KR20230093308A - 배선 기판 - Google Patents
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Abstract
본 개시에 관한 배선 기판은 절연 수지층과 절연 수지층 상에 위치하는 배선 도체를 포함한다. 배선 도체는 제 1 하지 금속층과, 제 1 하지 금속층 상에 위치하는 제 2 하지 금속층과, 제 2 하지 금속층 상에 위치하는 배선 금속층과, 제 1 하지 금속층, 제 2 하지 금속층 및 배선 금속층을 피복하도록 위치하는 주석층과, 주석층을 피복하도록 위치하는 실란 커플링제층을 포함한다. 배선 도체를 폭 방향으로 단면으로 보았을 경우, 배선 금속층이 제 1 하지 금속층측으로부터, 제 1 하지 금속층의 폭보다 좁은 부분, 제 1 하지 금속층의 폭과 같은 부분, 및 제 1 하지 금속층의 폭보다 넓은 부분을 포함하고 있다.
Description
본 발명은 배선 기판에 관한 것이다.
최근, 배선 기판에 형성되어 있는 배선 패턴은 전자 기기의 소형화 등에 수반하여, 미세한 배선이 고밀도로 형성되어 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 배선 기판과 같이, 미세한 배선을 고밀도로 형성하면, 마이그레이션(쇼트)의 저감을 고려하여, 배선 패턴과 절연층의 접촉 면적이 좁아진다. 그 결과, 배선 패턴과 절연층의 밀착성이 저하하고, 배선 기판의 신뢰성이 저하한다.
본 개시에 관한 배선 기판은 절연 수지층과 절연 수지층 상에 위치하는 배선 도체를 포함한다. 배선 도체는 제 1 하지 금속층과, 제 1 하지 금속층 상에 위치하는 제 2 하지 금속층과, 제 2 하지 금속층 상에 위치하는 배선 금속층과, 제 1 하지 금속층, 제 2 하지 금속층 및 배선 금속층을 피복하도록 위치하는 주석층과, 주석층을 피복하도록 위치하는 실란 커플링제층을 포함한다. 배선 도체를 폭 방향으로 단면으로 보았을 경우, 배선 금속층이 제 1 하지 금속층측으로부터, 제 1 하지 금속층의 폭보다 좁은 부분, 제 1 하지 금속층의 폭과 같은 부분, 및 제 1 하지 금속층의 폭보다 넓은 부분을 포함하고 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시형태에 관한 배선 기판의 단면을 나타내는 모식도이다.
도 2의 (A)는 도 1에 나타내는 영역(X)을 설명하기 위한 확대 설명도이며, (B)는 (A)에 나타내는 영역(Y)을 설명하기 위한 확대 설명도이다.
도 2의 (A)는 도 1에 나타내는 영역(X)을 설명하기 위한 확대 설명도이며, (B)는 (A)에 나타내는 영역(Y)을 설명하기 위한 확대 설명도이다.
특허문헌 1에 기재된 바와 같은 종래의 배선 기판은 상기한 바와 같이, 미세한 배선을 고밀도로 형성하면, 마이그레이션(쇼트)의 저감을 고려하여, 배선 패턴과 절연층의 접촉 면적이 좁아진다. 그 결과, 배선 패턴과 절연층의 밀착성이 저하하고, 배선 기판의 신뢰성이 저하한다. 따라서, 미세 배선간에서의 마이그레이션(쇼트)을 저감시켜 절연성이 뛰어나고, 배선 도체와 절연 수지층의 밀착 강도가 높은 배선 기판이 요구되고 있다.
본 개시에 관한 배선 기판은 상기한 바와 같이, 배선 도체를 폭 방향으로 단면으로 보았을 경우, 배선 금속층이 제 1 하지 금속층측으로부터, 제 1 하지 금속층의 폭보다 좁은 부분, 제 1 하지 금속층의 폭과 같은 부분, 및 제 1 하지 금속층의 폭보다 넓은 부분을 포함하고 있다. 따라서, 본 개시에 의하면, 미세 배선간에서의 마이그레이션(쇼트)을 저감시켜 절연성이 뛰어나며, 배선 도체와 절연 수지층의 밀착 강도가 높은 배선 기판을 제공할 수 있다.
