KR20230104628A - 에칭제 및 회로 기판의 제조 방법 - Google Patents

에칭제 및 회로 기판의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230104628A
KR20230104628A KR1020237016494A KR20237016494A KR20230104628A KR 20230104628 A KR20230104628 A KR 20230104628A KR 1020237016494 A KR1020237016494 A KR 1020237016494A KR 20237016494 A KR20237016494 A KR 20237016494A KR 20230104628 A KR20230104628 A KR 20230104628A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
copper
etchant
weight
less
etching
Prior art date
Application number
KR1020237016494A
Other languages
English (en)
Inventor
유 후쿠이
다이사쿠 아키야마
다이 나카네
겐지 니시에
Original Assignee
멕크 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 멕크 가부시키가이샤 filed Critical 멕크 가부시키가이샤
Publication of KR20230104628A publication Critical patent/KR20230104628A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F11/00—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
    • C23F11/08—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
    • C23F11/10—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids using organic inhibitors
    • C23F11/12—Oxygen-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F11/00—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
    • C23F11/08—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
    • C23F11/10—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids using organic inhibitors
    • C23F11/14—Nitrogen-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067—Etchants

Abstract

본 발명은, 구리보다 귀한 금속을 포함하는 귀금속층과 구리층이 공존하는 피처리물의 구리층을 선택적으로 에칭하는 에칭제로서, 구리 이온과, 고리 내에 질소 원자를 2 개 이상 갖는 복소 고리형 화합물 및 탄소수가 8 이하인 아미노기 함유 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 질소 함유 화합물과, 폴리알킬렌글리콜과, 할로겐 이온을 포함하고, 폴리알킬렌글리콜을 0.0005 중량％ 이상 7 중량％ 이하 포함하고, 할로겐 이온을 1 ppm 이상 250 ppm 이하 포함하는 에칭제 등이다.

Description

에칭제 및 회로 기판의 제조 방법
본 발명은, 에칭제 및 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
종래부터, 회로 기판에 있어서의 미세한 회로 패턴을 형성하는 방법으로서, 절연 수지층의 표면에 무전해 구리 도금에 의해 시드층을 형성하고, 이 시드층 상에 도금 레지스트를 형성하여 전해 구리 도금에 의해 회로를 형성하고, 그 후, 회로 간의 기판 상에 남아 있는 시드층을 에칭 제거하는 세미 애디티브 공법 (SAP : Semi Additive Process) 등이 알려져 있다. 이 세미 애디티브 공법에서는, 회로를 구성하는 구리 도금층의 표면에, 금, 은, 팔라듐 등의 구리보다 귀한 금속 (이온화 경향이 작은 금속) 의 도금을 실시하는 경우가 있다. 따라서, 시드층을 에칭 제거할 때에는, 시드층의 구리 (특히, 무전해 구리 도금층의 구리) 를 선택적으로 에칭하는 에칭제가 필요해진다.
이종 금속이 공존하는 기판에 있어서 구리를 선택하여 에칭하는 에칭제로는, 예를 들어, 특허문헌 1 (일본 공개특허공보 2012-129304호) 에 개시되어 있는 에칭제 등이 있다.
한편, 구리보다 귀한 금속과 도통 (전기적으로 접속) 하고 있는 구리가 에칭제와 접촉한 경우, 갈바닉 부식으로 불리는 현상이 일어날 가능성이 있다. 갈바닉 부식이란, 이온화 경향이 상이한 2 개의 금속을 전해액 중에 넣었을 때에 양 금속에 의해 국부 전지가 형성되고, 이온화 경향이 큰 쪽의 금속이 부식되는 현상이다. 상기 서술한 바와 같이 구리와 구리보다 귀한 금속이 공존하는 기판을 에칭할 때에 갈바닉 부식에 의해 부분적으로 구리가 과잉으로 에칭될 우려가 있다. 이러한 갈바닉 부식을 억제하는 에칭제로는, 예를 들어, 특허문헌 2 (WO2019/013160호) 에 개시되어 있는 에칭제 등이 있다. 특허문헌 2 에는, 이러한 에칭제가 구리의 선택 에칭성이 우수하여, 갈바닉 부식을 확실하게 억제할 수 있고, 또한 에칭 속도도 우수하다고 기재되어 있다.
그러나, 특허문헌 2 에 기재된 에칭제는 pH 7.8 ∼ 11 의 알칼리성 에칭제이기 때문에, 제조 공정에 대한 적용시에 제약이 발생한다. 따라서, 보다 낮은 pH 에서도 갈바닉 부식 등에 의한 부분적인 과잉 에칭을 확실하게 억제하면서, 구리의 선택적 에칭성이 우수한 에칭제가 요구되고 있다.
일본 공개특허공보 2012-129304호 국제공개 WO2019/013160호
본 발명은, 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 비교적 낮은 pH 에서도 부분적인 과잉 에칭을 억제하면서, 구리의 선택적 에칭성이 우수한 에칭제를 제공하는 것을 과제로 한다.
또, 비교적 낮은 pH 에서 부분적인 과잉 에칭을 억제하면서 구리를 선택적 에칭할 수 있는 회로 기판의 제조 방법의 제공을 과제로 한다.
