KR20230123256A - 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조방법 - Google Patents
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- 239000006059 cover glass Substances 0.000 title claims abstract description 179
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
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- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 이미지 센서 칩의 상부와 대면하는 커버 글라스의 면에 홈을 형성하고, 상기 커버 글라스를 이미지 센서 칩의 상부에 직접 접착함으로써, 글라스 지지부재를 사용하지 않는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법을 제안한다. 상기 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법은 웨이퍼에는 단일 이미지 센서 칩이 집적되어 있고 커버 글라스 어레이에는 단위 커버 글라스가 배열되어 있다는 것을 전제로, 웨이퍼를 절단하여 취득한 단일의 이미지 센서 칩과 커버 글라스 어레이에서 절단하여 취득한 단일의 커버 글라스를 이용하여 패키지를 제조하는 방식과 웨이퍼에 커버 글라스 어레이를 부착한 후, 커버 글라스의 절단 및 웨이퍼의 절단을 거쳐 패키지를 제조하는 방식으로 구분할 수 있다.
Description
본 발명은 이미지 센서 패키지의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 기판이 아니라 이미지 센서 칩의 상부에 접착 고정되며, 상기 이미지 센서 칩에 구현된 소자 영역의 상부에 일정 부피의 공간을 형성하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서(Image Sensor) 칩은 외부에서 인가되는 영상(image)을 전기신호로 변환하는 반도체 장치로, 이미지 센서 칩의 상부에 투명한 커버 글라스(Cover Glass)를 붙여 외부의 영상은 수신하면서 동시에 칩의 표면을 외부의 충격이나 불순물로부터 보호한다.
도 1은 종래의 이미지 센서 패키지의 단면을 나타낸다.
도 1을 참조하면, 종래의 이미지 센서 패키지(100)는, 기판(110), 기판(110)의 상부에 안착한 이미지 센서 칩(130), 기판(110)의 상부에서 이미지 센서 칩(130)의 가장자리에 설치되는 글라스 지지부재(160), 및 글라스 지지부재(160)의 상부에 안착하는 커버 글라스(180)를 포함한다.
이미지 센서 칩(130)은 제1 접착제(120)를 이용하여 기판(110)에 접착되고, 커버 글라스(180)는 제2 접착제(170)를 이용하여 글라스 지지부재(160)의 상부에 접착된다.
이미지 센서 칩(130)의 상부에 형성되는 마이크로 렌즈(131)와 커버 글라스(180) 사이에는 일정한 공간을 형성함으로써, 이미지 센서 칩(130)의 패드(141)와 기판(110)의 도선(150)을 와이어(140)를 이용하여 전기적으로 연결할 수 있도록 하는 한편, 외부에서 커버 글라스(180)를 통과하여 이미지 센서 칩(130)의 표면으로 영상이 충분히 인가될 수 있도록 한다.
이미지 센서 칩(130)의 상부와 커버 글라스(180) 사이의 공간은 글라스 지지부재(160)에 의해 생성된다. 이미지 센서 패키지를 제조하는 공정의 관점에서 볼 때, 이미지 센서 칩(130)의 가장자리를 감싸는 크기의 글라스 지지부재(160)를 사전에 제작해 놓아야 하고, 패키지 공정이 진행되는 도중 글라스 지지부재(160)를 기판(110)의 상부에 접착해야 하는 공정을 수행해야 한다.
