KR20210035217A - 성막 장치 - Google Patents

성막 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210035217A
KR20210035217A KR1020217004552A KR20217004552A KR20210035217A KR 20210035217 A KR20210035217 A KR 20210035217A KR 1020217004552 A KR1020217004552 A KR 1020217004552A KR 20217004552 A KR20217004552 A KR 20217004552A KR 20210035217 A KR20210035217 A KR 20210035217A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas supply
film forming
film
forming apparatus
supply unit
Prior art date
Application number
KR1020217004552A
Other languages
English (en)
Inventor
하치시로 이이즈카
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20210035217A publication Critical patent/KR20210035217A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

적재대는, 성막 대상이 된 피처리체가 배치된다. 가스 공급부는, 적재대와 대향하도록 배치되어, 소정의 온도로 제어되는 히터가 마련되고, 캐리어 가스를 공급한다. 기화부는, 적재대와 가스 공급부 사이에 배치되고, 가스 공급부로부터의 열에 의해 가열되어, 액체로 공급되는 성막 재료를 기화한다.

Description

성막 장치
본 개시는, 성막 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 성막에 사용하는 액체의 성막 재료를 기화기에서 기화하고, 기화한 성막 재료 가스를 캐리어 가스와 함께 샤워 헤드에 수송하여, 기판을 향해 분출해서 기판에 성막을 행하는 것이 개시되어 있다.
국제 공개 제2017/189135호
본 개시는, 액체의 성막 재료를 피처리체에 보다 가까운 위치에서 기화해서 성막을 행하는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 성막 장치는, 적재대와, 가스 공급부와, 기화부를 갖는다. 적재대는, 성막 대상이 된 피처리체가 배치된다. 가스 공급부는, 적재대와 대향하도록 배치되어, 소정의 온도로 제어되는 히터가 마련되고, 캐리어 가스를 공급한다. 기화부는, 적재대와 가스 공급부 사이에 배치되고, 가스 공급부로부터의 열에 의해 가열되어, 액체로 공급되는 성막 재료를 기화한다.
본 개시에 의하면, 액체의 성막 재료를 피처리체에 보다 가까운 위치에서 기화해서 성막을 행할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 성막 장치의 개략 구성의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 2a는 실시 형태에 따른 성막 장치의 상세한 구성의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 2b는 도 2a의 일부를 확대한 도면이다.
도 3은 실시 형태에 따른 기화 기판의 상세한 구성의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 4a는 실시 형태에 따른 공급 기구의 상세한 구성의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 4b는 실시 형태에 따른 공급 기구의 상세한 구성의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 5a는 실시 형태에 따른 성막 처리의 흐름의 일례를 설명하는 도면이다.
도 5b는 실시 형태에 따른 성막 처리의 흐름의 일례를 설명하는 도면이다.
도 5c는 실시 형태에 따른 성막 처리의 흐름의 일례를 설명하는 도면이다.
도 5d는 실시 형태에 따른 성막 처리의 흐름의 일례를 설명하는 도면이다.
도 5e는 실시 형태에 따른 성막 처리의 흐름의 일례를 설명하는 도면이다.
도 5f는 실시 형태에 따른 성막 처리의 흐름의 일례를 설명하는 도면이다.
도 5g는 실시 형태에 따른 성막 처리의 흐름의 일례를 설명하는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본원이 개시하는 성막 장치의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본 실시 형태에 의해, 개시하는 성막 장치가 한정되는 것은 아니다.
그런데, 성막 장치에서는, 기화기에서 기화한 성막 재료 가스를 샤워 헤드에 수송할 경우, 성막 재료 가스를 수송하기 위한 배관과, 성막 재료 가스를 기화 상태로 유지하기 위해서 히터 등의 가열 수단이 필요해진다. 또한, 배관에는, 샤워 헤드에의 도입 전에, 액체로 돌아간 미기화 가스를 배출하는 경로가 구비되는 등, 복잡한 구성과 제어가 필요해진다. 그래서, 액체의 성막 재료를 기판에 보다 가까운 위치에서 기화해서 성막을 행할 수 있는 기술이 기대되고 있다.
[성막 장치의 구성]
이어서, 실시 형태에 따른 성막 장치의 구성에 대해서 설명한다. 성막 장치는, 성막 대상이 된 피처리체에 성막을 행하는 장치이다. 이하에서는, 성막 장치가, 피처리체로서 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고도 함)에 대하여 성막을 행하는 경우를 예로 들어 설명한다. 도 1은, 실시 형태에 따른 성막 장치의 개략 구성의 일례를 도시하는 단면도이다. 성막 장치(100)는, 처리 용기(1)와, 적재대(2)와, 가스 공급부(3)와, 배기부(4)와, 가스 공급원(5)과, 제어부(6)를 갖고 있다.
처리 용기(1)는, 알루미늄 등의 금속에 의해 구성되고, 대략 원통 형상을 갖고 있다.
처리 용기(1)의 측벽에는, 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출하기 위한 반입출구(11)가 형성되어 있다. 반입출구(11)는, 게이트 밸브(12)에 의해 개폐된다. 처리 용기(1)의 본체 상에는, 단면이 직사각 형상을 이루는 원환상의 배기 덕트(13)가 마련되어 있다. 배기 덕트(13)에는, 내주면을 따라 슬릿(13a)이 형성되어 있다. 배기 덕트(13)의 외벽에는, 배기구(13b)가 형성되어 있다. 배기 덕트(13)의 상면에는, 처리 용기(1)의 상부 개구를 막도록 평판상의 천장 부재(14)가 마련되어 있다. 천장 부재(14)는, 처리 용기(1)와 마찬가지로 알루미늄 등의 금속에 의해 구성되어 있다. 배기 덕트(13)와 천장 부재(14) 사이는, 시일(15)로 기밀하게 밀봉되어 있다.
적재대(2)는, 처리 용기(1) 내에서 웨이퍼(W)를 수평하게 지지한다. 적재대(2)는, 웨이퍼(W)보다도 큰 원판상으로 형성되어 있고, 지지 부재(23)에 지지되어 있다. 적재대(2)는, 질화알루미늄(AlN) 등의 세라믹스 재료나, 알루미늄이나 니켈 합금 등의 금속 재료로 형성되어 있고, 내부에 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 히터(21)와 정전 흡착 전극(29A)과 고주파 전극(29B)이 매립되어 있다. 히터(21)는, 히터 전원(도시하지 않음)으로부터 급전되어 발열한다. 그리고, 적재대(2)의 상면 근방에 마련된 파이버 온도계(도시하지 않음)의 온도 신호에 의해 히터(21)의 출력을 제어하고, 이에 의해, 웨이퍼(W)가 소정의 온도로 제어된다.
