JP6672826B2 - 密着材料、回路基板の製造方法及び回路基板 - Google Patents
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定されない。
密着材料は、金属配線を覆うバリア層と絶縁層とを密着する。バリア層と絶縁層との密着性が低いので、バリア層と絶縁層との間に密着材料が介在することにより、バリア層と絶縁層との密着性が向上する。したがって、密着材料は、密着性向上材料とも呼ばれる。バリア層は、金属等の無機材料である。絶縁層は、有機材料の場合と無機材料の場合とがある。
被処理基板に対する密着材料の処理方法として、浸漬法、スプレー法、スピンコート法及びベーパー法が挙げられる。被処理基板は、被処理基板上に金属配線が形成され、金属配線を覆うバリア層が形成されている。浸漬法は、密着材料に対して被処理基板を一定時間浸ける方法である。浸漬中、被処理基板を静止又は可動させた状態とする。浸漬時間は、被処理基板の状態により適宜選択することができるが、好ましくは5秒以上600秒以下であり、より好ましくは10秒以上300秒以下である。浸漬時間が短時間である場合、十分な効果が得られない可能性が高くなる。浸漬時間が長時間である場合、工程時間の超過によって非効率となる。
処理装置の処理手法に応じて、被処理基板が均一に処理されるように条件を適正化することが好ましい。いずれの処理方法においても、密着材料の反応の安定性を考慮して、密着材料を20℃以上100℃以下の一定温度に固定することが好ましく、密着材料を30℃以上70℃以下の一定温度に固定することがより好ましい。
バリア層は、例えば、CoWP、NiP、CoWB、CoP、CoB、NiWP、NiB及びNiWB等である。バリア層の厚さは、例えば、5nm以上200nm以下である。
絶縁層を形成する絶縁材料は、有機材料及び無機材料が挙げられる。有機材料及び無機材料は、塗布、貼付又はCVD(Chemical Vapor Deposition)法によって形成される材
料であれば特に限定されない。塗布型又は貼付型の材料として、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド樹脂及びポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリルエーテル樹脂などの絶縁樹脂材料が挙げられる。また、塗布型の材料として、Si−O骨格を有する無機SOG(Spin On Glass)、これに有機基を有する有機SOGなどが挙げ
られ、さらにこれに空孔を有するLow−k材料が挙げられる。また、CVD型の材料として、SiO2、SiOF、SiN、SiON、SiC、SiOC、Al2O3、AlN等の金属の酸化物、窒化物及びフッ化物が挙げられ、これらも特に限定されない。また、有機絶縁材料と無機絶縁材料とを別々の層として同時に用いることも可能である。
〈密着材料の調製1〉
酢酸を用いてpH3.2に調整した純水970mLに対し、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM−403、信越化学工業株式会社製)30gと、尿素(和光純薬工業株式会社製)4.5gとを溶解した。例えば、40℃の水浴中で1時間撹拌して、密着材料の溶液を製造した。Cu(銅)めっきにより形成されたCu配線と、無電解めっきによってCu配線上に形成されたNiPバリア層とを有する基板を用意し、密着材料の溶液に基板を180秒間浸漬した。次に、密着材料の溶液から基板を引き上げ、水を循環させた水浴を用いて、リンス処理を行った。更に、NiPバリア層の表面に窒素ガスを吹き付けて、NiPバリア層の表面を乾燥し、NiPバリア層上に密着層を形成した。次に、フェノール樹脂を主材とする絶縁材料をスピンコート法により塗布した。次いで、例えば、窒素雰囲気のオーブン内にて、230℃で1時間、絶縁材料の熱硬化処理を行った。これにより、金属配線を覆うNiPバリア層に密着層を介して、例えば、膜厚5μmの絶縁層を形成した。
下記に示す(1)アルコキシシラン、(2)水素結合性を有する有機化合物(水素結合性有機化合物)、(3)水、(4)絶縁材料を用意した。
(1)アルコキシシラン
化合物I:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
化合物II:3−アミノプロピルトリメトキシシラン
化合物III:N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン
化合物IV:3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン
(2)水素結合性有機化合物
化合物A:尿素
化合物B:ジヒドロキフェニル−L−アラニン
(3)水
水(pH調整あり):酢酸を用いてpH3.2に調整した純水
