KR20230058618A - Al 배선재 - Google Patents

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데츠야 오야마다
다이조 오다
유토 구리하라
료 오이시
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닛데쓰마이크로메탈가부시키가이샤
닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤
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Abstract

상온 강도의 상승을 억제함과 함께, 양호한 고온 신뢰성을 나타내는 신규의 Al 배선재를 제공한다. 해당 Al 배선재는, Er, Yb 및 Gd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하고, 그 함유량의 총계를 x1[질량％]이라 했을 때, 0.001≤x1≤0.6이고, 잔부는 Al을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

Al 배선재
본 발명은, Al 배선재에 관한 것이다. 나아가, 해당 Al 배선재를 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
산업 기기나 전자 부품에 있어서 전기적 접속 및/또는 기계적 접속에 사용되는 선상의 재료에서는, 자동차의 전자화 수요에 수반하여, 종래의 구리(Cu)보다도 경량, 저비용을 위하여 알루미늄(Al)의 사용이 증가하고 있다. 반송 기기, 로봇 등의 산업 기기에 사용되는 Al선(원형), Al조(평형, 타원)에서는, 사용 목적에 따라서 파단 강도, 신율 등의 기계적 특성이나, 전기 전도성, 열전도성 등이 요구된다.
반도체 장치에서는, 반도체 칩 상에 형성된 전극과, 리드 프레임이나 회로 기판(단순히 「기판」이라고도 함) 상의 전극 사이를 본딩 와이어나 본딩 리본에 의해 접속하고 있고, 파워 반도체 장치에 있어서는, 그 재질로서 주로 Al이 사용되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 파워 반도체 모듈에 있어서, 300㎛φ의 Al 본딩 와이어를 사용하는 예가 나타나 있다. Al 본딩 와이어나 Al 본딩 리본을 사용한 파워 반도체 장치에 있어서, 본딩 방법으로서는, 반도체 칩 상 전극과의 제1 접속과, 리드 프레임이나 기판 상의 전극과의 제2 접속 모두, 웨지 접합이 사용되고 있다.
상술한 Al선, Al조, Al 본딩 와이어, Al 본딩 리본 등을 총칭하여, 이하, Al 배선재라고 한다.
Al 배선재를 사용한 파워 반도체 장치는, 에어컨이나 태양광 발전 시스템 등의 대전력 기기, 차량 탑재용의 반도체 장치로서 사용되는 경우가 많다. 이들의 반도체 장치에 있어서는, 장치 작동 시에, 배선재와 피접속 부재의 접속부는 120℃ 이상의 고온에 노출된다. 또한, 고전압의 ON/OFF가 고속으로 진행하면, 승온과 강온을 반복하는 엄격한 환경이 된다. 배선재로서 고순도의 Al만으로 이루어지는 재료를 사용한 경우, 장치 작동 시의 온도 환경에 있어서 배선재의 연화가 진행되기 쉽기 때문에, 고온 환경에서 사용하는 것이 곤란하였다.
Al에 특정의 원소를 첨가한 재료로 이루어지는 Al 배선재가 제안되어 있다. 예를 들어, 특허문헌 2에는, Al에 0.05 내지 1중량％의 스칸듐(Sc)을 첨가하여 석출 경화시킴으로써 기계적 강도가 향상한 Al 본딩 와이어가, 또한, 특허문헌 3에는, Al에 0.15 내지 0.5질량％의 Sc를 첨가하여 강제 고용한 Al 본딩 와이어이며, 접속 후에 시효 열처리에 의해 석출 경화되는 와이어가 개시되어 있다. 특허문헌 4에는, 니켈(Ni), 규소(실리콘)(Si) 및 인(P) 중의 1종 이상을 합계로 800질량ppm 이하 함유하는 Al 배선재가 양호한 접합 강도, 내후성을 나타내는 것이 개시되어 있다. 특허문헌 5에는, 0.01 내지 0.2질량％의 철(Fe)과 1 내지 20질량ppm의 Si를 함유하고, Fe의 고용량이 0.01 내지 0.06질량％이고, Fe의 석출량이 고용량의 7배 이하이고, 또한, 평균 결정 입경이 6 내지 12㎛인 Al 본딩 와이어가 개시되어 있고, 당해 와이어가 양호한 접합 신뢰성을 나타내는 것이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2002-314038호 공보 일본 특허 공표 제2016-511529호 공보 일본 특허 공개 제2014-47417호 공보 일본 특허 공개 제2016-152316호 공보 일본 특허 공개 제2014-129578호 공보
산업 기기나 전자 부품의 고기능화, 적용 범위의 확대에 수반하여, Al 배선재에 요구되는 요구는 엄격해지고 있다. 반송 기기, 로봇 등의 산업 기기에 사용되는 Al 배선재에 대해서는, 고온 환경 혹은 반복 굽힘 변형에 대한 적응이 요구된다. 최근에는, 자동차 관련 용도에 있어서 고온 환경에서 사용되는 동안에 와이어의 강도가 열화되고, 변형 이상이나 크랙이 발생하고, 그것이 진행하면 단선에 이르는 경우가 있다. 따라서, 고온 환경에 있어서의 Al 배선재의 강도 저하를 억제하여, 고온 신뢰성을 향상시키는 것이 과제로 되어 있지만, 이것은, 배선재의 강도를 단순히 증가시키는 것만으로는, 충분한 고온 신뢰성을 얻는 것은 어려운 것에 추가하여, 설치 사용 시의 작업성, 접합성 등이 저하될 것도 염려된다.