고주파 전극(29B)에는, 정합기(43)를 개재하여 고주파 전원(44)이 접속되어 있다. 정합기(43)는, 가변 콘덴서, 임피던스 제어 회로가 마련되어, 용량, 임피던스의 적어도 한쪽의 제어가 가능하게 되어 있다. 정합기(43)는, 고주파 전원(44)의 내부 임피던스에 부하 임피던스를 정합시킨다. 고주파 전원(44)은, 플라스마의 이온 인입용으로 소정 주파수의 전력을 고주파 전극(29B)을 통해서 적재대(2)에 인가한다. 예를 들어, 고주파 전원(44)은, 이온 인입용으로, 13.56MHz의 고주파 전력을 고주파 전극(29B)을 통해서 적재대(2)에 인가한다. 이와 같이, 적재대(2)는, 하부 전극으로서도 기능한다.
정전 흡착 전극(29A)에는, 처리 용기(1)의 외측에 배치한 ON/OFF 스위치(20)를 개재하여 흡착 전원(40)에 접속되어, 흡착 전원(40)으로부터 소정의 직류 전압이 인가된다. 정전 흡착 전극(29A)은, 직류 전압이 인가됨으로써 생기는 쿨롱력에 의해 웨이퍼(W)를 흡착한다.
가스 공급부(3)는, 적재대(2)의 상부에, 적재대(2)와 대향하도록 배치되어 있다. 가스 공급부(3)는, 웨이퍼(W)와 동일 정도의 원반상의 형상으로 되어 있다. 가스 공급부(3)에는, 후술하는 가스 유로를 통해서 성막에 사용하는 각종 가스가 공급된다. 가스 공급부(3)는, 공급된 각종 가스를 처리 용기(1) 내에 공급한다.
적재대(2)와 가스 공급부(3) 사이에는, 액체로 공급되는 성막 재료를 기화하는 기화부가 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 기화부를, 웨이퍼(W)와 마찬가지의 형상으로 된 기화용 기판(이하, 「기화 기판」이라고도 함)(10)으로 하고 있다. 기화 기판(10)은, 웨이퍼(W)와 마찬가지의 형상이기 때문에, 로봇 암 등의 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구에 의해, 반입출구(11)로부터 처리 용기(1) 내에 반송 가능하게 되어 있다. 기화 기판(10)은, 적재대(2)와 가스 공급부(3) 사이에 배치된다.
성막 장치(100)에는, 기화 기판(10)을 가스 공급부(3)에 착탈 가능하게 지지하는 지지부가 마련되어 있다. 예를 들어, 가스 공급부(3)에는, 지지부로서, 기화 기판(10)의 주위에 지지 핀(50)이 마련되어 있다. 지지 핀(50)은, 반입출구(11)로부터 반송된 기화 기판(10)이 가스 공급부(3)의 하면(3a)측에 진입할 수 있도록, 기화 기판(10)의 반입출구(11)측에 대하여 반대가 되는 안쪽측 절반의 주위에 복수 마련되어 있다. 예를 들어, 지지 핀(50)은, 가스 공급부(3)의 중심에 대하여 반입출구(11)의 방향을 0도로 했을 경우, 가스 공급부(3)의 중심에 대하여 90도, 180도, 270도의 방향이 되는 위치에 3개 마련되어 있다. 지지 핀(50)은, 하측의 선단 부분이 가스 공급부(3)의 중심측을 향해서 L자상으로 굴곡되어 형성되어, 선단 부분이 반입출구(11)측으로부터 진입한 기화 기판(10)의 하면으로 돌아들어가, 기화 기판(10)을 지지한다. 지지 핀(50)은, 후술하는 승강 기구(57)에 의해 승강 가능하게 되어 있어, 기화 기판(10)을 지지한 상태에서 상승함으로써, 가스 공급부(3)에 기화 기판(10)을 접촉시켜서 고정한다.
천장 부재(14)에는, 중앙 부근에 원형의 개구가 형성되고, 개구에 맞춰서 개구 부재(51)가 설치되어 있다. 개구 부재(51)는, 상측이 개구보다도 넓어진 플랜지부(51a)가 마련되어 있고, 플랜지부(51a)와 천장 부재(14) 사이가 시일 등의 밀봉 부재에 의해 기밀하게 밀봉되어 있다.
개구 부재(51)에는, 원주상의 샤프트(52)가 배치되어 있다. 샤프트(52)의 하단은, 가스 공급부(3)의 중앙에 고정되어 있다. 개구 부재(51)의 상부에는, 신축하는 벨로우즈(53)가 마련되어 있다. 벨로우즈(53)의 상부는, 통상의 하우징(54)이 마련되어 있다. 샤프트(52)는, 벨로우즈(53) 내를 통과하여, 하우징(54)의 내부의 상부까지 마련되어 있다. 샤프트(52)는, 둘레 방향으로 회전 가능하게 하우징(54)에 지지되어 있다.
성막 장치(100)에는, 가스 공급부(3)를 승강하는 승강 기구(55)가 마련되어 있다. 본 실시 형태에서는, 천장 부재(14)의 상면에, 승강 기구(55)가 마련되어 있다. 승강 기구(55)는, 암(55a)이 마련되어 있다. 암(55a)은, 하우징(54)에 고정되어, 하우징(54)을 지지하고 있다. 승강 기구(55)는, 모터 등의 액추에이터를 내장하여, 액추에이터의 구동력에 의해, 암(55a)을 상하 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 암(55a)의 상하 이동에 수반하여, 하우징(54)은 상하 방향으로 이동한다. 하우징(54)의 상하 이동에 수반하여, 샤프트(52)도 상하 방향으로 이동한다. 샤프트(52)의 상하 방향으로의 이동에 의해, 가스 공급부(3)는, 처리 용기(1) 내에서 승강한다.
또한, 성막 장치(100)에는, 가스 공급부(3)에 수직인 회전축으로 가스 공급부(3)를 회전시키는 회전 기구(56)가 마련되어 있다. 본 실시 형태에서는, 하우징(54)에 회전 기구(56)가 마련되어 있다. 회전 기구(56)는, 모터를 내장하여, 모터의 구동력에 의해 하우징(54) 내의 샤프트(52)를 둘레 방향으로 회전시킨다. 샤프트(52)의 둘레 방향으로의 회전에 수반하여, 샤프트(52)를 회전축으로 해서 가스 공급부(3)가 회전한다.
또한, 성막 장치(100)에는, 지지 핀(50)을 승강시키는 승강 기구(57)가 마련되어 있다.
도 2a는, 실시 형태에 따른 성막 장치의 상세한 구성의 일례를 도시하는 단면도이다. 도 2a는, 도 1로부터 성막 장치(100)를 보는 방향을 90도 바꾸어, 성막 장치(100)의 상부 부근의 상세한 구성의 일례를 도시한 단면도이다. 도 2a에는, 가스 공급부(3), 하우징(54), 회전 기구(56), 승강 기구(57) 부근의 상세한 구성이 도시되어 있다. 도 2b는, 도 2a의 일부를 확대한 도면이다.
