KR20230123254A - 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지 및 이미지 센서 패키지의 제조방법 - Google Patents
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- 239000006059 cover glass Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
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- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
본 발명은 이미지 센서 칩의 상부와 대면하는 커버 글라스의 면에 홈을 형성하고, 상기 커버 글라스를 이미지 센서 칩의 상부에 직접 접착함으로써, 글라스 지지부재를 사용하지 않는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지를 제안한다. 상기 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지는 기판, 상기 기판의 상부에 접착 고정되며 상부에 마이크로 렌즈가 안착한 이미지 센서 칩 및 가장자리 면을 따라 형성되는 일정한 두께를 가지는 접착 면 안쪽으로 형성되는 홈을 이용하여 상기 이미지 센서 칩의 상부에 일정한 공간을 형성하며, 상기 접착 면이 상기 이미지 센서 칩에 형성된 커버 글라스 고정영역에 접착 고정되는 커버 글라스를 포함한다.
Description
본 발명은 이미지 센서 패키지에 관한 것으로, 특히 기판이 아니라 이미지 센서 칩의 상부에 접착 고정되며, 상기 이미지 센서 칩에 구현된 소자 영역의 상부에 일정 부피의 공간을 형성하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서 칩은 외부에서 인가되는 영상을 전기신호로 변환하는 반도체 장치로, 이미지 센서 칩의 상부에 투명한 커버 글라스(Cover Glass)를 붙여 외부의 영상은 수신하면서 동시에 칩의 표면을 외부의 충격이나 불순물로부터 보호한다.
도 1은 종래의 이미지 센서 패키지의 단면을 나타낸다.
도 1을 참조하면, 종래의 이미지 센서 패키지(100)는, 기판(110), 기판(110)의 상부에 안착한 이미지 센서 칩(130), 기판(110)의 상부에서 이미지 센서 칩(130)의 가장자리에 설치되는 글라스 지지부재(160), 및 글라스 지지부재(160)의 상부에 안착하는 커버 글라스(180)를 포함한다.
이미지 센서 칩(130)은 제1 접착제(120)를 이용하여 기판(110)에 접착되고, 커버 글라스(180)는 제2 접착제(170)를 이용하여 글라스 지지부재(160)의 상부에 접착된다.
이미지 센서 칩(130)의 상부와 커버 글라스(180) 사이에는 일정한 공간을 형성함으로써, 이미지 센서 칩(130)의 패드(141)와 기판(110)의 도선(150)을 와이어(140)를 이용하여 전기적으로 연결할 수 있도록 하는 한편, 외부에서 커버 글라스(180)를 통과하여 이미지 센서 칩(130)의 표면으로 영상이 충분히 인가될 수 있도록 한다.
이미지 센서 칩(130)의 상부와 커버 글라스(180) 사이의 공간은 글라스 지지부재(160)에 의해 생성된다. 이미지 센서 패키지를 제조하는 공정의 관점에서 볼 때, 이미지 센서 칩(130)의 가장자리를 감싸는 크기의 글라스 지지부재(160)를 사전에 제작해 놓아야 하고, 패키지 공정이 진행되는 도중 글라스 지지부재(160)를 기판(110)의 상부에 접착해야 하는 공정을 수행해야 한다.