또한 반도체 등의 전자 부품에 사용되는 Al 배선재에서는, 자동차에 적합한 파워 디바이스의 용도 확대에 의해, 초기 접합성과 접합부의 고온 신뢰성을 향상시킬 것이 요구된다. 반도체에 있어서의 Al 배선재의 접속은 2군데 있고, 반도체 칩 상 전극과의 접속(이하, 「제1 접속」이라고 칭함)과, 리드 프레임이나 기판 상의 외부 전극과의 접속(이하, 「제2 접속」이라고 칭함)이다. 파워 디바이스에서는, 작동 시의 온도 변화에 수반하는 충격적인 열응력이 발생하고(이하, 「열충격」이라고 칭함), Al 배선재와 반도체 칩 상 전극의 접속부인 제1 접속부에서 손상이 일어나는 경우가 있다. 구체적으로는, Al 배선재와 피접속 부재의 열팽창률 차에 기인하여 접속부 계면에 크랙이 발생하는 경우가 있다(이하, 「본드 크랙」이라고 칭함). Al 배선재 자체의 신축에 의한 굽힘 응력에 기인하여 접속부 근방의 루프 상승부에 크랙이 발생하는 경우도 있다(이하, 「힐 크랙」이라고 칭함). 장치 작동 시의 환경 하에 있어서의 부식에 의해, 이들 본드 크랙이나 힐 크랙은 진전하여, 최종적으로 Al 배선재의 접속부의 박리 등이 일어나, 접속부의 고온 신뢰성은 손상된다. 이 점, Al 배선재에 타 원소를 첨가하여 결정립의 조대화를 억제하고 고강도화하는 방법이 생각되기는 하지만, 이러한 방법에서는, Al 배선재 중의 타 원소의 함유량이 높아짐에 따라서, Al 배선재의 제조 시에 단선이나 흠집이 발생하여 수율이 저하되거나, Al 배선재를 접속할 때에 피접속 부재가 손상되거나(이하, 「칩 대미지」라고 칭함) 하는 경우가 있다.
이와 같이, Al 배선재에는, 상온 강도의 상승을 억제하여 변형, 접합의 작업 성능을 유지, 개선하면서, 고온 신뢰성을 향상시킬 것이 요구되고 있다.
한편, Al 배선재에 Sc를 첨가함으로써, 고온 신뢰성을 개선하는 것이 알려져 있다(특허문헌 2, 3). 그러나 이러한 기술에 있어서도 상온 강도 상승의 영향을 받음과 함께, Sc는 고가이기 때문에 재료비가 높아지는 것, 또한 Sc의 석출을 이용하여 고온 신뢰성을 높이기 위해서는, 제조 시 혹은 접속 후의 보충적인 가열 처리 등의 조건을 좁은 범위에서 관리할 것이 필요하여, 실용화의 장애가 된다.
배선재 제조 시의 열처리 혹은 접속 후의 보충적인 가열 처리에 대해서, 저온 혹은 단시간의 처리에 의해 성능 향상이 달성되면, 배선재의 생산성의 향상, 피 접속 부재에 대한 열영향 등을 낮게 억제할 수 있어, 많은 요구 성능을 종합적으로 충족하는 것이 가능하게 된다.