이미지 센서 칩(130)을 패키징하는 공정을 진행하는 단계가 많으면 많을수록 패키징 수율이 낮아지게 되는 것은 당연하다. 따라서, 기존의 패키지 공정의 단계를 줄이거나 사용되는 구조물의 개수를 줄이는 것은 수율은 물론 경제적인 측면에서도 바람직하다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 이미지 센서 칩의 상부와 대면하는 커버 글라스의 면에 홈을 형성하고, 상기 커버 글라스를 이미지 센서 칩의 상부에 직접 접착함으로써, 글라스 지지부재를 사용하지 않는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 면(one aspect)에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법은, 기판의 상부에 접착 고정되며 상부에 마이크로 렌즈가 안착한 이미지 센서 칩 및 가장자리 면을 따라 형성되는 일정한 두께를 가지는 접착 면 안쪽으로 형성되는 홈을 이용하여 상기 이미지 센서 칩의 상부에 일정한 공간을 형성하며, 상기 접착 면이 상기 이미지 센서 칩에 형성된 커버 글라스 고정영역에 접착 고정되는 커버 글라스를 포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지를 제조하는 방법에 관한 것으로, 상기 이미지 센서 칩을 제조하는 단계, 상기 커버 글라스를 제조하는 단계, 상기 이미지 센서 칩을 기판에 부착하는 단계, 상기 커버 글라스를 상기 이미지 센서 칩 상에 부착하는 단계 및 상기 이미지 센서 칩의 패드와 상기 기판의 도선을 와이어로 연결하는 단계를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 일면(another aspect)에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법은, 기판의 상부에 접착 고정되며 상부에 마이크로 렌즈가 안착한 이미지 센서 칩 및 가장자리 면을 따라 형성되는 일정한 두께를 가지는 접착 면 안쪽으로 형성되는 홈을 이용하여 상기 이미지 센서 칩의 상부에 일정한 공간을 형성하며, 상기 접착 면이 상기 이미지 센서 칩에 형성된 커버 글라스 고정영역에 접착 고정되는 커버 글라스를 포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조하는 방법에 관한 것으로, 복수의 상기 이미지 센서 칩을 집적한 웨이퍼를 제조하는 단계, 복수의 커버 글라스가 구현된 커버 글라스 어레이를 제조하는 단계, 상기 커버 글라스 어레이를 상기 웨이퍼에 부착하는 단계, 상기 커버 글라스 어레이를 절단하는 단계, 상기 웨이퍼를 절단하는 단계, 이미지 센서 칩을 기판에 부착하는 단계 및 상기 이미지 센서 칩의 패드와 상기 기판에 형성된 도선을 와이어로 연결하는 단계를 포함한다.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조방법은, 에칭으로 홈이 형성된 커버 글라스를 사용함으로써 종래에 필수적으로 사용하였던 글라스 지지부재를 사용하지 않을 수 있으며 커버 글라스와 이미지 센서 칩이 형성하는 공간도 최소한으로 하기 때문에, 패키징 된 후 내부 습기의 발생 및 유동 이물질의 발생을 최소로 할 수 있는 장점이 있다.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 이미지 센서 패키지의 단면을 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 구조를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지에 사용되는 이미지 센서 칩의 일 실시 예이다.
도 4는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지에 사용되는 홈이 형성된 커버 글라스의 일 실시 예이다.
도 5는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 일 실시 예를 나타내는 신호 흐름도이다.
도 6은 도 5에 도시된 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 구체적인 실시 예를 설명한다.
도 7은 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 다른 일 실시 예를 나타내는 신호 흐름도이다.
도 8은 도 7에 도시된 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 구체적인 실시 예를 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 구조를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지에 사용되는 이미지 센서 칩의 일 실시 예이다.
도 4는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지에 사용되는 홈이 형성된 커버 글라스의 일 실시 예이다.
도 5는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 일 실시 예를 나타내는 신호 흐름도이다.
도 6은 도 5에 도시된 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 구체적인 실시 예를 설명한다.
도 7은 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 다른 일 실시 예를 나타내는 신호 흐름도이다.
도 8은 도 7에 도시된 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 구체적인 실시 예를 설명한다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 예시적인 실시 예를 설명하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 구조를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지(200)는, 기판(210), 이미지 센서 칩(230), 및 홈이 형성된 커버 글라스(280, 이하 커버 글라스)를 포함하는 것은 도 1에 도시된 종래의 이미지 센서 패키지(100)와 동일하다.