水(pH調整なし):pH調整していない純水
(4)絶縁材料(主材)
エポキシ系:エポキシ系樹脂を主材とする絶縁材料
フェノール系:エポキシ系樹脂を主材とする絶縁材料
ウレタン系:ウレタン系樹脂を主材とする絶縁材料
アクリル系:アクリル系樹脂を主材とする絶縁材料
絶縁材料(主材)の種類を変更して、絶縁層を形成している。図2に示す比較例1では、密着層を介さずに、NiPバリア層に絶縁層を形成している。図2に示す比較例2では、水素結合性有機化合物を用いずに密着材料の調製を行い、密着層を介して、NiPバリア層に絶縁層を形成している。図2に示す比較例3、4では、アルコキシシランを用いずに密着材料の調製を行い、密着層を介して、NiPバリア層に絶縁層を形成している。
実施形態に係る回路基板(配線構造)の製造方法の一例について説明する。図4A〜図10Bは、実施形態に係る回路基板の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。以下では、セミアディティブ法を用いた回路基板の製造方法を示す。
であってもよい。
固に密着させる機能と、Cu配線26から下地絶縁膜22への金属原子(Cu)の拡散を抑止するバリア膜としての機能とを有する。金属密着層23の形成後、例えば、スパッタ法により、金属密着層23の上にめっきシード層24を10nm以上200nm以下の厚さに形成する。めっきシード層24は、例えば、Cuである。
を形成し、フォトレジスト膜33を露光及び現像処理して、めっきシード層32が露出する開口部33Aを所定のパターンで形成する。
基板51としてシリコン基板等の半導体基板を用いるが、樹脂又はセラミック等の基板を使用してもよい。その後、基板51上に、素子分離膜52及びトランジスタ53を被覆する絶縁層(絶縁膜)54と、その上の保護層55とを形成する。ここでは、絶縁層54は例えば酸化シリコンであり、絶縁層54の厚みは例えば300nmとする。また、保護層55は例えばSiOCであり、保護層55の厚みは例えば50nmとする。
を除去する。このようにして、図11Aに示す配線構造が得られる。
60(第1のCu配線)及びCu配線69を電気的に接続するビアコンタクト68とが形成される。次いで、CMP法により、ストッパ層66が露出するまでストッパ層66上のCu膜、めっきシード層及びバリア層67を除去する。次に、Cu配線60と同様に、Cu配線69上にNiP又はCoWPを無電解めっきして、バリア層(メタルキャップ層)70を形成する。このようにして、本実施形態に係る半導体装置の多層配線構造が完成し、本実施形態に係る回路基板(多層配線基板)が製造される。
(付記1)
金属配線を覆うバリア層と絶縁層とを密着する密着材料であって、
水素結合性を有する有機化合物と、
シランカップリング剤と、
を含むことを特徴とする密着材料。
(付記2)
前記水素結合性を有する前記有機化合物が、分子中にC=O、C−O、O−H、N−Hのうちのいずれか2種以上をそれぞれ1つ以上有する、又は、分子中にC=O、C−O、O−H、N−Hのうちのいずれか1種を2つ以上有する、
ことを特徴とする付記1に記載の密着材料。
(付記3)
前記水素結合性を有する前記有機化合物が、ポリフェノール類、デキストリン類、単糖類、尿素化合物及びアミノ酸化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物である、
ことを特徴とする付記1又は2に記載の密着材料。
(付記4)
前記シランカップリング剤が、ビニル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、イソシアネート基、イミダゾール基及びエポキシ基から選ばれる少なくとも1種を官能基として有するアルコキシシランである、
ことを特徴とする請求項1から3の何れか一つに記載の密着材料。
(付記5)
基板に金属配線を形成する工程と、
前記金属配線を覆うバリア層を形成する工程と、
前記バリア層を覆い、水素結合性を有する有機化合物及びシランカップリング剤を含む密着層を形成する工程と、
前記密着層を覆う絶縁層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする回路基板の製造方法。
(付記6)
前記水素結合性を有する前記有機化合物が、分子中にC=O、C−O、O−H、N−Hのうちのいずれか2種以上をそれぞれ1つ以上有する、又は、分子中にC=O、C−O、O−H、N−Hのうちのいずれか1種を2つ以上有する、
ことを特徴とする付記5に記載の回路基板の製造方法。
(付記7)
前記水素結合性を有する前記有機化合物が、ポリフェノール類、デキストリン類、単糖類、尿素化合物及びアミノ酸化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物である、
ことを特徴とする付記5又は6に記載の回路基板の製造方法。
