CN116666261A - 基板处理装置、基板处理方法以及物品的制造方法 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法以及物品的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及物品的制造方法。基板处理装置的特征在于通过如下干燥工序使基板上的膜进行干燥，干燥工序包括：第一干燥工序，使基板上的膜在比既定压力高的压力下进行干燥；第二干燥工序，使膜在比既定压力低的压力下进行干燥，基板处理装置具有：保持基板的基板保持部；腔室；对腔室的内部进行减压的减压机构；罩盖，其设置有开口，并且在腔室的内部中覆盖被基板保持部保持的基板；第一供给部，其向腔室的内部且为罩盖的外部即第一空间供给气体；第二供给部，其向腔室的内部且为罩盖的内部即第二空间供给气体，第一供给部在第一干燥工序中向第一空间供给气体，第二供给部在第二干燥工序中向第二空间供给气体。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及物品的制造方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置、基板处理方法以及物品的制造方法。
背景技术
已知存在一种方法，其在要制造有机EL(OLED)面板等物品时，使用喷墨装置在基板上涂布溶液膜。为了使涂布在基板上的溶液膜稳定地形成膜，优选为，使用基板处理装置(减压干燥装置)在短时间内进行干燥。日本特开2011-58656号公报中公开了涉及如下基板处理装置的内容：为了缩短干燥时间，一边向腔室内供给氮气一边进行减压和干燥。
但是，在为了缩短干燥时间而向腔室内供给气体的情况下，会有基板上的膜表面不平坦的担忧。为了使基板上的膜表面稳定并且平坦地进行干燥，需要研究在多个压力的条件下进行干燥的各个干燥工序中供给气体的方法。
因而，本发明的目的在于提供对于使基板上的膜干燥而言有利的基板处理装置。
发明内容
为了实现上述目的，本发明的一方面的基板处理装置，其特征在于，通过如下干燥工序使基板上的膜进行干燥，所述干燥工序包括：第一干燥工序，使基板上的膜在比既定压力高的压力下进行干燥；以及第二干燥工序，使所述膜在比所述既定压力低的压力下进行干燥，所述基板处理装置具有：基板保持部，其保持所述基板；腔室；减压机构，其对所述腔室的内部进行减压；罩盖，其设置有开口，并且在所述腔室的内部，覆盖被所述基板保持部保持的所述基板；第一供给部，其向第一空间供给气体，所述第一空间为所述腔室的内部且为所述罩盖的外部；以及第二供给部，其向第二空间供给气体，所述第二空间为所述腔室的内部且为所述罩盖的内部，所述第一供给部在所述第一干燥工序中向所述第一空间供给气体，所述第二供给部在所述第二干燥工序中向所述第二空间供给气体。
基于下述对示例性实施方式的描述，进一步明确本发明的特征(参考附图)。
附图说明
图1是示出第一实施方式中的基板处理装置的结构的图。
图2是示出折流罩的结构的图。
图3是用于说明第一实施方式中的基板处理装置的优点的图。
图4是例示干燥处理中的对内部空间的压力的控制图。
图5是示意性地示出基板的搬送(装载、卸载)的样子的图。
图6是例示作为基板处理装置的使用方法的基板处理方法的图。
图7是示出第二实施方式中的基板处理装置的结构的图。
图8是示出第六实施方式中的基板处理装置的结构的图。
图9是第六实施方式中的基板处理装置的俯视图。
附图标记说明
10：腔室；20：基板保持部；30：减压机构；40：折流罩(罩盖)；51：气体导入部(第一供给部)；52：气体导入部(第二供给部)；D2：干燥工序(第一干燥工序)；D4：干燥工序(第二干燥工序)；F：膜；S：基板；SP1：内部空间(第一空间)；SP2：基板收容空间(第二空间)；SPA：基板处理装置。
具体实施方式
在下文中，基于附图详细描述本发明的优选实施方式。另外，在各图中，对于同一构件标注同一附图标记，省略重复说明。在以下说明的实施方式以及附图中，用XYZ坐标系示出方向。在XYZ坐标系中，XY平面可以是水平方向，Z轴的负方向可以是铅垂方向。
<第一实施方式>
图1是示出本实施方式的基板处理装置SPA(减压干燥装置)的结构的示意性的剖视图。基板处理装置SPA可以构成为，对具有膜F的基板S进行处理。更详细来说，基板处理装置SPA可以构成为，进行使基板S的膜F干燥的干燥处理。