이미지 센서 칩(130)을 패키징하는 공정을 진행하는 단계가 많으면 많을수록 패키징 수율이 낮아지게 되는 것은 당연하다. 따라서, 기존의 패키지 공정의 단계를 줄이거나 사용되는 구조물의 개수를 줄이는 것은 수율은 물론 경제적인 측면에서도 바람직하다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 이미지 센서 칩의 상부와 대면하는 커버 글라스의 면에 홈을 형성하고, 상기 커버 글라스를 이미지 센서 칩의 상부에 직접 접착함으로써, 글라스 지지부재를 사용하지 않는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지를 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 이미지 센서 칩의 상부와 대면하는 커버 글라스의 면에 홈을 형성하고, 상기 커버 글라스를 이미지 센서 칩의 상부에 직접 접착함으로써, 글라스 지지부재를 사용하지 않는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지는, 기판, 상기 기판의 상부에 접착 고정되며 상부에 마이크로 렌즈가 안착한 이미지 센서 칩 및 가장자리 면을 따라 형성되는 일정한 두께를 가지는 접착 면 안쪽으로 형성되는 홈을 이용하여 상기 이미지 센서 칩의 상부에 일정한 공간을 형성하며, 상기 접착 면이 상기 이미지 센서 칩에 형성된 커버 글라스 고정영역에 접착 고정되는 커버 글라스를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법은, 이미지 센서 칩의 상부에 설치한 마이크로 렌즈와 내면이 접촉하지 않는 깊이를 가지고, 상기 이미지 센서 칩의 광 수신부와 신호 처리부가 구현된 소자 영역을 포함하는 홈을 가지는 커버 글라스를 준비하는 단계, 제1 접착제를 이용하여 상부에 마이크로 렌즈가 안착한 이미지 센서 칩을 기판의 상부에 접착 고정하는 단계, 제2 접착제를 이용하여 상기 커버 글라스를 상기 이미지 센서 칩의 커버 글라스 고정영역에 접착 고정하는 단계, 상기 이미지 센서 칩의 패드와 상기 기판의 도선을 와이어로 각각 연결하는 단계 및 상기 커버 글라스의 가장자리, 상기 와이어 및 상기 기판의 도선을 덮는 사이드 필을 도포하는 단계를 포함한다.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지 및 패키지의 제조방법은,
첫째, 발명에 따른 이미지 센서 패키지는 커버 글라스가 기판이 아니라 이미지 센서 칩에 접착되어 고정되는 방식으로 구성되므로 종래의 이미지 센서 패키지에서 기판에 커버 글라스를 지지하기 위해 사용하는 지지부재가 불필요하므로 비용의 절감 및 공정의 간소화 효과,
둘째, 종래의 이미지 센서 패키지에서는 이미지 센서 칩의 패드와 기판의 도선을 와이어로 연결한 후 커버 글라스를 접착 및 고정하는 절차에 따라야 하므로 와이어가 커버 글라스와 기판이 형성하는 내부 공간에 위치하고 넓어서 패키징 후에 내부 습기의 발생 또는 와이어 연결 과정에서 발생한 잔존 이물질이 커버 글라스와 이미지 센서 칩 상부 공간으로 이동하는 경우 이미지 센서 성능에 영향을 미칠 우려가 있는 반면에, 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지는 이미지 센서 칩의 패드와 기판의 도선 및 상호 연결하는 와이어가 모두 커버 글라스와 이미지 센서 칩의 상부 간에 형성되는 공간의 외부에 위치하므로 커브 글라스 접착 및 고정 후에 와이어 연결하는 경우 상기와 같은 우려가 해소되는 효과, 및
셋째, 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지에서는 커버 글라스를 이미지 센서 칩에 접착 및 고정하는 동일한 공정을 우선 처리한 이후에 이미지 센서 칩의 패드와 기판의 도선을 와이어로 연결하는 공정을 이어서 처리할 수 있으므로, 커버 글라스가 접착 및 고정된 동일한 이미지 센서 패키지를 활용하여 사로 다른 다양한 종류의 기능을 갖는 다양한 기판을 제작하는 경우 비용이 절감되고 효율이 증대되는 효과를 기대할 수 있다.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 이미지 센서 패키지의 단면을 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 구조를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지에 사용되는 이미지 센서 칩의 일 실시 예이다.
도 4는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지에 사용되는 홈이 형성된 커버 글라스의 일 실시 예이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따라 이미지 센서 칩을 기판에 접착 및 고정한 후에 커버 글라스를 이미지 센서 칩에 접착 및 고정하는 방식으로 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법을 나타내는 신호 흐름도이다.
도 6은 본 발명에 따른 이미지 센서 칩을 기판에 접착 및 고정한 후에 커버 글라스를 상기 이미지 센서 칩에 접착 및 고정하는 방식으로 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 일 실시 예이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따라 커버 글라스를 이미지 센서 패키지에 접착 및 고정한 후에 상기 이미지 센서 칩을 기판에 접착 및 고정하는 방식으로 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법을 나타내는 신호 흐름도이다.
도 8은 본 발명에 따른 커버 글라스를 이미지 센서 칩에 접착 및 고정한 후에 상기 이미지 센서 칩을 기판에 접착 및 고정하는 방식으로 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 일 실시 예이다.
도 2는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 구조를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지에 사용되는 이미지 센서 칩의 일 실시 예이다.
도 4는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지에 사용되는 홈이 형성된 커버 글라스의 일 실시 예이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따라 이미지 센서 칩을 기판에 접착 및 고정한 후에 커버 글라스를 이미지 센서 칩에 접착 및 고정하는 방식으로 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법을 나타내는 신호 흐름도이다.
