JP2023092249A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板の膜を乾燥させる処理のスループットを向上させる。【解決手段】基板処理装置は、チャンバと、前記チャンバの内部空間を減圧する減圧機構と、膜を有する基板を前記内部空間において保持する基板保持部と、前記内部空間において前記基板保持部によって保持された前記基板を覆うバッフルカバーと、前記基板保持部および前記バッフルカバーによって取り囲まれる基板収容空間の特定ガスを検出するガス分析計と、前記ガス分析計の出力に基づいて前記膜の乾燥の終了を判定するコントローラと、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
特許文献１には、昇華性物質を含む基板を処理室内の基板保持部に載置し処理室内で加熱することによって昇華性物質を蒸発させ、これにより昇華性物質を基板から除去する基板処理装置が記載されている。処理室には、連結部を介して真空ポンプが連結されていて、真空ポンプと処理室との間には、検出器が設けられている。検出器は、昇華性物質の昇華によって発生する気化ガスを検出する。検出器で検出される気化ガスの濃度が所定値以上であれば、昇華性物質が昇華している最中であると判断することができる。一方、検出器で検出される気化ガスの濃度が所定値未満になれば、昇華性物質の昇華が終了したと判断することができる。
特開２０１６－２５２３３号公報
基板が有する膜を乾燥させる処理を行う装置において、その処理の終了のタイミングは、膜が十分に乾燥することが保証されるように決定されうる。しかし、膜が十分に乾燥しているにも関わらず、そのことの検出が遅れると、スループットを向上させることが難しい。
本発明は、基板の膜を乾燥させる処理のスループットを向上させるために有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の１つの側面は、基板処理装置に係り、前記基板処理装置は、チャンバと、前記チャンバの内部空間を減圧する減圧機構と、膜を有する基板を前記内部空間において保持する基板保持部と、前記内部空間において前記基板保持部によって保持された前記基板を覆うバッフルカバーと、前記基板保持部および前記バッフルカバーによって取り囲まれる基板収容空間の特定ガスを検出するガス分析計と、前記ガス分析計の出力に基づいて前記膜の乾燥の終了を判定するコントローラと、を備える。
本発明によれば、基板の膜を乾燥させる処理のスループットを向上させるために有利な技術が提供される。
実施形態の基板処理装置の構成を示す模式的な断面図。 図１におけるＡ－Ａ面から下方を見た平面図。 図１の基板処理装置の一部を拡大した断面図。 実施形態の基板処理装置の有利な点を説明するための図。 乾燥処理における内部空間の圧力の制御を例示する図。 基板の搬送（ロード、アンロード）の様子を模式的に示す図。 実施形態の基板処理装置の使用方法としての基板処理方法を例示する図。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。以下で説明する実施形態および図面において、方向はＸＹＺ座標系によって示される。ＸＹＺ座標系において、ＸＹ平面は水平方向であり、Ｚ軸のマイナス方向は鉛直方向でありうる。
図１は、実施形態の基板処理装置ＳＰＡの構成を示す模式的な断面図である。図２は、図１におけるＡ－Ａ面から下方を見た平面図である。図３は、図１の一部を拡大した図である。基板処理装置ＳＰＡは、膜Ｆを有する基板Ｓの処理を行うように構成されうる。より詳しくは、基板処理装置ＳＰＡは、基板Ｓの膜Ｆを乾燥させる乾燥処理を行うように構成されうる。
膜Ｆは、例えば、有機膜を形成するための溶質と溶媒とを含む溶液で構成される膜（以下、溶液膜）でありうる。溶媒は、大気圧よりも低い減圧環境において蒸発が促進される性質を有しうる。溶媒の蒸発は、例えば、常温（２５℃）より高い温度において促進されうる。有機膜は、例えば、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）素子の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のいずれかでありうる。有機ＥＬ素子の製造は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の各有機膜を基板の上に形成する工程を含みうる。各有機膜を基板の上に形成する工程は、基板の上に溶液膜を印刷法等によって配置あるいは塗布する塗布工程と、該溶液膜を乾燥させて乾燥膜を形成する乾燥工程と、該乾燥膜を焼成する焼成工程とを含みうる。