膜F例如可以是，由包含用于形成有机膜的溶质和溶剂的溶液构成的膜(以下记载为，溶液膜)。溶剂可以是具有如下性质：在比大气压低的减压环境中会被促进蒸发。溶剂例如在比常温(25℃)高的温度中会被促进蒸发。有机膜例如可以是有机EL(OLED)元件的正孔注入层、正孔输送层、发光层、电子输送层、电子注入层中的任一项。有机EL元件的制造可以包括在基板上形成正孔注入层、正孔输送层、发光层、电子输送层、电子注入层等各有机膜的工序。可以在基板S被搬送到基板处理装置SPA之前，由在基板S上涂布膜F的涂布装置来涂布膜F。
基板处理装置SPA可以具备腔室10。腔室10是规定与外部空间分离的内部空间SP1(第一空间)的构件。也可以理解为，腔室10是包围内部空间SP1的构件。以下，由腔室10规定了外缘而成的内部空间SP1也称为腔室10的内部空间SP1。在本实施方式中，内部空间SP1处于腔室10的内部，并且定义为后述的折流罩40的外部的空间。另外，在本实施方式中，将配置有基板S的一侧的空间表现为“内部”，将没有配置基板S的一侧的空间表现为“外部”。腔室10可以具备至少一个闸阀12。要实施干燥处理的基板S可以通过闸阀12而从腔室10的外部空间被搬送到内部空间SP1。另外，经过了干燥处理的基板S可以通过闸阀12而从内部空间SP1被搬送到外部空间。
基板处理装置SPA可以还具备对腔室10的内部空间SP1进行减压的减压机构30。减压机构30例如能够包括多个泵，所述多个泵例如可以包括干式泵和隔膜真空泵中的至少一者。所述多个泵例如可以还包括涡轮分子泵、低温泵、抽吸泵、油扩散泵、机械增压泵、喷射泵、油旋转真空泵中的至少一者。
基板处理装置SPA可以还具备对具有膜F的基板S进行保持的基板保持部20。基板保持部20配置于内部空间SP1。基板处理装置SPA可以还具备对基板保持部20的温度进行控制的温度控制部70。温度控制部70典型来说可以包括对基板保持部20进行加热的加热器，但也可以包括对基板保持部20进行冷却的制冷器，温度控制部70对基板保持部20进行加热和冷却中的至少一方。也可以将温度控制部70理解为对基板S或者基板S的膜F的温度进行控制的结构要素。
温度控制部70可以对基板保持部20的各区域进行同样的温度控制，使得基板S成为同样的温度分布。或者，可以对基板保持部20的每个区域按不同的温度进行温度控制，使得基板S成为同样的温度分布。温度控制部70进行控制，使得由基板保持部20保持的基板S的各区域中的温度的差为10度以内。更优选为，温度控制部70进行控制，使得由基板保持部20保持的基板S的各区域中的温度的差为5度以内。温度控制部70可以对基板保持部20的温度进行控制，使得基板S的温度为0度至100度的范围内的任意温度。通过对基板保持部20进行加热，能够使在基板S上配置的膜F的干燥速度提高，基于这一点，与没有温度控制部70而构成的基板处理装置SPA相比较而言，具备温度控制部70而构成的基板处理装置SPA是有利的。
基板处理装置SPA可以还具备折流罩40(罩盖)，其在内部空间SP1中覆盖由基板保持部20保持的基板S。图2是示出折流罩40的结构的一例的图。折流罩40如图1以及图2例示那样，可以具有多个开口42。以对基板S的膜F均匀地进行干燥的方式，来决定多个开口42的配置以及尺寸。在折流罩40覆盖基板S的状态下，基板保持部20和折流罩40可以规定被基板保持部20和折流罩40包围的基板收容空间SP2(第二空间)。在本实施方式中，基板收容空间SP2处于腔室10的内部，并且定义为后述的折流罩40的内部的空间。折流罩40如果具有在覆盖基板S的状态下可以将基板收容空间SP2与内部空间SP1连通的结构即可，不是必须具有开口。折流罩40也可以构成为，与在中心附近的位置配置的开口相比，在远离中心的位置配置的开口小。
基板处理装置SPA可以具备气体分析仪60，该气体分析仪60对被基板保持部20和折流罩40包围的基板收容空间SP2的特定气体进行检测。气体分析仪60可以是质谱仪等残余气体分析仪(RGA)。气体分析仪60检测的特定气体是从基板S的膜F蒸发的气体，即，检测对象的气体。更具体来讲，特定气体可以是溶剂(的气体)。
基板处理装置SPA可以还具备将气体分析仪60的气体导入口与基板收容空间SP2连接的连接部62。气体导入口是气体分析仪60取入气体的开口部。连接部62可以是具有可挠性的管道，例如玻璃纤维管道。或者，连接部62也可以是波纹管。连接部62可以配置为，具有第一端E1以及第二端E2，第一端E1与气体分析仪60的气体导入口连接，第二端E2从折流罩40的内表面突出到基板收容空间SP2。
第二端E2例如可以配置为，从折流罩40的侧壁的内表面突出到基板收容空间SP2。