도 6은 본 발명에 따른 이미지 센서 칩을 기판에 접착 및 고정한 후에 커버 글라스를 상기 이미지 센서 칩에 접착 및 고정하는 방식으로 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 일 실시 예이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따라 커버 글라스를 이미지 센서 패키지에 접착 및 고정한 후에 상기 이미지 센서 칩을 기판에 접착 및 고정하는 방식으로 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법을 나타내는 신호 흐름도이다.
도 8은 본 발명에 따른 커버 글라스를 이미지 센서 칩에 접착 및 고정한 후에 상기 이미지 센서 칩을 기판에 접착 및 고정하는 방식으로 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 일 실시 예이다.
본 발명의 추가적인 목적들, 특징들 및 장점들은 다음의 상세한 설명 및 첨부도면으로부터 보다 명료하게 이해될 수 있다.
본 발명의 상세한 설명에 앞서, 본 발명은 다양한 변경을 도모할 수 있고, 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 아래에서 설명되고 도면에 도시된 예시들은 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 명세서에 기재된 "...부", "...유닛", "...모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대하여 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
또한, 본원 명세서 전체에서, 어떤 단계가 다른 단계와 "상에" 또는 "전에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 단계가 다른 단계와 직접적 시계열적인 관계에 있는 경우뿐만 아니라, 각 단계 후의 혼합하는 단계와 같이 두 단계의 순서에 시계열적 순서가 바뀔 수 있는 간접적 시계열적 관계에 있는 경우와 동일한 권리를 포함한다.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지 및 이미지 센서 패키지의 제조방법에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
이하에서는 이미지 센서 칩은 외부에서 마이크로 렌즈를 통해 인가되는 영상에 대응하는 전하를 생성하는 포토다이오드 어레이가 구현된 광 수신부와 각각의 포토다이오드로부터 생성되는 전하를 전압값으로 변환하는 복수의 이미지 센서회로가 집적된 반도체 장치에 적용하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 구조를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지(200)는, 기판(210), 이미지 센서 칩(230), 및 홈이 형성된 커버 글라스(280, 이하 커버 글라스)를 포함하는 것은 도 1에 도시된 종래의 이미지 센서 패키지(100)와 동일하다.
이미지 센서 칩(230)은 제1 접착제(220)를 이용하여 기판(210)에 접착되고, 커버 글라스(280)는 제2 접착제(270)를 이용하여 이미지 센서 칩(230)의 상부에 접착된다.
이미지 센서 칩(130, 230)의 가장자리에서 설치되는 패드(141, 241)는 실제로는 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이 육안으로 확인할 수 있을 정도로 이미지 센서 칩(130, 230)의 표면으로부터 돌출되지는 않지만 이해를 돕기 위해 돌출된 것으로 도시하였다.
다만, 아래에 설명하는 것과 같이 3가지의 특징에서 차이가 있다.
첫째, 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지(200)는 종래의 이미지 센서 패키지(100)에서 사용하는 글라스 지지부재(160)를 사용하지 않는다는 점과 커버 글라스(280)의 내부에 홈(미도시) 형성되어 있다는 점 및 커버 글라스(280)가 기판(210)이 아니라 이미지 센서 칩(230)에 접착 & 고정된다는 점에서 차이가 있다.
둘째, 종래의 이미지 센서 패키지(100)에서는 이미지 센서 칩(130)의 패드(141)와 기판(110)의 도선(150)을 연결하는 와이어(140)가 커버 글라스(180)와 기판(110)이 형성하는 내부 공간에서 위치하는 반면에, 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지(200)는 커버 글라스(280)와 이미지 센서 칩(230)의 상부와 형성하는 공간이 아니라 커버 글라스(280)의 외부에 와이어(240)가 위치한다는 점에서 차이가 있다.
셋째, 종래의 이미지 센서 패키지(100)는 기판(110), 글라스 지지부재(160) 및 커버 글라스(180)가 형성하는 공간이 이미지 센서 칩(130)을 커버(cover)하기 때문에 와이어(140)를 보호하기 위한 별도의 수단이 필요 없었지만, 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지(200)는 커버 글라스(280)의 측면, 와이어(240), 및 이미지 센서 칩(230)의 측면을 보호하기 위한 사이드 필(260)이 도포된다는 점이다.
이러한 차이는 후술하는 이미지 센서 칩(230)과 커버 글라스(280)의 구조에 따른 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지에 사용되는 이미지 센서 칩의 일 실시 예이다.