본 개시의 일 실시형태에 관한 배선 기판을, 도 1 및 도 2에 근거해서 설명한다. 도 1은 본 개시의 일 실시형태에 관한 배선 기판(1)의 단면을 나타내는 모식도이다. 일 실시형태에 관한 배선 기판(1)은 복수의 절연 수지층(2)과, 절연 수지층(2) 상에 위치하는 도체층(4)을 포함한다.
절연 수지층(2)은 예를 들면, 에폭시 수지, 비스말레이미드-트리아진 수지, 폴리이미드 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 액정 폴리머 등의 수지로 형성되어 있다. 이들 수지는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 절연 수지층(2)에는 절연 입자가 분산되어 있어도 된다. 절연 입자는 한정되지 않고, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 황산바륨, 탤크, 클레이, 유리, 탄산칼슘, 산화티타늄 등의 무기 절연성 필러를 들 수 있다.
일 실시형태에 관한 배선 기판(1)에 있어서, 복수의 절연 수지층(2) 중 1층은 코어층(21)이며, 나머지 절연 수지층(2)은 빌드업층(22)이다. 코어층(21)은 예를 들면 0.04mm 이상 3.0mm 이하의 두께를 갖고 있다.
코어층(21)은 코어층(21)의 상하면의 도체층(4)을 전기적으로 접속하기 위한 스루홀 도체(3)를 갖고 있다. 스루홀 도체(3)는 코어층(21)의 상하면을 관통하는 스루홀 내에 위치하고 있다. 스루홀 도체(3)는 예를 들면, 구리 도금 등의 금속 도금으로 이루어지는 도체로 형성되어 있다. 스루홀 도체(3)는 코어층(21)의 양면의 도체층(4)에 접속되어 있다. 스루홀 도체(3)는 스루홀의 내벽면에만 형성되어 있어도 되고, 스루홀 내에 충전되어 있어도 된다.
빌드업층(22)은 예를 들면 5㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 갖고 있다. 빌드업층(22)은 동일한 수지여도 되고, 각각 상이한 수지여도 된다.
절연 수지층(2)의 주면, 즉 코어층(21)의 주면 및 빌드업층(22)의 주면에는 도체층(4)이 위치하고 있다. 도체층(4)은 구리 등의 도체, 예를 들면 구리박이나 구리 도금으로 형성되어 있다. 도체층(4)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 2㎛ 이상 50㎛ 이하이다. 복수의 도체층(4)이 존재할 경우, 도체층(4)은 동일한 도체여도 되고, 각각 상이한 도체여도 된다.
빌드업층(22)은 빌드업층(22)을 개재하여 상하로 위치하고 있는 도체층(4)끼리를 전기적으로 접속하기 위한 비아 홀 도체(5)를 갖고 있다. 비아 홀 도체(5)는 빌드업층(22)의 상하면을 관통하는 비아 홀에, 예를 들면 구리 도금 등을 석출시킴으로써 얻어진다. 빌드업층(22)의 상하면을 관통하는 비아 홀은 예를 들면, CO2 레이저, UV-YAG 레이저, 엑시머 레이저 등과 같은 레이저 가공에 의해 형성된다. 비아 홀 도체(5)는 비아 홀 내를 충전하는 상태로 위치하고 있어도 되고, 비아 홀 도체(5)가 비아 홀 내표면에 피착되어 있고, 또한 비아 홀 도체(5)가 없는 부분에는 수지가 충전되어 있어도 상관없다.
도체층(4)의 일부는 배선 도체(41)로서 기능한다. 배선 도체(41)는 도 2의 (A)에 나타낸 바와 같이, 제 1 하지 금속층(41a)과, 제 1 하지 금속층(41a) 상에 위치하는 제 2 하지 금속층(4lb)과, 제 2 하지 금속층(4lb) 상에 위치하는 배선 금속층(41c)과, 제 1 하지 금속층(41a), 제 2 하지 금속층(4lb) 및 배선 금속층(41c)을 피복하도록 위치하는 주석층(41d)과, 주석층(41d)을 피복하도록 위치하는 실란 커플링제층(41e)을 포함한다. 도 2의 (A)는 도 1에 나타내는 영역(X)을 설명하기 위한 확대 설명도이다.