도 2a에 도시하는 바와 같이, 가스 공급부(3)의 중앙에는, 샤프트(52)가 고정되어 있다. 샤프트(52)는, 벨로우즈(53) 내를 통과하여, 하우징(54) 내에 도달하고 있다. 하우징(54)은, 내주면에, 상하 방향으로 이격되어 베어링(58a, 58b)이 마련되어 있어, 베어링(58a, 58b)에 의해 샤프트(52)를 회전 가능하게 지지하고 있다. 베어링(58a)의 하부 및 베어링(58b)의 상부는, 각각 시일(59)로 기밀하게 밀봉되어 있다.
샤프트(52)의 상부에는, 상부 축 부재(60)가 마련되어 있다. 상부 축 부재(60)는, 샤프트(52)보다도 직경이 가는 원주상의 주상부(60a)가 형성되고, 하부에 샤프트(52)와 동일한 직경의 플랜지부(60b)가 형성되어 있다. 상부 축 부재(60)는, 플랜지부(60b)가 샤프트(52)에 고정되어 있어, 샤프트(52)와 상부 축 부재(60)가 동축적으로 회전한다.
상부 축 부재(60)는, 원통상의 커버(61)에 의해 주위가 덮여 있다. 커버(61)의 상면에는, 원반상의 커버(62)가 마련되어 있다. 커버(62)에는, 상부 축 부재(60)를 회전 가능하게 지지하는 베어링(62a)이 마련되어 있고, 상부 축 부재(60)의 상단이 커버(62)의 중심에 노출되어 있다.
상부 축 부재(60)에는, 풀리(63)가 고정되어 있다. 풀리(63)에는, 벨트(64)가 설치되어 있다. 커버(61)에는, 벨트(64)가 통과하는 부분에 개구가 마련되어 있다. 벨트(64)는, 회전 기구(56)에 마련된 모터의 구동력에 의해 주회 구동한다. 벨트(64)의 주회 구동에 의해, 풀리(63)가 회전하여, 상부 축 부재(60) 및 샤프트(52)도 회전한다.
상부 축 부재(60)에는, 승강 부품(70)이 마련되어 있다. 승강 부품(70)은, 원반 부재(70a)의 주위에 홀더부(70b)가 마련되어, 원반 부재(70a)가 베어링(70c)을 개재해서 홀더부(70b)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 원반 부재(70a)는, 중앙에 상부 축 부재(60)의 직경보다도 큰 직경의 관통 구멍이 형성되어 있고, 당해 관통 구멍에 상부 축 부재(60)가 배치되어 있다. 원반 부재(70a)는, 베어링(70c)을 개재함으로써 회전자로서 둘레 방향으로 회전 가능하게 되어 있다. 홀더부(70b)는, 베어링(70c)을 개재함으로써, 회전하지 않고 고정자로서 원반 부재(70a)를 지지한다.
하우징(54)의 상부에는, 승강 기구(57)로서, 2개의 실린더(71)가 상부 축 부재(60)를 사이에 두고 대칭인 위치에 마련되어 있다. 실린더(71)는, 모터 등의 액추에이터를 내장하여, 액추에이터의 구동력에 의해 로드(71a)의 신축이 가능하게 되어 있다. 홀더부(70b)는, 실린더(71)의 방향으로 일부가 연장된 연장 부분이 형성되어 있고, 연장 부분에 실린더(71)의 로드(71a)가 접속되어 있다. 커버(61)에는, 홀더부(70b)의 연장 부분이 통과하는 부분에 개구가 마련되어 있다. 실린더(71)는, 액추에이터의 구동력에 의해 로드(71a)를 신축시켜 홀더부(70b)를 승강시킨다. 홀더부(70b)의 승강에 수반하여, 원반 부재(70a)는, 상부 축 부재(60)의 회전축 방향으로 승강한다.
샤프트(52) 및 상부 축 부재(60)에는, 회전축으로부터 벗어난 위치에, 회전축 방향으로 관통 구멍이 형성되어 있고, 당해 관통 구멍에 폴(72)이 배치되어 있다. 폴(72)은, 상단이 원반 부재(70a)에 접속되고, 하단이 지지 핀(50)에 접속되어 있다. 폴(72)은, 샤프트(52)의 회전에 수반하여, 샤프트(52)와 함께 회전한다. 폴(72)이 샤프트(52)와 함께 회전한 경우, 폴(72)의 상단에 접속된 원반 부재(70a)는 폴(72)을 통해서 회전력이 전달되어, 폴(72) 및 샤프트(52)와 함께 회전한다. 즉, 원반 부재(70a), 폴(72) 및 샤프트(52)는 일체로서 함께 회전한다. 또한, 폴(72)은, 상부 축 부재(60)의 승강에 수반하여, 관통 구멍 내를 회전축 방향으로 이동하여, 지지 핀(50)을 승강시킨다. 이와 같이, 지지 핀(50)은, 실린더(71)의 로드(71a)를 신축시킴으로써, 상부 축 부재(60) 및 폴(72)을 통해서 승강한다. 샤프트(52)는, 폴(72)과 지지 핀(50)의 접속 개소가 승강했을 경우에도 접속 개소가 샤프트(52)에 간섭하지 않도록, 하부에서 직경이 작게 형성되어 있다. 폴(72)과 지지 핀(50)의 접속 개소는, 샤프트(52)의 외부에 노출되어 있다.
상부 축 부재(60)의 상부에는, 파이버 온도계(75)가 마련되어 있다. 또한, 샤프트(52) 및 상부 축 부재(60)에는, 회전축이 되는 중심 부분에, 회전축 방향으로 관통 구멍이 형성되어 있다. 관통 구멍에는, 광 파이버(76)가 마련되어 있다. 광 파이버(76)는, 상단이 파이버 온도계(75)에 접속되고, 하단이 가스 공급부(3)에 도달하고 있다. 파이버 온도계(75)는, 광 파이버(76)로부터 입력되는 광 신호에 기초하여, 가스 공급부(3)의 온도를 계측한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 하우징(54)에는, 외주면에 가스의 공급구(81)가 마련되어 있다. 공급구(81)는, 가스 배관(83)을 개재하여 가스 공급원(5)에 접속되어 있어, 가스 공급원(5)으로부터 가스가 공급된다. 예를 들어, 공급구(81)는, 가스 공급원(5)으로부터 퍼지 가스가 공급된다. 도 2b에 도시하는 바와 같이, 하우징(54)은, 내주면의 공급구(81)에 대응하는 위치에, 오목부(82)가 둘레 방향으로 1주 형성되어 있다. 공급구(81)는, 하우징(54)의 내주면에 형성된 오목부(82)까지 관통하고 있다.
샤프트(52)에는, 회전축 방향으로 가스 유로(85)가 형성되어 있다. 가스 유로(85)는, 하방의 일단이 가스 공급부(3)에 도달하고, 상방의 타단이 오목부(82)의 높이에서 직경 방향으로 배향을 바꾸어, 오목부(82)와 대향하는 둘레면에 도달하고 있다.
