KR20230127900A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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KR20230127900A
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substrate processing
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도모후미 니시카와라
하지메 후타키
야스오 무라카미
요지 데라모토
사토시 와카바야시
고헤이 하마구치
미치아키 가야노
가츠시 기시모토
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

기판 상의 막을 소정 압력보다 높은 압력 하에서 건조시키는 제1 건조 공정과, 상기 막을 상기 소정 압력보다도 낮은 압력 하에서 건조시키는 제2 건조 공정을 포함하는 건조 공정에 의해, 기판 상의 막을 건조시키는 기판 처리 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 챔버와, 상기 챔버의 내부를 감압하는 감압 기구와, 개구가 마련되고, 상기 챔버의 내부에서 상기 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 상기 기판을 덮는 커버와, 상기 챔버의 내부이며, 또한 상기 커버의 외부인 제1 공간에 기체를 공급하는 제1 공급부와, 상기 챔버의 내부이며, 또한 상기 커버의 내부인 제2 공간에 기체를 공급하는 제2 공급부를 가지며, 상기 제1 공급부는, 상기 제1 건조 공정에서, 상기 제1 공간에 기체를 공급하고, 상기 제2 공급부는, 상기 제2 건조 공정에서 상기 제2 공간에 기체를 공급하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 물품의 제조 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 EL(OLED)패널 등의 물품을 제조한 다음, 잉크젯 장치를 사용하여 기판 상에 용액막을 도포하는 방법이 알려져 있다. 기판 상에 도포된 용액막은, 안정적으로 막 형성을 행하기 위하여 기판 처리 장치(감압 건조 장치)를 사용하여 단시간에 건조시키는 것이 바람직하다. 일본 특허 공개 제2011-58656호 공보에는, 건조 시간을 단축하는 것을 목적으로 하여 챔버 내에 질소를 공급하면서 감압·건조시키는 기판 처리 장치에 관한 내용이 개시되어 있다.
그러나, 건조 시간을 단축하는 것을 목적으로 하여 챔버 내에 기체를 공급했을 경우에는, 기판 상의 막 표면이 평탄해지지 않을 우려가 있다. 기판 상의 막 표면을 안정적으로 평탄하게 건조시키기 위해서는, 복수개의 압력 조건 하에서 건조시키는 각각의 건조 공정에서, 기체의 공급 방법을 연구할 필요가 있다.
그래서, 본 발명은 기판 상의 막을 건조시키는 데에 유리한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일측면으로서의 기판 처리 장치는, 기판 상의 막을 소정 압력보다 높은 압력 하에서 건조시키는 제1 건조 공정과, 상기 막을 상기 소정 압력보다도 낮은 압력 하에서 건조시키는 제2 건조 공정을 포함하는 건조 공정에 의해 기판 상의 막을 건조시키는 기판 처리 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와 챔버와 상기 챔버의 내부를 감압하는 감압 기구와 개구가 마련되고, 상기 챔버의 내부에서 상기 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 상기 기판을 덮는 커버와, 상기 챔버의 내부이며, 또한 상기 커버의 외부인 제1 공간에 기체를 공급하는 제1 공급부와, 상기 챔버의 내부이며, 또한 상기 커버의 내부인 제2 공간에 기체를 공급하는 제2 공급부를 가지며, 상기 제1 공급부는, 상기 제1 건조 공정에서, 상기 제1 공간에 기체를 공급하고, 상기 제2 공급부는, 상기 제2 건조 공정에서 상기 제2 공간에 기체를 공급하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 추가적인 특징은 이후의 (첨부 도면을 참조한) 예시적인 실시예의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 배플 커버의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 유리한 점을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 건조 처리에서의 내부 공간의 압력 제어를 예시하는 도면이다.
도 5는 기판의 반송(로드, 언로드) 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 기판 처리 장치의 사용 방법으로서의 기판 처리 방법을 예시하는 도면이다.
도 7은 제2 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 제6 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 9는 제6 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 상면도이다.
이하에, 본 발명의 바람직한 실시 형태를 첨부한 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다. 이하에서 설명하는 실시 형태 및 도면에서, 방향은 XYZ 좌표계에 의해 표시된다. XYZ 좌표계에서, XY 평면은 수평 방향이며, Z축의 마이너스 방향은 연직 방향일 수 있다.
<제1 실시 형태>
도 1은, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(SPA)(감압 건조 장치)의 구성을 나타내는 모식적인 단면도이다. 기판 처리 장치(SPA)는, 막(F)을 갖는 기판(S)의 처리를 행하도록 구성될 수 있다. 보다 상세하게는, 기판 처리 장치(SPA)는, 기판(S)의 막(F)을 건조시키는 건조 처리를 행하도록 구성될 수 있다.
막(F)은, 예를 들어 유기막을 형성하기 위한 용질과 용매를 포함하는 용액으로 구성되는 막(이하, 용액막)일 수 있다. 용매는, 대기압보다도 낮은 감압 환경에서 증발이 촉진되는 성질을 가질 수 있다. 용매의 증발은, 예를 들어 상온(25℃)보다 높은 온도에서 촉진될 수 있다. 유기막은, 예를 들어 유기 EL(OLED) 소자의 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 중 어느 것일 수 있다. 유기 EL 소자의 제조는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등의 각 유기막을 기판 상에 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 막(F)은, 기판(S)이 기판 처리 장치(SPA)로 반송되기 전에, 기판(S) 상에 막(F)을 도포하는 도포 장치에 의해 도포될 수 있다.
기판 처리 장치(SPA)는, 챔버(10)를 구비할 수 있다. 챔버(10)는 외부 공간으로부터 분리된 내부 공간(SP1)(제1 공간)을 규정하는 부재이다. 챔버(10)는 내부 공간(SP1)을 포위하는 부재라고 이해되어도 된다. 이하에서는, 챔버(10)에 의해 외연이 규정된 내부 공간(SP1)을 챔버(10)의 내부 공간(SP1)이라고도 한다. 본 실시 형태에서, 내부 공간(SP1)이란, 챔버(10)의 내부이며, 또한 후술하는 배플 커버(40)의 외부 공간이라고 정의한다. 또한, 본 실시 형태에서, 기판(S)이 배치되어 있는 측의 공간을 「내부」라고 표현하고, 기판(S)이 배치되어 있지 않은 측의 공간을 「외부」라고 표현한다. 챔버(10)는 적어도 하나의 게이트 밸브(12)를 구비할 수 있다. 건조 처리를 실시해야 할 기판(S)은, 게이트 밸브(12)를 통해서 챔버(10)의 외부 공간으로부터 내부 공간(SP1)으로 반송될 수 있다. 또한, 건조 처리를 거친 기판(S)은, 게이트 밸브(12)를 통하여 내부 공간(SP1)에서 외부 공간으로 반송될 수 있다.