제 1 하지 금속층(41a)은 배선 도체(41)의 토대가 되는 부분이며, 절연 수지층(2)과 접촉하도록 위치하고 있다. 제 1 하지 금속층(41a)은 예를 들면, 금속으로 형성되어 있으면 한정되지 않는다. 제 1 하지 금속층(41a)을 형성하고 있는 금속으로서는, 예를 들면, 제 4 족 원소, 제 5 족 원소, 제 6 족 원소 및 제 10 족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 들 수 있다. 이러한 금속으로서는, 구체적으로는, 니켈, 크롬, 티탄, 탄탈, 몰리브덴, 텅스텐, 팔라듐, 또는 이들 금속을 포함하는 합금을 들 수 있다. 합금으로서는, 예를 들면 니크롬 등을 들 수 있다. 하지 금속층(41a)은 예를 들면, 1nm 이상 100nm 이하의 두께를 갖고 있다.
제 2 하지 금속층(4lb)은 제 1 하지 금속층(41a) 상에 위치하고 있다. 제 2 하지 금속층(4lb)이 존재하고 있으면, 후술하는 배선 금속층(41c)의 접착성이 보다 향상된다. 구체적으로는, 배선 금속층(41c)이 제 1 하지 금속층(41a)에 직접 접촉하고 있는 경우보다, 제 2 하지 금속층(4lb)을 개재하고 있는 것이, 배선 금속층(41c)의 박리가 발생하기 어려워진다. 제 2 하지 금속층(4lb)은 배선 금속층(41c)이 포함하는 금속과 동일한 금속을 포함하고 있고, 예를 들면 배선 금속층(41)이 구리로 형성되어 있으면 구리 또는 구리의 합금으로 형성되어 있다. 제 2 하지 금속층(4lb)은 예를 들면, 100nm 이상 1000nm 이하의 두께를 갖고 있다.
배선 금속층(41c)은 배선 도체(41)의 본체가 되는 층이며, 제 2 하지 금속층(4lb) 상에 위치하고 있다. 즉, 배선 도체(41)에 있어서 배선 금속층(41c)을 중심으로 전하가 흐른다. 배선 금속층(41c)은 예를 들면 구리로 형성되어 있고, 예를 들면 1㎛ 이상 60㎛ 이하의 두께를 갖고 있다. 제 2 하지 금속층(4lb)의 폭은 제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 좁다.
도 2의 (B)에 나타낸 바와 같이, 배선 금속층(41c)은 배선 도체(41)를 폭 방향으로 단면으로 보았을 경우, 제 1 하지 금속층(41a)측으로부터, 제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 좁은 부분(41c1), 제 1 하지 금속층(41a)의 폭과 같은 부분(41c2), 및 제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 넓은 부분(41c3)을 포함하고 있다. 배선 도체(41)의 폭 방향이란, 예를 들면 도 1에 나타낸 바와 같이 배선 도체(41)가 복수 배열되어 있는 경우, 그 배열 방향을 가리킨다. 제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 좁은 부분(41c1)은 제 1 하지 금속층(41a)의 폭과 비교하여, 약 300nm를 초과하고 1000nm 이하 정도 작다. 제 1 하지 금속층(41a)의 폭과 같은 부분(41c2)은 제 1 하지 금속층(41a)과 완전히 같은 폭을 갖고 있을 필요는 없고, 제 1 하지 금속층(41a)의 폭±300㎛의 범위에 들어가는 폭이면 된다. 제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 넓은 부분(41c3)은 제 1 하지 금속층(41a)의 폭과 비교하여, 약 300nm를 초과하고 1200nm 이하 정도 크다. 도 2의 (B)는 도 2의 (A)에 나타내는 영역(Y)을 설명하기 위한 확대 설명도이다.
일 실시형태에 관한 배선 기판(1)은 배선 금속층(41c)이 이러한 구성을 가짐으로써, 마이그레이션이 발생하기 쉬운 배선 금속층(41c)과 절연 수지층(2)의 경계 부근의 배선 폭을 좁게 할 수 있다. 즉, 전하가 집중해서 흐르는 배선 금속층(41c)과 절연 수지층(2)의 경계 부근에 있어서, 인접하는 배선 금속층(41c)과의 간격을 넓힐 수 있는다. 그 결과, 마이그레이션을 저감시킬 수 있다.