에칭제에 관련된 본 발명은,
구리보다 귀한 금속을 포함하는 귀금속층과 구리층이 공존하는 피처리물의 구리층을 선택적으로 에칭하는 에칭제로서,
구리 이온과,
고리 내에 질소 원자를 2 개 이상 갖는 복소 고리형 화합물 및 탄소수가 8 이하인 아미노기 함유 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 질소 함유 화합물과,
폴리알킬렌글리콜과,
할로겐 이온을 포함하고,
폴리알킬렌글리콜을 0.0005 중량％ 이상 7 중량％ 이하 포함하고,
할로겐 이온을 1 ppm 이상 250 ppm 이하 포함한다.
본 발명은, 상기 할로겐 이온이, 염화물 이온 및 브롬화물 이온으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이어도 된다.
본 발명은, pH 가 6.0 이상 8.0 이하여도 된다.
본 발명은, 상기 구리 이온을 0.5 중량％ 이상 10.0 중량％ 이하 포함하고 있어도 된다.
본 발명은, 상기 질소 함유 화합물을 0.1 중량％ 이상 30.0 중량％ 이하 포함하고 있어도 된다.
본 발명은, 유기산을 포함하지 않거나, 또는, 유기산을 0 중량％ 초과 7 중량％ 미만 포함하고 있어도 된다.
본 발명은, 상기 질소 함유 화합물이, 이미다졸류여도 된다.
본 발명은, 상기 폴리알킬렌글리콜은, 폴리에틸렌글리콜이어도 된다.
회로 기판의 제조 방법에 관련된 본 발명은, 상기 어느 하나에 기재된 에칭제를 사용하여, 구리보다 귀한 금속을 포함하는 귀금속층과 구리층이 공존하는 피처리물의 구리층을 선택적으로 에칭함으로써 회로를 형성한다.
회로 기판의 제조 방법에 관련된 본 발명에 있어서, 상기 귀금속층은 금을 포함하는 층이어도 된다.
본 발명에 의하면, 비교적 낮은 pH 에서도 부분적인 과잉 에칭을 확실하게 억제하면서, 구리의 선택적 에칭성이 우수한 에칭제를 제공할 수 있다.
또, 비교적 낮은 pH 에서 부분적인 과잉 에칭을 확실하게 억제하면서 구리를 선택적 에칭할 수 있는 회로 기판의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은 회로 기판의 개략을 나타내는 부분 단면도이다.
도 2 는 회로 기판의 개략을 나타내는 부분 단면도이다.
도 3 은 사이드 에칭량의 측정을 설명하기 위한 개략도이다.
이하에 본 발명의 에칭제 및 본 발명의 회로 기판의 제조 방법 (이하, 간단히 제조 방법이라고도 한다) 의 실시형태에 대해 설명한다.
(에칭제)
본 실시형태의 에칭제는, 구리보다 귀한 금속을 포함하는 귀금속층과 구리층이 공존하는 피처리물의 구리층을 선택적으로 에칭하는 에칭제로서, 구리 이온과, 고리 내에 질소 원자를 2 개 이상 갖는 복소 고리형 화합물 및 탄소수가 8 이하인 아미노기 함유 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 질소 함유 화합물과, 폴리알킬렌글리콜과, 할로겐 이온을 포함하고, 폴리알킬렌글리콜을 0.0005 중량％ 이상 7 중량％ 이하 포함하고, 할로겐 이온을 1 ppm 이상 250 ppm 이하 포함하는 에칭제이다.
또한, 본 실시형태에서 말하는「구리」란, 순구리 및 구리를 90 중량％ 이상 포함하는 구리 합금을 의미한다. 또, 본 실시형태에서 말하는「구리보다 귀한 금속」이란 Cu 보다 이온화 경향이 작은 금속을 말한다.
[구리 이온]
본 실시형태의 에칭제는 구리 이온을 포함한다. 구리 이온으로는, 제 2 구리 이온 (Cu2＋) 이 바람직하다. 구리 이온은 구리 이온원으로부터 에칭제 중에 공급된다. 구리 이온은 구리의 산화제로서 작용하는 성분이다.
구리 이온을 공급하는 구리 이온원으로는, 예를 들어, 수산화구리, 유기산의 구리 착물, 탄산구리, 황산구리, 산화구리, 염화구리나 브롬화구리 등의 할로겐화 구리, 혹은, 후술하는 질소 함유 화합물의 구리 착물 등을 들 수 있다.
특히 에칭 속도를 향상시키는 관점에서, 포름산구리, 아세트산구리, 염화구리, 브롬화구리 등을 들 수 있다.
구리 이온원은, 이것들을 단독으로 또는 복수 종을 조합하여 사용해도 된다.
상기 구리 이온의 함유량은, 에칭 속도를 향상시키는 관점에서, 예를 들어, 구리 이온으로서 0.5 중량％ 이상 10.0 중량％ 이하, 또는 1.0 중량％ 이상 5.0 중량％ 이하인 것을 들 수 있다.
상기 구리 이온의 함유량이 되도록 구리 이온원의 함유량은 적절히 결정될 수 있다.
