
l、m、およびnは、それぞれ独立して、0~5の整数であり、
oは、1~30の整数である:
上記グループ1中、
Z、Z’、およびZ”は、それぞれ独立して、N、O、S、またはPであり、
上記グループ1で表されるヘテロ環を含む基は、ヒドロキシ基、炭素数1~10のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、酸素原子、炭素数1~30のアルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~30のアルキニル基、炭素数3~30のシクロアルケニル基、NR’R”(ここで、R’およびR”は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、またはこれらの組み合わせである)、炭素数1~20のヘテロアルキル基、炭素数2~30のヘテロシクロアルキル基、炭素数2~30のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせで置換されていてもよい。 - 前記重合体は、下記化学式2~化学式5で表される構造単位からなる群より選択される少なくとも1種の構造単位を含む、請求項1に記載のレジスト下層膜用組成物:
上記化学式2~化学式5中、
Aは、環内に窒素原子を2つ以上含むヘテロ環であり、
Ra、Rb、およびRcは、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~10のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~10のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
L1~L6は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは非置換の炭素数1~10のアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリーレン基、置換もしくは非置換の炭素数1~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組み合わせであり、
M1~M5は、それぞれ独立して、単結合、-O-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)2-、-C(=O)-、-(CO)O-、-O(CO)O-、-NR””-(ここで、R””は、水素原子、重水素原子、または炭素数1~10のアルキル基である)、またはこれらの組み合わせであり、
*は、連結地点である。 - 前記化学式2~化学式5のAは、下記化学式A-1~化学式A-4で表される構造からなる群より選択される少なくとも1つで表される基である、請求項2に記載のレジスト下層膜用組成物:
前記化学式A-1~化学式A-4中、
Rxは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1~10のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~10のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数2~10のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数1~10のヘテロアルキニル基、置換もしくは非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基、置換もしくは非置換の炭素数2~20のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
*は、連結地点である。 - 前記化学式1中のAr2は、下記グループ2から選択される置換または非置換の芳香族炭化水素基である、請求項1または2に記載のレジスト下層膜用組成物:
前記グループ2中の芳香族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1~10のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、炭素数3~30のシクロアルケニル基、NR’R”(ここで、R’およびR”は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、またはこれらの組み合わせである)、炭素数1~20のヘテロアルキル基、炭素数2~30のヘテロシクロアルキル基、炭素数2~30のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせで置換されていてもよい。 - 前記化学式1中のAr1は、下記グループ1-1から選択される置換または非置換のヘテロ環を含む基である、請求項1または2に記載のレジスト下層膜用組成物。
- 前記グループ1-1中のヘテロ環を含む基は、ヒドロキシ基、炭素数1~10のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、炭素数1~30のアルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~30のアルキニル基、炭素数3~30のシクロアルケニル基、NR’R”(ここで、R’およびR”は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、またはこれらの組み合わせである)、炭素数1~20のヘテロアルキル基、炭素数2~30のヘテロシクロアルキル基、炭素数2~30のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせで置換されている、請求項5に記載のレジスト下層膜用組成物。
- 前記化学式1中のAr2は、下記グループ2-1から選択される置換または非置換の芳香族炭化水素基である、請求項1または2に記載のレジスト下層膜用組成物。
- 前記グループ2-1中の芳香族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1~10のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、炭素数3~30のシクロアルケニル基、NR’R”(ここで、R’およびR”は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、またはこれらの組み合わせである)、炭素数1~20のヘテロアルキル基、炭素数2~30のヘテロシクロアルキル基、炭素数2~30のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせで置換されている、請求項7に記載のレジスト下層膜用組成物。
- 前記化学式1中のB1およびB2は、それぞれ独立して、下記グループ3から選択される置換または非置換の芳香環含有基を含む、請求項1または2に記載のレジスト下層膜用組成物。
- 前記グループ3中の芳香環含有基は、ヒドロキシ基、炭素数1~10のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、炭素数3~30のシクロアルケニル基、NR’R”(ここで、R’およびR”は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、またはこれらの組み合わせである)、炭素数1~20のヘテロアルキル基、炭素数2~30のヘテロシクロアルキル基、炭素数2~30のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせで置換されている、請求項9に記載のレジスト下層膜用組成物。
- 前記重合体および前記化合物の質量比が9:1~1:9である、請求項1または2に記載のレジスト下層膜用組成物。
- 前記重合体の重量平均分子量は、2,000g/mol~300,000g/molである、請求項1または2に記載のレジスト下層膜用組成物。
- 前記化合物の分子量は、300g/mol~5,000g/molである、請求項1または2に記載のレジスト下層膜用組成物。
- 前記化合物の分子量は1,000g/mol~50,000g/molである、請求項1または2に記載のレジスト下層膜用組成物。
- アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ノボラック系樹脂、グリコルリル系樹脂、およびメラミン系樹脂からなる群より選択される少なくとも1種の重合体をさらに含む、請求項1または2に記載のレジスト下層膜用組成物。
- 架橋剤、熱酸発生剤、界面活性剤、および可塑剤からなる群より選択される少なくとも1種の添加剤をさらに含む、請求項1または2に記載のレジスト下層膜用組成物。
- 基板の上にエッチング対象膜を形成する工程、
前記エッチング対象膜の上に請求項1または2に記載のレジスト下層膜用組成物を塗布してレジスト下層膜を形成する工程、
前記レジスト下層膜の上にフォトレジストパターンを形成する工程、ならびに
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記レジスト下層膜および前記エッチング対象膜を順次にエッチングする工程、
を含む、パターン形成方法。 - 前記レジスト下層膜を形成する工程は、前記レジスト下層膜用組成物のコーティング後、100℃~500℃の温度で熱処理する工程をさらに含む、請求項17に記載のパターン形成方法。
- 前記フォトレジストパターンを形成する工程は、
前記レジスト下層膜の上にフォトレジスト膜を形成する工程、
前記フォトレジスト膜を露光する工程、および
前記フォトレジスト膜を現像する工程を含む、請求項17に記載のパターン形成方法。
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