KR20230094997A - 기판　처리 장치 및 기판　처리 방법 - Google Patents

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drying
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토모후미 니시카와라
카츠시 키시모토
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

기판　처리 장치는, 챔버와, 상기 챔버의 내부공간을 감압하는 감압 기구와, 막을 가지는 기판을 상기 내부공간에서 보유지지하는 기판보유지지부와, 복수의 개구가 설치되며 상기 내부공간에서 상기 기판보유지지부에 의해 보유지지된 상기 기판을 덮는 커버와, 상기 기판보유지지부 및 상기 커버에 의해 둘러싸여진 기판 수용 공간의 특정 가스를 검출하는 가스 분석계와, 상기 가스 분석계의 출력에 기초하여 상기 막의 건조 종료를 판정하는 컨트롤러를 구비한다.

Description

기판　처리 장치 및 기판　처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 기판　처리 장치 및 기판　처리 방법에 관한 것이다.
일본특허공개 2016-25233호 공보에는, 승화성 물질을 포함하는 기판을 처리실내의 기판보유지지부에 재치하고, 처리실내에서 가열함으로써 승화성 물질을 증발시켜, 이에 의해 승화성 물질을 기판으로부터 제거하는 기판　처리 장치가 기재되어 있다. 처리실에는, 연결부를 통해서 진공펌프가 연결되고, 진공펌프와 처리실과의 사이에는, 검출기가 설치되어 있다. 검출기는, 승화성 물질의 승화에 의해 발생하는 기화 가스를 검출한다. 검출기에 의해 검출되는 기화 가스의 농도가 소정값 이상이면, 승화성 물질이 승화하고 있는 도중이라고 판단할 수 있다. 한편, 검출기에서 검출되는 기화 가스의 농도가 소정값 미만이 되면, 승화성 물질의 승화가 종료했다고 판단할 수 있다.
기판이 가지는 막을 건조시키는 처리를 행하는 장치에 있어서, 그 처리의 종료 타이밍은, 막이 충분히 건조되는 것이 보증되도록 결정될 수 있다. 그러나, 막이 충분히 건조되어 있음에도, 그의 검출이 늦어지면, 스루풋을 향상시키는 것이 어렵다.
본 발명은, 기판의 막을 건조시키는 처리의 스루풋을 향상시키기 위해서 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 제1 측면은, 기판　처리 장치에 관한 것으로, 상기 기판　처리 장치는, 챔버와, 상기 챔버의 내부공간을 감압하는 감압 기구와, 막을 가지는 기판을 상기 내부공간에서 보유지지하는 기판보유지지부와, 복수의 개구가 설치되며 상기 내부공간에서 상기 기판보유지지부에 의해 보유지지된 상기 기판을 덮는 커버와, 상기 기판보유지지부 및 상기 커버에 의해 둘러싸여진 기판 수용 공간의 특정 가스를 검출하는 가스 분석계와, 상기 가스 분석계의 출력에 기초하여 상기 막의 건조 종료를 판정하는 컨트롤러를 구비한다. 　본 발명의 제2 측면은, 기판　처리 방법에 관한 것으로, 상기 기판　처리 방법은, 막을 가지는 기판을 챔버의 내부공간에 배치된 기판보유지지부에 반송하는 공정과, 상기 기판보유지지부에 재치된 상기 기판을 복수의 개구가 설치된 커버로 덮는 공정과, 상기 내부공간을 감압하여 상기 막을 건조시키는 공정과, 상기 기판보유지지부 및 상기 커버에 의해 둘러싸여진 기판 수용 공간의 특정 가스를 검출하는 가스 분석계의 출력에 기초하여 상기 막의 건조 종료를 판정하는 공정을 포함한다.
본 발명에 의하면, 기판의 막을 건조시키는 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시 형태의 기판　처리 장치의 구성을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 있어서의 A-A면으로부터 하방을 본 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판　처리 장치의 일부를 확대한 단면도이다.
도 4는 실시 형태의 기판　처리 장치의 장점을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 건조 처리에 있어서의 내부공간의 압력 제어를 예시하는 도면이다.