基板処理装置ＳＰＡは、チャンバ１０を備えうる。チャンバ１０は、外部空間から分離された内部空間ＳＰ１を規定する部材である。チャンバ１０は、内部空間ＳＰ１を囲包する部材であると理解されてもよい。以下では、チャンバ１０によって外縁が規定された内部空間ＳＰ１をチャンバ１０の内部空間ＳＰ１ともいう。チャンバ１０は、少なくとも１つのゲートバルブ１２を備えうる。乾燥処理を施すべき基板Ｓは、ゲートバルブ１２を通してチャンバ１０の外部空間から内部空間ＳＰ１に搬送されうる。また、乾燥処理を経た基板Ｓは、内部空間ＳＰ１から外部空間に搬送されうる。
基板処理装置ＳＰＡは、チャンバ１０の内部空間ＳＰ１を減圧する減圧機構３０を更に備えうる。減圧機構３０は、例えば、複数のポンプを含むことができ、該複数のポンプは、例えば、ドライポンプおよびダイアフラム真空ポンプの少なくとも１つを含みうる。該複数のポンプは、例えば、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、ソープションポンプ、油拡散ポンプ、メカニカルブースターポンプ、エジクタポンプ、油回転真空ポンプの少なくとも１つを更に含みうる。
基板処理装置ＳＰＡは、膜Ｆを有する基板Ｓを保持する基板保持部２０を更に備えうる。基板保持部２０は、内部空間ＳＰ１に配置される。基板処理装置ＳＰＡは、基板保持部２０の温度を制御する温度制御部７０を更に備えうる。温度制御部７０は、典型的には、基板保持部２０を加熱するヒータを含みうるが、基板保持部２０を冷却するクーラを含んでもよい。温度制御部７０は、基板Ｓあるいは基板Ｓの膜Ｆの温度を制御する構成要素として理解されてもよい。
基板処理装置ＳＰＡは、内部空間ＳＰ１において基板保持部２０によって保持された基板Ｓを覆うバッフルカバー４０を更に備えうる。バッフルカバー４０は、図１および図２に例示されるように、複数の開口４２を有しうる。複数の開口４２の配置および寸法は、基板Ｓの膜Ｆの乾燥が均一に行われるように決定されうる。基板保持部２０およびバッフルカバー４０は、バッフルカバー４０が基板Ｓを覆う状態において、基板保持部２０およびバッフルカバー４０によって取り囲まれる基板収容空間ＳＰ２を規定しうる。バッフルカバー４０は、基板Ｓを覆った状態で基板収容空間ＳＰ２と内部空間ＳＰ１とを連通させうる構成を有すればよく、必ずしも開口を有する必要はない。
基板処理装置ＳＰＡは、基板保持部２０およびバッフルカバー４０によって取り囲まれる基板収容空間ＳＰ２の特定ガスを検出するガス分析計６０を備えうる。ガス分析計６０は、質量分析計等の残留ガス分析計（ＲＧＡ）でありうる。ガス分析計６０が検出する特定ガスは、基板Ｓの膜Ｆから蒸発するガス、即ち検出対象のガスである。より具体的には、特定ガスは、溶媒（のガス）でありうる。図３には、基板Ｓの膜Ｆから蒸発によって放出される溶媒（特定ガス）が減圧機構３０によって内部空間ＳＰ１から排出される様子が模式的に示されている。
基板処理装置ＳＰＡは、ガス分析計６０のガス導入口と基板収容空間ＳＰ２とを接続する接続部６２を更に備えうる。ガス導入口は、ガス分析計６０がガスを取り込む開口部である。接続部６２は、可撓性を有するチューブ、例えば、グラスファイバーチューブでありうる。あるいは、接続部６２は、ベローズでもよい。接続部６２は、第１端Ｅ１および第２端Ｅ２を有し、第１端Ｅ１は、ガス分析計６０のガス導入口に接続され、第２端Ｅ２は、バッフルカバー４０の内面から基板収容空間ＳＰ２に突き出るように配置されうる。第２端Ｅ２は、例えば、バッフルカバー４０の側壁の内面から基板収容空間ＳＰ２に突き出るように配置されうる。
基板処理装置ＳＰＡは、コントローラ９０を備えうる。コントローラ９０は、基板Ｓの膜Ｆを乾燥させる乾燥処理を制御するように構成されうる。コントローラ９０は、ガス分析計６０の出力に基づいて基板Ｓの膜Ｆの乾燥の終了を判定するように構成されうる。コントローラ９０は、例えば、ガス分析計６０の出力が、特定ガスの量が予め設定された量であることを示したことに応じて、基板Ｓの膜Ｆの乾燥（膜Ｆを乾燥させる乾燥処理）が終了したと判定するように構成されうる。コントローラ９０は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