이미지 센서 칩(230)은 제1 접착제(220)를 이용하여 기판(210)에 접착되고, 커버 글라스(280)는 제2 접착제(270)를 이용하여 이미지 센서 칩(230)의 상부에 접착된다.
이미지 센서 칩(130, 230)의 가장자리에서 설치되는 패드(141, 241)는 실제로는 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이 육안으로 확인할 수 있을 정도로 이미지 센서 칩(130, 230)의 표면으로부터 돌출되지는 않지만 이해를 돕기 위해 돌출된 것으로 도시하였다.
다만, 아래에 설명하는 것과 같이 3가지의 특징에서 차이가 있다.
첫째, 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지(200)는 종래의 이미지 센서 패키지(100)에서 사용하는 글라스 지지부재(160)를 사용하지 않는다는 점과 커버 글라스(280)의 내부에 홈(미도시) 형성되어 있다는 점 및 커버 글라스(280)가 기판(210)이 아니라 이미지 센서 칩(230)에 접착 & 고정된다는 점에서 차이가 있다.
둘째, 종래의 이미지 센서 패키지(100)에서는 이미지 센서 칩(130)의 패드(241)와 기판(110)의 도선(250)을 연결하는 와이어(240)가 커버 글라스(140)와 기판(110)이 형성하는 내부 공간에서 위치하는 반면에, 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지(200)는 커버 글라스(280)와 이미지 센서 칩(230)의 상부와 형성하는 공간이 아니라 커버 글라스(280)의 외부에 와이어(240)가 위치한다는 점에서 차이가 있다.
셋째, 종래의 이미지 센서 패키지(100)는 기판(110), 글라스 지지부재(160) 및 커버 글라스(180)가 형성하는 공간이 이미지 센서 칩(130)을 커버(cover)하기 때문에 와이어(140)를 보호하기 위한 별도의 수단이 필요 없었지만, 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지(200)는 커버 글라스(280)의 측면, 와이어(240), 및 이미지 센서 칩(20)의 측면을 보호하기 위한 사이드 필(260)이 도포된다는 점이다.
이러한 차이는 후술하는 이미지 센서 칩(230)과 커버 글라스(280)의 구조에 따른 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지에 사용되는 이미지 센서 칩의 일 실시 예이다.
도 3을 참조하면, 이미지 센서 칩(230)은, 소자 영역(310), 패드(320) 및 커버 글라스 고정영역(330)을 포함한다.
소자 영역(310)은 광 수신부(미도시) 및 신호 처리부(미도시)를 포함하는데, 광 수신부는 외부에서 인가되는 영상에 대응하는 전하를 생성하는 복수의 포토다이오드 어레이(미도시)가 구현된 부분이며, 신호 처리부는 포토다이오드 어레이(미도시)를 구성하는 각각의 포토다이오드로부터 생성되는 전하를 전압 값으로 변환하는 전하변환회로가 구현된 부분이다. 일반적으로 하나의 포토다이오드 및 해당 포토다이오드로부터 생성되는 전하를 이에 대응하는 전압으로 변환하는 전하변환회로를 하나로 묶어 단위 이미지 센서회로라고 할 수 있다. 본 발명에서 이미지 센서 칩은 복수의 이미지 센서회로가 집적된 반도체 장치를 의미한다.
소자 영역(310)의 상부에는 마이크로 렌즈(231)가 설치되어, 이미지 센서 칩(230)이 수신하는 신호의 영상의 색을 감지할 수 있도록 한다.
패드(320)는 소자 영역(310)에서 생성된 변환전압을 외부로 전송하거나 외부에서 인가되는 전압소스(voltage source) 또는 신호(signal)를 수신하는 창구가 되며, 본 발명에서는 패드(241)가 소자 영역(310)을 둘러싸는 형태로 이미지 센서 칩(230)의 가장자리에 형성되는 것으로 가정한다.
커버 글라스 고정영역(330)은 소자 영역(310)과 패드(241)가 설치된 영역의 사이에 일정한 두께로 가지는 띠 형태로 구현되며, 후술하는 커버 글라스(280)의 접착 면(420)이 접착제(미도시)에 의해 접착 고정되는 영역이 된다.