도 3을 참조하면, 이미지 센서 칩(230)은, 소자 영역(310), 패드(241) 및 커버 글라스 고정영역(330)을 포함한다.
소자 영역(310)은 광 수신부(미도시) 및 신호 처리부(미도시)를 포함하는데, 광 수신부는 외부에서 인가되는 영상에 대응하는 전하를 생성하는 복수의 포토다이오드 어레이(미도시)가 구현된 부분이며, 신호 처리부는 포토다이오드 어레이(미도시)를 구성하는 각각의 포토다이오드로부터 생성되는 전하를 전압 값으로 변환하는 전하변환회로가 구현된 부분이다. 일반적으로 하나의 포토다이오드 및 해당 포토다이오드로부터 생성되는 전하를 이에 대응하는 전압으로 변환하는 전하변환회로를 하나로 묶어 단위 이미지 센서회로라고 할 수 있다. 본 발명에서 이미지 센서 칩은 복수의 이미지 센서회로가 집적된 반도체 장치를 의미한다.
소자 영역(310)의 상부에는 마이크로 렌즈(231)가 설치되어, 이미지 센서 칩(230)이 수신하는 신호의 영상의 색을 감지할 수 있도록 한다.
패드(241)는 소자 영역(310)에서 생성된 변환전압을 외부로 전송하거나 외부에서 인가되는 전압소스(voltage source) 또는 신호(signal)를 수신하는 창구가 되며, 본 발명에서는 패드(241)가 소자 영역(310)을 둘러싸는 형태로 이미지 센서 칩(230)의 가장자리에 형성되는 것으로 가정한다.
커버 글라스 고정영역(330)은 소자 영역(310)과 패드(241)가 설치된 영역의 사이에 일정한 두께로 가지는 띠 형태로 구현되며, 후술하는 커버 글라스(280)의 접착 면(420)이 접착제(미도시)에 의해 접착 고정되는 영역이 된다.
도 4는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지에 사용되는 홈이 형성된 커버 글라스의 일 실시 예이다.
도 4a는 홈이 형성된 커버 글라스(280)의 사시도, 도 4b는 평면도, 도 4c는 측면도이다.
도 4를 참조하면, 홈이 형성된 커버 글라스(280)는 패널 형태의 커버 글라스 바디의 중앙 내부에 형성되는 홈(410) 및 홈의 가장자리에 일정한 두께를 가지는 띠 형태의 접착 면(420)을 포함한다. 홈(410)의 깊이는 1~2㎛ 정도로 마이크로 렌즈(231)보다 길어야 하며, 홈(410)의 깊이가 깊으면 깊을수록 입사하는 영상을 효과적으로 수신할 수 있으므로, 0.05~0.5mm 정도로 하는 실시예도 가능하다.
커버 글라스(280)의 홈(410)은 평면 형태의 커버 글라스(280)의 중앙 내부를 에칭 용액(etchant)을 이용하여 생성할 수 있다. 홈(410)은 커버 글라스(280)가 이미지 센서 칩(230)의 패키징에 사용될 때 이미지 센서 칩(230)의 마이크로 렌즈(231)와 커버 글라스(280) 사이의 공간을 형성한다.
커버 글라스(280)의 홈(410)을 생성하는데 사용하는 에칭 용액의 종류, 에칭 시간 및 방법은 이 분야의 통상의 기술자는 쉽게 구현할 수 있으므로, 여기서는 설명하지 않는다. 다만, 홈(410)은 최소한 마이크로 렌즈(231)의 상부와 홈(410)의 내면이 접촉하지 않는 정도의 깊이와 적어도 소자 영역(310)을 포함하는 2차원 면적을 가지는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따라 이미지 센서 칩을 기판에 접착 및 고정한 후에 커버 글라스를 이미지 센서 칩에 접착 및 고정하는 방식으로 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법을 나타내는 신호 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법(500)은 이미지 센서 칩(230)의 상부에 설치한 마이크로 렌즈와 내면이 접촉하지 않는 깊이를 가지고, 이미지 센서 칩(230)의 광 수신부와 신호 처리부가 구현된 소자 영역(310)을 포함하는 홈을 가지는 커버 글라스(280)를 준비하는 단계(510), 제1 접착제(220)를 이용하여 상부에 마이크로 렌즈가 안착한 이미지 센서 칩을 기판의 상부에 접착 고정하는 단계(520), 제2 접착제(270)를 이용하여 커버 글라스(280)를 이미지 센서 칩(230)의 커버 글라스 고정영역(330)에 접착 고정하는 단계(530), 이미지 센서 칩(230)의 패드(241)와 기판(230)의 도선(250)을 와이어(240)로 각각 연결(와이어 본딩)하는 단계(540) 및 커버 글라스(280)의 가장자리, 와이어(240) 및 기판(210)의 도선(250)을 덮는 사이드 필(260)을 도포하는 단계(550)를 포함한다.