基板处理装置SPA可以具备控制器90。控制器90可以构成为，对使基板S的膜F干燥的干燥处理进行控制。控制器90可以对构成基板处理装置SPA的各部分进行控制。控制器90例如可以构成为，基于气体分析仪60的输出来对基板S的膜F的干燥的结束进行判定。控制器90例如可以构成为，根据气体分析仪60的输出示出了特定气体的量为预先设定的量，而判定为对基板S的膜F的干燥(使膜F干燥的干燥处理)结束。控制器90例如可以由FPGA(Field Programmable Gate Array，现场可编程门阵列的缩写)等的PLD(ProgrammableLogic Device，可编程逻辑设备的缩写)、或者ASIC(Application Specific IntegratedCircuit，专用集成电路的缩写)、或者写入有程序的通用或者专用的计算机、或者这些全部或者一部分的组合构成。
图3是示出内部空间SP1以及基板收容空间SP2中的特定气体(从基板S的膜F蒸发的溶剂)的浓度的图。在图3中，虚线的曲线例示了内部空间SP1中的特定气体的浓度，实线的曲线例示了基板收容空间SP2中的特定气体的浓度。通过对基板S进行加热来促进膜F的蒸发，由此与内部空间SP1相比基板收容空间SP2的溶剂浓度快速降低。从在基板收容空间SP2配置的基板S的膜F蒸发而放出的溶剂，可以通过折流罩40的多个开口42而移动到内部空间SP1，在腔室10的内表面凝缩并附着于该内表面。在腔室10的内表面附着有大量溶剂的期间，内部空间SP1的压力可以维持为与溶剂的蒸气压接近的压力。而且，当从腔室10的内表面大致去除溶剂时，内部空间SP1的压力可以从与溶剂的蒸气压接近的压力开始进一步向低的压力下降。因而，即使基板收容空间SP2的溶剂的浓度充分降低，折流罩40与腔室10之间的内部空间SP1中的溶剂的浓度也不会太降低，与基板收容空间SP2中的溶剂的浓度相比可以继续维持大得多的值。因而，由气体分析仪60对被基板保持部20和折流罩40包围的基板收容空间SP2的特定气体进行检测的结构，对于快速检测基板S的膜F的干燥处理的结束而言是有利的。
图4例示了可以由控制器90控制的、对干燥处理中的内部空间SP1的压力的控制。对该压力的控制可以包括对减压机构30的控制。干燥处理例如包括多个干燥工序，控制器90可以控制减压机构30，使得执行多个干燥工序。图4的例子中，干燥处理包括干燥工序D1～D4，但是干燥处理包括的多个干燥工序的个数，并不限定于特定的个数。
干燥工序D1中，例如一边使内部空间SP1的压力从大气压下降至比基板S的膜F中的溶剂的蒸气压高的第一压力为止，一边使基板S的膜F干燥。干燥工序D2(第一干燥工序)中，例如在使内部空间SP1的压力维持为第一压力的状态下，使基板S的膜F干燥。干燥工序D3中，例如一边使内部空间SP1的压力下降至比第一压力低且比溶剂的压力低的第二压力为止，一边使基板S的膜F干燥。干燥工序D4(第二干燥工序)中，例如在使内部空间SP1的压力维持为第二压力的状态下，使基板S的膜F干燥。为了使基板S的膜F快速干燥，优选为处于压力低的条件下。但是，如上所述本实施方式中，通过压力的条件不同的多个干燥工序D1～D4来进行干燥。其理由是，例如为了可以使膜F的膜厚均匀。例如，在干燥工序D1中使压力一次性地降低的情况下，会有膜F的膜厚不均匀的担忧。另一方面，在使膜进行某种程度干燥的情况下，即使压力下降也能减少对膜厚造成的影响。因而，通过进行使压力阶段性地降低的干燥工序，能够兼顾膜F的膜厚的平坦化以及缩短膜F的干燥时间。
在本实施方式中，第一压力为比膜F包含的溶剂的蒸气压(以下，也称为既定压力)高的压力的值。由此，能够使膜F的膜厚平坦并进行干燥。另外，在本实施方式中，第二压力为比膜F包含的溶剂的蒸气压(既定压力)低的压力的值。由此，能够缩短膜F的干燥时间。
在一例中，控制器90可以构成为，基于气体分析仪60的输出来判定多个干燥工序D1～D4中的最后的干燥工序D4的结束。如图4例示那样，干燥工序包括的多个干燥工序中，内部空间SP1的压力可以相互不同。其中，干燥工序包括的多个干燥工序中，也可以包括内部空间SP1的压力相同的两个以上干燥工序。
基板处理装置SPA还具备向腔室10的内部空间SP1导入惰性气体的气体导入部51(第一供给部)。另外，基板处理装置SPA还具备向被折流罩40覆盖的基板收容空间SP2导入惰性气体的气体导入部52(第二供给部)。气体导入部51以及气体导入部52可以是具有可挠性的管道。惰性气体例如可以是氮气。另外，在本实施方式中，由气体导入部51以及气体导入部52供给的气体如果是有与膜F的溶剂不同组分的气体，则也可以是惰性气体以外的气体，例如，清洁干燥气(空气)等气体。