상기한 바와 같이, 배선 도체(41)에 있어서, 배선 금속층(41c)과 절연 수지층(2)의 경계 부근의 배선 폭을 작게 함으로써, 마이그레이션을 저감시킬 수 있어 절연성이 향상되기는 하지만, 배선 도체(41)의 단면적이 작아져 저항이 커지게 되어 전하의 흐름이 저하한다. 이 때문에, 본 개시에서는, 배선 도체(41)의 높이 방향에 있어서, 배선 도체(41)의 저면으로부터 일정한 높이보다 높은 부분에는, 제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 넓은 부분(41c3)을 형성하고 있다. 이에 의해, 배선 도체(41)의 저항치를 저감시켜 전하의 흐름을 향상시키고 있다. 배선 금속층(41c)이 제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 좁은 부분(41c1) 및 넓은 부분(41c3) 사이에 제 1 하지 금속층(41a)의 폭과 같은 부분(41c2)을 갖고 있음으로써, 배선 금속층(41c)의 폭의 변화가 완만해진다. 그 때문에, 예를 들면 배선 도체(41)를 절연 수지층(2)으로 피복할 경우에, 보이드 등 공기가 안으로 들어가는 것을 저감시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 배선 도체(41)를 절연 수지층(2)으로 피복할 경우에는, 배선 도체(41)의 표면이 거칠수록 절연 수지층(2)과의 밀착성은 향상되지만, 표피 효과에 의해 신호의 전송 특성은 저하한다. 특히 고주파 신호에 있어서는 이러한 특성은 현저하다. 한편, 배선 도체(41)의 표면이 매끄러울수록, 신호의 전송 특성은 향상되지만, 절연 수지층(2)과의 밀착성은 저하한다. 따라서, 일 실시형태에 관한 배선 기판(1)에서는, 신호의 전송 특성과 밀착성을 양립시키기 위해서, 배선 금속층(41c)에 제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 좁은 부분(41c1), 제 1 하지 금속층(41a)의 폭과 대략 같은 부분(41c2), 및 제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 넓은 부분(41c3)의 3개의 영역을 형성하고 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 배선 도체(41)를 피복하는 절연 수지층(2)의 일부가 제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 좁은 부분(41c1)으로 들어감으로써 절연 수지층(2)이 배선 도체(41)를 확실하게 유지하게 되어 양자의 밀착성이 향상된다. 배선 도체(41)의 표면의 평균 거칠기 Ra는, 예를 들면 20nm 이상 1000nm 이하이다.
제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 좁은 부분(41c1), 제 1 하지 금속층(41a)의 폭과 같은 부분(41c2), 및 제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 넓은 부분(41c3)의 비율은 특별히 한정되지 않는다. 마이그레이션의 저감 효과와 전하의 흐름 및 신호의 전송 특성의 양립을 고려하면, 배선 도체(41)의 높이 방향에 있어서, 배선 도체(41)의 저면으로부터 30%의 높이보다 높은 부분을, 하지 금속층(41a)의 폭보다 넓은 부분(41c3)이 차지하고 있는 것이 바람직하다.
주석층(41d)은 제 1 하지 금속층(41a), 제 2 하지 금속층(4lb) 및 배선 금속층(41c)을 피복하도록 위치하고 있다. 주석층(41d)은 후술하는 실란 커플링제층(41e)을 배선 도체(41)의 표면에 안정적으로 피착시키는 기능을 갖고 있다. 주석층(41d)은 예를 들면 0.1nm 이상 10nm 이하의 두께를 갖고 있다.
실란 커플링제층(41e)은 주석층(41d)을 피복하도록 위치하고 있다. 일반적으로, 금속과 수지의 접착성은 부족하다. 실란 커플링제는 분자 내에 무기 재료와 반응하는 관능기와 유기 재료에 반응하는 관능기를 갖는 화합물이다. 그 때문에, 실란 커플링제층(41e)이 존재함으로써, 배선 도체(41)와 배선 도체(41)의 주위에 존재하는 절연 수지층(2)의 접착성(밀착성)을 향상시킬 수 있다. 이러한 실란 커플링제의 존재는 예를 들면 푸리에 변환 적외 분광법(FTIR)을 사용하여 상기의 관능기 구조를 분석함으로써 확인할 수 있다.