ここで、ガス分析計６０によって基板保持部２０およびバッフルカバー４０によって取り囲まれる基板収容空間ＳＰ２の特定ガスを検出する構成の利点について、図４を参照しながら説明する。図４において、点線の曲線は、内部空間ＳＰ１における特定ガス（基板Ｓの膜Ｆから蒸発した溶媒）の濃度を例示している。図４において、実線の曲線は、基板収容空間ＳＰ２における特定ガス（基板Ｓの膜Ｆから蒸発した溶媒）の濃度を例示している。基板Ｓを加熱することで膜Ｆの蒸発が促進され、これにより基板収容空間ＳＰ２の溶媒濃度が内部空間ＳＰ１よりも早く低下する。基板収容空間ＳＰ２に配置された基板Ｓの膜Ｆから蒸発によって放出された溶媒は、バッフルカバー４０の複数の開口４２を通して内部空間ＳＰ１に移動しチャンバ１０の内面において凝縮し該内面に付着しうる。チャンバ１０の内面に多量の溶媒が付着している間は、内部空間ＳＰ１の圧力は、溶媒の蒸気圧に近い圧力に維持されうる。そして、チャンバ１０の内面から溶媒が概ね除去されると、内部空間ＳＰ１の圧力は、溶媒の蒸気圧に近い圧力から更に低い圧力への降下を開始しうる。したがって、基板収容空間ＳＰ２の溶媒の濃度が十分に低下したとしても、バッフルカバー４０とチャンバ１０との間の内部空間ＳＰ１における溶媒の濃度はなかなか低下せず、基板収容空間ＳＰ２における溶媒の濃度よりも遥かに大きな値を維持し続けうる。したがって、ガス分析計６０によって基板保持部２０およびバッフルカバー４０によって取り囲まれる基板収容空間ＳＰ２の特定ガスを検出する構成は、基板Ｓの膜Ｆの乾燥処理の終了を速やかに検出するために有利である。これは、基板Ｓの膜Ｆの乾燥処理を速やかに終了し、スループットを向上させるために効果的である。
図５には、コントローラ９０によって制御されうる乾燥処理における内部空間ＳＰ１の圧力の制御が例示されている。この圧力の制御は、減圧機構３０の制御を含みうる。乾燥処理は、例えば、複数の乾燥工程を含み、コントローラ９０は、複数の乾燥工程が実行されるように減圧機構３０を制御しうる。図５の例では、乾燥処理は、第１乾燥工程Ｄ１、第２乾燥工程Ｄ２、第３乾燥工程Ｄ３、第４乾燥工程Ｄ４を含が、乾燥処理に含まれる複数の乾燥工程の数は、特定の数には限定されない。
第１工程Ｄ１では、例えば、内部空間ＳＰ１の圧力を大気圧から、基板Ｓの膜Ｆ中の溶媒の蒸気圧より高い第１圧力まで、降下させながら基板Ｓの膜Ｆを乾燥させる。第２工程Ｄ２では、例えば、内部空間ＳＰ１の圧力を第１圧力に維持した状態で、基板Ｓの膜Ｆを乾燥させる。第３工程Ｄ３では、例えば、内部空間ＳＰ１の圧力を第１圧力より低く、かつ溶媒の圧力より低い第２圧力まで、降下させながら基板Ｓの膜Ｆを乾燥させる。第４工程Ｄ４では、例えば、内部空間ＳＰ１の圧力を第２圧力に維持した状態で、基板Ｓの膜Ｆを乾燥させる。
一例において、コントローラ９０は、複数の乾燥工程Ｄ１～Ｄ４のうち最後の乾燥工程Ｄ４の終了をガス分析計６０の出力に基づいて判定するように構成されうる。図５に例示されるように、乾燥工程に含まれる複数の乾燥工程では、内部空間ＳＰ１の圧力が互いに異なりうる。ただし、乾燥工程に含まれる複数の乾燥工程の中に、内部空間ＳＰ１の圧力が互いに同じ２以上の乾燥工程が含まれてもよい。
基板処理装置ＳＰＡは、チャンバ１０の内部空間ＳＰ１に不活性ガスを導入するガス導入部５０を更に備えうる。一例において、コントローラ９０は、乾燥処理に含まれる複数の乾燥工程のうち少なくとも最後の乾燥工程（図５の例では、乾燥工程Ｄ４）において内部空間ＳＰ１に不活性ガスが導入されるようにガス導入部５０を制御しうる。ガス導入部５０は、チャンバ１０（の内面）から基板収容空間ＳＰ２まで延びた導入チューブ５２を含みうる。この場合、ガス導入部５０は、内部空間ＳＰ１内に配置された基板収容空間ＳＰ２に不活性ガスを導入する。導入チューブ５２は、バッフルカバー４０の側壁に設けられた貫通孔を通して不活性ガスが基板収容空間ＳＰ２に供給されるように配置されうる。導入チューブ５２の先端は、バッフルカバー４０の内面から基板収容空間ＳＰに対して突出していてもよい。導入チューブ５２は、可撓性を有するチューブでありうる。ガス導入部５０は、基板収容空間ＳＰ２において接続部６２（の第２端Ｅ２）と対向するように配置されたガス導入口を有しうる。
基板収容空間ＳＰ２に対する不活性ガスの供給は、基板Ｓの膜Ｆから蒸発する溶剤を接続部６２の第２端Ｅ２に誘導するために有利である。基板収容空間ＳＰに対する不活性ガスの供給は、また、ある種のガス分析計６０が有するノイズフィルタを機能させるために有利である。そのようなノイズフィルタは、検出対象の空間が所定圧力以上の圧力を有することを要求しうる。具体的には、ある種のガス分析計６０は、イオンソース、四重極マスフィルタ、および、ディテクタの他、イオンソースと四重極マスフィルタとの間に配置されたノイズフィルタを有しうる。ノイズフィルタは、イオンソースでイオン化された安定した元素がノイズフィルタを通り抜けて四重極マスフィルタに到達することを許すが、準安定状態の分子（ノイズ源）を遮断するように構成される。しかし、検出対象の空間が所定圧力より低いと、元素の自由工程が長くなり、スピードも速くなるので、イオン化された安定した分子もノイズフィルタを通り抜けることができなくなる。検出対象の空間が所定圧力より低いと、検出精度が低下しうる。