도 6은 기판의 반송(로드, 언로드)의 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 실시 형태의 기판　처리 장치의 사용 방법으로서의 기판　처리 방법을 예시하는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조해서 실시 형태를 자세하게 설명한다. 한편, 이하의 실시 형태는 특허 청구 범위에 관한 발명을 한정하는 것이 아니다. 실시 형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이 복수의 특징 모두가 발명에 필수적인 것은 아니고, 또한, 복수의 특징은 임의로 조합되어도 된다. 또한, 첨부 도면에 있어서는, 동일 또는 마찬가지의 구성에 동일한 참조번호를 붙이고, 중복한 설명은 생략한다. 이하에서 설명하는 실시 형태 및 도면에 있어서, 방향은 XYZ좌표계에 의해 나타내진다. XYZ좌표계에 있어서, XY평면은 수평방향이며, Z축의 마이너스 방향은 연직방향일 수 있다.
도 1은, 실시 형태의 기판　처리 장치(SPA)의 구성을 나타내는 모식적인 단면도이다. 도 2는, 도 1에 있어서의 A-A면으로부터 하방을 본 평면도이다. 도 3은, 도 1의 일부를 확대한 도면이다. 기판　처리 장치(SPA)는, 막(F)를 가지는 기판(S)의 처리를 행하도록 구성될 수 있다. 보다 상세하게는, 기판　처리 장치(SPA)는, 기판(S)의 막(F)을 건조시키는 건조 처리를 행하도록 구성될 수 있다.
막(F)은, 예를 들면, 유기막을 형성하기 위한 용질과 용매를 포함하는 용액으로 구성되는 막(이하, 용액막)일 수 있다. 용매는, 대기압보다도 낮은 감압 환경에서 증발이 촉진되는 성질을 가질 수 있다. 용매의 증발은, 예를 들면, 상온(25℃)보다 높은 온도에서 촉진될 수 있다. 유기막은, 예를 들면, 유기 EL(OLED) 소자의 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 중 어느 하나일 수 있다. 유기 EL 소자의 제조는, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등의 각 유기막을 기판 위에 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 각 유기막을 기판 위에 형성하는 공정은, 기판 위에 용액막을 인쇄법 등에 의해 배치 혹은 도포하는 도포 공정과, 해당 용액막을 건조시켜서 건조막을 형성하는 건조 공정과, 해당 건조막을 소성하는 소성공정을 포함할 수 있다.
기판　처리 장치(SPA)는, 챔버(10)를 구비할 수 있다. 챔버(10)는, 외부공간으로부터 분리된 내부공간(SP1)을 규정하는 부재이다. 챔버(10)는, 내부공간(SP1)을 둘러싸서 포함하는 부재라고 이해되어도 된다. 이하에서는, 챔버(10)에 의해 외연이 규정된 내부공간(SP1)을 챔버(10)의 내부공간(SP1)이라고도 말한다. 챔버(10)는, 적어도 하나의 게이트 밸브(12)를 구비할 수 있다. 건조 처리를 실시해야 할 기판(S)은, 게이트 밸브(12)를 통해서 챔버(10)의 외부공간으로부터 내부공간(SP1)으로 반송될 수 있다. 또한, 건조 처리를 완료한 기판(S)은, 내부공간(SP1)으로부터 외부공간으로 반송될 수 있다.
기판　처리 장치(SPA)는, 챔버(10)의 내부공간(SP1)을 감압하는 감압 기구(30)를 더 구비할 수 있다. 감압 기구(30)는, 예를 들면, 복수의 펌프를 포함할 수 있고, 해당 복수의 펌프는, 예를 들면, 드라이 펌프 및 다이아프램 진공펌프 중 적어도 1개를 포함할 수 있다. 해당 복수의 펌프는, 예를 들면, 터보 분자 펌프, 크라이오 펌프, 흡착 펌프, 오일확산펌프, 메커니컬 부스터 펌프, 이젝터 펌프, 오일회전 진공펌프 중 적어도 1개를 더 포함할 수 있다.
기판　처리 장치(SPA)는, 막(F)을 가지는 기판(S)을 보유지지하는 기판보유지지부(20)를 더 구비할 수 있다. 기판보유지지부(20)는, 내부공간(SP1)에 배치된다. 기판　처리 장치(SPA)는, 기판보유지지부(20)의 온도를 제어하는 온도제어부(70)를 더 구비할 수 있다. 온도제어부(70)는, 전형적으로는, 기판보유지지부(20)를 가열하는 히터를 포함할 수 있지만, 기판보유지지부(20)를 냉각하는 쿨러를 포함해도 된다. 온도제어부(70)는, 기판(S) 혹은 기판(S)의 막(F)의 온도를 제어하는 구성요소로서 이해되어도 된다.