도 4는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지에 사용되는 홈이 형성된 커버 글라스의 일 실시 예이다.
도 4a는 홈이 형성된 커버 글라스(280)의 사시도, 도 4b는 평면도, 도 4c는 측면도이다.
도 4를 참조하면, 홈이 형성된 커버 글라스(280)는 패널 형태의 커버 글라스 바디의 중앙 내부에 형성되는 홈(410) 및 홈의 가장자리에 일정한 두께를 가지는 띠 형태의 접착 면(420)을 포함한다. 홈(410)의 깊이는 1~2㎛ 정도로 마이크로 렌즈(231)보다 길어야 하며, 홈(410)의 깊이가 깊으면 깊을수록 입사하는 영상을 효과적으로 수신할 수 있으므로, 0.05~0.5mm 정도로 하는 실시예도 가능하다.
커버 글라스(280)의 홈(410)은 평면 형태의 커버 글라스(280)의 중앙 내부를 에칭 용액(etchant)을 이용하여 생성할 수 있다. 홈(410)은 커버 글라스(280)가 이미지 센서 칩(230)의 패키징에 사용될 때 이미지 센서 칩(230)의 마이크로 렌즈(231)와 커버 글라스(280) 사이의 공간을 형성한다.
커버 글라스(280)의 홈(410)을 생성하는데 사용하는 에칭 용액의 종류, 에칭 시간 및 방법은 이 분야의 통상의 기술자는 쉽게 구현할 수 있으므로, 여기서는 설명하지 않는다. 다만, 홈(410)은 최소한 마이크로 렌즈(231)의 상부와 홈(410)의 내면이 접촉하지 않는 정도의 깊이와 적어도 소자 영역(310)을 포함하는 2차원 면적을 가지는 것이 바람직하다.
도 2에 도시된 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지는 아래와 같이 본 발명에서 제안하는 2가지 방법을 통해 구현할 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 일 실시 예를 나타내는 신호 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법(500)은 이미지 센서 칩을 제조하는 단계(510), 커버 글라스를 제조하는 단계(520), 이미지 센서 칩(또는 다이, Die)을 기판에 부착하는 단계(530), 커버 글라스를 이미지 센서 칩 상에 부착하는 단계(540), 이미지 센서 칩의 패드와 기판의 도선을 와이어로 연결하는 단계(550) 및 커버 글라스의 가장자리, 와이어 및 기판의 도선을 덮는 사이드 필(Side Fill)을 도포하는 단계(560)를 포함한다.
이미지 센서 칩을 제조하는 단계(510)는, 이미지 센서 칩을 집적한 웨이퍼를 제조하는 단계(511) 및 웨이퍼를 절단하여 이미지 센서 칩을 구비하는 단계(512)를 포함한다.
커버 글라스를 제조하는 단계(520)는, 글라스를 에칭하여 각각 홈(410)이 형성된 복수의 커버 글라스를 포함하는 커버 글라스 어레이(또는 글라스 어레이)를 생성하는 단계(521) 및 커버 글라스 어레이를 절단하여 복수의 커버 글라스를 구비하는 단계(522)를 포함한다.
이미지 센서 칩을 제조하는 단계(510) 및 커버 글라스를 제조하는 단계(520)를 수행함으로써, 단일의 이미지 센서 칩과 단일의 커버 글라스를 각각 구비할 수 있다.
도 5에 도시된 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법(500)은 단일의 기판(210), 단일의 이미지 센서 칩(230) 및 단일의 커버 글라스(280)를 이용하여 이미지 센서 패키지를 제조하는 방법에 관한 것이다.
커버 글라스를 제조하는 단계(520)에서 글라스의 에칭에 의해 생성되는 커버 글라스의 홈(410)은, 내부에 이미지 센서 칩(230)의 광 수신부(미도시) 및 신호 처리부(미도시)가 구현된 소자 영역(310)을 포함할 수 있으며, 이미지 센서 칩(230)의 상부에 설치한 마이크로 렌즈(231)와 홈(410)의 내면이 접촉하지 않는 깊이를 가지도록 하는 것이 바람직하다.