일 실시형태에 관한 배선 기판(1)의 양표면의 일부에는 솔더 레지스트(6)가 위치하고 있다. 솔더 레지스트(6)는 예를 들면, 아크릴 변성 에폭시 수지로 형성되어 있다. 솔더 레지스트(6)는 예를 들면, 전자 부품을 실장할 때나, 마더 보드 등에 접속할 때에, 땜납으로부터 도체층(4) 등을 보호하는 기능을 갖고 있다.
일 실시형태에 관한 배선 기판(1)을 형성하는 방법은 한정되지 않고, 예를 들면, 하기의 방법에 의해 형성된다.
우선, 코어층(21)이 되는 양면 구리 피복 적층판을 준비하고, 스루홀을 형성한다. 스루홀은 예를 들면 드릴 가공, 레이저 가공, 블라스트 가공 등에 의해 형성된다.
다음으로, 적층판의 구리박의 표면, 및 스루홀 내에 무전해 도금, 및 전해 도금 처리를 실시하고, 도금 금속을 석출시킨다. 도금 금속으로서는, 예를 들면 구리를 들 수 있다.
다음으로, 배선 패턴에 대응하는 도금 금속 표면에 에칭 레지스트를 형성하고, 에칭 레지스트가 형성되어 있지 않은 도금 금속을 에칭 제거한 후, 에칭 레지스트를 제거한다. 이에 의해, 코어층(21)의 표면에 도체층(4) 및 스루홀 내에 스루홀 도체(3)가 형성된다.
그 다음에, 코어층(21)의 양면에 빌드업층용의 절연 필름을 피착하여 경화함으로써 절연 수지층(2)을 형성한다.
다음으로, 절연 수지층(2)의 표면, 즉 빌드업층(22)의 표면에 예를 들면, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 열증착법 등의 증착법에 의해 제 1 하지 금속층(41a)을 형성한다. 제 1 하지 금속층(41a)은 상기한 바와 같이, 제 4 족 원소, 제 5 족 원소, 제 6 족 원소 및 제 10 족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 형성된다.
그 다음에, 제 1 하지 금속층(41a)의 주면에 예를 들면, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 열증착법 등의 증착법에 의해 제 2 하지 금속층(4lb)을 형성한다. 제 2 하지 금속층(4lb)은 상기한 바와 같이 예를 들면 구리로 형성된다.
다음으로, 제 2 하지 금속층(4lb)의 표면에 감광성의 도금 레지스트(예를 들면, 드라이 필름 레지스트)를 형성하고, 금속 도금(예를 들면 구리)을 석출시키는 개구(배선 금속층(41c)을 형성하는 부분)를 노광하여 현상함으로써 형성한다. 노광할 때에 제 2 하지 금속층(4lb)측의 개구 지름이 좁아지도록 광량을 조정한다.
다음으로, 도금 레지스트의 개구 내에 무전해 도금, 및 전해 도금에 의해 구리 등의 도금 금속을 석출시킨다. 이 석출시킨 구리가 최종적으로 배선 금속층(41c)이 된다. 석출 후, 수산화나트륨 용액 등의 알칼리액에 의해 도금 레지스트를 제거한다.
레지스트를 제거한 후, 석출시킨 구리로 피복되어 있지 않은 부분의 제 2 하지 금속층(4lb)을 예를 들면 산(황산과 과산화수소수의 혼합 용액)에 의해 제거한다. 또한 제 1 하지 금속층(41a)을 예를 들면 산(염산과 황산의 혼합 용액 등)에 의해 에칭(시드 에칭) 제거한다.