기판　처리 장치(SPA)는, 내부공간(SP1)에 있어서 기판보유지지부(20)에 의해 보유지지된 기판(S)을 덮는 배플 커버(커버)(40)를 더 구비할 수 있다. 배플 커버(40)는, 도 1 및 도 2에 예시된 바와 같이, 복수의 개구(42)를 가질 수 있다. 복수의 개구(42)의 배치 및 치수는, 기판(S)의 막(F)의 건조가 균일하게 행하여지도록 결정될 수 있다. 기판보유지지부(20) 및 배플 커버(40)는, 배플 커버(40)가 기판(S)을 덮은 상태에 있어서, 기판보유지지부(20) 및 배플 커버(40)에 의해 둘러싸지는 기판 수용 공간(SP2)을 규정할 수 있다. 배플 커버(40)는, 기판(S)을 덮은 상태에서 기판 수용 공간(SP2)과 내부공간(SP1)을 연통시킬 수 있는 구성을 가지면 되고, 반드시 개구를 가질 필요는 없다.
기판　처리 장치(SPA)는, 기판보유지지부(20) 및 배플 커버(40)에 의해 둘러싸지는 기판 수용 공간(SP2)의 특정 가스를 검출하는 가스 분석계(60)를 구비할 수 있다. 가스 분석계(60)는, 질량 분석계 등의 잔류 가스 분석계(RGA)일 수 있다. 가스 분석계(60)가 검출하는 특정 가스는, 기판(S)의 막(F)으로부터 증발하는 가스, 즉 검출 대상의 가스이다. 보다 구체적으로는, 특정 가스는, 용매(의 가스)일 수 있다. 도 3에는, 기판(S)의 막(F)으로부터 증발에 의해 방출되는 용매(특정 가스)가 감압 기구(30)에 의해 내부공간(SP1)로부터 배출되는 모습이 모식적으로 나타내져 있다.
기판　처리 장치(SPA)는, 가스 분석계(60)의 가스 도입구와 기판 수용 공간(SP2)을 접속하는 접속부(62)를 더 구비할 수 있다. 가스 도입구는, 가스 분석계(60)가 가스를 받아들이는 개구부이다. 접속부(62)는, 가요성을 가지는 튜브, 예를 들면, 유리 섬유(glass fiber) 튜브일 수 있다. 혹은, 접속부(62)는, 벨로우즈이어도 된다. 접속부(62)는, 제1단(E1) 및 제2단(E2)을 가지고, 제1단(E1)은, 가스 분석계(60)의 가스 도입구에 접속되고, 제2단(E2)은, 배플 커버(40)의 내면으로부터 기판 수용 공간(SP2)으로 돌출하도록 배치될 수 있다. 제2단(E2)은, 예를 들면, 배플 커버(40)의 측벽 내면으로부터 기판 수용 공간(SP2)으로 돌출하도록 배치될 수 있다.
기판　처리 장치(SPA)는, 컨트롤러(90)를 구비할 수 있다. 컨트롤러(90)는, 기판(S)의 막(F)을 건조시키는 건조 처리를 제어하도록 구성될 수 있다. 컨트롤러(90)는, 가스 분석계(60)의 출력에 기초하여 기판(S)의 막(F)의 건조의 종료를 판정하도록 구성될 수 있다. 컨트롤러(90)는, 예를 들면, 가스 분석계(60)의 출력이, 특정 가스의 양이 미리 설정된 양인 것을 나타낸 것에 따라, 기판(S)의 막(F)의 건조(막(F)을 건조시키는 건조 처리)가 종료되었다고 판정하도록 구성될 수 있다. 컨트롤러(90)는, 예를 들면, FPGA(Field Programmable Gate Array의 약어) 등의 PLD(Programmable Logic Device의 약어), 또는, ASIC(Application Specific Integrated Circuit의 약어), 또는, 프로그램이 갖추어진 범용 또는 전용의 컴퓨터, 또는, 이들의 전부 또는 일부의 조합에 의해 구성될 수 있다.