도 6은 본 발명에 따른 이미지 센서 칩을 기판에 접착 및 고정한 후에 커버 글라스를 상기 이미지 센서 칩에 접착 및 고정하는 방식으로 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 일 실시 예이다.
도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법은, 기판(210)의 준비(6a), 준비된 기판(210)의 상부에 제1 접착제(220)의 도포(도 6b), 제1 접착제(220)를 이용하여 기판(210)에 이미지 센서 칩(230)의 접착(도 6c), 제2 접착제(270)를 이용하여 커버 글라스(280)를 이미지 센서 칩(230)의 상부에 접착(도 6d, e), 이미지 센서 칩(230)의 패드(241)와 기판의 도선(250)을 본딩 와이어(240)로 연결(도 6f), 커버 글라스(280)의 가장자리, 와이어(240) 및 기판(210)의 도선(250)을 덮는 사이드 필(260)을 도포(도 6g)하는 과정을 포함한다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따라 커버 글라스를 이미지 센서 패키지에 접착 및 고정한 후에 상기 이미지 센서 칩을 기판에 접착 및 고정하는 방식으로 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법을 나타내는 신호 흐름도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법(600)은 이미지 센서 칩(230)의 상부에 설치한 마이크로 렌즈와 내면이 접촉하지 않는 깊이를 가지고, 이미지 센서 칩(230)의 광 수신부와 신호 처리부가 구현된 소자 영역(310)을 포함하는 홈을 가지는 커버 글라스(280)를 준비하는 단계(610), 제2 접착제(270)를 이용하여 커버 글라스(280)를 상부에 마이크로 렌즈가 안착한 이미지 센서 칩(230)의 커버 글라스 고정영역(330)에 접착 고정하는 단계(620), 제1 접착제(220)를 이용하여 커브 글라스가 이미지 센서 칩(230)의 커버 글라스 고정 영역(330)에 접착 고정된 이미지 센서 칩(230)을 기판의 상부에 접착 고정하는 단계(630), 이미지 센서 칩(230)의 패드(241)와 기판(230)의 도선(250)을 와이어(240)로 각각 연결(와이어 본딩)하는 단계(640) 및 커버 글라스(280)의 가장자리, 와이어(240) 및 기판(210)의 도선(250)을 덮는 사이드 필(260)을 도포하는 단계(650)를 포함한다.
도 8은 본 발명에 따른 커버 글라스를 이미지 센서 칩에 접착 및 고정한 후에 상기 이미지 센서 칩을 기판에 접착 및 고정하는 방식으로 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 일 실시 예이다.
도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법은, 커버 글라스(280)의 준비(도 8a), 제2 접착제(270)를 이용하여 커버 글라스(280)를 이미지 센서 칩(230)의 상부에 접착(도 8b, c), 준비된 기판(210)의 상부에 제1 접착제(220)의 도포(도 8d), 제1 접착제(220)를 이용하여 기판(210)에 이미지 센서 칩(230)의 접착(도 8e), 이미지 센서 칩(230)의 패드(241)와 기판의 도선(250)을 본딩 와이어(240)로 연결(도 8f), 커버 글라스(280)의 가장자리, 와이어(240) 및 기판(210)의 도선(250)을 덮는 사이드 필(260)을 도포(도 8g)하는 과정을 포함한다.
전술한 본 발명은, 프로그램이 기록된 매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 매체는, 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 매체의 예로는, HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Disk), SDD(Silicon Disk Drive), ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피 디스크, 광 데이터 저장 장치 등이 있다.
이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 기술자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방 가능함은 명백한 사실이다.