[질소 함유 화합물]
본 실시형태의 에칭제는, 고리 내에 질소 원자를 2 개 이상 갖는 복소 고리형 화합물 (이하, 간단히 복소 고리형 화합물이라고도 한다) 및 탄소수가 8 이하인 아미노기 함유 화합물 (이하, 간단히 아미노기 함유 화합물이라고도 한다) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 질소 함유 화합물 (이하, 간단히 질소 함유 화합물이라고도 한다) 을 포함한다. 질소 함유 화합물은 에칭제 중에 용해된 구리를 착물로서 에칭제 중에 유지하는 성분으로서 배합된다.
복소 고리형 화합물로는, 고리 내에 질소 원자를 2 개 이상 갖는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 이미다졸류, 피라졸류, 트리아졸류, 테트라졸류, 그것들의 유도체 등의 아졸류 등을 들 수 있다. 용해된 구리와의 착(錯) 형성성의 관점에서는, 이미다졸이나 벤즈이미다졸 등의 이미다졸류, 혹은 피라졸 등의 피라졸류가 바람직하다. 구체적으로는, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1,2-디에틸이미다졸, 벤즈이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 벤즈트리아졸 등을 들 수 있고, 특히, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1,2-디에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸이 바람직하다.
[아미노기 함유 화합물]
아미노기 함유 화합물로는, 탄소수가 8 이하인 것이면 특별히 한정되지 않지만, 용해된 구리와의 착형성성의 관점에서, 예를 들어, 탄소수가 0 이상 7 이하인 것, 또는, 0 이상 5 이하인 것을 들 수 있다.
아미노기 함유 화합물로는, 예를 들어, 암모니아 ; 메틸암모늄, 디메틸암모늄, 트리메틸암모늄 등의 알킬암모늄 ; 알칸올아민 ; 아닐린 등의 방향족 아민 등을 들 수 있다. 또, 에틸렌디아민 등의 아미노기를 2 개 이상 갖는 아민 화합물이나, 테트라메틸암모늄 등의 제 4 급 아민 화합물 등도 들 수 있다. 특히, 용해된 구리와의 착형성성의 관점에서 암모니아, 알칸올아민이 바람직하다.
알칸올아민의 구체예로는, 예를 들어 모노에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-부틸에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 2-(2-하이드록시)에톡시에탄올아민 등의 모노에탄올아민 및 그 유도체 ; 디에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, N-부틸디에탄올아민 등의 디에탄올아민 및 그 유도체 ; 트리에탄올아민 ; 프로판올아민 ; 이소프로판올아민 ; 하이드록시에틸피페라진 ; 그것들의 유도체 등을 들 수 있다. 특히, 용해된 구리와의 착형성성의 관점에서 모노에탄올아민, 트리에탄올아민, N-메틸디에탄올아민이 바람직하다.
용해된 구리와의 착형성성의 관점에서, 질소 함유 화합물로는, 이미다졸류, 피라졸류, 암모니아, 알칸올아민인 것이 바람직하고, 2-메틸이미다졸, 이미다졸, 1,2-디에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 트리에탄올아민, 모노에탄올아민, N-메틸디에탄올아민인 것이 보다 바람직하다.
질소 함유 화합물의 함유량은, 예를 들어, 1.0 중량％ 이상 30.0 중량％ 이하, 또는 5.0 중량％ 이상 25.0 중량％ 이하, 또는 10.0 중량％ 이상 20.0 중량％ 이하인 것을 들 수 있다. 질소 함유 화합물의 함유량이 상기 범위임으로써 에칭 속도를 향상시킬 수 있음과 동시에 에칭제의 점도 상승을 억제할 수 있다.
질소 함유 화합물로는, 복소 고리형 화합물 및 아미노기 함유 화합물 중 어느 일방만이어도 되고, 양방이어도 된다.
또한, 질소 함유 화합물은 상기 각 성분을 단독으로 또는 복수 종을 조합하여 사용해도 된다.
복소 고리형 화합물 및 아미노기 함유 화합물이 함께 사용되는 것이 바람직하다.
질소 함유 화합물로서 복소 고리형 화합물 및 아미노기 함유 화합물을 양방 사용하는 경우에는, 예를 들어, 복소 고리형 화합물로서 아졸류, 아미노기 함유 화합물로서 알칸올아민을 조합하는 것 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 복소 고리형 화합물로서 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1,2-디에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 중에서 1 종 또는 2 종 이상, 아미노기 함유 화합물로서, 트리에탄올아민, 모노에탄올아민, N-메틸디에탄올아민 중에서 1 종 또는 2 종 이상을 선택하는 것 등을 들 수 있다.
이 경우, 아졸류의 함유량은 0.1 중량％ 이상 25 중량％ 이하, 또는 1.0 중량％ 이상 20 중량％ 이하, 또는, 3.0 중량％ 이상 10 중량％ 이하, 알칸올아민의 함유량은 0.1 중량％ 이상 25 중량％ 이하 또는 1.0 중량％ 이상 20 중량％ 이하, 또는 2.5 중량％ 이상 11 중량％ 이하 등이 예시된다.