가스 공급부(3)는, 내부에 가스 유로(3b)가 형성되어, 가스 유로(85)와 연통한다. 가스 공급부(3)는, 하면(3a)에, 가스 유로(3b)에 연통하는 분출 구멍(3c)이 다수 형성된 샤워 헤드로 되어 있다.
공급구(81)에 공급된 가스는, 오목부(82) 내에 흐른다. 오목부(82)는, 하우징(54)의 내주면에 둘레 방향으로 1주 형성되어 있다. 이 때문에, 샤프트(52)가 회전하고 있는 경우에도, 가스 유로(85)의 타단은, 오목부(82)와 연통 상태가 되어, 오목부(82) 내의 가스가 가스 유로(85)에 흐른다. 가스 유로(85)에 흐른 가스는, 가스 공급부(3) 내의 가스 유로(3b)를 흘러, 가스 공급부(3)의 각 분출 구멍(3c)으로부터 분출된다.
또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 하우징(54)에는, 급전 단자(86)가 마련되어 있다. 급전 단자(86)는, 급전선(84)을 개재하여 히터 전원(80)에 접속되어 있어, 히터 전원(80)으로부터 전력이 공급된다. 도 2b에 도시하는 바와 같이, 하우징(54)은, 내주면의 급전 단자(86)에 대응하는 위치에, 도전부(87)가 둘레 방향으로 1주 마련되어 있다. 급전 단자(86)는, 도시하지 않은 급전 배선을 개재하여 도전부(87)에 접속되어 있다.
샤프트(52)에는, 회전축 방향으로 급전 배선(88)이 마련되어 있다. 급전 배선(88)은, 하방의 일단이 가스 공급부(3)에 도달하고, 상방의 타단이, 도전부(87)의 높이에서 직경 방향으로 배향을 바꾸어, 도전부(87)와 대향하는 둘레면에 도달하여, 도전부(87)와 접촉해서 도전부(87)와 전기적으로 도통하고 있다.
가스 공급부(3)는, 내부에 히터(3d)가 마련되고, 급전 배선(88)이 히터(3d)에 접속되어 있다.
급전 단자(86)에 공급된 전력은, 도전부(87)에 흐른다. 도전부(87)는, 하우징(54)의 내주면에 둘레 방향으로 1주 형성되어 있다. 이 때문에, 샤프트(52)가 회전하고 있는 경우에도, 급전 배선(88)의 타단은, 도전부(87)와 도전 상태가 된다. 급전 단자(86)에 공급된 전력은, 도전부(87), 급전 배선(88)을 통해서 가스 공급부(3) 내의 히터(3d)에 공급된다. 히터(3d)는, 공급되는 전력에 따라서 발열하여, 가스 공급부(3)를 가열한다.
가스 공급부(3)의 하면(3a)에는, 지지 핀(50)에 지지되어 기화 기판(10)이 배치된다.
도 3은, 실시 형태에 따른 기화 기판의 상세한 구성의 일례를 도시하는 단면도이다. 기화 기판(10)은, 웨이퍼(W)와 마찬가지로 원반상의 형상으로 되어 있고, 예를 들어 알루미늄 등의 열전도성이 높은 금속에 의해 구성되어 있다. 또한, 기화 기판(10)은 저류부(10a)가 마련되어 있다. 저류부(10a)는, 예를 들어 소결 금속이나 나일론 필터, 다공질 부재, 포러스 금속 등에 의해 구성되고, 액체의 성막 재료를 저류하는 것이 가능하게 되어 있다. 저류부(10a)는, 성막 시에, 재료의 분포가 균일해지기 쉽도록 배치되어 있다. 예를 들어, 도 3에 도시한 기화 기판(10)은, 원반상의 면을 중심으로부터 직경 방향으로 센터부, 미들부, 외주부의 3개의 영역으로 나누고, 각 영역의 면적의 비율에 대응한 사이즈로, 각 영역에 저류부(10a)를 마련하고 있다.
또한, 기화 기판(10)은, 가스 공급부(3)의 각 분출 구멍(3c)에 대응하는 위치에 관통 구멍(10c)이 마련되어 있다. 가스 공급부(3)의 각 분출 구멍(3c)으로부터 분출된 가스는, 관통 구멍(10c)을 통과해서 처리 용기(1) 내에 공급된다.
도 1로 돌아간다. 성막 장치(100)에는, 기화 기판(10)의 저류부(10a)에 액체의 성막 재료를 공급하기 위한 공급 기구(90)가 마련되어 있다. 공급 기구(90)는, 기화 기판(10)의 저류부(10a)마다 설치하는데, 도 1에서는, 공급 기구(90)를 1개만 도시하고 있다. 공급 기구(90)는, 기화 기판(10)의 저류부(10a)의 상부가 되는 위치에 배치되어 있다.
가스 공급부(3)에는, 저류부(10a)에 대응하는 위치에 관통 구멍(3e)이 형성되어 있다. 또한, 천장 부재(14)에는, 관통 구멍(3e)의 상부가 되는 위치에 관통 구멍(14e)이 형성되어 있다.
공급 기구(90)에는, 신축하는 벨로우즈(91)가 하부에 마련되고, 벨로우즈(91)를 관통 구멍(14e)의 상부에 배치하고 있다. 공급 기구(90)는, 도시하지 않은 승강 기구에 의해 승강 가능하게 되어 있다.
공급 기구(90)는, 상류측이 분기하고 있어, 분기한 한쪽으로부터 액체의 성막 재료가 공급되고, 분기한 다른 쪽으로부터 퍼지 가스가 공급된다. 공급 기구(90)는, 기화 기판(10)의 저류부(10a)에 액체의 성막 재료를 공급하는 경우, 도시하지 않은 승강 기구에 의해 하부로 하강되어 선단이 저류부(10a)에 도달하고, 선단으로부터 퍼지 가스와 함께 액체의 성막 재료를 저류부(10a)에 공급한다.
도 4a 및 도 4b는, 실시 형태에 따른 공급 기구의 상세한 구성의 일례를 도시하는 단면도이다. 도 4a에는, 공급 기구(90)를 구성하는 부품이 도시되어 있다. 도 4b에는, 공급 기구(90)를 구성하는 부품을 조합한 상태가 도시되어 있다. 공급 기구(90)는, 배관(92)과, 냉매관(93)과, 가스 도입부(94)를 갖는다.