본 발명은, 상온 강도의 상승을 억제함과 함께, 양호한 고온 신뢰성을 나타내는 신규의 Al 배선재를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제에 대하여 예의 검토한 결과, 하기 구성을 갖는 Al 배선재에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내고, 이러한 지견에 기초하여 검토를 더 거듭함으로써 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.
[1] Er, Yb 및 Gd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하고, 그 함유량의 총계를 x1[질량％]이라 했을 때,
0.001≤x1≤0.6이고, 잔부는 Al을 포함하는, Al 배선재.
[2] 추가로, Sc 및 Zr로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하고, 그 함유량의 총계를 x2[질량％]라 했을 때,
0.005≤x2≤0.6인, [1]에 기재된 Al 배선재.
[3] 추가로, Si, Fe, Ni, Ce, Y 및 Zn으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하고, 그 함유량의 총계를 x3[질량％]이라 했을 때,
0.001≤x3≤1인, [1] 또는 [2]에 기재된 Al 배선재.
[4] 본딩 와이어인, [1] 내지 [3]의 어느 것에 기재된 Al 배선재.
[5] [1] 내지 [4]의 어느 것에 기재된 Al 배선재를 포함하는 반도체 장치.
본 발명에 따르면, 상온 강도의 상승을 억제함과 함께, 양호한 고온 신뢰성을 나타내는 신규의 Al 배선재를 제공할 수 있다. 이러한 신규의 Al 배선재는, 상온 강도의 상승이 억제되어 있고 장치에 대한 설치·접속 시의 작업성, 생산성을 높일 수 있음과 함께, 배선재 제조 시의 열처리 혹은 접속 후의 보충적인 가열 처리에 대해서, 저온 혹은 단시간의 처리에 의해, 또는 해당 가열 처리를 필요로 하지 않고, 고온 환경에서의 사용 시에 강도를 유지·개선하여 양호한 고온 신뢰성을 나타낼 수 있다.
이하, 본 발명을 그 적합한 실시 형태에 입각하여 상세하게 설명한다.
[Al 배선재]
본 발명의 Al 배선재는, Er, Yb 및 Gd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하고, 그 함유량의 총계를 x1[질량％]이라 했을 때, 0.001≤x1≤0.6을 충족하는 것을 특징으로 한다.
Al 배선재 중에 Er, Yb, Gd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상(이하, 「제1군 원소」라고도 함)을 소량 첨가함으로써, Al 배선재의 고온 신뢰성을 높일 수 있고, 게다가 Al 배선재의 상온 강도의 상승을 억제하여 변형, 접합의 작업 성능을 개선할 수 있다. 이러한 고온 신뢰성에 대해서, 고온 가열 후의 Al 배선재의 강도가 가열 전에 비해 유지되거나 혹은 높아지는 것에 의해 확인할 수 있다. 또한 상온 강도에 대해서, Al 배선재의 경도의 상승이 억제되는 것, 접속 시의 피접속 부재(반도체 칩 등)에 대한 손상이 억제되는 것, 초기 접합성이 양호한 것 등으로 확인할 수 있다.
제1군 원소를 첨가한 Al 배선재의 특성 평가의 사례로서, 300 내지 500℃의 고온에서 장시간 가열했을 때의 파단 강도를 높일 수 있다. 가혹한 고온 환경에서의 사용 시에 달성되는 효과로서, 예를 들어 350℃에서 4시간 가열한 후에도, Al 배선재의 파단 강도의 열화를 억제하고, 오히려 파단 강도가 높아지는 것 등을 들 수 있다.
제1군 원소를 함유한 Al 합금을 선재로 마무리함으로써, 이들의 원소의 첨가에 의한 고온 신뢰성의 개선 효과가, 벌크, 판 등의 부재에서 얻어지는 개선 효과에 비해 높은 것을 알아내었다. 신선 가공에서의 집합 조직의 형성, 세선에 의한 가열, 냉각의 열처리에 의한 재결정 현상의 진행 등을 이용함으로써, Al 합금 내의 Er, Yb, Gd의 석출 및 고용의 상태가 고온 신뢰성에 유리하게 작용할 것으로 생각된다.