여기서, 커버 글라스(280)를 이미지 센서 칩 상에 부착하는 단계(540)는, 커버 글라스의 홈(410)의 가장자리(420)를 이미지 센서 칩(230)에 형성된 커버 글라스 고정영역(330)에 부착한다. 커버 글라스 고정영역(330)은, 도 3을 참조하면, 소자 영역(310)과 복수의 패드(241) 사이에 형성되는 영역이다.
도 6은 도 5에 도시된 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 구체적인 실시 예를 설명한다.
도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법(500)은 글라스를 에칭하여 각각 홈(410)이 형성된 복수의 커버 글라스를 포함하는 커버 글라스 어레이를 생성하는 단계(①), 글라스를 점선을 따라 절단하는 단계(②), 홈(410)의 가장자리(420)에 접착제를 도포하는 단계(③), 커버 글라스를 이미지 센서 칩에 부착하는 단계(④), 커버 글라스를 이미지 센서 칩에 부착한 후 이미지 센서의 패드와 기판의 도선을 와이어로 연결하는 단계(⑤) 및 사이드 필을 도포하는 단계(⑥)를 거쳐 패키지가 완성된다는 것을 알 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 다른 일 실시 예를 나타내는 신호 흐름도이다.
도 7을 참조하면, 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법(700)은 복수의 이미지 센서 칩을 집적한 웨이퍼를 제조하는 단계(710), 복수의 커버 글라스가 구현된 커버 글라스 어레이를 제조하는 단계(720), 커버 글라스 어레이를 웨이퍼에 부착하는 단계(730), 커버 글라스 어레이를 절단하는 단계(740), 웨이퍼를 절단하는 단계(750), 이미지 센서 칩을 기판에 부착하는 단계(760), 이미지 센서 칩의 패드와 기판에 형성된 도선을 와이어로 연결하는 단계(770) 및 커버 글라스의 가장자리, 와이어 및 기판의 도선을 덮는 사이드 필을 도포하는 단계(780)를 포함한다.
커버 글라스 어레이를 제조하는 단계(720)는, 글라스를 에칭하여 내부에 각각 홈(410)이 형성된 복수의 커버 글라스를 포함하는 커버 글라스 어레이를 생성한다. 여기서 커버 글라스의 홈은, 내부에 이미지 센서 칩(230)의 광 수신부 및 신호 처리부가 구현된 소자 영역(310)을 포함하며, 이미지 센서 칩(230)의 상부에 설치한 마이크로 렌즈(231)와 홈의 내면이 접촉하지 않는 깊이를 가지도록 하는 것이 바람직하다.
커버 글라스 어레이를 상기 웨이퍼에 부착하는 단계(730)는, 커버 글라스 어레이에 형성된 각 홈의 가장자리를 웨이퍼에 집적된 이미지 센서 칩에 형성된 커버 글라스 고정영역에 부착한다. 여기서 커버 글라스 고정영역은 소자 영역(310)과 복수의 패드(241) 사이에 형성되는 영역이다.
도 8은 도 7에 도시된 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법의 구체적인 실시 예를 설명한다.
도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법(700)은 글라스를 에칭하여 홈(410)이 형성된 복수의 커버 글라스를 포함하는 커버 글라스 어레이를 생성하는 단계(①), 커버 글라스 어레이를 웨이퍼에 부착하는 단계(②), 커버 글라스 어레이를 절단하는 단계(③), 웨이퍼를 절단하여(④), 단일 칩 및 단일 커버 글라스를 생성하는 단계(⑤) 이미지 센서 칩의 패드와 기판의 도선을 와이어로 연결하는 단계(⑥) 및 사이드 필을 도포하는 단계(⑦)를 거쳐 패키지가 완성된다는 것을 알 수 있다.