气体导入部51向内部空间SP1供给惰性气体，由此能够对腔室10的内部的压力进行调整。例如，在干燥工序D2(第一干燥工序)中，在使减压机构30进行动作的状态下，也能够使内部空间SP1的压力维持为第一压力。即，气体导入部51在干燥工序D2(第一干燥工序)中向内部空间SP1(第一空间)供给惰性气体，使得腔室10的内部的空间超过既定压力。另外也可以是，气体导入部51不仅在干燥工序D2(第一干燥工序)也在其它干燥工序(例如，第二干燥工序)中向内部空间SP1供给惰性气体。
这里，上述中说明既定压力是膜F包含的溶剂的蒸气压，但是如果是基于膜包含的溶剂的蒸气压而成的值，既定压力也可以是与膜F包含的溶剂的蒸气压不同的压力。例如，为了使膜F的膜厚更稳定地平坦化，既定压力也可以是比膜F包含的溶剂的蒸气压稍高的压力。
气体导入部52向基板收容空间SP2供给惰性气体，由此能够使基板收容空间SP2快速干燥。因此，例如，在干燥工序D4(第二干燥工序)中，在使内部空间SP1的压力维持为第二压力的状态下，气体导入部52向基板收容空间SP2(第二空间)供给惰性气体，使基板S的膜F干燥。另外也可以是，气体导入部52不仅在干燥工序D4(第二干燥工序)也在其它干燥工序(例如，第一干燥工序)中向基板收容空间SP2供给惰性气体。即，也可以是，在第一干燥工序以及第二干燥工序中的至少一方中向第二空间供给惰性气体。气体导入部52贯通设置于折流罩40的侧面，成为能够向基板收容空间SP2供给惰性气体的结构。
另外，对基板收容空间SP2供给惰性气体，对于使某种气体分析仪60具有的滤噪器发挥功能而言是有利的。那样的滤噪器会要求检测对象的空间有既定压力以上的压力。具体来讲，某种气体分析仪60除了具有离子源、四极滤质器以及检测器以外，还可以具有在离子源与四极滤质器之间配置的滤噪器。滤噪器构成为允许由离子源进行离子化而成的稳定的元素通过滤噪器并到达四极滤质器，但是将准稳定状态的分子(噪声源)屏蔽。但是，当检测对象的空间比既定压力低时，元素的自由工序延长，速度也加速，因此离子化而成的稳定的分子也无法通过滤噪器。当检测对象的空间比既定压力低时，检测精度可能会降低。
基板处理装置SPA可以还具备使折流罩40升降的升降机构80。可以在向基板保持部20搬送基板S时以及从基板保持部20搬送基板S时使用升降机构80。如图5例示那样，由基板搬送机构RB对基板S进行搬送。在向基板保持部20搬送(装载)基板时以及从基板保持部20搬送(卸载)基板S时，升降机构80例如可以响应来自于控制器90的指令而将折流罩40配置于第一高度。这里，第一高度是基板搬送机构RB可以在基板保持部20上搬送基板S的高度。在使基板S的膜F干燥时，升降机构80例如可以响应来自于控制器90的指令而将折流罩40配置于比第一高度低的第二高度。这里，第二高度是如图1例示那样用于执行使基板S的膜F干燥的干燥处理的高度。
为了在基板S的全域中均匀进行使基板S的膜F干燥的干燥处理，在折流罩40的上表面与腔室10的顶棚面之间确保相应的距离是有利的。但是，这要求基板处理装置SPA的高度尺寸增大。虽然也可以在向基板保持部20搬送基板S时以及从基板保持部20搬送基板S时使基板保持部20下降，但是在该情况下，基板处理装置SPA的高度尺寸会更增大。另一方面，如上所述，对于为了使基板S的膜均匀干燥而利用在折流罩40的上表面与腔室10的顶棚面之间设置的空间而言，由升降机构80使折流罩40升降的结构是有利的。也就是说，对于抑制基板处理装置SPA的高度尺寸进一步增大而言，由升降机构80使折流罩40升降的结构是有利的。
图6例示了作为基板处理装置SPA的使用方法的基板处理方法。图6所示的基板处理方法，可以由控制器90进行控制。工序S1中，具有膜F的基板S可以被搬送(装载)到在腔室10的内部空间SP1配置的基板保持部20，被载置于基板保持部20。工序S2中，被载置于基板保持部20的基板S被折流罩40覆盖。工序S3中，对腔室10的内部空间SP1进行减压，执行使基板S的膜F干燥的干燥工序。干燥工序可以如上所述是压力的条件不同的多个干燥工序。工序S4中，判定是否全部干燥工序结束。可以基于气体分析仪60的输出来判定干燥工序的结束。这里，在干燥处理包括多个干燥工序的情况下，也可以在多个干燥工序中的最后的干燥工序的开始后实施工序S4。在工序S4中判定为全部干燥工序结束了的情况下，执行工序S5，否则，干燥工序尚未结束，再执行工序S3。工序S5中，由基板保持部20保持的基板S被搬送(卸载)到腔室10的外部空间。