[폴리알킬렌글리콜]
본 실시형태의 에칭제는 폴리알킬렌글리콜을 포함한다. 폴리알킬렌글리콜은 갈바닉 부식에 의한 과잉 에칭을 억제하여, 균일한 에칭을 촉진시키는 성분이다.
본 실시형태의 폴리알킬렌글리콜로는, 폴리알킬렌글리콜 및 그 유도체도 포함한다.
폴리알킬렌글리콜은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리부틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머 등을 들 수 있다. 특히, 에칭 불균일 억제 등의 마무리를 향상시키는 관점에서 폴리에틸렌글리콜이 바람직하다. 폴리에틸렌글리콜을 사용하는 경우에는, 중량 평균 분자량 200 ∼ 20000 등의 폴리에틸렌글리콜이 바람직하다.
폴리알킬렌글리콜의 함유량은, 과잉 에칭 등을 억제시키는 관점에서, 예를 들어, 0.0005 중량％ 이상 7 중량％ 이하, 또는 0.001 중량％ 이상 5 중량％ 이하인 것을 들 수 있다.
[할로겐 이온]
본 실시형태의 에칭제는 할로겐 이온을 포함한다. 할로겐 이온은, 구리의 용해성과 용해 안정성을 향상시키고, 또한 에칭 속도를 빠르게 하는 성분이다.
할로겐 이온을 에칭제 중에 공급하는 할로겐 이온원으로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 염화수소산, 브롬화수소산, 요오드화수소산 등의 무기산 ; 염화구리, 브롬화구리, 염화철, 염화나트륨, 요오드화나트륨, 염화암모늄, 브롬화암모늄 등의 무기염을 들 수 있다.
공급되는 할로겐 이온의 종류로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 염소, 요오드, 브롬 등을 할로겐 원소로서 들 수 있다. 특히, 갈바닉 부식 억제와 에칭 속도의 최적화를 양립시키는 관점에서, 할로겐 이온은, 염화물 이온 및 브롬화물 이온으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다.
할로겐 이온의 함유량으로는, 예를 들어, 에칭 속도를 적정한 범위로 하는 관점에서 1 ppm 이상 250 ppm 이하, 또는 2 ppm 이상 200 ppm 이하, 또는 4 ppm 이상 100 ppm 이하 등을 들 수 있다.
보다 구체적으로는, 할로겐 이온이 염화물 이온인 경우에는 50 ppm 이상 200 ppm 이하, 할로겐 이온이 브롬화물 이온인 경우에는 2 ppm 이상 40 ppm 이하 등의 범위가 예시된다.
[유기산]
본 실시형태의 에칭제는, 유기산을 포함하지 않거나, 또는 약간 포함하는 것이 바람직하다. 유기산은 에칭제 중에 대한 구리의 용해성을 양호하게 하는 작용이 있지만, 갈바닉 부식에 의한 과잉 에칭을 촉진시키는 작용도 있기 때문에, 포함하지 않거나, 또는 포함하고 있어도 0 중량％ 초과 7 중량％ 미만, 또는 1 중량％ 이상 6 중량％ 이하인 것이 바람직하다.
유기산을 포함하는 경우에 있어서, 유기산의 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 구리의 산화 작용을 저해하지 않고, 에칭제의 점도 상승을 일으킬 우려가 없는 등의 점에서, 예를 들어, 지방족 포화 모노카르복실산, 지방족 포화 디카르복실산, 옥시카르복실산을 들 수 있다. 특히, 바람직하게는 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 카프로산, 옥살산, 락트산, 말산, 시트르산, 타르타르산 등을 들 수 있다.
[그 밖의 성분]
본 실시형태의 에칭제에는, 통상적인 에칭제에 배합될 수 있는 성분으로서 본 실시형태의 에칭제의 목적을 저해하지 않는 성분이면 적절히 배합될 수 있다.
[pH]
본 실시형태의 에칭제의 pH 는 6.0 이상 8.0 이하, 또는 6.2 이상 7.5 이하, 또는 6.2 이상 7.0 이하이도록 조정되는 것이 바람직하다.
상기 pH 의 범위로 조정함으로써, 갈바닉 부식에 의한 과잉 에칭을 억제하기 쉬워진다.
에칭제의 pH 조정은, 상기 각 성분, 예를 들어, 질소 함유 화합물, 구리 이온원, 할로겐 이온원 등의 함유량을 조정함으로써 실시해도 되고, pH 조정제를 배합함으로써 조정해도 된다.
본 실시형태의 에칭제는 비교적 낮은 pH 에서도 바람직하게 에칭할 수 있다. 따라서, pH 가 낮은 상태에서 에칭하는 것이 필요한 제조 공정에 있어서도 사용이 용이하다.
본 실시형태의 에칭제는, 상기 각 성분을 물에 용해시킴으로써 조제할 수 있다. 물로는, 이온 교환수, 증류수, 순수 및 초순수 등을 들 수 있다. 또, 본 실시형태의 에칭제는 상기 각 성분이 사용시에 소정의 농도가 되도록 조정되어 있으면 된다. 예를 들어, 농축액을 조제해 두고 사용 직전에 희석시켜 각 성분이 소정의 농도가 되도록 해도 되고, 혹은, 전체 성분 중 일부의 성분을 혼합한 복수의 액을 조제해 두고 사용시에 모든 성분을 포함하도록 각 액을 혼합해도 된다.