글라스를 에칭하여 홈(410)이 형성된 복수의 커버 글라스를 포함하는 커버 글라스 어레이를 생성하는 단계(①)에서는 글라스를 에칭하여 홈(410)을 형성하는 동시에 커버 글라스 어레이를 절단하여 단일의 커버 글라스를 생성하는데 필요한 절단부에 대응하는 절단영역(411)을 더 에칭하는 것이 바람직하다. 물론 절단 영역(411)이 생성되어 있지 않아도 커버 글라스 어레이를 절단하는 것에는 큰 문제는 없지만(도 6의 ②), 다이아몬드 톱을 이용하여 커버 글라스 어레이를 절단할 때 절단의 절단 시간의 단축 및 절단 후 남는 찌꺼기의 영향을 최소로 하기 위해서는 절단 영역(411)을 미리 에칭해 놓는 것이 바람직할 것이다.
상기의 내용을 요약하면, 본 발명에 따른 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지 제조 방법은, 웨이퍼에는 단일 이미지 센서 칩이 집적되어 있고 커버 글라스 어레이에는 단위 커버 글라스가 배열되어 있다는 것을 전제로, 웨이퍼를 절단하여 취득한 단일의 이미지 센서 칩과 커버 글라스 어레이에서 절단하여 취득한 단일의 커버 글라스를 이용하여 패키지를 제조하는 방식과 웨이퍼에 커버 글라스 어레이를 부착한 후, 커버 글라스의 절단 및 웨이퍼의 절단을 거쳐 패키지를 제조하는 방식으로 구분한다는 것을 알 수 있다.
전술한 본 발명은, 프로그램이 기록된 매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 매체는, 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 매체의 예로는, HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Disk), SDD(Silicon Disk Drive), ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피 디스크, 광 데이터 저장 장치 등이 있다.
이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 기술자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방 가능함은 명백한 사실이다.
210: 기판
220: 제1 접착제
230: 이미지 센서 칩
240; 와이어
250: 도선
260: 사이드 필
270: 제2 접착제
280: 커버 글라스
220: 제1 접착제
230: 이미지 센서 칩
240; 와이어
250: 도선
260: 사이드 필
270: 제2 접착제
280: 커버 글라스
Claims (11)
- 기판의 상부에 접착 고정되며 상부에 마이크로 렌즈가 안착한 이미지 센서 칩 및 가장자리 면을 따라 형성되는 일정한 두께를 가지는 접착 면 안쪽으로 형성되는 홈을 이용하여 상기 이미지 센서 칩의 상부에 일정한 공간을 형성하며, 상기 접착 면이 상기 이미지 센서 칩에 형성된 커버 글라스 고정영역에 접착 고정되는 커버 글라스를 포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지를 제조하는 방법에 관한 것으로,
상기 이미지 센서 칩을 제조하는 단계;
상기 커버 글라스를 제조하는 단계;
상기 이미지 센서 칩을 기판에 부착하는 단계;
상기 커버 글라스를 상기 이미지 센서 칩 상에 부착하는 단계; 및
상기 이미지 센서 칩의 패드와 상기 기판의 도선을 와이어로 연결하는 단계;
포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 이미지 센서 칩을 제조하는 단계는,
상기 이미지 센서 칩을 집적한 웨이퍼를 제조하는 단계; 및
상기 웨이퍼를 절단하여 상기 이미지 센서 칩을 구비하는 단계를 포함하며,
상기 커버 글라스를 제조하는 단계는,
글라스를 에칭하여 각각 홈이 형성된 복수의 커버 글라스를 포함하는 커버 글라스 어레이를 생성하는 단계; 및
상기 커버 글라스 어레이를 절단하여 복수의 커버 글라스를 구비하는 단계를
포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제2항에서, 상기 커버 글라스의 홈은,
내부에 상기 이미지 센서 칩의 광 수신부 및 신호 처리부가 구현된 소자 영역을 포함할 수 있으며,
상기 이미지 센서 칩의 상부에 설치한 마이크로 렌즈와 상기 홈의 내면이 접촉하지 않는 깊이를 가지는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제1항에서, 상기 커버 글라스를 상기 이미지 센서 칩 상에 부착하는 단계는,
상기 커버 글라스의 홈의 가장자리를 상기 이미지 센서 칩에 형성된 커버 글라스 고정영역에 부착하며,