배관(92)은, 예를 들어 직경 0.8mm 정도의 가는 관으로 되어 있고, 상단 및 하단이 개구되어 있다. 배관(92)의 상단에는, 공급구(92a)가 마련되어 있다. 공급구(92a)는, 배관(95)을 통해서 성막 재료 공급부(96)로부터, 액체의 성막 재료가 공급된다. 배관(92)은, 공급구(92a)에 공급된 액체의 성막 재료를 수송하여, 하단으로부터 배출한다. 액체의 성막 재료에는, 무기 화합물과 유기 금속 화합물이 있다. 무기 화합물로서는, 예를 들어 SiH4, AsH3 등의 수소화물이나, SiCl4, TiCl4 등의 할로겐화물을 들 수 있다. 또한, 유기 금속 화합물은, TEOS(Si(OC2H5)4), TMB(트리메틸붕소) 등의 알콕실 화합물이나, TMP(인산트리메틸), TMAl(트리메틸알루미늄) 등의 알킬 화합물, Sr(DPM)2, Bi(DPM)3 등의 착화합물을 들 수 있다. 또한, 액체의 성막 재료는, 자기 조직화 단분자막(이하, 「SAM」이라고 하는 경우가 있음)을 형성하는 것이어도 된다. SAM이란, 분자의 자기 조직화에 의해 형성되는 단분자막이다. SAM을 성막하는 액체의 성막 재료로서, 유기 실란 분자, 유기 인산 분자, 유기 카르복실산 분자 등의 유전체를 포함하는 액체 재료를 들 수 있다.
냉매관(93)은, 2겹의 원환상의 구조로 되어 있다. 냉매관(93)은, 내측의 원환 내에 배관(92)이 배치된다. 냉매관(93)은, 내측의 원환의 내경이 배관(92)보다도 약간 크게 형성되어 있어, 내측의 원환과 배관(92) 사이에 간극이 형성되어 있다. 냉매관(93)의 주위에는, 벨로우즈(91)가 배치된다.
냉매관(93)은, 내측의 원환과 외측의 원환 사이에, 예를 들어 냉각수 등의 냉매가 흐르도록 형성되어 있다. 또한, 냉매관(93)은, 내측의 원환과 외측의 원환 사이가 하부에서 폐색되어 있어, 하부로부터 냉매가 유출되지 않도록 형성되어 있다. 냉매관(93)은, 상부에 냉매의 공급구(93a) 및 배출구(93b)가 마련되어 있다. 공급구(93a)에 공급된 냉매는, 냉매관(93)의 내측의 원환과 외측의 원환 사이를 흘러, 배출구(93b)로부터 배출된다. 성막 장치(100)는, 공급구(93a)에 공급하는 냉매의 온도를 바꿈으로써, 배관(92)에 흐르는 액체의 온도로 제어할 수 있다. 이에 의해, 성막 장치(100)는, 공급구(93a)에 공급하는 냉매의 온도를 제어함으로써, 배관(92)에 흐르는 액체의 성막 재료의 온도를 성막에 적합한 온도로 제어할 수 있다.
냉매관(93)의 상부에는, 가스 도입부(94)가 마련되어 있다. 가스 도입부(94)는, 배관(92)보다도 내경이 큰 배관부(94a)가 형성되어 있고, 배관부(94a)의 내부에 배관(92)이 배치되어 있다. 또한, 배관부(94a)는, 분기한 분기관(94b)이 형성되어 있다. 가스 도입부(94)는, 냉매관(93)의 상부에 기밀하게 고정되어 있다. 분기관(94b)은, 가스 공급원(5)에 접속되어 있어, 가스 공급원(5)으로부터 가스가 공급된다. 예를 들어, 분기관(94b)에는, 가스 공급원(5)으로부터 퍼지 가스가 공급된다. 퍼지 가스로서는, 예를 들어 N2 가스 등을 들 수 있다. 분기관(94b)에 공급된 퍼지 가스는, 냉매관(93)의 내측의 원환과 냉매관(93) 사이를 흘러, 배관(92)의 하단의 주위로부터 배출된다. 이에 의해, 배관(95)의 하단에서 도달한 액체의 성막 재료가, 퍼지 가스의 흐름을 타고 저류부(10a)에 원활하게 공급되어, 배관(95)의 하단에서 큰 액적이 되어 공급되는 것을 억제할 수 있다.
도 1로 돌아간다. 적재대(2)에는, 상면의 외주 영역 및 측면을 덮도록 알루미나 등의 세라믹스에 의해 형성된 커버 부재(22)가 마련되어 있다. 적재대(2)의 저면에는, 지지 부재(23)와 승강 기구(24)를 갖는다. 지지 부재(23)는, 적재대(2)의 저면의 중앙으로부터 적재대(2)를 지지한다. 또한, 지지 부재(23)는, 처리 용기(1)의 저벽에 형성된 구멍부를 관통해서 처리 용기(1)의 하방으로 연장되어, 하단이 승강 기구(24)에 접속되어 있다. 적재대(2)는, 승강 기구(24)에 의해, 지지 부재(23)를 개재하여 승강한다. 도 1에는, 성막 시의 적재대(2) 및 가스 공급부(3)의 처리 위치가 실선으로 도시되어 있고, 반송 기구와의 사이에서 웨이퍼(W)나 기화 기판(10)의 반송이 가능한 반송 위치가 이점쇄선으로 도시되어 있다.
지지 부재(23)의 처리 용기(1)의 하방에는, 플랜지부(25)가 설치되어 있고, 처리 용기(1)의 저면과 플랜지부(25) 사이에는, 처리 용기(1) 내의 분위기를 외기와 구획하고, 적재대(2)의 승강 동작에 따라 신축하는 벨로우즈(26)가 마련되어 있다.
처리 용기(1)의 저면의 근방에는, 승강판(27a)으로부터 상방으로 돌출되도록 3개(2개만 도시)의 웨이퍼 지지 핀(27)이 마련되어 있다. 웨이퍼 지지 핀(27)은, 처리 용기(1)의 하방에 마련된 승강 기구(28)에 의해 승강판(27a)을 개재하여 승강한다.
웨이퍼 지지 핀(27)은, 반송 위치에 있는 적재대(2)에 마련된 관통 구멍(2a)에 삽입 관통되어 적재대(2)의 상면에 대하여 돌출 함몰 가능하게 되어 있다. 웨이퍼 지지 핀(27)을 승강시킴으로써, 반송 기구와 적재대(2) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행하여진다. 적재대(2)가 처리 위치에 존재한 상태에서, 적재대(2)와 가스 공급부(3) 사이에, 처리 공간(38)이 형성된다.
배기부(4)는, 처리 용기(1)의 내부를 배기한다. 배기부(4)는, 배기구(13b)에 접속된 배기 배관(41)과, 배기 배관(41)에 접속된 진공 펌프나 압력 제어 밸브 등을 갖는 배기 기구(42)를 갖는다. 처리 시에는, 처리 용기(1) 내의 가스가 슬릿(13a)을 개재하여 배기 덕트(13)에 이르고, 배기 덕트(13)로부터 배기 배관(41)을 통해서 배기 기구(42)에 의해 배기된다.