본 실시형태의 에칭제는, 구리에 대한 에칭 속도가, 예를 들어, 0.3 ㎛/min 이상 1.0 ㎛/min 이하 정도로 조정될 수 있다. 또, 구리 이외의 금속에 대한 에칭 속도가, 0.1 ㎛/min 이하로 조정될 수 있다. 이 범위의 에칭 속도이면, 구리에 대한 부분적인 과잉 에칭을 확실하게 억제하면서, 구리의 선택적 에칭성을 양호하게 할 수 있다.
(회로 기판의 제조 방법)
다음으로, 본 실시형태의 에칭제를 사용한 회로 기판의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 실시형태의 제조 방법은, 상기 서술한 본 실시형태의 에칭제를 사용하여, 구리보다 귀한 금속을 포함하는 귀금속층과 구리층이 공존하는 피처리물의 구리층을 선택적으로 에칭함으로써 회로를 형성하는 회로 기판의 제조 방법이다.
본 실시형태의 회로 기판은, 예를 들어, 프린트 회로 기판이나, 필름 터치 센서의 구리 회로 부재 등을 들 수 있다. 이 경우, 구리보다 귀한 금속을 포함하는 귀금속층과 구리층이 공존하는 피처리물로는, 도 1 에 나타내는 바와 같은 절연 수지층 (1) 의 표면에 무전해 구리 도금에 의해 시드층 (2) (구리층) 이 형성되고, 이 시드층 (2) 상에 전해 구리 도금에 의해 회로 (3) 가 형성되어 있는 회로 기판 (10) 등을 들 수 있다.
회로 (3) 의 표면에는 전해 도금 또는 무전해 도금에 의해 금 도금층 (4) (귀금속층) 이 형성되어 있다. 또한, 금 도금층 (4) 과 회로 (3) 사이에는 확산 방지를 위해 니켈 등으로 이루어지는 확산 방지층이 형성되어 있어도 된다 (도시 생략).
또한, 회로 (3) 표면에 형성되는 귀금속층에 포함되는 구리보다 귀한 금속으로는, 금 이외에도, 팔라듐, 수은, 은, 백금 등을 들 수 있다.
본 실시형태의 에칭제는, 특히 금을 포함하는 귀금속층과 구리층이 공존하는 피처리물을 사용하여 회로 기판을 제조하는 경우에 바람직하게 사용된다.
이러한 회로 기판 (10) 은 예를 들어 세미 애디티브 공법에 의해 형성될 수 있다.
먼저, 절연 수지층 (1) 의 표면에 무전해 구리 도금에 의해 시드층 (2) 을 형성하고, 이 시드층 (2) 상에 도금 레지스트 (도시 생략) 를 형성하여 전해 구리 도금에 의해 회로 (3) 를 형성한다. 또한, 회로 (3) 표면에 확산 방지층 및 금 도금층 (4) 을 도금에 의해 형성한다. 그 후, 도금 레지스트를 제거하여, 도 1 과 같은 회로 (3) 를 구비한 구성의 회로 기판 (10) 이 얻어진다.
또한, 회로 (3) 간의 절연 수지층 (1) 상에 남아 있는 시드층 (2) 을 에칭 제거하기 위해, 본 실시형태에서는 상기 서술한 본 실시형태의 에칭제를 사용해서 에칭하여 도 2 에 나타내는 바와 같은 회로 기판 (10) 을 얻는다. 또한, 회로 (3) 끼리는 내층 회로 (도시 생략) 등으로 전기적으로 접속되어 있어도 된다.
에칭 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 스프레이하는 방법, 에칭제 중에 상기 피처리물을 침지시키는 방법 등을 들 수 있다. 회로 간의 시드층 등 좁은 지점의 금속을 효율적으로 에칭하는 관점에서 스프레이 처리가 바람직하다.
에칭 처리시의 에칭제의 온도, 처리 시간 등의 처리 조건은 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어, 에칭제의 온도 20 ℃ 이상 40 ℃ 이하, 처리 시간 20 초 이상 120 초 이하 등을 들 수 있다.
이러한 에칭 처리를 실시할 때에, 금 도금층 (4) 의 금과 회로 (3) 의 구리가 함께 존재하고, 회로끼리도 내층 회로로 전기적으로 접속되어 있는 것이 존재하기 때문에, 갈바닉 부식이 발생하기 쉬운 상태이다. 이 경우, 도 3 에 나타내는 바와 같이 회로 (3) 의 상부의 금 도금층 (4) 과의 근방부에 있어서 갈바닉 부식에 의해 과잉으로 에칭되어 도려낸 것처럼 패인 상태, 즉 사이드 에칭이 발생하는 경우가 있다. 이러한 사이드 에칭이 과잉으로 진행되면 회로 폭이 좁아져 전기 저항이 커지거나 단선되거나 할 우려가 있다.