기판 처리 장치(SPA)는, 챔버(10)의 내부 공간(SP1)을 감압하는 감압 기구(30)를 더 구비할 수 있다. 감압 기구(30)는, 예를 들어 복수개의 펌프를 포함할 수 있고, 해당 복수개의 펌프는, 예를 들어 드라이 펌프 및 다이어프램 진공 펌프 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 해당 복수개의 펌프는, 예를 들어 터보 분자 펌프, 크라이오 펌프, 흡착 펌프, 오일 확산 펌프, 메커니컬 부스터 펌프, 이젝터 펌프, 오일 로터리 진공 펌프 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
기판 처리 장치(SPA)는, 막(F)을 갖는 기판(S)을 보유 지지하는 기판 보유 지지부(20)를 더 구비할 수 있다. 기판 보유 지지부(20)는 내부 공간(SP1)에 배치된다. 기판 처리 장치(SPA)는, 기판 보유 지지부(20)의 온도를 제어하는 온도 제어부(70)를 더 구비할 수 있다. 온도 제어부(70)는 전형적으로는, 기판 보유 지지부(20)를 가열하는 히터를 포함할 수 있지만, 기판 보유 지지부(20)를 냉각하는 쿨러를 포함해도 되고, 온도 제어부(70)는 기판 보유 지지부(20)에 대하여 가열 및 냉각 중 적어도 한쪽을 행한다. 온도 제어부(70)는 기판(S) 또는 기판(S)의 막(F)의 온도를 제어하는 구성 요소로서 이해되어도 된다.
온도 제어부(70)는 기판(S)이 균일한 온도 분포가 되도록, 기판 보유 지지부(20)의 각 영역을 균일하게 온도 제어할 수 있다. 또는, 기판(S)이 균일한 온도 분포가 되도록, 기판 보유 지지부(20)의 영역마다 상이한 온도로 온도 제어할 수 있다. 온도 제어부(70)는 기판 보유 지지부(20)에 보유 지지되는 기판(S)의 각 영역에서의 온도의 차이가 10 도 이내가 되도록 제어한다. 보다 바람직하게는, 온도 제어부(70)는 기판 보유 지지부(20)에 보유 지지되는 기판(S)의 각 영역에서의 온도의 차이가 5 도 이내가 되도록 제어한다. 온도 제어부(70)는 기판(S)의 온도가, 0 도에서 100 도 범위 내의 임의의 온도가 되도록 기판 보유 지지부(20)의 온도를 제어할 수 있다. 기판 보유 지지부(20)를 가열함으로써, 기판(S) 상에 배치된 막(F)의 건조 속도를 향상시킬 수 있다는 점에서, 온도 제어부(70)가 없는 구성의 기판 처리 장치(SPA)와 비교하여 온도 제어부(70)를 구비하는 구성의 기판 처리 장치(SPA)는 유리하다.
기판 처리 장치(SPA)는, 내부 공간(SP1)에서 기판 보유 지지부(20)에 의해 보유 지지된 기판(S)을 덮는 배플 커버(40)(커버)를 더 구비할 수 있다. 도 2는, 배플 커버(40)의 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 배플 커버(40)는 도 1 및 도 2에 예시되는 바와 같이, 복수개의 개구(42)를 가질 수 있다. 복수개의 개구(42)의 배치 및 치수는, 기판(S)의 막(F)의 건조가 균일하게 이루어지도록 결정될 수 있다. 기판 보유 지지부(20) 및 배플 커버(40)는 배플 커버(40)가 기판(S)을 덮는 상태에서, 기판 보유 지지부(20) 및 배플 커버(40)에 의해 둘러싸이는 기판 수용 공간(SP2)(제2 공간)을 규정할 수 있다. 본 실시 형태에서, 기판 수용 공간(SP2)이란, 챔버(10)의 내부이며, 또한 후술하는 배플 커버(40)의 내부 공간이라고 정의한다. 배플 커버(40)는 기판(S)을 덮은 상태에서 기판 수용 공간(SP2)과 내부 공간(SP1)을 연통시킬 수 있는 구성을 가지면 되고, 반드시 개구를 가질 필요는 없다. 배플 커버(40)는 중심 부근의 위치에 배치되어 있는 개구에 비하여, 중심으로부터 이격된 위치에 배치되어 있는 개구가 작아지도록 구성되어 있어도 좋다.
기판 처리 장치(SPA)는, 기판 보유 지지부(20) 및 배플 커버(40)에 의해 둘러싸이는 기판 수용 공간(SP2)의 특정 가스를 검출하는 가스 분석계(60)를 구비할 수 있다. 가스 분석계(60)는 질량 분석계 등의 잔류 가스 분석계(RGA)일 수 있다. 가스 분석계(60)가 검출하는 특정 가스는, 기판(S)의 막(F)으로부터 증발하는 가스, 즉 검출 대상인 가스이다. 보다 구체적으로는, 특정 가스는, 용매(의 가스)일 수 있다.
기판 처리 장치(SPA)는, 가스 분석계(60)의 가스 도입구와 기판 수용 공간(SP2)을 접속하는 접속부(62)를 더 구비할 수 있다. 가스 도입구는, 가스 분석계(60)가 가스를 도입하는 개구부이다. 접속부(62)는 가요성을 갖는 튜브, 예를 들어 유리 섬유 튜브일 수 있다. 또는, 접속부(62)는 벨로우즈이어도 된다. 접속부(62)는 제1단 E1 및 제2단 E2를 가지며, 제1단 E1은, 가스 분석계(60)의 가스 도입구에 접속되고, 제2단 E2은, 배플 커버(40)의 내면에서 기판 수용 공간(SP2)으로 돌출되도록 배치될 수 있다.
제2단 E2는, 예를 들어 배플 커버(40)의 측벽 내면에서 기판 수용 공간(SP2)으로 돌출되도록 배치될 수 있다.