<第二实施方式>
第一实施方式中，说明了气体导入部51(第一供给部)设置于腔室10的侧面的例子。本实施方式中，说明气体导入部51(第一供给部)设置于腔室10的下部(基板S的下方)的例子。另外，由于气体导入部51之外的结构与第一实施方式同样，因而省略说明。另外，本实施方式没有言及的事项，按照第一实施方式。
图7是示出本实施方式中的基板处理装置SPA(减压干燥装置)的结构的示意性的剖视图。图7的箭头符号示出气流的流动，图7的(a)是示出在图4说明了的干燥工序D2(第一干燥工序)中的腔室10内的气流的流动的图，图7的(b)是示出在图4说明了的干燥工序D4(第二干燥工序)中的腔室10内的气流的流动的图。如图7所示，气体导入部51(第一供给部)处于腔室10的下部，可以设置于基板保持部20的中央附近。在基板保持部20的下方形成气体可流入的空间，本实施方式中，该空间也定义为内部空间SP1(第一空间)的一部分。通过由气体导入部51向基板保持部20的下方的中央附近的空间供给惰性气体，各减压机构30的惰性气体的排气量相等，能够减少在内部空间SP1发生的压力分布不均。其结果是，能够在基板S整面使膜F以同一速度进行干燥。
干燥工序D2中，可以对气体导入部51以及气体导入部52进行控制，使得形成图7的(a)所示的气流。具体来讲，在干燥工序D2中进行控制，使得每单位时间从气体导入部51向第一空间供给的惰性气体的量多于每单位时间从气体导入部52向第二空间供给的惰性气体的量。
干燥工序D4中，对气体导入部51以及气体导入部52进行控制，使得形成图7的(b)所示的气流。具体来讲，在干燥工序D4中进行控制，使得每单位时间从气体导入部51向第一空间供给的惰性气体的量少于每单位时间从气体导入部52向第二空间供给的惰性气体的量。
另外，可以对第一供给部进行控制，使得在第一干燥工序中每单位时间向第一空间供给的惰性气体的量多于在第二干燥工序中每单位时间向第一空间供给的惰性气体的量。另外，可以对第二供给部进行控制，使得在第一干燥工序中每单位时间向第二空间供给的惰性气体的量少于在第二干燥工序中每单位时间向第二空间供给的惰性气体的量。
而且，在第一干燥工序从气体导入部52向第二空间供给的惰性气体的供气量也可以是0，在第二干燥工序从气体导入部51向第一空间供给的惰性气体的供气量也可以是0。
通过如上所述对气体导入部51以及气体导入部52进行控制，能够在第一干燥工序中使膜F平坦化。另外，通过如上所述对气体导入部51以及气体导入部52进行控制，能够在第二干燥工序中促进膜F的干燥，并且能够使去除膜F的残留溶剂所需要的时间缩短。
<第三实施方式>
本实施方式中，特别说明与从气体导入部51(第一供给部)供给的惰性气体相比从气体导入部52(第二供给部)供给的气体的温度高因而运动能量高的例子。另外，由于气体导入部52之外的结构与第一实施方式同样，因而省略说明。另外，本实施方式没有言及的事项，按照第一实施方式至第二实施方式。
基板处理装置SPA具备未图示的惰性气体的气体加热机构以及气体温度测量部件。由此，能够向基板收容空间SP2供给加热了的惰性气体。通过向基板收容空间SP2供给惰性气体，能够使基板收容空间SP2快速干燥。例如，在干燥工序D4(第二干燥工序)中，在使内部空间SP1的压力维持为第二压力的状态下，向基板收容空间SP2(第二空间)供给被加热了的惰性气体，来使基板S的膜F干燥。或者也可以是，不仅在干燥工序D4(第二干燥工序)还在其它干燥工序向基板收容空间SP2供给被加热了的惰性气体。
气体加热机构具有对要向基板收容空间SP2供给的惰性气体进行加热的功能。
气体加热机构可以直接设置于基板收容空间SP2，也可以设置于内部空间SP1的外部。另外，气体加热机构也能够设置于气体导入部52。其中，气体加热机构的加热部的热会被形成基板收容空间SP2的壁面隔热，从而充分抑制壁面的升温。
从气体导入部52供给的惰性气体的喷出方向可以朝向基板，也可以朝向形成基板收容空间SP2的壁面。另外，喷出部的前端可以分支，也可以如喷淋头那样有多个喷出口。
如上所述，与从气体导入部51供给的惰性气体相比，从气体导入部52供给的气体的温度高因而运动能量高，能够使基板收容空间SP2内的溶剂快速干燥。其结果是，能够促进膜F的干燥，并且能够使去除膜F的残留溶剂所需要的时间缩短。
<第四实施方式>