도 1로 돌아간다. 상기와 같이 구성된 성막 장치(100)는, 제어부(6)에 의해, 동작이 통괄적으로 제어된다. 제어부(6)는, 예를 들어 컴퓨터이며, CPU(Central Processing Unit), RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), 보조 기억 장치 등을 구비한다. CPU는, ROM 또는 보조 기억 장치에 저장된 프로그램이나, 플라스마 처리의 프로세스 조건에 기초해서 동작하여, 장치 전체의 동작을 제어한다. 예를 들어, 제어부(6)는, 가스 공급원(5)으로부터의 각종 가스의 공급 동작, 승강 기구(24)의 승강 동작, 배기 기구(42)에 의한 처리 용기(1) 내의 배기 동작, 고주파 전원(44)으로부터의 공급 전력을 각각 제어한다. 또한, 제어부(6)는, 승강 기구(55)의 승강 동작, 회전 기구(56)의 회전 동작, 승강 기구(57)의 승강 동작, 히터 전원(80)으로부터의 공급 전력을 각각 제어한다. 또한, 제어부(6)는, 공급 기구(90)를 승강시키는 도시하지 않은 승강 기구의 승강 동작, 성막 재료 공급부(96)로부터의 액체의 성막 재료의 공급 동작, 냉매관(93)에의 냉매의 공급을 각각 제어한다. 또한, 제어에 필요한 컴퓨터에 판독 가능한 프로그램은, 기억 매체에 기억되어 있어도 된다. 기억 매체는, 예를 들어 플렉시블 디스크, CD(Compact Disc), CD-ROM, 하드 디스크, 플래시 메모리 혹은 DVD 등으로 이루어진다. 또한, 제어부(6)는, 성막 장치(100)의 내부에 마련되어 있어도 되고, 외부에 마련되어 있어도 된다. 제어부(6)가 외부에 마련되어 있을 경우, 제어부(6)는, 유선 또는 무선 등의 통신 수단에 의해, 성막 장치(100)를 제어할 수 있다.
이어서, 제어부(6)의 제어에 의해 성막 장치(100)가 실행하는 성막 처리의 흐름을 설명한다. 도 5a 내지 5g는 실시 형태에 따른 성막 처리의 흐름의 일례를 설명하는 도면이다.
성막 장치(100)는, 배기 기구(42)에 의해, 처리 용기(1) 내를 진공 분위기로 감압한다. 성막 장치(100)에서는, 가스 공급부(3)에 기화 기판(10)을 설치한다. 예를 들어, 성막 장치(100)는, 도 5a에 도시하는 바와 같이, 승강 기구(24)에 의해 적재대(2)를 하부까지 강하시킨다. 또한, 성막 장치(100)는, 승강 기구(55)에 의해, 가스 공급부(3)를 반송 위치까지 강하시킨다. 또한, 성막 장치(100)는, 실린더(71)의 로드(71a)를 수축시켜, 지지 핀(50)을 가스 공급부(3)로부터 하강시킨다. 그리고, 성막 장치(100)는 게이트 밸브(12)를 개방한다. 성막 장치(100)에서는, 반입출구(11)를 통해서 반송 기구에 의해, 가스 공급부(3)와 지지 핀(50) 사이에, 기화 기판(10)이 반입된다. 성막 장치(100)는, 도 5b에 도시하는 바와 같이, 승강 기구(55)에 의해, 기화 기판(10)이 지지한 가스 공급부(3)를 처리 위치까지 상승시킨다.
또한, 기화 기판(10)을 교환하는 경우, 성막 장치(100)는, 기화 기판(10)을 장착했을 때와 역의 흐름으로, 가스 공급부(3)로부터 기화 기판(10)을 분리해서 반송 기구에 의해 반출한다. 그리고, 성막 장치(100)는, 반송 기구에 의해 새로운 기화 기판(10)을 반입하여, 가스 공급부(3)에 설치한다. 이에 의해, 성막 장치(100)는, 기화 기판(10)을 간단하게 교환할 수 있다. 또한, 취출된 기화 기판(10)은, 세정함으로써 재이용할 수도 있다.
웨이퍼(W)에 대하여 성막을 행하는 경우, 성막 장치(100)에서는, 성막 대상의 웨이퍼(W)를 적재대(2)에 배치한다. 예를 들어, 도 5c에 도시하는 바와 같이, 성막 장치(100)는, 승강 기구(24)에 의해 적재대(2)를 하부까지 강하시킨다. 성막 장치(100)에는, 반입출구(11)를 통해서 반송 기구에 의해, 성막 대상의 웨이퍼(W)가 적재대(2)의 상부에 반입된다. 성막 장치(100)는, 승강 기구(28)에 의해 승강판(27a)을 상승시키고, 웨이퍼 지지 핀(27)을 적재대(2)의 관통 구멍(2a)으로부터 돌출시켜서 웨이퍼 지지 핀(27)으로 웨이퍼(W)를 수취한다. 반송 기구가 반입출구(11)로부터 퇴출된 후, 성막 장치(100)는, 도 5d에 도시하는 바와 같이, 승강 기구(28)에 의해 승강판(27a)을 하강시켜서 웨이퍼 지지 핀(27)을 적재대(2)의 관통 구멍(2a) 내에 수납시키고, 웨이퍼(W)를 적재대(2)에 적재한다. 그리고, 성막 장치(100)는, 도 5e에 도시하는 바와 같이, 승강 기구(24)에 의해 적재대(2)를 처리 위치까지 상승시킨다.
성막 장치(100)는, 도 5f에 도시하는 바와 같이, 도시하지 않은 승강 기구에 의해 공급 기구(90)를 하강시켜, 공급 기구(90)의 선단으로부터 퍼지 가스와 함께 액체의 성막 재료를 분출시켜서, 액체의 성막 재료를 기화 기판(10)의 저류부(10a)에 공급한다.
성막 장치(100)는, 성막 재료의 공급 완료 후, 도 5g에 도시하는 바와 같이, 도시하지 않은 승강 기구에 의해 공급 기구(90)를 상승시킨다. 성막 장치(100)는, 히터 전원(80)으로부터 히터(3d)에 전력을 공급하여, 히터(3d)를 발열시켜서 가스 공급부(3)를 가열한다. 또한, 성막 장치(100)는, 파이버 온도계(75)에 의해 가스 공급부(3)의 온도를 측정하고, 히터 전원(80)으로부터의 공급 전력을 제어하여, 가스 공급부(3)를 성막 재료의 기화에 적합한 소정의 온도로 제어한다. 예를 들어, 가스 공급부(3)의 온도를 100℃ 내지 400℃ 사이의 어느 것의 온도로 제어한다. 또한, 성막 장치(100)는, 가스 공급원(5)으로부터 하우징(54)의 공급구(81)에 캐리어 가스를 공급하여, 가스 공급부(3)로부터 캐리어 가스를 토출시킨다. 캐리어 가스로서는, 예를 들어 수소, 헬륨, 질소 등 열전도가 높은 기체를 들 수 있다.
그리고, 성막 장치(100)는, 실린더(71)의 로드(71a)를 신장시켜서, 지지 핀(50)을 상승시키고, 가스 공급부(3)에 기화 기판(10)을 접촉시켜 고정한다. 또한, 성막 장치(100)는, 회전 기구(56)에 의해 샤프트(52)를 둘레 방향으로 회전시키고, 샤프트(52)를 회전축으로 해서 가스 공급부(3)를 회전시킨다.