상기 커버 글라스 고정영역은, 상기 소자 영역과 상기 소자 영역의 외부에 형성되는 복수의 패드 사이에 형성되는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 커버 글라스의 가장자리, 상기 와이어 및 상기 기판의 도선을 덮는 사이드 필(Side Fill)을 도포하는 단계를 더 포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 기판의 상부에 접착 고정되며 상부에 마이크로 렌즈가 안착한 이미지 센서 칩 및 가장자리 면을 따라 형성되는 일정한 두께를 가지는 접착 면 안쪽으로 형성되는 홈을 이용하여 상기 이미지 센서 칩의 상부에 일정한 공간을 형성하며, 상기 접착 면이 상기 이미지 센서 칩에 형성된 커버 글라스 고정영역에 접착 고정되는 커버 글라스를 포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조하는 방법에 관한 것으로,
복수의 상기 이미지 센서 칩을 집적한 웨이퍼를 제조하는 단계;
복수의 커버 글라스가 구현된 커버 글라스 어레이를 제조하는 단계;
상기 커버 글라스 어레이를 상기 웨이퍼에 부착하는 단계;
상기 커버 글라스 어레이를 절단하는 단계;
상기 웨이퍼를 절단하는 단계;
이미지 센서 칩을 기판에 부착하는 단계; 및
상기 이미지 센서 칩의 패드와 상기 기판에 형성된 도선을 와이어로 연결하는 단계를
포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제6항에서, 상기 커버 글라스 어레이를 제조하는 단계는,
글라스를 에칭하여 내부에 각각 홈이 형성된 복수의 커버 글라스를 포함하는 상기 커버 글라스 어레이를 생성하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제7항에서, 상기 커버 글라스의 홈은,
내부에 상기 이미지 센서 칩의 광 수신부 및 신호 처리부가 구현된 소자 영역을 포함하며,
상기 이미지 센서 칩의 상부에 설치한 마이크로 렌즈와 상기 홈의 내면이 접촉하지 않는 깊이를 가지는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제7항에서, 상기 커버 글라스의 홈을 생성할 때,
상기 커버 글라스 어레이를 절단하여 단일의 커버 글라스를 생성하는데 필요한 절단부에 대응하는 절단영역을 더 에칭하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제6항에서, 상기 커버 글라스 어레이를 상기 웨이퍼에 부착하는 단계는,
상기 커버 글라스 어레이에 형성된 각 홈의 가장자리를 상기 웨이퍼에 집적된 상기 이미지 센서 칩에 형성된 커버 글라스 고정영역에 부착하며,
상기 커버 글라스 고정영역은 상기 소자 영역과 상기 소자 영역의 외부에 형성되는 복수의 패드 사이에 형성되는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법. - 제6항에서,
상기 커버 글라스의 가장자리, 상기 와이어 및 상기 기판의 도선을 덮는 사이드 필을 도포하는 단계를 더 포함하는 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조 방법.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220020181A KR20230123256A (ko) | 2022-02-16 | 2022-02-16 | 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020220020181A KR20230123256A (ko) | 2022-02-16 | 2022-02-16 | 홈이 형성된 커버 글라스를 이용하는 이미지 센서 패키지의 제조방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230123256A true KR20230123256A (ko) | 2023-08-23 |
Family
ID=87849180
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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|---|---|
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220009738A (ko) | 2020-07-16 | 2022-01-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 이미지 센서 패키지 및 이를 포함하는 카메라 장치 |
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2022
- 2022-02-16 KR KR1020220020181A patent/KR20230123256A/ko not_active Application Discontinuation
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