本实施方式中，特别说明与从气体导入部51(第一供给部)供给的惰性气体相比从气体导入部52(第二供给部)供给的气体的分子量大的例子。另外，由于气体导入部52之外的结构与第一实施方式同样，因而省略说明。另外，本实施方式没有言及的事项，按照第一实施方式至第三实施方式。
在本实施方式中，与从气体导入部51供给的惰性气体相比，从气体导入部52供给的惰性气体的分子量大。例如，从气体导入部52供给的惰性气体可以是氩气、氪气、氙气、氡气等稀有气体。另外，如果是有与膜F的溶剂不同组分的气体，也可以是惰性气体以外的气体，也可以是二氧化碳等。从气体导入部52供给的惰性气体的喷出方向可以朝向基板，也可以朝向形成基板收容空间SP2的壁面。另外，喷出部的前端可以分支，也可以如喷淋头那样有多个喷出口。
如上所述，与从气体导入部51供给的惰性气体相比，从气体导入部52供给的气体的分子量大因而运动能量高，能够使基板收容空间SP2内的溶剂快速干燥。其结果是，能够促进膜F的干燥，并且能够使去除膜F的残留溶剂所需要的时间缩短。
<第五实施方式>
说明气体喷出口的高度以及方向的具体例。另外，基本的结构与第一实施方式同样，因而省略说明。另外，本实施方式没有言及的事项，按照第一实施方式。
从气体导入部52向折流罩40内部供给的气体喷出口的高度方向的位置优选为，处于相对于折流罩40的高度而为下方的基板S的附近。气体喷出口的高度的上限如果相对于折流罩40的高度而为1/2以下即可。另外，气体的喷出方向可以是与基板S平行的方向，期望是折流罩40具有的多个开口42的方向。气体喷出口的从折流罩40内部的壁面起的水平方向的位置如果是能对折流罩40内部的壁面(例如罩盖的上表面)喷送气体的方向即可。另外，期望是设置为能对折流罩40内部的全部壁面喷送气体。喷出部的前端可以分支，也可以如喷淋头那样有多个喷出口。
如上所述从气体导入部52将气体向折流罩40内部的壁面喷送，由此附着于壁面的溶剂蒸发，蒸发出的溶剂分子因与气体的碰撞而从基板收容空间SP2内部被输送到外部，由此能够加快干燥时间。
其结果是，能够使第二干燥工序的去除膜F的残留溶剂所需要的时间缩短。
<第六实施方式>
本实施方式中，说明从气体导入部52向折流罩40内部供给气体的气体喷出口设置于基板保持部20内的例子。另外，由于气体导入部52之外的结构与第一实施方式同样，因而省略说明。另外，本实施方式没有言及的事项，按照第一实施方式。
图8是示出本实施方式中的基板处理装置SPA(减压干燥装置)的结构的示意性的剖视图。图8的箭头符号示出气流的流动，是示出在图4说明了的干燥工序D4(第二干燥工序)中的腔室10内的气流的流动的图。如图8所示，本实施方式中，从气体导入部52向折流罩40内部供给的气体喷出口可以装备于基板保持部20内。图9是基板S、折流罩40、基板保持部20以及气体导入部52的结构的俯视示意图。如图9所示，气体的喷出口如果在折流罩40内部的壁面与基板S的端部之间即可，如果在能对折流罩40内部的全部壁面喷送气体的位置即可。另外，气体的喷出口的个数也可以是多个。另外，可以如图9的折流罩40的四个角落那样与折流罩40的形状、容积匹配，在需要使气体的量变化的情况下，能够控制喷出口的个数。能够在第一干燥工序以及第二干燥工序对气体喷出时间实施控制。能够在两个干燥工序内任意地控制气体的流量。另外在喷出口为多个的情况下，可以根据喷出位置来个别地控制流量。即，气体导入部52通过变更供给气体的时间以及供给位置，能够控制气体的供给量。
如上所述气体导入部52设置于基板保持部20，由此在折流罩40的空间内不需要气体供给机构，因而在第一干燥工序中，从基板S干燥而出的溶剂的附着部位被限制于折流罩40。其结果是，第二干燥工序中，能够使去除膜F的残留溶剂所需要的时间缩短。
<第七实施方式>
本实施方式中，从气体导入部52供给的气体的喷出口设置于折流罩40的外部。另外，可以具备如下机构，该机构在第一干燥工序结束后将气体的喷出口从使折流罩40上升时与基板保持部20间产生的空间插入到折流罩40内部。另外，期望在气体喷出口插入到折流罩40内部后使折流罩40尽可能下降，使得折流罩40与基板保持部20的间隙减小。
如上所述气体导入部52在第一干燥工序的结束后被插入到折流罩40内部，在第二干燥工序中将气体喷送到折流罩40内部的壁面。由此，在第一干燥工序中，抑制溶剂附着于气体的喷出口，其结果是，在第二干燥工序中，能够促进膜F的干燥，并且能够使去除膜F的残留溶剂所需要的时间缩短。
<物品的制造方法的实施方式>