이에 의해, 성막 장치(100)에서는, 저류부(10a)에 저류된 성막 재료가 가스 공급부(3)의 열에 의해 기화한다. 그리고, 성막 장치(100)에서는, 기화한 성막 재료 가스가, 가스 공급부(3)로부터 흐르는 캐리어 가스에 의해 웨이퍼(W)에 흘러, 웨이퍼(W)에 성막된다. 여기서, 성막 장치(100)는, 성막 시에 가스 공급부(3)를 회전시키고 있다. 이에 의해, 성막 재료 가스가, 웨이퍼(W)에 균등하게 공급되기 때문에, 웨이퍼(W)에 균일하게 성막을 행할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 따른 성막 장치(100)는, 적재대(2)와, 가스 공급부(3)와, 기화 기판(10)을 갖는다. 적재대(2)는, 성막 대상이 된 웨이퍼(W)가 배치된다. 가스 공급부(3)는, 적재대(2)와 대향하도록 배치되고, 소정의 온도로 제어되는 히터(3d)가 마련되어, 캐리어 가스를 공급한다. 기화 기판(10)은, 적재대(2)와 가스 공급부(3) 사이에 배치되어, 가스 공급부(3)로부터의 열에 의해 가열되어, 액체로 공급되는 성막 재료를 기화한다. 이에 의해, 성막 장치(100)는, 액체의 성막 재료를 웨이퍼(W)에 보다 가까운 위치에서 기화해서 성막할 수 있다. 또한, 성막 장치(100)는, 웨이퍼(W)의 상부측으로부터 기화한 성막 재료 가스를 공급해서 성막할 수 있다.
또한, 기화 기판(10)은, 가스 공급부(3)의 적재대(2)측의 면에 대향해서 배치되어 있다. 또한, 성막 장치(100)는, 기화 기판(10)을 가스 공급부(3)에 대하여 승강하는 승강 기구(57)를 갖는다. 이에 의해, 성막 장치(100)는, 기화 기판(10)을 가스 공급부(3)에 대하여 승강함으로써, 가스 공급부(3)로부터 기화 기판(10)에의 입열을 조정할 수 있기 때문에, 성막 재료의 기화를 제어할 수 있다.
또한, 가스 공급부(3)는, 캐리어 가스를 분출하는 분출 구멍(3c)이 복수 마련되어 있다. 기화 기판(10)은, 분출 구멍(3c)에 대응하는 위치에 관통 구멍(10c)이 마련되어 있다. 이에 의해, 성막 장치(100)는, 기화한 성막 재료 가스를 캐리어 가스의 흐름에 의해, 웨이퍼(W)에 많이 흘릴 수 있어, 웨이퍼(W)에의 성막 효율을 높일 수 있다.
또한, 성막 장치(100)는, 가스 공급부(3)를 승강하는 승강 기구(55)와, 기화 기판(10)을 가스 공급부(3)에 착탈 가능하게 지지하는 지지 핀(50)을 갖는다. 기화 기판(10)은, 웨이퍼(W)와 마찬가지의 형상으로 되어, 웨이퍼(W)를 적재대(2)에 반송하는 반송 기구를 사용해서 반송된다. 승강 기구(55)는, 웨이퍼(W)를 적재대(2)에 반송하는 반송 위치까지 가스 공급부(3)를 하강시킨다. 지지 핀(50)은, 반송 기구에 의해 반송되는 기화 기판(10)을 지지한다. 이에 의해, 성막 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 적재대(2)에 반송하는 반송 기구를 사용하여, 기화 기판(10)의 착탈을 행할 수 있다.
또한, 성막 장치(100)는, 성막 처리 시에, 적재대(2)에 수직인 회전축으로 가스 공급부(3)를 회전시키는 회전 기구(56)를 더 갖는다. 이에 의해, 성막 장치(100)는, 기화한 성막 재료 가스를 웨이퍼(W)에 균일하게 공급해서 성막을 행할 수 있다.
또한, 기화 기판(10)은, 액체로 공급되는 성막 재료를 저류하는 저류부(10a)가 마련되어 있다. 성막 장치(100)는, 저류부(10a)에 액체의 성막 재료를 공급하는 공급 기구(90)를 더 갖는다. 이에 의해, 성막 장치(100)는, 액체로 공급되는 성막 재료를 기화 기판(10)에 공급해서 성막을 행할 수 있다.
공급 기구(90)는, 액체의 성막 재료가 흐르는 배관(92)의 주위에 냉매가 흐르는 냉매관(93)이 마련되고, 저류부(10a)에 성막 재료를 공급하는 배관(92)의 선단 부분에서 퍼지 가스와 함께 성막 재료가 토출된다. 이에 의해, 성막 장치(100)는, 액체의 성막 재료를 저류부(10a)에 원활하게 공급할 수 있다.
이상, 실시 형태에 대해서 설명해 왔지만, 금회 개시된 실시 형태는, 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시 형태는, 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기 실시 형태는, 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태에서 생략, 치환, 변경되어도 된다.
예를 들어, 실시 형태에서는, 성막 시, 가스 공급부(3)를 회전시키는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 적재대(2)를 회전시켜도 된다.
또한, 실시 형태에서는, 가스 공급부(3)에 기화 기판(10)을 접촉시켜서 액체의 성막 재료를 기화시키는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기화 기판(10)을 가스 공급부(3)로부터 이격시킨 상태에서 액체의 성막 재료를 기화해도 된다.
또한, 실시 형태에서는, 가스 공급부(3) 전체에 1개의 가스 유로(3b)를 형성한 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 가스 공급부(3)의 가스 유로(3b)를 복수로 분할하고, 가스 공급부(3)의 하면(3a)을 분할한 분할 영역마다 웨이퍼(W)에 대하여 개별로 가스를 공급 가능한 구성으로 한다. 그리고, 샤프트(52) 및 하우징(54)에, 가스 유로(3b)마다, 개별로 가스 유로(85), 오목부(82), 공급구(81) 등의 가스 공급 경로를 형성해도 된다.
또한, 실시 형태에서는, 가스 공급부(3) 전체에 1개의 히터(3d)를 마련한 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 가스 공급부(3)의 히터(3d)를 복수로 분할하고, 가스 공급부(3)의 하면(3a)을 분할한 영역마다 개별로 온도 조정 가능하게 한다. 그리고, 샤프트(52) 및 하우징(54)에, 히터(3d)마다, 개별로 급전 배선(88), 도전부(87), 급전 단자(86) 등의 급전 경로를 형성해도 된다.
또한, 실시 형태에서는, 하우징(54)에 공급구(81)나 급전 배선(88)을 마련하여, 측면측으로부터 가스의 공급이나 급전을 행하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 샤프트(52)의 회전축에 마련한 관통 구멍을 통해서 가스의 공급이나 급전을 행하는 것으로 해도 된다.
또한, 실시 형태에서는, 기화 기판(10)을 웨이퍼(W)와 마찬가지의 형상으로 했을 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기화 기판(10)을 웨이퍼(W)보다도 큰 형상으로 하고, 성막 장치(100)에 기화 기판(10)용 반입출구를 마련해도 된다.