여기에서, 가스 분석계(60)에 의해 기판보유지지부(20) 및 배플 커버(40)에 의해 둘러싸여진 기판 수용 공간(SP2)의 특정 가스를 검출하는 구성의 이점에 대해서, 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4에 있어서, 점선의 곡선은, 내부공간(SP1)에 있어서의 특정 가스(기판(S)의 막(F)으로부터 증발한 용매)의 농도를 예시하고 있다. 도 4에 있어서, 실선의 곡선은, 기판 수용 공간(SP2)에 있어서의 특정 가스(기판(S)의 막(F)으로부터 증발한 용매)의 농도를 예시하고 있다. 기판(S)을 가열함으로써 막(F)의 증발이 촉진되며, 이에 의해 기판 수용 공간(SP2)의 용매 농도가 내부공간(SP1)보다도 빨리 저하된다. 기판 수용 공간(SP2)에 배치된 기판(S)의 막(F)으로부터 증발에 의해 방출된 용매는, 배플 커버(40)의 복수의 개구(42)을 통해서 내부공간(SP1)으로 이동하여 챔버(10)의 내면에서 응축하고, 해당 내면에 부착될 수 있다. 챔버(10)의 내면에 다량의 용매가 부착되어 있는 동안, 내부공간(SP1)의 압력은, 용매의 증기압에 가까운 압력으로 유지될 수 있다. 그리고, 챔버(10)의 내면에서 용매가 대체로 제거되면, 내부공간(SP1)의 압력은, 용매의 증기압에 가까운 압력으로부터 더 낮은 압력으로의 강하를 시작할 수 있다. 따라서, 기판 수용 공간(SP2)의 용매 농도가 충분히 저하되었다고 하여도, 배플 커버(40)와 챔버(10)와의 사이의 내부공간(SP1)에 있어서의 용매의 농도는 별로 저하되지 않고, 기판 수용 공간(SP2)에 있어서의 용매의 농도보다도 훨씬 큰 값을 계속해서 유지할 수 있다. 따라서, 가스 분석계(60)에 의해 기판보유지지부(20) 및 배플 커버(40)에 의해 둘러싸지는 기판 수용 공간(SP2)의 특정 가스를 검출하는 구성은, 기판(S)의 막(F)의 건조 처리의 종료를 신속하게 검출하는데 유리하다. 이는, 기판(S)의 막(F)의 건조 처리를 신속하게 종료하여, 스루풋을 향상시키는데 효과적이다.
도 5에는, 컨트롤러(90)에 의해 제어될 수 있는 건조 처리에 있어서의 내부공간(SP1)의 압력 제어가 예시되고 있다. 이 압력의 제어는, 감압 기구(30)의 제어를 포함할 수 있다. 건조 처리는, 예를 들면, 복수의 건조 공정을 포함하고, 컨트롤러(90)는, 복수의 건조 공정이 실행되도록 감압 기구(30)를 제어할 수 있다. 도 5의 예에서는, 건조 처리는, 제1 건조 공정(D1), 제2 건조 공정(D2), 제3 건조 공정(D3), 제4 건조 공정(D4)을 포함하나, 건조 처리에 포함되는 복수의 건조 공정의 수는, 특정한 수에는 한정되지 않는다.
제1 공정(D1)에서는, 예를 들면, 내부공간(SP1)의 압력을 대기압으로부터, 기판(S)의 막(F)중의 용매의 증기압보다 높은 제1 압력까지 강하시키면서 기판(S)의 막(F)을 건조시킨다. 제2 공정(D2)에서는, 예를 들면, 내부공간(SP1)의 압력을 제1 압력으로 유지한 상태에서, 기판(S)의 막(F)을 건조시킨다. 제3 공정(D3)에서는, 예를 들면, 내부공간(SP1)의 압력을 제1 압력보다 낮고, 또한 용매의 압력보다 낮은 제2 압력까지 강하시키면서 기판(S)의 막(F)을 건조시킨다. 제4 공정(D4)에서는, 예를 들면, 내부공간(SP1)의 압력을 제2 압력으로 유지한 상태에서, 기판(S)의 막(F)을 건조시킨다.