210: 기판
220: 제1 접착제
230: 이미지 센서 칩
240; 와이어
250: 도선
260: 사이드 필
270: 제2 접착제
280: 커버 글라스
220: 제1 접착제
230: 이미지 센서 칩
240; 와이어
250: 도선
260: 사이드 필
270: 제2 접착제
280: 커버 글라스
Claims (11)
- 상부에 마이크로 렌즈가 안착한 이미지 센서 칩; 및
가장자리 면을 따라 형성되는 일정한 두께를 가지는 접착 면 안쪽으로 형성되는 홈을 이용하여 상기 이미지 센서 칩의 상부에 일정한 공간을 형성하며, 상기 접착 면이 상기 이미지 센서 칩에 형성된 커버 글라스 고정영역에 접착 고정되는 커버 글라스; 를
포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지. - 제1항에서, 상기 커버 글라스의 홈은,
내부에 상기 이미지 센서 칩의 광 수신부 및 신호 처리부가 구현된 소자 영역을 포함할 수 있으며,
상기 이미지 센서 칩의 상부에 설치한 마이크로 렌즈와 상기 홈의 내면이 접촉하지 않는 깊이를 가지는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지. - 제2항에서, 상기 커버 글라스 고정영역은,
상기 소자 영역과 상기 소자 영역의 외부에 형성되는 복수의 패드 사이에 형성되는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지. - 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에서,
상기 이미지 센서 패키지는 상기 이미지 센서 칩이 접착 고정되는 기판: 을
더 포함하는 것을 특징으로 하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지. - 제4항에서,
상기 이미지 센서 칩의 복수의 패드는 상기 기판에 형성된 도선과 와이어로 각각 연결되는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지. - 제5항에서,
상기 커버 글라스의 가장자리, 상기 와이어 및 상기 기판의 도선을 덮는 사이드 필(Side Fill)을 더 포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지. - 이미지 센서 칩의 상부에 설치한 마이크로 렌즈와 내면이 접촉하지 않는 깊이를 가지고, 상기 이미지 센서 칩의 광 수신부와 신호 처리부가 구현된 소자 영역을 포함하는 홈을 가지는 커버 글라스를 준비하는 단계; 및
제2 접착제를 이용하여 상기 커버 글라스를 상기 이미지 센서 칩의 커버 글라스 고정영역에 접착 고정하는 단계; 를
포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제7항에서, 상기 커버 글라스 고정영역은,
상기 소자 영역과 상기 소자 영역의 외부에 형성되는 복수의 패드 사이에 형성되는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제7항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에서,
제1 접착제를 이용하여 상기 이미지 센서 칩을 기판의 상부에 접착 고정하는 단계; 를 더 포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제9항에서,
상기 이미지 센서 칩의 패드와 상기 기판의 도선을 와이어로 각각 연결하는 단계;를 더 포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제10항에서,
상기 커버 글라스의 가장자리, 상기 와이어 및 상기 기판의 도선을 덮는 사이드 필을 도포하는 단계;를
더 포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220020178A KR20230123254A (ko) | 2022-02-16 | 2022-02-16 | 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지 및 이미지 센서 패키지의 제조방법 |
| PCT/KR2022/012229 WO2023158040A1 (ko) | 2022-02-16 | 2022-08-17 | 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지 및 이미지 센서 패키지의 제조방법 |
| TW111131355A TWI829297B (zh) | 2022-02-16 | 2022-08-19 | 使用具有槽體之玻璃罩之影像感測器封裝件及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220020178A KR20230123254A (ko) | 2022-02-16 | 2022-02-16 | 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지 및 이미지 센서 패키지의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230123254A true KR20230123254A (ko) | 2023-08-23 |
Family
ID=87578788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220020178A KR20230123254A (ko) | 2022-02-16 | 2022-02-16 | 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지 및 이미지 센서 패키지의 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20230123254A (ko) |
| TW (1) | TWI829297B (ko) |
| WO (1) | WO2023158040A1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220009738A (ko) | 2020-07-16 | 2022-01-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 이미지 센서 패키지 및 이를 포함하는 카메라 장치 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080081726A (ko) * | 2007-03-06 | 2008-09-10 | 삼성테크윈 주식회사 | 이미지 센서 모듈 및 이를 구비한 카메라 모듈 |
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| JP7235752B2 (ja) * | 2018-08-03 | 2023-03-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置 |
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-
2022
- 2022-02-16 KR KR1020220020178A patent/KR20230123254A/ko not_active Application Discontinuation
- 2022-08-17 WO PCT/KR2022/012229 patent/WO2023158040A1/ko unknown
- 2022-08-19 TW TW111131355A patent/TWI829297B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220009738A (ko) | 2020-07-16 | 2022-01-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 이미지 센서 패키지 및 이를 포함하는 카메라 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023158040A1 (ko) | 2023-08-24 |
| TWI829297B (zh) | 2024-01-11 |
| TW202335268A (zh) | 2023-09-01 |
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