본 실시형태의 에칭제에서는 갈바닉 부식에 의한 사이드 에칭을 억제하면서, 에칭 속도의 유지나 균일한 에칭을 실시할 수 있다. 또, 구리, 특히 무전해 도금 구리인 시드층을 선택적으로 에칭할 수 있다. 따라서, 회로 기판에 있어서의 회로의 전기 저항의 증대나 단선 등도 억제할 수 있다.
본 실시형태의 회로 기판의 제조 방법은, 세미 애디티브 공법에 의한 제조 방법에 있어서 실시될 수 있지만, 다른 공법에 있어서, 구리보다 귀한 금속을 포함하는 귀금속층과 구리층이 공존하는 피처리물의 구리층을 선택적으로 에칭하는 경우에 실시해도 된다.
본 실시형태의 에칭제 및 회로 기판의 제조 방법은 각각 독립적으로 해석되어야 하는 것이다. 따라서, 본 실시형태의 에칭제를 다른 제조 방법에 사용하는 것은 물론, 그 밖의 기술의 조합에 의해 각 실시형태를 실시해도 된다.
본 실시형태에 관련된 에칭제 및 회로 기판의 제조 방법은, 이상과 같지만, 이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것은 아닌 것으로 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기 설명이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 나타내며, 특허 청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
실시예
이하, 실시예를 나타내어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 한정되는 것은 아니다.
(에칭제)
표 1 ∼ 표 3 에 나타내는 각 재료를 사용하여 (잔부 이온 교환수) 실시예 및 비교예의 에칭제를 제조하였다.
각 원료로서 이하의 것을 사용하였다.
A. 할로겐 이온 공급원
염화나트륨 (키시다 화학사 제조, 1 급)
브롬화암모늄 (키시다 화학사 제조, 특급)
요오드화칼륨 (키시다 화학사 제조, 1 급)
B. 폴리알킬렌글리콜
폴리에틸렌글리콜 (키시다 화학사 제조, 1 급, 분자량 1000)
C. 구리 이온원
포름산구리 (후지 필름 와코 순약사 제조, 1 급)
아세트산구리 (키시다 화학사 제조, 1 급)
D. 아미노기 함유 화합물
모노에탄올아민 (후지 필름 와코 순약사 제조, 1 급)
트리에탄올아민 (키시다 화학사 제조, 1 급)
N-메틸디에탄올아민 (도쿄 화성 공업사 제조, 1 급)
E. 복소 고리형 화합물
2-메틸이미다졸 (도쿄 화성 공업사 제조, 1 급)
이미다졸 (키시다 화학사 제조, 특급)
F. 유기산
말레산 (후지 필름 와코 순약사 제조, 1 급)
말산 (키시다 화학사 제조, 특급)
락트산 (후지 필름 와코 순약사 제조, 1 급)
d-타르타르산 (키시다 화학사 제조, 1 급)
(pH 의 측정)
제조된 각 에칭제의 pH 는 호리바 제작소 제조, pH 측정 장치 F-71 로, 30 ℃ 에서의 pH 를 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
(테스트 기판)
하기와 같은 테스트 기판을 준비하였다.
수지층의 두께가 0.2 ㎜ 인 수지 기판에 무전해 구리 도금액 (오쿠노 제약 공업사 제조, 무전해 구리 도금액 : 애드코퍼 (상품명)) 을 사용하여 두께 0.3 ㎛ 의 구리 시드층을 제조하였다. 그 후, 도금 레지스트 (히타치 화성사 제조, RD-1225 (상품명)) 를 사용하여 레지스트를 형성하고, 도금 레지스트 패턴 (두께 약 25 ㎛, 라인 앤드 스페이스 L/S ＝ 15 ㎛/30 ㎛) 을 형성하였다. 또한, 전해 구리 도금액 (오쿠노 제약 공업사 제조, 전해 구리 도금액 : 톱 루치나 (상품명)) 을 사용하여 두께 15 ㎛, 폭 30 ㎛ 의 전해 구리 도금층을 제조하였다. 그 후, 전해 니켈금 도금액을 사용하여, 전해 구리 도금층 상에 전해 니켈금 도금층을 제조하였다. 마지막으로, 레지스트를 제거액 (미츠비시 가스 화학사 제조, 클린 에치 R-100) 을 사용해서 1 분간 처리하여 제거하였다.
(에칭)
상기 테스트 기판을 사용하여 실시예 및 비교예의 각 에칭제를 사용해서 에칭을 실시하여, 전해 구리 도금층 간에 노출되는 시드층을 제거하였다.
에칭은, 노즐 (이케우치사 제조, 산형 부채꼴 노즐 INVV9030) 을 사용하여, 스프레이압 0.1 ㎫, 처리 온도 40 ℃ 의 조건에서 실시하였다. 처리 시간은, 테스트 기판의 전해 구리 도금 간의 시드층이 완전히 제거될 때까지로 하였다. 에칭 후, 수세, 건조를 실시하여, 이하에 나타내는 평가를 실시하였다.