일 예에 있어서, 컨트롤러(90)는, 복수의 건조 공정(D1~D4) 중 최후의 건조 공정(D4)의 종료를 가스 분석계(60)의 출력에 기초하여 판정하도록 구성될 수 있다. 도 5에 예시된 바와 같이, 건조 공정에 포함되는 복수의 건조 공정에서는, 내부공간(SP1)의 압력이 서로 다를 수 있다. 단, 건조 공정에 포함되는 복수의 건조 공정 중 내부공간(SP1)의 압력이 서로 같은 2 이상의 건조 공정이 포함되어도 된다.
기판　처리 장치(SPA)는, 챔버(10)의 내부공간(SP1)에 불활성 가스를 도입하는 가스 도입부(50)를 더 구비할 수 있다. 일 예에 있어서, 컨트롤러(90)는, 건조 처리에 포함되는 복수의 건조 공정 중 적어도 최후의 건조 공정(도 5의 예에서는, 건조 공정(D4))에 있어서 내부공간(SP1)에 불활성 가스가 도입되도록 가스 도입부(50)를 제어할 수 있다. 가스 도입부(50)는, 챔버(10)(의 내면)로부터 기판 수용 공간(SP2)까지 연장한 도입 튜브(52)를 포함할 수 있다. 이 경우, 가스 도입부(50)는, 내부공간(SP1)내에 배치된 기판 수용 공간(SP2)에 불활성 가스를 도입한다. 도입 튜브(52)는, 배플 커버(40)의 측벽에 설치된 관통 구멍을 통해서 불활성 가스가 기판 수용 공간(SP2)에 공급되도록 배치될 수 있다. 도입 튜브(52)의 선단은, 배플 커버(40)의 내면으로부터 기판 수용 공간(SP2)에 대하여 돌출되어도 된다. 도입 튜브(52)는, 가요성을 가지는 튜브일 수 있다. 가스 도입부(50)는, 기판 수용 공간(SP2)에 있어서 접속부(62)(의 제2단(E2))과 대향하도록 배치된 가스 도입구를 가질 수 있다.
기판 수용 공간(SP2)에 대한 불활성 가스의 공급은, 기판(S)의 막(F)으로부터 증발하는 용제를 접속부(62)의 제2단(E2)으로 유도하는데 유리하다. 기판 수용 공간(SP2)에 대한 불활성 가스의 공급은, 또한, 어떤 종류의 가스 분석계(60)가 가지는 노이즈 필터를 기능시키는데 유리하다. 그러한 노이즈 필터는, 검출 대상의 공간이 소정압력 이상의 압력을 가지는 것을 요구할 수 있다. 구체적으로는, 어떤 종류의 가스 분석계(60)는, 이온 소스, 사중극 매스 필터, 및 디텍터 이외에, 이온 소스와 사중극 매스 필터와의 사이에 배치된 노이즈 필터를 가질 수 있다. 노이즈 필터는, 이온 소스에서 이온화된 안정된 원소가 노이즈 필터를 빠져 나가서 사중극 매스 필터에 도달하는 것을 허용하지만, 준안정 상태의 분자(노이즈원)를 차단하도록 구성된다. 그러나, 검출 대상의 공간이 소정 압력보다 낮으면, 원소의 자유 공정이 길어져, 스피드도 빨라지므로, 이온화된 안정된 분자도 노이즈 필터를 빠져 나갈 수 없어진다. 검출 대상의 공간이 소정 압력보다 낮으면, 검출 정밀도가 저하될 수 있다.
기판　처리 장치(SPA)는, 배플 커버(40)를 승강시키는 승강 기구(80)를 더 구비할 수 있다. 승강 기구(80)는, 기판보유지지부(20)로의 기판(S)의 반송, 및, 기판보유지지부(20)로부터의 기판(S)의 반송시에 사용될 수 있다. 기판(S)의 반송은, 도 6에 예시된 바와 같이, 반송 기구(RB)에 의해 행하여질 수 있다. 승강 기구(80)는, 기판보유지지부(20)로의 기판의 반송(로드), 및, 기판보유지지부(20)로부터의 기판(S)의 반송(언로드)시에, 예를 들면, 컨트롤러(90)로부터의 지령에 응답하여, 배플 커버(40)를 제1 높이에 배치할 수 있다. 여기에서, 제1 높이는, 기판보유지지부(20) 위에서 기판반송 기구(RB)가 기판(S)을 반송할 수 있는 높이이다. 승강 기구(80)는, 기판(S)의 막(F)을 건조시킬 때에, 예를 들면, 컨트롤러(90)로부터의 지령에 응답하여, 배플 커버(40)를 제1 높이보다 낮은 제2 높이에 배치할 수 있다. 여기에서, 제2 높이는, 도 1에 예시된 바와 같이, 기판(S)의 막(F)을 건조시키는 건조 처리를 실행하기 위한 높이이다.