그 다음에, 소프트 에칭에 의해, 석출시킨 구리, 제 2 하지 금속층(4lb) 및 제 1 하지 금속층(41a)의 표면을 처리한다. 소프트 에칭은 예를 들면, 산(황산과 과산화수소수의 혼합 용액)을 사용하여 행한다. 소프트 에칭에 의해, 석출시킨 구리 및 제 2 하지 금속층(4lb)의 표면은 약간 침식되지만, 제 1 하지 금속층(41a)은 거의 제거되지 않는다. 그 때문에, 배선 도체(41)에 제 1 하지 금속층(41a)의 폭보다 좁은 부분(41c1)이 형성된다.
이어서, 제 1 하지 금속층(41a), 제 2 하지 금속층(4lb) 및 배선 금속층(41c)의 표면을 피복하도록, 으로 치환 주석 도금 처리를 실시한다. 치환 주석 도금에 의해, 제 1 하지 금속층(41a), 제 2 하지 금속층(4lb) 및 배선 금속층(41c)의 표면이 주석으로 치환되어 주석층(41d)이 형성된다. 다음으로, 주석층(41d)의 표면에 실란 커플링제를 피착시킨다. 이렇게 하여, 주석층(41d)의 표면을 피복하도록 실란 커플링제층(41e)이 형성된다.
이상과 같이 하여 일 실시형태에 관한 배선 기판(1)이 얻어진다. 본 개시의 배선 기판은 상술한 일 실시형태에 한정되지 않는다. 일 실시형태에 관한 배선 기판(1)은 배선 도체(41)에 있어서, 제 1 하지 금속층(41a)과 배선 금속층(41c) 사이에 제 2 하지 금속층(4lb)이 형성되어 있다. 그러나, 본 개시의 배선 기판은 배선 금속층(41c)이 제 1 하지 금속층(41a)에 충분히 접착되어 있는 것이면, 제 2 하지 금속층(4lb)은 형성하지 않아도 된다.
1; 배선 기판
2; 절연 수지층
21; 코어층
22; 빌드업층
3; 스루홀 도체
4; 도체층
41; 배선 도체
41a; 제 1 하지 금속층
4lb; 제 2 하지 금속층
41c; 배선 금속층
41d; 주석층
41e; 실란 커플링제층
5; 비아 홀 도체
6; 솔더 레지스트
2; 절연 수지층
21; 코어층
22; 빌드업층
3; 스루홀 도체
4; 도체층
41; 배선 도체
41a; 제 1 하지 금속층
4lb; 제 2 하지 금속층
41c; 배선 금속층
41d; 주석층
41e; 실란 커플링제층
5; 비아 홀 도체
6; 솔더 레지스트
Claims (6)
- 절연 수지층과,
상기 절연 수지층 상에 위치하는 배선 도체를 포함하고,
상기 배선 도체가,
제 1 하지 금속층과,
상기 제 1 하지 금속층 상에 위치하는 제 2 하지 금속층과,
상기 제 2 하지 금속층 상에 위치하는 배선 금속층과,
상기 제 1 하지 금속층, 상기 제 2 하지 금속층 및 상기 배선 금속층을 피복하도록 위치하는 주석층과,
상기 주석층을 피복하도록 위치하는 실란 커플링제층을 포함하고,
상기 배선 도체를 폭 방향으로 단면으로 보았을 경우, 상기 배선 금속층이 상기 제 1 하지 금속층측으로부터, 상기 제 1 하지 금속층의 폭보다 좁은 부분, 상기 제 1 하지 금속층의 폭과 같은 부분, 및 상기 제 1 하지 금속층의 폭보다 넓은 부분을 포함하고 있는 배선 기판. - 제 1 항에 있어서,
상기 배선 도체의 높이 방향에 있어서, 상기 배선 도체의 저면으로부터 30%의 높이보다 높은 부분에, 상기 제 1 하지 금속층의 폭보다 넓은 부분이 위치하고 있는 배선 기판. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 하지 금속층이 제 4 족 원소, 제 5 족 원소, 제 6 족 원소 및 제 10 족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 포함하는 배선 기판. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 하지 금속층이 니켈, 크롬, 티탄, 탄탈, 몰리브덴, 텅스텐, 팔라듐 또는 이들 금속을 포함하는 합금인 배선 기판. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 하지 금속층이 구리 또는 구리를 포함하는 합금인 배선 기판. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배선 금속층의 최하부의 폭과 상기 제 2 하지 금속층의 폭이 같은 배선 기판.
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