(付記8)
前記シランカップリング剤が、ビニル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、イソシアネート基、イミダゾール基及びエポキシ基から選ばれる少なくとも1種を官能基として有するアルコキシシランである、
ことを特徴とする付記5から7の何れか一つに記載の回路基板の製造方法。
(付記9)
基板と、
前記基板上に形成された金属配線と、
前記金属配線を覆うバリア層と、
前記バリア層を覆い、水素結合性を有する有機化合物及びシランカップリング剤を含む密着層と、
前記密着層を覆う絶縁層と、
を備えることを特徴とする回路基板。
(付記10)
前記水素結合性を有する前記有機化合物が、分子中にC=O、C−O、O−H、N−Hのうちのいずれか2種以上をそれぞれ1つ以上有する、又は、分子中にC=O、C−O、O−H、N−Hのうちのいずれか1種を2つ以上有する、
ことを特徴とする付記9に記載の回路基板。
(付記11)
前記水素結合性を有する前記有機化合物が、ポリフェノール類、デキストリン類、単糖類、尿素化合物及びアミノ酸化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物である、
ことを特徴とする付記9又は10に記載の回路基板。
(付記12)
前記シランカップリング剤が、ビニル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、イソシアネート基、イミダゾール基及びエポキシ基から選ばれる少なくとも1種を官能基として有するアルコキシシランである、
ことを特徴とする付記9から11の何れか一つに記載の回路基板。
22 下地絶縁膜
23、31 金属密着層
24、32 めっきシード層
25、33 フォトレジスト膜
25A、33A 開口部
26、34、60、69 Cu配線
27、35、56、59、61、67、70 バリア層
28、36、62 密着層
29、37、54、58、63、65 絶縁層
52 素子分離膜
53 トランジスタ
55 保護層
57 Wプラグ
64、66 ストッパ膜
68 ビアコンタクト
Claims (7)
- 金属配線を覆うバリア層と絶縁層とを密着する密着材料であって、
水素結合性を有する有機化合物と、
シランカップリング剤と、
を含み、
前記バリア層の水酸基と前記シランカップリング剤の水酸基が、前記有機化合物の少なくとも2つの水素結合基によって水素結合可能であることを特徴とする密着材料。 - 前記水素結合性を有する前記有機化合物が、分子中にC=O、C−O、O−H、N−Hのうちのいずれか2種以上をそれぞれ1つ以上有する、又は、分子中にC=O、C−O、O−H、N−Hのうちのいずれか1種を2つ以上有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の密着材料。 - 前記水素結合性を有する前記有機化合物が、ポリフェノール類、デキストリン類、単糖類、尿素化合物及びアミノ酸化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物である、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の密着材料。 - 前記シランカップリング剤が、ビニル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、イソシアネート基、イミダゾール基及びエポキシ基から選ばれる少なくとも1種を官能基として有するアルコキシシランである、
ことを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の密着材料。 - 前記シランカップリング剤の溶媒がアルコール類を含有する、
請求項1から4の何れか一項に記載に密着材料。 - 基板に金属配線を形成する工程と、
前記金属配線を覆うバリア層を形成する工程と、
前記バリア層を覆い、水素結合性を有する有機化合物及びシランカップリング剤を含む密着層を形成する工程と、
前記密着層を覆う絶縁層を形成する工程と、
を備え、
前記バリア層の水酸基と前記シランカップリング剤の水酸基が、前記有機化合物の少なくとも2つの水素結合基によって水素結合することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に形成された金属配線と、
前記金属配線を覆うバリア層と、
前記バリア層を覆い、水素結合性を有する有機化合物及びシランカップリング剤を含む密着層と、
前記密着層を覆う絶縁層と、
を備え、
前記バリア層の水酸基と前記シランカップリング剤の水酸基が、前記有機化合物の少なくとも2つの水素結合基によって水素結合していることを特徴とする回路基板。
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