(사이드 에칭량의 측정)
에칭 후의 각 테스트 기판의 일부를 절단하고, 이것을 열경화성 수지에 매립하고, 전해 구리 도금층의 단면을 관찰할 수 있도록 연마 가공을 실시하여, 단면 관찰용의 샘플을 제조하였다. 전해 구리 도금층의 단면 관찰은, SEM 을 사용하여, 화상 촬영을 하고, 도 3 에 나타내는 바와 같은 전해 구리 도금층 상에 있는 니켈/금층의 폭 TW 및 전해 구리 도금의 폭 BW 의 계측을 실시하여, (TW － BW) ÷ 2 (㎛) 를 사이드 에칭량으로서 표 1 ∼ 3 에 나타낸다.
(에칭 불균일의 판정)
5 × 5 ㎝ 의 전해 구리 도금판을 각 실시예 및 비교예의 에칭제로 각 테스트 기판의 에칭과 동일한 조건에서 에칭 처리한 후, 구리 표면을 육안으로 관찰하였다. 균일한 처리가 되어 있는 경우에는 불균일 없음, 농담이 있는 경우에는 불균일 있음으로 판정하였다.
(에칭 속도의 측정)
5 × 5 ㎝ 의 전해 구리 도금판을 준비하고, 이 중량 W1 (g) 을 측정하였다. 각 도금판을 각 실시예 및 비교예의 에칭제로 1 분간, 40 ℃ 에서 처리하였다. 처리 후의 중량 W2 (g) 를 측정하고, 에칭 속도를 이하의 식으로 산출하여, 표 1 ∼ 표 3 에 나타낸다.
(W1 － W2) × 10000 ÷ 223 (㎛/min)
결과를 표 1 ∼ 표 3 에 나타낸다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
(고찰)
표 1 에 나타내는 바와 같이, 각 실시예에서는 사이드 에칭이 비교예에 비해 양이 적고 또한 에칭 속도도 유지되어 있었다. 또, 에칭 불균일도 발생하지 않았다.
비교예 3 및 4 는, 에칭 불균일이 있었기 때문에, 테스트 기판에서의 에칭은 실시하지 않았다.
또, 표 2 에 나타내는 바와 같이 pH 8.0 이하의 경우에도 각 실시예에서는 사이드 에칭이 억제되어 있었다.
또한, 표 3 에 나타내는 바와 같이 아미노기 함유 화합물 및 복소 고리형 화합물의 종류를 변경한 경우에도 각 실시예에서는 사이드 에칭이 억제되어 있었다.
1 : 절연 수지층
2 : 시드층 (구리층)
3 : 회로
4 : 귀금속층
10 : 회로 기판

Claims (10)

  1. 구리보다 귀한 금속을 포함하는 귀금속층과 구리층이 공존하는 피처리물의 구리층을 선택적으로 에칭하는 에칭제로서,
    구리 이온과,
    고리 내에 질소 원자를 2 개 이상 갖는 복소 고리형 화합물 및 탄소수가 8 이하인 아미노기 함유 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 질소 함유 화합물과,
    폴리알킬렌글리콜과,
    할로겐 이온을 포함하고,
    폴리알킬렌글리콜을 0.0005 중량％ 이상 7 중량％ 이하 포함하고,
    할로겐 이온을 1 ppm 이상 250 ppm 이하 포함하는 에칭제.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 할로겐 이온은, 염화물 이온 및 브롬화물 이온으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 에칭제.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    pH 가 6.0 이상 8.0 이하인 에칭제.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구리 이온을 0.5 중량％ 이상 10.0 중량％ 이하 포함하는 에칭제.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질소 함유 화합물을 1.0 중량％ 이상 30 중량％ 이하 포함하는 에칭제.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유기산을 포함하지 않거나, 또는, 유기산을 0 중량％ 초과 7 중량％ 미만 포함하는 에칭제.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질소 함유 화합물이, 이미다졸류인 에칭제.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폴리알킬렌글리콜은, 폴리에틸렌글리콜인 에칭제.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 에칭제를 사용하여, 구리보다 귀한 금속을 포함하는 귀금속층과 구리층이 공존하는 피처리물의 구리층을 선택적으로 에칭함으로써 회로를 형성하는 회로 기판의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 귀금속층은 금을 포함하는 층인 회로 기판의 제조 방법.