기판 처리 장치(SPA)는, 컨트롤러(90)를 구비할 수 있다. 컨트롤러(90)는 기판(S)의 막(F)을 건조시키는 건조 처리를 제어하도록 구성될 수 있다. 컨트롤러(90)는 기판 처리 장치(SPA)에 구성되는 각 부를 제어할 수 있다. 컨트롤러(90)는, 예를 들어 가스 분석계(60)의 출력에 기초하여 기판(S)의 막(F) 건조의 종료를 판정하도록 구성될 수 있다. 컨트롤러(90)는, 예를 들어 가스 분석계(60)의 출력이, 특정 가스의 양이 미리 설정된 양이라는 것을 나타냄에 따라, 기판(S)의 막(F)의 건조(막(F)을 건조시키는 건조 처리)가 종료되었다고 판정하도록 구성될 수 있다. 컨트롤러(90)는, 예를 들어 FPGA(Field Programmable Gate Array의 약어.) 등의 PLD(Programmable Logic Device의 약어.) 또는 ASIC(Application Specific Integrated Circuit의 약어.) 또는 프로그램이 내장된 범용 또는 전용 컴퓨터 또는 이들의 전부 또는 일부의 조합에 의해 구성될 수 있다.
도 3은, 내부 공간(SP1) 및 기판 수용 공간(SP2)에서의 특정 가스(기판(S)의 막(F)으로부터 증발한 용매)의 농도를 나타내는 도면이다. 도 3에서, 점선의 곡선은, 내부 공간(SP1)에서의 특정 가스의 농도를 예시하고 있고, 실선의 곡선은, 기판 수용 공간(SP2)에서의 특정 가스의 농도를 예시하고 있다. 기판(S)을 가열함으로써 막(F)의 증발이 촉진되고, 이에 따라 기판 수용 공간(SP2)의 용매 농도가 내부 공간(SP1)보다도 빨리 저하된다. 기판 수용 공간(SP2)에 배치된 기판(S)의 막(F)으로부터 증발에 의해 방출된 용매는, 배플 커버(40)의 복수개의 개구(42)를 지나 내부 공간(SP1)으로 이동하고, 챔버(10)의 내면에서 응축되어 해당 내면에 부착될 수 있다. 챔버(10)의 내면에 다량의 용매가 부착되어 있는 동안은, 내부 공간(SP1)의 압력은, 용매의 증기압에 가까운 압력으로 유지될 수 있다. 그리고, 챔버(10)의 내면에서 용매가 대략 제거되면, 내부 공간(SP1)의 압력은, 용매의 증기압에 가까운 압력에서 더 낮은 압력으로의 강하를 개시할 수 있다. 따라서, 기판 수용 공간(SP2)의 용매 농도가 충분히 저하되었다고 해도, 배플 커버(40)와 챔버(10) 사이의 내부 공간(SP1)에서의 용매의 농도는 좀처럼 저하되지 않고, 기판 수용 공간(SP2)에서의 용매의 농도보다도 훨씬 큰 값을 계속해서 유지할 수 있다. 따라서, 가스 분석계(60)에 의해 기판 보유 지지부(20) 및 배플 커버(40)에 의해 둘러싸이는 기판 수용 공간(SP2)의 특정 가스를 검출하는 구성은, 기판(S)의 막(F)의 건조 처리의 종료를 빠르게 검출하는데 유리하다.
도 4에는, 컨트롤러(90)에 의해 제어될 수 있는 건조 처리에서의 내부 공간(SP1)의 압력 제어가 예시되어 있다. 이 압력의 제어는, 감압 기구(30)의 제어를 포함할 수 있다. 건조 처리는, 예를 들어 복수의 건조 공정을 포함하고, 컨트롤러(90)는 복수의 건조 공정이 실행되도록 감압 기구(30)를 제어할 수 있다. 도 4의 예에서는, 건조 처리는, 건조 공정 D1 내지 D4를 포함하는데, 건조 처리에 포함되는 복수의 건조 공정의 수는, 특정 수로는 한정되지 않는다.
건조 공정 D1에서는, 예를 들어 내부 공간(SP1)의 압력을 대기압으로부터, 기판(S)의 막(F) 중의 용매의 증기압보다 높은 제1 압력까지, 강하시키면서 기판(S)의 막(F)을 건조시킨다. 건조 공정(D2)(제1 건조 공정)에서는, 예를 들어 내부 공간(SP1)의 압력을 제1 압력으로 유지한 상태에서, 기판(S)의 막(F)을 건조시킨다. 건조 공정 D3에서는, 예를 들어 내부 공간(SP1)의 압력을 제1 압력보다 낮으며, 또한 용매의 압력보다 낮은 제2 압력까지, 강하시키면서 기판(S)의 막(F)을 건조시킨다. 건조 공정(D4)(제2 건조 공정)에서는, 예를 들어 내부 공간(SP1)의 압력을 제2 압력으로 유지한 상태에서, 기판(S)의 막(F)을 건조시킨다. 기판(S)의 막(F)을 빨리 건조시키기 위해서는, 압력이 낮은 조건 하인 것이 바람직하다. 그러나, 상술한 바와 같이 본 실시 형태에서는, 압력의 조건이 다른 복수의 건조 공정 D1 내지 D4에 의해 건조를 행하고 있다. 그 이유로서는, 예를 들어 막(F)의 막 두께를 균일하게 하기 위해서일 수 있다. 예를 들어 건조 공정 D1에서 단숨에 압력을 저하시킨 경우에는, 막(F)의 막 두께가 균일해지지 않을 우려가 있다. 한편, 어느 정도 막의 건조가 진행되어 있을 경우에는, 압력을 낮추어도 막 두께에 끼치는 영향이 저감된다. 따라서, 단계적으로 압력을 저하시켜 건조 공정을 행함으로써, 막(F)에서의 막 두께의 평탄화와 막(F)의 건조 시간의 단축을 양립시킬 수 있다.
본 실시 형태에서, 제1 압력은, 막(F)에 포함되는 용매의 증기압(이하에서는, 소정 압력이라고도 함)보다도 높은 압력의 값이다. 이에 따라, 막(F)의 막 두께를 평탄하게 건조시킬 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서, 제2 압력은, 막(F)에 포함되는 용매의 증기압(소정 압력)보다도 낮은 압력의 값이다. 이에 따라, 막(F)의 건조 시간을 단축시킬 수 있다.
일례에서, 컨트롤러(90)는 복수의 건조 공정 D1 내지 D4 중, 마지막 건조 공정(D4)의 종료를 가스 분석계(60)의 출력에 기초하여 판정하도록 구성될 수 있다. 도 4에 예시되는 바와 같이, 건조 공정에 포함되는 복수의 건조 공정에서는, 내부 공간(SP1)의 압력이 서로 다를 수 있다. 단, 건조 공정에 포함되는 복수의 건조 공정 중에, 내부 공간(SP1)의 압력이 서로 동일한 2 이상의 건조 공정이 포함되어도 된다.