本发明的实施方式涉及的物品的制造方法例如适用于，使用喷墨印刷装置来制造有机EL(OLED)面板等物品。本实施方式的物品的制造方法包括如下工序(涂布工序)：通过使用喷墨印刷装置的印刷法等在基板上配置或者涂布溶液膜(包含用于形成有机膜的溶质和溶剂而成的溶液)，从而获得涂布基板。另外，包括如下工序(干燥工序)：由上述的减压干燥装置使涂布基板上的溶液膜干燥，从而获得形成有干燥膜的干燥基板。所涉及的制造方法还包括其它公知的工序(烧成、冷却、除湿、干洗浄、电极的形成、封止膜的形成等)。与常规方法相比，本实施方式的物品制造方法在物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一方面是有利的。
以上，说明了本发明的优选实施方式，但本发明不限定于这些实施方式，在其主旨的范围内能够进行各种的变形以及变更。
根据本发明，能够提供对于使基板上的膜干燥而言有利的基板处理装置。

Claims (26)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置通过如下干燥工序使基板上的膜干燥，所述干燥工序包括：
第一干燥工序，使基板上的膜在比既定压力高的压力下进行干燥；以及
第二干燥工序，使所述膜在比所述既定压力低的压力下进行干燥，
所述基板处理装置具有：
基板保持部，其保持所述基板；
腔室；
减压机构，其对所述腔室的内部进行减压；
罩盖，其设置有开口，并且在所述腔室的内部，覆盖被所述基板保持部保持的所述基板；
第一供给部，其向第一空间供给气体，所述第一空间为所述腔室的内部且为所述罩盖的外部；以及
第二供给部，其向第二空间供给气体，所述第二空间为所述腔室的内部且为所述罩盖的内部，
所述第一供给部在所述第一干燥工序中向所述第一空间供给气体，
所述第二供给部在所述第二干燥工序中向所述第二空间供给气体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一供给部向所述基板保持部的下方的空间供给气体。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二供给部贯通设置于所述罩盖的侧面。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一干燥工序中，每单位时间从所述第一供给部向所述第一空间供给的气体的量多于每单位时间从所述第二供给部向所述第二空间供给的气体的量。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第二干燥工序中，每单位时间从所述第一供给部向所述第一空间供给的气体的量少于每单位时间从所述第二供给部向所述第二空间供给的气体的量。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一干燥工序中每单位时间由所述第一供给部向所述第一空间供给的气体的量多于在所述第二干燥工序中每单位时间由所述第一供给部向所述第一空间供给的气体的量。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一干燥工序中每单位时间由所述第二供给部向所述第二空间供给的气体的量少于在所述第二干燥工序中每单位时间由所述第二供给部向所述第二空间供给的气体的量。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有温度控制部，所述温度控制部对所述基板保持部进行加热和冷却中的至少一方。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度控制部进行控制，使得所述基板保持部保持的所述基板的各区域中的温度的差为10度以内。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有升降机构，所述升降机构使所述罩盖进行升降。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述既定压力是基于所述膜包含的溶剂的蒸气压而决定的压力。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述既定压力是所述膜包含的溶剂的蒸气压。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
从所述第一供给部和所述第二供给部供给的气体是惰性气体。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
与从所述第一供给部供给的气体相比，从所述第二供给部供给的气体的运动能量高。