KR1020237016494A 2020-11-11 2021-09-30 에칭제 및 회로 기판의 제조 방법 KR20230104628A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020187929A JP7274221B2 (ja) 2020-11-11 2020-11-11 エッチング剤及び回路基板の製造方法
JPJP-P-2020-187929 2020-11-11
PCT/JP2021/036222 WO2022102272A1 (ja) 2020-11-11 2021-09-30 エッチング剤及び回路基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230104628A true KR20230104628A (ko) 2023-07-10

Family

ID=81600949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237016494A KR20230104628A (ko) 2020-11-11 2021-09-30 에칭제 및 회로 기판의 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20230407486A1 (ko)
EP (1) EP4245886A1 (ko)
JP (1) JP7274221B2 (ko)
KR (1) KR20230104628A (ko)
CN (1) CN116601331A (ko)
TW (1) TW202223158A (ko)
WO (1) WO2022102272A1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012129304A (ja) 2010-12-14 2012-07-05 Mec Co Ltd エッチング剤及びこれを用いたエッチング方法
WO2019013160A1 (ja) 2017-07-14 2019-01-17 メルテックス株式会社 銅エッチング液

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3387528B2 (ja) * 1992-08-07 2003-03-17 朝日化学工業株式会社 銅または銅合金のエッチング用組成物およびそのエッチング方法
JP4055595B2 (ja) * 2003-02-05 2008-03-05 凸版印刷株式会社 金属材料のエッチング液およびエッチング方法
JP4018559B2 (ja) * 2003-02-27 2007-12-05 メック株式会社 電子基板の製造方法
JPWO2005086551A1 (ja) * 2004-03-03 2007-08-09 イビデン株式会社 エッチング液、エッチング方法およびプリント配線板
JP4606835B2 (ja) * 2004-10-15 2011-01-05 朝日化学工業株式会社 エッチング組成液
JP2006111953A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Mec Kk 銅又は銅合金のエッチング剤、その製造法、補給液及び配線基板の製造法
JP4606919B2 (ja) * 2005-03-28 2011-01-05 朝日化学工業株式会社 エッチング組成液
JP4916455B2 (ja) * 2008-01-15 2012-04-11 株式会社Ａｄｅｋａ 銅含有材料用エッチング剤組成物
JP4685180B2 (ja) * 2009-07-09 2011-05-18 株式会社Ａｄｅｋａ 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法
JP5535060B2 (ja) * 2010-12-28 2014-07-02 株式会社Ａｄｅｋａ 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法
JP2014036064A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Ube Ind Ltd プリント配線板の製造方法
EP2754732B1 (en) * 2013-01-15 2015-03-11 ATOTECH Deutschland GmbH Aqueous composition for etching of copper and copper alloys
JP6464578B2 (ja) * 2013-08-01 2019-02-06 三菱瓦斯化学株式会社 プリント配線板の製造方法
EP3184669B1 (en) * 2015-12-23 2018-07-18 ATOTECH Deutschland GmbH Etching solution for copper and copper alloy surfaces
KR101699798B1 (ko) * 2016-08-02 2017-01-25 와이엠티 주식회사 구리 에칭 조성물 및 이를 이용한 구리 배선 형성방법
KR20180015052A (ko) * 2017-01-06 2018-02-12 와이엠티 주식회사 구리 에칭 조성물 및 이를 이용한 구리 배선 형성방법
CN109652804B (zh) * 2019-01-30 2021-01-01 湖南互连微电子材料有限公司 一种pcb减铜蚀刻液以及制作工艺

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012129304A (ja) 2010-12-14 2012-07-05 Mec Co Ltd エッチング剤及びこれを用いたエッチング方法
WO2019013160A1 (ja) 2017-07-14 2019-01-17 メルテックス株式会社 銅エッチング液

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022102272A1 (ja) 2022-05-19
CN116601331A (zh) 2023-08-15
TW202223158A (zh) 2022-06-16
JP2022077193A (ja) 2022-05-23
EP4245886A1 (en) 2023-09-20
US20230407486A1 (en) 2023-12-21
JP7274221B2 (ja) 2023-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100946873B1 (ko) 에칭제와 보급액 및 이것을 이용한 구리 배선의 제조 방법
US6426020B1 (en) Etchant for copper or copper alloys
KR101497708B1 (ko) 에칭제
JP4224436B2 (ja) エッチング剤と補給液及びこれを用いた銅配線の製造方法
JP4445960B2 (ja) 銅表面をエッチングするための溶液を製造する方法と銅表面に金属を堆積させる方法
US8192636B2 (en) Composition and method for improved adhesion of polymeric materials to copper alloy surfaces
EP3680363B1 (en) Microetching agent for copper, copper surface roughening method and wiring board production method
JP5219304B2 (ja) エッチング剤及びこれを用いたエッチング方法
JP2006111953A (ja) 銅又は銅合金のエッチング剤、その製造法、補給液及び配線基板の製造法
KR101485873B1 (ko) 구리의 마이크로 에칭제 및 그 보급액, 및 배선 기판의 제조 방법
KR20150030175A (ko) 수지 마스크층용 세정제 조성물 및 회로 기판의 제조 방법
JP4521460B2 (ja) エッチング液及びこれを用いた銅配線の形成方法
US20110214994A1 (en) Pretreating agent for electroplating, pretreatment method for electroplating, and electroplating method
US20060102879A1 (en) Methods to stop copper attach by alkaline etching agents such as ammonia and monoethanol amine (MEA)
JP2009185377A (ja) エッチング液
JP2011233769A (ja) 銅配線パターンの形成方法
JP4706081B2 (ja) 銅または銅合金のエッチング剤ならびにエッチング法
EP1917340B1 (en) Method for removing ionic contaminants from the surface of a workpiece
KR20230104628A (ko) 에칭제 및 회로 기판의 제조 방법
KR20140126680A (ko) 배선 기판의 처리 방법 및 그 방법을 이용하여 제조되는 배선 기판
JP3431931B2 (ja) 銅及び銅合金の表面処理方法
JP4431860B2 (ja) 銅および銅合金の表面処理剤
KR20090009734A (ko) 표면처리제
JP4858907B2 (ja) 置換析出型金めっきの前処理用活性化組成物
JP6715246B2 (ja) 電解硬質金めっき液用置換防止剤及びそれを含む電解硬質金めっき液