기판(S)의 막(F)을 건조시키는 건조 처리를 기판(S)의 전역에 있어서 균일하게 행하기 위해서는, 배플 커버(40)의 상면과 챔버(10)의 천장면과의 사이에 상응한 거리를 확보하는 것이 유리하다. 그러나, 이는, 기판　처리 장치(SPA)의 높이 치수의 증대를 요구한다. 기판보유지지부(20)로의 기판(S)의 반송, 및, 기판보유지지부(20)로부터의 기판(S)의 반송시에 기판보유지지부(20)를 강하시켜도 되지만, 이 경우, 기판　처리 장치(SPA)의 높이 치수를 더 증대시킬 수 있다. 한편, 상기한 바와 같이, 승강 기구(80)에 의해 배플 커버(40)를 승강시키는 구성은, 기판(S)의 막을 균일하게 건조시키기 위해서 배플 커버(40)의 상면과 챔버(10)의 천장면과의 사이에 설치된 공간을 이용하는데 유리하다. 즉, 승강 기구(80)에 의해 배플 커버(40)를 승강시키는 구성은, 기판　처리 장치(SPA)의 높이 치수의 추가적인 증대를 억제하는데 유리하다.
도 7에는, 기판　처리 장치(SPA)의 사용 방법으로서의 기판　처리 방법이 예시되어 있다. 도 7에 나타내지는 기판　처리 방법은, 컨트롤러(90)에 의해 제어될 수 있다. 공정(S1)에서는, 막(F)을 가지는 기판(S)이 챔버(10)의 내부공간(SP1)에 배치된 기판보유지지부(20)에 반송(로드)되어, 기판보유지지부(20)에 재치될 수 있다. 공정(S2)에서는, 기판보유지지부(20)에 재치된 기판(S)이 배플 커버(40)로 덮여질 수 있다. 공정(S3)에서는, 챔버(10)의 내부공간(SP1)을 감압하여 기판(S)의 막(F)을 건조시키는 건조 처리가 개시된다. 공정(S4)에서는, 기판보유지지부(20) 및 배플 커버(40)에 의해 둘러싸여진 기판 수용 공간(SP2)의 특정 가스(용매)가 가스 분석계(60)에 의해 검출된다. 공정(S5)에서는, 가스 분석계(60)의 출력에 기초하여 기판(S)의 막을 건조시키는 건조 처리를 종료시킬 것인가 아닌가가 판정된다. 여기에서, 건조 처리가 복수의 건조 공정을 포함할 경우, 공정(S5)은, 해당 복수의 건조 공정 중 최후의 건조 공정의 시작후에 실시되어도 된다. 공정(S5)에 있어서, 건조 처리를 종료시키는 것으로 판정되었을 경우에는, 공정(S6)이 실행되며, 그렇지 않으면, 다시 공정(S4)이 실행된다. 공정(S6)에서는, 기판보유지지부(20)에 의해 보유지지된 기판(S)이 챔버(10)의 외부공간으로 반송(언로드)된다.
챔버(10)의 외부공간으로 반송된 기판(S)은, 그 후에 더 처리되어, 이에 의해, 그 처리후의 기판(S)으로부터 목적물로서의 물품이 얻어진다. 그러한 처리는, 건조시킨 막의 소성공정, 추가적인 막의 형성(배치(도포), 건조, 소성), 전극의 형성, 봉지막의 형성 등을 포함할 수 있다.
본 발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것이 아니고, 발명의 사상 및 범위로부터 이탈하지 않고도, 여러가지 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 발명의 범위를 공공연히 하기 위해서 청구항을 첨부한다.