기판 처리 장치(SPA)는, 챔버(10)의 내부 공간(SP1)에 불활성 가스를 도입하는 가스 도입부(51)(제1 공급부)를 더 구비한다. 또한, 기판 처리 장치(SPA)는, 배플 커버(40)에 덮인 기판 수용 공간(SP2)으로 불활성 가스를 도입하는 가스 도입부(52)(제2 공급부)를 더 구비한다. 가스 도입부(51) 및 가스 도입부(52)는 가요성을 갖는 튜브일 수 있다. 불활성 가스는, 예를 들어 질소일 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서, 가스 도입부(51) 및 가스 도입부(52)에서 공급되는 기체는, 막(F)의 용매와는 다른 조성을 갖는 기체라면, 불활성 가스 이외의 기체이어도 되고, 예를 들어 클린 드라이 에어(공기) 등의 기체이어도 된다.
가스 도입부(51)는 내부 공간(SP1)에 불활성 가스를 공급함으로써, 챔버(10)의 내부 압력을 조정할 수 있다. 예를 들어 건조 공정(D2)(제1 건조 공정)에서, 감압 기구(30)를 동작시키고 있는 상태에서도, 내부 공간(SP1)의 압력을 제1 압력으로 유지시킬 수 있다. 즉, 가스 도입부(51)는 건조 공정(D2)(제1 건조 공정)에서 챔버(10)의 내부 공간이 소정 압력을 상회하도록, 내부 공간(SP1)(제1 공간)에 불활성 가스를 공급한다. 또한, 가스 도입부(51)는 건조 공정(D2)(제1 건조 공정)뿐만 아니라 다른 건조 공정(예를 들어 제2 건조 공정)에서 내부 공간(SP1)에 불활성 가스를 공급해도 된다.
여기서, 상기에서는, 소정 압력이 막(F)에 포함되는 용매의 증기압이라고 설명했지만, 막에 포함되는 용매의 증기압에 기초하는 값이면, 소정 압력이 막(F)에 포함되는 용매의 증기압과 다른 압력이어도 된다. 예를 들어 막(F)의 막 두께를 보다 안정시켜서 평탄화하기 위해서, 소정 압력이 막(F)에 포함되는 용매의 증기압보다도 조금 높은 압력이어도 된다.
가스 도입부(52)는 기판 수용 공간(SP2)에 불활성 가스를 공급함으로써, 기판 수용 공간(SP2)의 건조를 빠르게 할 수 있다. 그 때문에, 예를 들어 가스 도입부(52)는 건조 공정(D4)(제2 건조 공정)에서, 내부 공간(SP1)의 압력을 제2 압력으로 유지한 상태에서, 기판 수용 공간(SP2)(제2 공간)에 불활성 가스를 공급하여 기판(S)의 막(F)을 건조시킨다. 또한, 가스 도입부(52)는 건조 공정(D4)(제2 건조 공정)뿐만 아니라 다른 건조 공정(예를 들어 제1 건조 공정)에서 기판 수용 공간(SP2)에 불활성 가스를 공급해도 된다. 즉, 제1 건조 공정 및 제2 건조 공정 중 적어도 한쪽에서 제2 공간에 불활성 가스를 공급해도 된다. 가스 도입부(52)는 배플 커버(40)의 측면에 관통되어 마련되어 있고, 기판 수용 공간(SP2)에 불활성 가스를 공급할 수 있는 구성으로 되어 있다.
또한, 기판 수용 공간(SP2)에 대한 불활성 가스의 공급은, 어느 종류의 가스 분석계(60)가 갖는 노이즈 필터를 기능시키는데에 있어서 유리하다. 그러한 노이즈 필터는, 검출 대상의 공간이 소정 압력 이상의 압력을 갖는 것을 요구할 수 있다. 구체적으로는, 어느 종류의 가스 분석계(60)는 이온 소스, 사중극 매스 필터 및, 디텍터 외에, 이온 소스와 사중극 매스 필터 사이에 배치된 노이즈 필터를 가질 수 있다. 노이즈 필터는, 이온 소스로 이온화된 안정된 원소가 노이즈 필터를 빠져 나가 사중극 매스 필터에 도달하는 것을 허용하는데, 준안정 상태의 분자(노이즈원)를 차단하도록 구성된다. 그러나, 검출 대상의 공간이 소정 압력보다 낮으면, 원소의 자유 공정이 길어지고 스피드도 빨라지므로, 이온화된 안정된 분자도 노이즈 필터를 빠져 나갈 수 없게 된다. 검출 대상의 공간이 소정 압력보다 낮으면, 검출 정밀도가 저하될 수 있다.
기판 처리 장치(SPA)는, 배플 커버(40)를 승강시키는 승강 기구(80)를 더 구비할 수 있다. 승강 기구(80)는 기판 보유 지지부(20)로의 기판(S)의 반송 및, 기판 보유 지지부(20)로부터의 기판(S)의 반송 시에 사용될 수 있다. 기판(S)의 반송은, 도 5에 예시되는 바와 같이, 기판 반송 기구(RB)에 의해 이루어질 수 있다. 승강 기구(80)는 기판 보유 지지부(20)로의 기판의 반송(로드) 및, 기판 보유 지지부(20)로부터의 기판(S)의 반송(언로드) 시에, 예를 들어 컨트롤러(90)로부터의 지령에 응답하여 배플 커버(40)를 제1 높이에 배치할 수 있다. 여기서, 제1 높이는, 기판 보유 지지부(20) 상에서 기판 반송 기구(RB)가 기판(S)을 반송할 수 있는 높이이다. 승강 기구(80)는 기판(S)의 막(F)을 건조시킬 때에, 예를 들어 컨트롤러(90)로부터의 지령에 응답하여 배플 커버(40)를 제1 높이 보다 낮은 제2 높이에 배치할 수 있다. 여기서, 제2 높이는, 도 1에 예시되는 바와 같이, 기판(S)의 막(F)을 건조시키는 건조 처리를 실행하기 위한 높이이다.