基板処理装置ＳＰＡは、バッフルカバー４０を昇降させる昇降機構８０を更に備えうる。昇降機構８０は、基板保持部２０への基板Ｓの搬送、および、基板保持部２０からの基板Ｓの搬送の際に使用されうる。基板Ｓの搬送は、図６に例示されるように、搬送機構ＲＢによって行われうる。昇降機構８０は、基板保持部２０への基板の搬送（ロード）、および、基板保持部２０からの基板Ｓの搬送（アンロード）の際に、例えば、コントローラ９０からの指令に応答して、バッフルカバー４０を第１高さに配置しうる。ここで、第１高さは、基板保持部２０の上で基板搬送機構ＲＢが基板Ｓを搬送しうる高さである。昇降機構８０は、基板Ｓの膜Ｆを乾燥させる際に、例えば、コントローラ９０からの指令に応答して、バッフルカバー４０を第１高さより低い第２高さに配置しうる。ここで、第２高さは、図１に例示されるように、基板Ｓの膜Ｆを乾燥させる乾燥処理を実行するための高さである。
基板Ｓの膜Ｆを乾燥させる乾燥処理を基板Ｓの全域において均一に行うためには、バッフルカバー４０の上面とチャンバ１０の天井面との間に相応の距離を確保することが有利である。しかし、これは、基板処理装置ＳＰＡの高さ寸法の増大を要求する。基板保持部２０への基板Ｓの搬送、および、基板保持部２０からの基板Ｓの搬送の際に基板保持部２０を降下させてもよいが、この場合、基板処理装置ＳＰＡの高さ寸法を更に増大させうる。一方、上記のように、昇降機構８０によってバッフルカバー４０を昇降させる構成は、基板Ｓの膜を均一に乾燥させためにバッフルカバー４０の上面とチャンバ１０の天井面との間に設けられた空間を利用するために有利である。つまり、昇降機構８０によってバッフルカバー４０を昇降させる構成は、基板処理装置ＳＰＡの高さ寸法の更なる増大を抑えるために有利である。
図７には、基板処理装置ＳＰＡの使用方法としての基板処理方法が例示されている。図７に示される基板処理方法は、コントローラ９０によって制御されうる。工程Ｓ１では、膜Ｆを有する基板Ｓがチャンバ１０の内部空間ＳＰ１に配置された基板保持部２０に搬送（ロード）され、基板保持部２０に載置されうる。工程Ｓ２では、基板保持部２０に載置された基板Ｓがバッフルカバー４０で覆われうる。工程Ｓ３では、チャンバ１０の内部空間ＳＰ１を減圧して基板Ｓの膜Ｆを乾燥させる乾燥処理が開始される。工程Ｓ４では、基板保持部２０およびバッフルカバー４０によって取り囲まれる基板収容空間ＳＰ２の特定ガス（溶媒）がガス分析計６０によって検出される。工程Ｓ５では、ガス分析計６０の出力に基づいて、基板Ｓの膜を乾燥させる乾燥処理を終了させるかどうかが判定される。ここで、乾燥処理が複数の乾燥工程を含む場合、工程Ｓ５は、該複数の乾燥工程のうち最後の乾燥工程の開始後に実施されてもよい。工程Ｓ５において、乾燥処理を終了させると判定された場合には、工程Ｓ６が実行され、そうでなければ、再び工程Ｓ４が実行される。工程Ｓ６では、基板保持部２０によって保持された基板Ｓがチャンバ１０の外部空間に搬送（アンロード）される。
チャンバ１０の外部空間に搬送された基板Ｓは、その後に更に処理され、これにより、その処理後の基板Ｓから目的物としての物品が得られる。そのような処理は、乾燥させた膜の焼成工程、更なる膜の形成（配置（塗布）、乾燥、焼成）、電極の形成、封止膜の形成等を含みうる。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
１０：チャンバ、ＳＰ１：内部空間、２０：基板保持部、３０：減圧機構、４０：バッフルカバー、ＳＰ２：基板収容空間、６０：ガス分析計、ＳＰＡ：基板処理装置

Claims (19)

  1. チャンバと、
    前記チャンバの内部空間を減圧する減圧機構と、
    膜を有する基板を前記内部空間において保持する基板保持部と、
    前記内部空間において前記基板保持部によって保持された前記基板を覆うバッフルカバーと、
    前記基板保持部および前記バッフルカバーによって取り囲まれる基板収容空間の特定ガスを検出するガス分析計と、
    前記ガス分析計の出力に基づいて前記膜の乾燥の終了を判定するコントローラと、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記バッフルカバーは、複数の開口を有する、
    ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記ガス分析計のガス導入口と前記基板収容空間とを接続する接続部を更に備える、
    ことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  4. 接続部は、第１端および第２端を有し、前記第１端は、前記ガス分析計の前記ガス導入口に接続され、前記第２端は、前記バッフルカバーの内面から前記基板収容空間に突き出るように配置されている、
    ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記第２端は、前記バッフルカバーの側壁の内面から前記基板収容空間に突き出るように配置されている、
    ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記コントローラは、複数の乾燥工程が実行されるように前記減圧機構を制御し、
    前記複数の乾燥工程のうち最後の乾燥工程の終了を前記ガス分析計の出力に基づいて判定する、
    ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  7. 前記複数の乾燥工程では、前記内部空間の圧力が互いに異なる、
    ことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記内部空間に不活性ガスを導入するガス導入部を更に備え、
    前記コントローラは、少なくとも前記最後の乾燥工程において前記内部空間に前記不活性ガスが導入されるように前記ガス導入部を制御する、
    ことを特徴とする請求項６又は７に記載の基板処理装置。
  9. 前記ガス導入部は、前記チャンバから前記基板収容空間まで延びた導入チューブを含む、
    ことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記導入チューブは、前記バッフルカバーの側壁に設けられた貫通孔を通して前記不活性ガスが前記基板収容空間に供給されるように配置されている、
    ことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記内部空間に不活性ガスを導入するガス導入部を更に備える、
    ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  12. 前記ガス導入部は、前記チャンバから前記基板収容空間まで延びた導入チューブを含む、
    ことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 前記導入チューブは、前記バッフルカバーの側壁に設けられた貫通孔を通して前記不活性ガスが前記基板収容空間に供給されるように配置されている、
    ことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 前記基板収容空間に不活性ガスを導入するガス導入部を更に備え、
    前記ガス導入部は、前記基板収容空間において前記接続部と対向するように配置されたガス導入口を有する、
    ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  15. 前記基板保持部の温度を制御する温度制御部を更に備える、
    ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  16. 前記バッフルカバーを昇降させる昇降機構を更に備える、
    ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  17. 前記昇降機構は、前記基板保持部への前記基板の搬送、および、前記基板保持部からの前記基板の搬送の際に前記バッフルカバーを第１高さに配置し、前記基板の前記膜を乾燥させる際に前記バッフルカバーを前記第１高さより低い第２高さに配置する、
    ことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 膜を有する基板をチャンバの内部空間に配置された基板保持部に搬送する工程と、
    前記基板保持部に載置された前記基板をバッフルカバーで覆う工程と、
    前記内部空間を減圧して前記膜を乾燥させる工程と、
    前記基板保持部および前記バッフルカバーによって取り囲まれる基板収容空間の特定ガスを検出するガス分析計の出力に基づいて前記膜の乾燥の終了を判定する工程と、
    を含むことを特徴とする基板処理方法。
  19. 前記基板保持部によって保持された前記基板を前記チャンバの外部空間に搬送する工程と、
    前記外部空間に搬送された前記基板を処理して物品を得る工程と、
    を含むことを特徴とする請求項１８に記載の基板処理方法。
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