15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
与从所述第一供给部供给的气体相比，从所述第二供给部供给的气体的温度高。
16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
与从所述第一供给部供给的气体相比，从所述第二供给部供给的气体的分子量大。
17.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
从所述第二供给部供给的气体是从相对于所述罩盖的高度而为1/2以下的位置供给的。
18.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
从所述第二供给部供给的气体的吹送方向是向所述罩盖的上表面吹送气体的方向。
19.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二供给部配置于所述基板保持部。
20.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二供给部具备如下机构，该机构配置于所述罩盖的外部，通过使所述升降机构上升而能够插入到所述罩盖的内部。
21.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二供给部通过变更供给气体的时间和供给位置来控制气体的供给量。
22.一种基板处理装置，通过如下干燥工序使基板上的膜干燥，所述干燥工序包括：
第一干燥工序，使基板上的膜在比既定压力高的压力下进行干燥；以及
第二干燥工序，使所述膜在比所述既定压力低的压力下进行干燥，
所述基板处理装置具有：
基板保持部，其保持所述基板；
腔室；
减压机构，其对所述腔室的内部进行减压；
罩盖，其设置有开口，并且在所述腔室的内部，覆盖被所述基板保持部保持的所述基板；以及
供给部，其在所述第一干燥工序时向第一空间供给气体，所述第一空间为所述腔室的内部且为所述罩盖的外部。
23.一种基板处理装置，通过如下干燥工序使基板上的膜干燥，所述干燥工序包括：
第一干燥工序，使基板上的膜在比既定压力高的压力下进行干燥；以及
第二干燥工序，使所述膜在比所述既定压力低的压力下进行干燥，
所述基板处理装置具有：
基板保持部，其保持所述基板；
腔室；
减压机构，其对所述腔室的内部进行减压；
罩盖，其设置有开口，并且在所述腔室的内部，覆盖被所述基板保持部保持的所述基板；以及
供给部，其在所述第二干燥工序时向第二空间供给气体，所述第二空间为所述罩盖的内部。
24.一种基板处理装置，通过如下干燥工序使基板上的膜干燥，所述干燥工序包括：
第一干燥工序，使基板上的膜在比既定压力高的压力下进行干燥；以及
第二干燥工序，使所述膜在比所述既定压力低的压力下进行干燥，
所述基板处理装置具有：
基板保持部，其保持所述基板；
腔室；
减压机构，其对所述腔室的内部进行减压；
罩盖，其设置有开口，并且在所述腔室的内部，覆盖被所述基板保持部保持的所述基板；
第一供给部，其在所述第一干燥工序时向第一空间供给气体，所述第一空间为所述腔室的内部且为所述罩盖的外部；以及
第二供给部，其在所述第二干燥工序时向第二空间供给气体，所述第二空间为所述罩盖的内部。
25.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
第一干燥工序，使用基板处理装置使基板上的膜在比既定压力高的压力下进行干燥；以及
第二干燥工序，使用所述基板处理装置使所述膜在比所述既定压力低的压力下进行干燥，
所述基板处理装置具有：
基板保持部，其保持所述基板；
腔室；
减压机构，其对所述腔室的内部进行减压；
罩盖，其设置有开口，并且在所述腔室的内部，覆盖被所述基板保持部保持的所述基板；
第一供给部，其向第一空间供给气体，所述第一空间为所述腔室的内部且为所述罩盖的外部；以及
第二供给部，其向第二空间供给气体，所述第二空间为所述腔室的内部且为所述罩盖的内部，
所述基板处理方法中，在所述第一干燥工序中，所述第一供给部向所述第一空间供给气体。
26.一种物品的制造方法，其特征在于，包括：
涂布工序，在基板上涂布溶液膜来获得涂布基板；
干燥工序，使用根据权利要求25所述的基板处理方法，使所述涂布基板干燥来获得干燥基板；以及
由所述干燥基板来制造物品。
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