기판(S)의 막(F)을 건조시키는 건조 처리를 기판(S)의 전역에서 균일하게 행하기 위해서는, 배플 커버(40)의 상면과 챔버(10)의 천장면과의 사이에 상응한 거리를 확보하는 것이 유리하다. 그러나, 이것은, 기판 처리 장치(SPA)의 높이 치수의 증대를 요구한다. 기판 보유 지지부(20)로의 기판(S)의 반송 및, 기판 보유 지지부(20)로부터의 기판(S)의 반송 시에 기판 보유 지지부(20)를 강하시켜도 되지만, 이 경우, 기판 처리 장치(SPA)의 높이 치수를 더 증대시킬 수 있다. 한편, 상기한 바와 같이 승강 기구(80)에 의해 배플 커버(40)를 승강시키는 구성은, 기판(S)의 막을 균일하게 건조시키기 위하여 배플 커버(40)의 상면과 챔버(10)의 천장면과의 사이에 마련된 공간을 이용하는데 유리하다. 즉, 승강 기구(80)에 의해 배플 커버(40)를 승강시키는 구성은, 기판 처리 장치(SPA)의 높이 치수의 추가의 증대를 억제하는데 유리하다.
도 6에는, 기판 처리 장치(SPA)의 사용 방법으로서의 기판 처리 방법이 예시되어 있다. 도 6에 나타내는 기판 처리 방법은, 컨트롤러(90)에 의해 제어될 수 있다. 공정 S1에서는, 막(F)을 갖는 기판(S)이 챔버(10)의 내부 공간(SP1)에 배치된 기판 보유 지지부(20)에 반송(로드)되고, 기판 보유 지지부(20)에 적재될 수 있다. 공정 S2에서는, 기판 보유 지지부(20)에 적재된 기판(S)이 배플 커버(40)로 덮일 수 있다. 공정 S3에서는, 챔버(10)의 내부 공간(SP1)을 감압하여 기판(S)의 막(F)을 건조시키는 건조 공정을 실행한다. 건조 공정은, 상술한 바와 같이, 압력의 조건이 다른 복수의 건조 공정일 수 있다. 공정 S4에서는, 모든 건조 공정이 종료되었는지가 판정된다. 건조 공정의 종료는, 가스 분석계(60)의 출력에 기초하여, 판정될 수 있다. 여기서, 건조 처리가 복수의 건조 공정을 포함하는 경우, 공정 S4는, 해당 복수의 건조 공정 중 마지막 건조 공정의 개시 후에 실시되어도 된다. 공정 S4에서, 모든 건조 공정이 종료되었다고 판정된 경우에는, 공정 S5가 실행되고, 그렇지 않으면, 다시 공정 S3의 아직 종료되지 않은 건조 공정이 실행된다. 공정 S5에서는, 기판 보유 지지부(20)에 의해 보유 지지된 기판(S)이 챔버(10)의 외부 공간으로 반송(언로드) 된다.
<제2 실시 형태>
제1 실시 형태에서는, 가스 도입부(51)(제1 공급부)가 챔버(10)의 측면에 설치되어 있는 예에 대해서 설명하였다. 본 실시 형태에서는, 가스 도입부(51)(제1 공급부)가 챔버(10)의 하부(기판(S)의 하방)에 설치되어 있는 예에 대해서 설명한다. 또한, 가스 도입부(51) 이외의 구성에 대해서는, 제1 실시 형태와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 본 실시 형태에서 언급하지 않는 사항에 대해서는, 제1 실시 형태를 따른다.
도 7은, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치(SPA)(감압 건조 장치)의 구성을 나타내는 모식적인 단면도이다. 도 7의 화살표는 기류의 흐름을 나타내고 있고, 도 7(a)는 도 4에서 설명한 건조 공정(D2)(제1 건조 공정)에서의 챔버(10) 내의 기류 흐름, 도 7(b)는 도 4에서 설명한 건조 공정(D4)(제2 건조 공정)에서의 챔버(10) 내의 기류 흐름을 나타내는 도면이다. 가스 도입부(51)(제1 공급부)는 도 7에 나타내는 바와 같이, 챔버(10)의 하부이며, 기판 보유 지지부(20)의 중앙 부근에 설치될 수 있다. 기판 보유 지지부(20)의 하방에는, 기체가 유입 가능한 공간이 형성되어 있고, 본 실시 형태에서는, 이 공간도 내부 공간(SP1)(제1 공간)의 일부라고 정의한다. 기판 보유 지지부(20)의 하방 중앙 부근의 공간에 가스 도입부(51)에서 불활성 가스를 공급함으로써, 각 감압 기구(30)의 불활성 가스의 배기량이 동등해져, 내부 공간(SP1)에 발생하는 압력 분포의 불균일을 저감할 수 있다. 그 결과, 기판(S) 전체면에서 막(F)을 동일 속도로 건조시킬 수 있다.
건조 공정(D2)에서는, 도 7(a)에서 나타내는 바와 같은 기류를 형성하도록, 가스 도입부(51) 및 가스 도입부(52)가 제어될 수 있다. 구체적으로는, 건조 공정(D2)에서, 가스 도입부(51)로부터 제1 공간에 공급하는 단위 시간당의 불활성 가스의 양이, 가스 도입부(52)로부터 제2 공간에 공급하는 단위 시간당의 불활성 가스의 양보다도 많아지도록 제어한다.
건조 공정(D4)에서는, 도 7(b)에서 나타내는 바와 같은 기류를 형성하도록, 가스 도입부(51) 및 가스 도입부(52)가 제어될 수 있다. 구체적으로는, 건조 공정(D4)에서, 가스 도입부(51)로부터 제1 공간에 공급하는 단위 시간당의 불활성 가스의 양이, 가스 도입부(52)로부터 제2 공간에 공급하는 단위 시간당의 불활성 가스의 양보다도 적어지도록 제어한다.
또한, 제1 공급부는, 제1 건조 공정에서 제1 공간에 공급하는 단위 시간당의 불활성 가스의 양이, 제2 건조 공정에서 제1 공간에 공급하는 단위 시간당의 불활성 가스의 양보다도 많아지도록 제어될 수 있다. 또한, 제2 공급부는, 제1 건조 공정에서 제2 공간에 공급하는 단위 시간당의 불활성 가스의 양이, 제2 건조 공정에서 제2 공간에 공급하는 단위 시간당의 불활성 가스의 양보다도 적어지도록 제어될 수 있다.
또한, 제1 건조 공정에서 가스 도입부(52)로부터 제2 공간에 공급되는 불활성 가스의 급기량은 0이어도 되며, 제2 건조 공정에서 가스 도입부(51)로부터 제1 공간에 공급되는 불활성 가스의 급기량은 0이어도 된다.