10:챔버, SP1:내부공간, 20:기판보유지지부, 30:감압 기구, 40:배플 커버, SP2:기판 수용 공간, 60:가스 분석계, SPA:기판　처리 장치

Claims (18)

  1. 챔버와,
    상기 챔버의 내부공간을 감압하는 감압 기구와,
    막을 가지는 기판을 상기 내부공간에서 보유지지하는 기판보유지지부와,
    복수의 개구가 설치되고, 상기 내부공간에서 상기 기판보유지지부에 의해 보유지지된 상기 기판을 덮는 커버와,
    상기 기판보유지지부 및 상기 커버에 의해 둘러싸여진 기판 수용 공간의 특정 가스를 검출하는 가스 분석계와,
    상기 가스 분석계의 출력에 기초하여 상기 막의 건조의 종료를 판정하는 컨트롤러를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 분석계의 가스 도입구와 상기 기판 수용 공간을 접속하는 접속부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기　접속부는, 제1단 및 제2단을 가지고, 상기 제1단은, 상기 가스 분석계의 상기 가스 도입구에 접속되며, 상기 제2단은, 상기 커버의 내면으로부터 상기 기판 수용 공간으로 돌출되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2단은, 상기 커버의 측벽의 내면으로부터 상기 기판 수용 공간으로 돌출되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 복수의 건조 공정이 실행되도록 상기 감압 기구를 제어하고,
    상기 복수의 건조 공정 중 최후의 건조 공정의 종료를 상기 가스 분석계의 출력에 기초하여 판정하는 것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 건조 공정에서는, 상기 내부공간의 압력이 서로 다른　것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 내부공간에 불활성 가스를 도입하는 가스 도입부를 더 구비하고,
    상기 컨트롤러는, 적어도 상기 최후의 건조 공정에 있어서 상기 내부공간에 상기 불활성 가스가 도입되도록 상기 가스 도입부를 제어하는　것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 가스 도입부는, 상기 챔버로부터 상기 기판 수용 공간까지 연장하는 도입 튜브를 포함하는　것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 도입 튜브는, 상기 커버의 측벽에 설치된 관통 구멍을 통해서 상기 불활성 가스가 상기 기판 수용 공간에 공급되도록 배치되는　것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 내부공간에 불활성 가스를 도입하는 가스 도입부를 더 구비하는　것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 가스 도입부는, 상기 챔버로부터 상기 기판 수용 공간까지 연장하는 도입 튜브를 포함하는　것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 도입 튜브는, 상기 커버의 측벽에 설치된 관통 구멍을 통해서 상기 불활성 가스가 상기 기판 수용 공간에 공급되도록 배치되는　것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  13. 제2항에 있어서,
    상기 기판 수용 공간에 불활성 가스를 도입하는 가스 도입부를 더 구비하고,
    상기 가스 도입부는, 상기 기판 수용 공간에 있어서 상기 접속부와 대향하도록 배치된 가스 도입구를 가지는　것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기판보유지지부의 온도를 제어하는 온도제어부를 더 구비하는　것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커버를 승강시키는 승강 기구를 더 구비하는　것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 승강 기구는, 상기 기판보유지지부로의 상기 기판의 반송 , 및, 상기 기판보유지지부로부터의 상기 기판의 반송시에 상기 커버를 제1 높이에 배치하고, 상기 기판의 상기 막을 건조시킬 때에 상기 커버를 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이에 배치하는 것을 특징으로 하는 기판　처리 장치.
  17. 막을 가지는 기판을 챔버의 내부공간에 배치된 기판보유지지부로 반송하는 공정과,
    상기 기판보유지지부에 재치된 상기 기판을, 복수의 개구가 설치된 커버로 덮는 공정과,
    상기 내부공간을 감압하여 상기 막을 건조시키는 공정과,
    상기 기판보유지지부 및 상기 커버에 의해 둘러싸여진 기판 수용 공간의 특정 가스를 검출하는 가스 분석계의 출력에 기초하여 상기 막의 건조 종료를 판정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판　처리 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 기판보유지지부에 의해 보유지지된 상기 기판을 상기 챔버의 외부공간으로 반송하는 공정과,
    상기 외부공간으로 반송된 상기 기판을 처리해서 물품을 얻는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판　처리 방법.
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