또한, 실시 형태에서는, 기화 기판(10)의 일부에 저류부(10a)를 마련한 구성으로 한 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기화 기판(10) 전체를, 소결 금속이나 나일론 필터, 다공질 부재, 포러스 금속 등의 액체를 저류하면서, 가스가 통과 가능한 부재로 구성해도 된다.
또한, 실시 형태에서는, 피처리체를 반도체 웨이퍼로 한 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 피처리체는, 유리 기판 등, 다른 기판이어도 된다.
1: 처리 용기 2: 적재대
3: 가스 공급부 3b: 가스 유로
3c: 분출 구멍 3d: 히터
3e: 관통 구멍 5: 가스 공급원
6: 제어부 10: 기화 기판
10a: 저류부 10c: 관통 구멍
24: 승강 기구 50: 지지 핀
52: 샤프트 53: 벨로우즈
54: 하우징 55: 승강 기구
55a: 암 56: 회전 기구
57: 승강 기구 60: 상부 축 부재
63: 풀리 64: 벨트
70: 승강 부품 70a: 원반 부재
70b: 홀더부 70c: 베어링
71: 실린더 71a: 로드
72: 폴 80: 히터 전원
81: 공급구 82: 오목부
85: 가스 유로 86: 급전 단자
87: 도전부 88: 급전 배선
90: 공급 기구 91: 벨로우즈
92: 배관 92a: 공급구
93: 냉매관 93a: 공급구
93b: 배출구 94: 가스 도입부
94b: 분기관 96: 성막 재료 공급부
100: 성막 장치 W: 웨이퍼

Claims (7)

  1. 성막 대상이 된 피처리체가 배치되는 적재대와,
    상기 적재대와 대향하도록 배치되어, 소정의 온도로 제어되는 히터가 마련되고, 캐리어 가스를 공급하는 가스 공급부와,
    상기 적재대와 상기 가스 공급부 사이에 배치되고, 상기 가스 공급부로부터의 열에 의해 가열되어, 액체로 공급되는 성막 재료를 기화하는 기화부
    를 갖는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기화부는, 상기 가스 공급부의 상기 적재대측의 면에 대향해서 배치되고,
    상기 기화부를 상기 가스 공급부에 대하여 승강하는 제1 승강 기구를 더 갖는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 상기 캐리어 가스를 분출하는 분출 구멍이 복수 마련되고,
    상기 기화부는, 상기 분출 구멍에 대응하는 위치에 관통 구멍이 마련된 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 공급부를 승강하는 제2 승강 기구와,
    상기 기화부를 상기 가스 공급부에 착탈 가능하게 지지하는 지지부를 더 갖고,
    상기 기화부는, 상기 피처리체와 마찬가지의 형상으로 되어, 상기 피처리체를 상기 적재대에 반송하는 반송 기구를 사용해서 반송되고,
    상기 제2 승강 기구에 의해 상기 피처리체를 상기 적재대에 반송하는 반송 위치까지 상기 가스 공급부를 하강하여, 상기 반송 기구에 의해 반송되는 상기 기화부를 상기 지지부에서 지지하는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 성막 처리 시에, 상기 적재대에 수직인 회전축으로 상기 가스 공급부를 회전시키는 회전 기구를 더 갖는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기화부는, 액체로 공급되는 성막 재료를 저류하는 저류부가 마련되고,
    상기 저류부에 액체의 성막 재료를 공급하는 공급 기구를 더 갖는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 공급 기구는, 액체의 성막 재료가 흐르는 제1 배관의 주위에 냉매가 흐르는 제2 배관이 마련되고, 상기 저류부에 성막 재료를 공급하는 상기 제1 배관의 선단 부분에서 퍼지 가스와 함께 상기 성막 재료가 토출되는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
KR1020217004552A 2018-08-02 2019-07-19 성막 장치 KR20210035217A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018146001 2018-08-02
JPJP-P-2018-146001 2018-08-02
PCT/JP2019/028419 WO2020026845A1 (ja) 2018-08-02 2019-07-19 成膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210035217A true KR20210035217A (ko) 2021-03-31

Family

ID=69231734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217004552A KR20210035217A (ko) 2018-08-02 2019-07-19 성막 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11414754B2 (ko)
JP (1) JP7046188B2 (ko)
KR (1) KR20210035217A (ko)
CN (1) CN112513322B (ko)
WO (1) WO2020026845A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7311469B2 (ja) * 2020-08-11 2023-07-19 Ckd株式会社 気化器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017189135A1 (en) 2016-04-25 2017-11-02 Applied Materials, Inc. Chemical delivery chamber for self-assembled monolayer processes

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273052A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Hitachi Electron Eng Co Ltd Ｃｖｄ装置
JPH1046343A (ja) 1996-04-05 1998-02-17 Ebara Corp 液体原料気化装置及びガス噴射装置
US6409837B1 (en) 1999-01-13 2002-06-25 Tokyo Electron Limited Processing system and method for chemical vapor deposition of a metal layer using a liquid precursor
US6596085B1 (en) * 2000-02-01 2003-07-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for improved vaporization of deposition material in a substrate processing system
US7163197B2 (en) * 2000-09-26 2007-01-16 Shimadzu Corporation Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, and vaporization performance appraisal method
WO2015112470A1 (en) * 2014-01-21 2015-07-30 Applied Materials, Inc. Thin film encapsulation processing system and process kit permitting low-pressure tool replacement

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017189135A1 (en) 2016-04-25 2017-11-02 Applied Materials, Inc. Chemical delivery chamber for self-assembled monolayer processes

Also Published As

Publication number Publication date
US20210301398A1 (en) 2021-09-30
JPWO2020026845A1 (ja) 2021-08-05
CN112513322A (zh) 2021-03-16
WO2020026845A1 (ja) 2020-02-06
US11414754B2 (en) 2022-08-16
JP7046188B2 (ja) 2022-04-01
CN112513322B (zh) 2023-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5650935B2 (ja) 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
KR101145538B1 (ko) 배치식 플라즈마 처리 장치
TWI433610B (zh) 電漿處理設備
WO2006093136A1 (ja) 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
KR101241570B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101040992B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20010080114A (ko) 표면 처리 방법 및 장치
TW202111851A (zh) 基板處理系統中的搬運方法
JP7110076B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20200022682A (ko) 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
US20090194237A1 (en) Plasma processing system
JP2012054399A (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
KR20210035217A (ko) 성막 장치
JP4865352B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2004091827A (ja) 基板処理装置
KR20230096035A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2009049316A (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2010045225A (ja) 基板処理装置
JP7138550B2 (ja) 基板処理装置
JP2006269591A (ja) 基板処理装置
US20240079208A1 (en) Plasma processing apparatus
KR20230142659A (ko) 기화기, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2005259902A (ja) 基板処理装置
WO2023204112A1 (ja) 成膜方法及び基板処理装置
KR102567505B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법