상술한 바와 같이 가스 도입부(51) 및 가스 도입부(52)가 제어됨으로써, 제1 건조 공정에서는, 막(F)을 평탄화시킬 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이 가스 도입부(51) 및 가스 도입부(52)가 제어됨으로써, 제2 건조 공정에서는, 막(F)의 건조를 촉진하여 막(F)의 잔류 용매의 제거에 요하는 시간을 단축시킬 수 있다.
<제3 실시 형태>
본 실시 형태에서는, 특히 가스 도입부(52)(제2 공급부)로부터 공급되는 가스가, 가스 도입부(51)(제1 공급부)로부터 공급되는 불활성 가스와 비교하여 온도가 높음으로써 운동 에너지가 높은 예에 대해서 설명한다. 또한, 가스 도입부(52) 이외의 구성에 대해서는, 제1 실시 형태와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 본 실시 형태에서 언급하지 않는 사항에 대해서는, 제1 내지 2 중 어느 것의 실시 형태를 따른다.
기판 처리 장치(SPA)는 도시하지 않은 불활성 가스의 가스 가열 기구 및 가스 온도 계측 수단을 구비한다. 이에 따라, 기판 수용 공간(SP2)에 가열된 불활성 가스를 공급하는 것이 가능하다. 기판 수용 공간(SP2)에 불활성 가스를 공급함으로써, 기판 수용 공간(SP2)의 건조를 빠르게 할 수 있다. 예를 들어 건조 공정(D4)(제2 건조 공정)에서, 내부 공간(SP1)의 압력을 제2 압력으로 유지한 상태에서, 기판 수용 공간(SP2)(제2 공간)에 가열된 불활성 가스를 공급하여 기판(S)의 막(F)을 건조시킨다. 또는, 건조 공정(D4)(제2 건조 공정)뿐만 아니라 다른 건조 공정에서 기판 수용 공간(SP2)에 가열된 불활성 가스를 공급해도 된다.
가스 가열 기구는, 기판 수용 공간(SP2)에 공급하는 불활성 가스를 가열하는 기능을 갖는다.
가스 가열 기구는 기판 수용 공간(SP2)에 직접 설치되어도 되고, 내부 공간(SP1)의 외부에 설치되어도 된다. 또한, 가스 가열 기구는 가스 도입부(52)에 설치할 수도 있다. 단, 가스 가열 기구의 가열부의 열은, 기판 수용 공간(SP2)을 형성하는 벽면으로부터는 단열되어 있어, 벽면의 승온은 충분히 억제되고 있다.
가스 도입부(52)로부터 공급하는 불활성 가스의 분출 방향은, 기판을 향해도 되고, 기판 수용 공간(SP2)을 형성하는 벽면을 향해도 된다. 또한, 분출부의 선단은 분기되어 있어도 되고, 샤워 헤드와 같이 다수의 분출구가 있어도 된다.
상술한 바와 같이 가스 도입부(52)로부터 공급되는 가스가, 가스 도입부(51)로부터 공급되는 불활성 가스와 비교하여 온도가 높음으로써 운동 에너지가 높아 기판 수용 공간(SP2) 내의 용매 건조를 빠르게 할 수 있다. 그 결과, 막(F)의 건조를 촉진하여 막(F)의 잔류 용매의 제거에 요하는 시간을 단축시킬 수 있다.
<제4 실시 형태>
본 실시 형태에서는, 특히 가스 도입부(52)(제2 공급부)로부터 공급되는 가스가, 가스 도입부(51)(제1 공급부)로부터 공급되는 불활성 가스와 비교하여 분자량이 큰 예에 대해서 설명한다. 또한, 가스 도입부(52) 이외의 구성에 대해서는, 제1 실시 형태와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 본 실시 형태에서 언급하지 않는 사항에 대해서는, 제1 내지 3 중의 어느 실시 형태를 따른다.
본 실시 형태에서, 가스 도입부(52)로부터 공급하는 불활성 가스는, 가스 도입부(51)로부터 공급되는 불활성 가스와 비교하여 분자량이 크다. 예를 들어 가스 도입부(52)로부터 공급하는 불활성 가스는, 아르곤이나 크립톤, 크세논, 라돈 등의 희가스일 수 있다. 또한, 막(F)의 용매와는 다른 조성을 갖는 기체이면, 불활성 가스 이외의 기체이어도 되고, 이산화 탄소 등이어도 좋다. 가스 도입부(52)로부터 공급하는 불활성 가스의 분출 방향은, 기판을 향해도 되고, 기판 수용 공간(SP2)을 형성하는 벽면을 향해도 된다. 또한, 분출부의 선단은 분기되어 있어도 되고, 샤워 헤드와 같이 다수의 분출구가 있어도 된다.
상술한 바와 같이 가스 도입부(52)로부터 공급되는 가스가, 가스 도입부(51)로부터 공급되는 불활성 가스와 비교하여 분자량이 큼으로써 운동 에너지가 높아, 기판 수용 공간(SP2) 내의 용매 건조를 빠르게 할 수 있다. 그 결과, 막(F)의 건조를 촉진하여 막(F)의 잔류 용매의 제거에 요하는 시간을 단축시킬 수 있다.
<제5 실시 형태>
가스 분출구의 높이 및 방향의 구체예에 대해서 설명한다. 또한, 기본적인 구성에 대해서는, 제1 실시 형태와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 본 실시 형태에서 언급하지 않는 사항에 대해서는, 제1 실시 형태를 따른다.
가스 도입부(52)로부터 배플 커버(40) 내부에 공급되는 가스 분출구의 높이 방향의 위치는, 배플 커버(40)의 높이에 대하여 하방이 되는 기판(S)의 부근인 것이 바람직하다. 가스 분출구의 높이의 상한은, 배플 커버(40)의 높이에 대하여 1/2 이하이면 된다. 또한, 가스의 분출 방향은, 기판(S)과 평행 방향, 바람직하게는, 배플 커버(40)에 갖는 복수개의 개구(42) 방향이 좋다. 가스 분출구의 배플 커버(40) 내부의 벽면으로부터의 수평 방향의 위치는, 배플 커버(40) 내부의 벽면(예를 들어 커버의 상면)에 가스를 분사할 수 있는 방향이면 된다. 또한, 배플 커버(40) 내부의 모든 벽면에 대하여 가스가 분사되도록 설치되어 있는 것이 바람직하다. 분출부의 선단은 분기되어 있어도 되고, 샤워 헤드와 같이 다수의 분출구가 있어도 된다.
상술한 바와 같이 가스 도입부(52)로부터 가스를 배플 커버(40) 내부의 벽면으로 분사함으로써 벽면에 부착되어 있던 용매가 증발하고, 그 증발한 용매 분자가, 가스와의 충돌에 의해 기판 수용 공간(SP2) 내부에서 외부로 수송됨으로써 건조 시간을 앞당길 수 있다.
그 결과, 제2 건조 공정의 막(F)의 잔류 용매의 제거에 요하는 시간을 단축 시킬 수 있다.
<제6 실시 형태>
본 실시 형태에서는, 가스 도입부(52)로부터 배플 커버(40) 내부에 공급되는 가스 분출구가, 기판 보유 지지부(20) 내에 설치된 예를 설명한다. 또한, 가스 도입부(52) 이외의 구성에 대해서는, 제1 실시 형태와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 본 실시 형태에서 언급하지 않는 사항에 대해서는, 제1 실시 형태를 따른다.
도 8은, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치(SPA)(감압 건조 장치)의 구성을 나타내는 모식적인 단면도이다. 도 8의 화살표는 기류의 흐름을 나타내고 있고, 도 4에서 설명한 건조 공정(D4)(제2 건조 공정)에서의 챔버(10) 내의 기류 흐름을 나타내는 도면이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 가스 도입부(52)로부터 배플 커버(40) 내부에 공급되는 가스 분출구가, 기판 보유 지지부(20) 내에 구비될 수 있다. 도 9는, 기판(S), 배플 커버(40), 기판 보유 지지부(20) 및 가스 도입부(52)의 구성을 상면에서 본 모식도이다. 가스의 분출구는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 배플 커버(40) 내부의 벽면과 기판(S)의 단부 사이이면 되고, 배플 커버(40) 내부의 모든 벽면에 가스를 분사할 수 있는 위치이면 된다. 또한, 가스 분출구의 수는, 다수개이어도 된다. 또한, 도 9의 배플 커버(40)의 네 코너와 같이, 배플 커버(40)의 형상이나 용적에 맞추어 가스의 양을 변화시킬 필요가 있는 경우에는, 분출구의 수를 제어할 수 있다. 가스를 분출하는 시간의 제어는, 제1 건조 공정 및 제2 건조 공정으로 실시할 수 있다. 두 건조 공정 내에서 임의로 가스의 유량을 제어할 수 있다. 또한 분출구가 다수개 있는 경우에는, 분출 위치에 따라 개별적으로 유량을 제어할 수 있다. 즉, 가스 도입부(52)는 가스를 공급하는 시간 및 공급 위치를 변경함으로써 기체의 공급량을 제어할 수 있다.
상술한 바와 같이 가스 도입부(52)가 기판 보유 지지부(20)에 설치됨으로써, 배플 커버(40)의 공간 내에 가스 공급 기구가 불필요해지기 때문에, 제1 건조 공정에서, 기판(S)으로부터 건조된 용매의 부착 개소가 배플 커버(40)로 제한된다. 그 결과, 제2 건조 공정에서는, 막(F)의 잔류 용매의 제거에 요하는 시간을 단축시킬 수 있다.
<제7 실시 형태>
본 실시 형태에서는, 가스 도입부(52)로부터 공급되는 가스의 분출구가, 배플 커버(40)의 외부에 설치되어 있다. 또한, 제1 건조 공정이 종료된 후에, 배플 커버(40)를 상승시켰을 때에 생기는 기판 보유 지지부(20)와의 공간으로부터, 가스의 분출구를 배플 커버(40) 내부에 삽입하는 기구를 구비할 수 있다. 또한, 가스 분출구가 배플 커버(40) 내부에 삽입된 후에, 배플 커버(40)와 기판 보유 지지부(20)의 간극을 작게 하도록 배플 커버(40)를 가능한 한 하강시키는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이 가스 도입부(52)가 제1 건조 공정의 종료 후에, 배플 커버(40) 내부에 삽입되고, 제2 건조 공정에서는, 가스를 배플 커버(40) 내부의 벽면에 분사할 수 있다. 이에 따라, 제1 건조 공정에서, 가스 분출구의 용매 부착이 억제되고, 그 결과, 제2 건조 공정에서는, 막(F)의 건조를 촉진하여 막(F)의 잔류 용매의 제거에 요하는 시간을 단축시킬 수 있다.
<물품의 제조 방법의 실시 형태>
본 발명의 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들어 유기 EL(OLED)패널 등의 물품을, 잉크젯 인쇄 장치를 사용하여 제조하는데 적합하다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은, 기판 상에 용액막(유기막을 형성하기 위한 용질과 용매를 포함하는 용액)을 잉크젯 인쇄 장치를 사용한 인쇄법 등에 의해 배치 또는 도포하여 도포 기판을 얻는 공정(도포 공정)을 포함한다. 또한, 상기 감압 건조 장치에 의해 도포 기판 상의 용액막을 건조시켜 건조막이 형성된 건조 기판을 얻는 공정(건조 공정)을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(소성, 냉각, 제습, 드라이 세정, 전극의 형성, 밀봉막의 형성 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태로 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.
본 발명에 따르면, 기판 상의 막을 건조시키는데에 있어서 유리한 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
10: 챔버
20: 기판 보유 지지부
30: 감압 기구
40: 배플 커버(커버)
51: 가스 도입부(제1 공급부)
52: 가스 도입부(제2 공급부)
D2: 건조 공정(제1 건조 공정)
D4: 건조 공정(제2 건조 공정)
F: 막
S: 기판
SP1: 내부 공간(제1 공간)
SP2: 기판 수용 공간(제2 공간)
SPA: 기판 처리 장치

Claims (26)

  1. 기판 상의 막을 소정 압력보다 높은 압력 하에서 건조시키는 제1 건조 공정과, 상기 막을 상기 소정 압력보다도 낮은 압력 하에서 건조시키는 제2 건조 공정을 포함하는 건조 공정에 의해, 기판 상의 막을 건조시키는 기판 처리 장치이며,
    상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
    챔버와,
    상기 챔버의 내부를 감압하는 감압 기구와,
    개구가 마련되고, 상기 챔버의 내부에서 상기 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 상기 기판을 덮는 커버와,
    상기 챔버의 내부이며, 또한 상기 커버의 외부인 제1 공간에 기체를 공급하는 제1 공급부와,
    상기 챔버의 내부이며, 또한 상기 커버의 내부인 제2 공간에 기체를 공급하는 제2 공급부를 갖고,
    상기 제1 공급부는, 상기 제1 건조 공정에서, 상기 제1 공간에 기체를 공급하고,
    상기 제2 공급부는, 상기 제2 건조 공정에서 상기 제2 공간에 기체를 공급하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공급부는, 상기 기판 보유 지지부의 하방의 공간에 기체를 공급하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 공급부는, 상기 커버의 측면에 관통하여 마련되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 건조 공정에서, 상기 제1 공급부로부터 상기 제1 공간에 공급되는 단위 시간당의 기체의 양은, 상기 제2 공급부로부터 상기 제2 공간에 공급되는 단위 시간당의 기체의 양보다도 많은 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 건조 공정에서, 상기 제1 공급부로부터 상기 제1 공간에 공급되는 단위 시간당의 기체의 양은, 상기 제2 공급부로부터 상기 제2 공간에 공급되는 단위 시간당의 기체의 양보다도 적은 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 건조 공정에서 상기 제1 공급부로부터 상기 제1 공간에 공급되는 단위 시간당의 기체의 양은, 상기 제2 건조 공정에서 상기 제1 공급부로부터 상기 제1 공간에 공급되는 단위 시간당의 기체의 양보다도 많은 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 건조 공정에서 상기 제2 공급부로부터 상기 제2 공간에 공급되는 단위 시간당의 기체의 양은, 상기 제2 건조 공정에서 상기 제2 공급부로부터 상기 제2 공간에 공급되는 단위 시간당의 기체의 양보다도 적은 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판 보유 지지부에 대하여 가열 및 냉각 중 적어도 한쪽을 행하는 온도 제어부를 더 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 온도 제어부는, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 상기 기판의 각 영역에서의 온도의 차이가 10 도 이내가 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 커버를 승강시키는 승강 기구를 더 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 소정 압력은, 상기 막에 포함되는 용매의 증기압에 기초하여 결정되는 압력인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 소정 압력은, 상기 막에 포함되는 용매의 증기압인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공급부 및 상기 제2 공급부로부터 공급되는 기체는, 불활성 가스인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제2 공급부로부터 공급되는 기체는, 상기 제1 공급부로부터 공급되는 기체보다도 운동 에너지가 높은 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제2 공급부로부터 공급되는 기체는, 상기 제1 공급부로부터 공급되는 기체보다도 온도가 높은 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제2 공급부로부터 공급되는 기체는, 상기 제1 공급부로부터 공급되는 기체보다도 분자량이 큰 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 제2 공급부로부터 공급되는 기체는, 상기 커버의 높이에 대하여 1/2 이하의 위치로부터 공급되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 제2 공급부로부터 공급되는 기체가 분사되는 방향은, 상기 커버의 상면으로 기체가 분사되는 방향인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 제2 공급부가 상기 기판 보유 지지부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  20. 제10항에 있어서,
    상기 제2 공급부는, 상기 커버의 외부에 배치되어 있고, 상기 승강 기구를 상승시킴으로써, 상기 커버의 내부에 삽입할 수 있는 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 제2 공급부는, 기체를 공급하는 시간 및 공급 위치를 변경함으로써, 기체의 공급량을 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  22. 기판 상의 막을 소정 압력보다 높은 압력 하에서 건조시키는 제1 건조 공정과, 상기 막을 상기 소정 압력보다도 낮은 압력 하에서 건조시키는 제2 건조 공정을 포함하는 건조 공정에 의해, 기판 상의 막을 건조시키는 기판 처리 장치이며,
    상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
    챔버와,
    상기 챔버의 내부를 감압하는 감압 기구와,
    개구가 마련되고, 상기 챔버의 내부에서 상기 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 상기 기판을 덮는 커버와,
    상기 제1 건조 공정 시에, 상기 챔버의 내부이며, 또한 상기 커버의 외부인 제1 공간에 기체를 공급하는 공급부를 갖는, 기판 처리 장치.
  23. 기판 상의 막을 소정 압력보다 높은 압력 하에서 건조시키는 제1 건조 공정과, 상기 막을 상기 소정 압력보다도 낮은 압력 하에서 건조시키는 제2 건조 공정을 포함하는 건조 공정에 의해, 기판 상의 막을 건조시키는 기판 처리 장치이며,
    상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
    챔버와,
    상기 챔버의 내부를 감압하는 감압 기구와,
    개구가 마련되고, 상기 챔버의 내부에서 상기 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 상기 기판을 덮는 커버와,
    상기 제2 건조 공정 시에, 상기 커버의 내부인 제2 공간에 기체를 공급하는 공급부를 갖는, 기판 처리 장치.
  24. 기판 상의 막을 소정 압력보다 높은 압력 하에서 건조시키는 제1 건조 공정과, 상기 막을 상기 소정 압력보다도 낮은 압력 하에서 건조시키는 제2 건조 공정을 포함하는 건조 공정에 의해, 기판 상의 막을 건조시키는 기판 처리 장치이며,
    상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
    챔버와,
    상기 챔버의 내부를 감압하는 감압 기구와,
    개구가 마련되고, 상기 챔버의 내부에서 상기 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 상기 기판을 덮는 커버와,
    상기 제1 건조 공정 시에, 상기 챔버의 내부이며, 또한 상기 커버의 외부인 제1 공간에 기체를 공급하는 제1 공급부와,
    상기 제2 건조 공정 시에, 상기 커버의 내부인 제2 공간에 기체를 공급하는 제2 공급부를 갖는, 기판 처리 장치.
  25. 기판 처리 장치를 사용하여 기판 상의 막을 소정 압력보다 높은 압력 하에서 건조시키는 제1 건조 공정과, 상기 기판 처리 장치를 사용하여 상기 막을 상기 소정 압력보다도 낮은 압력 하에서 건조시키는 제2 건조 공정을 포함하는 기판 처리 방법이며,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
    챔버와,
    상기 챔버의 내부를 감압하는 감압 기구와,
    개구가 마련되고, 상기 챔버의 내부에서 상기 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 상기 기판을 덮는 커버와,
    상기 챔버의 내부이며, 또한 상기 커버의 외부인 제1 공간에 기체를 공급하는 제1 공급부와,
    상기 챔버의 내부이며, 또한 상기 커버의 내부인 제2 공간에 기체를 공급하는 제2 공급부를 갖고,
    상기 제1 건조 공정에서는, 상기 제1 공급부가 상기 제1 공간에 기체를 공급하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  26. 기판 상에 용액막을 도포하여 도포 기판을 얻는 도포 공정과,
    제25항에 기재된 기판 처리 방법을 사용하여, 상기 도포 기판을 건조시켜서 건조 기판을 얻는 건조 공정을 갖고,
    상기 건조 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는, 물품의 제조 방법.
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