Er, Yb, Gd의 특징으로서, Al 내에서의 원자의 확산 속도가 빠른 것, Al 내에 고용할 수 있는 최대 농도(최대 고용도)가 낮은 것을 들 수 있고, 가열 중에 석출이 촉진되어서 고온 신뢰성의 향상에 유리하게 작용할 것으로 생각된다. 즉, Er, Yb, Gd의 첨가에서는, 소량 첨가하는 경우에도 석출물의 핵을 효율적으로 형성할 수 있는 것, 또한 석출 속도가 빠름으로써, 저온·단시간의 가열 처리라도 강도를 개선할 수 있을 것으로 생각한다.
제1군 원소를 함유한 Al 합금을 가열함으로써, 제1군 원소와 Al의 금속 간 화합물인 Al3Er, Al3Yb, Al3Gd 등의 안정된 석출물을 형성할 수 있다. 이들의 석출물은, 석출물의 계면에서의 Al과의 정합성이 좋은 점에서, 전위 및 입계의 이동이 억제되고, 고온 환경에서의 강도, 경도, 연성 등을 높이는 효과가 높을 것으로 생각한다.
제1군 원소를 첨가함으로써 석출물 형성의 효율을 높여서, 석출물의 사이즈, 밀도 등을 제어하는 것이 용이하게 된다. 그것에 의해 종래의 Sc 첨가 등의 경우에 비하여, 저온·단시간의 가열 처리라도 강도를 개선할 수 있는 것을 비롯하여, 고온 환경에서의 강도를 증가하는 첨가 효과가 우위하게 높은 것 등에 의해, 고온 강도의 향상에 크게 기여하는 것이 가능하다. 이러한 각별히 현저한 기능을 비교적 저렴한 소재에 의해 실현할 수 있는 것도 실용상의 이점이다.
제1군 원소인 Er, Yb, Gd에 대해서는, 상기의 첨가 효과를 마찬가지로 발휘할 수 있다. 또한 각 원소의 특징을 이용함으로써, 요구에 맞춘 적정화도 할 수 있다. 예를 들어, Er에 대해서는, Al-Er계는 공정형이고, 석출에 필요로 되는 과포화의 고용 상태를 유지하는 것이 비교적 용이한 것, 또한 고용 강화도 이용하여 고강도화를 조장할 수 있다. Yb에 대해서는, 제1군 원소에서는 유일한 면심 입방 구조의 원소이고, Al 내에서의 확산 속도도 가장 빠르기 때문에, 석출을 위한 가열 시간을 보다 짧게 하는 것에 유리하다. Gd는, 고용 상태에서의 강도 상승을 억제하는 경향이 강하기 때문에, Al 배선재의 변형, 접합의 작업 성능을 높이는 등 상온에서의 작업성을 우선한 용도에 보다 적합하다.
용도, 요구 특성에 따라, 제1군 원소의 1종 또는 복수종을 선정하여 구분지어 사용할 수 있다. 예를 들어 Er과 Yb를 공존시키면, 함유량을 저감시켜서 석출 속도를 빠르게 하는 효과를 증진하는 것에 유리하고, 또한 Er과 Gd를 공존시키면, 상온에서의 변형, 접합의 작업 성능과, 고온 환경에서의 사용 시에 강도를 유지·개선하는 성능을 동시에 높이는 것에 유리하다. 제1군 원소의 조합은 이들에 한정되지 않고, Yb와 Gd를 조합해도 되고, 3원소를 모두 조합해도 된다.
본 발명의 Al 배선재는, 제1군 원소로서, Er, Yb 및 Gd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 총계로 0.001 내지 0.6질량％의 범위에서 함유한다. 즉, Al 배선재 중의 제1군 원소의 함유량 총계를 x1[질량％]이라 했을 때, 0.001≤x1≤0.6을 충족한다.
고온 환경에서 사용할 때의 강도를 높이고, 고온 신뢰성이 양호한 Al 배선재를 얻는 관점에서, Al 배선재 중의 제1군 원소의 함유량의 총계, 즉 x1은, 0.001질량％ 이상이고, 바람직하게는 0.002질량％ 이상, 0.003질량％ 이상 또는 0.005질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.01질량％ 이상, 0.02질량％ 이상, 0.03질량％ 이상, 0.05질량％ 이상, 0.07질량％ 이상, 0.09질량％ 이상 또는 0.1질량％ 이상이다. x1이 0.01질량％ 이상이면, 고온 신뢰성이 보다 한층 양호한 Al 배선재를 실현할 수 있는 것을 확인하였다.
Al 배선재 중의 제1군 원소의 함유량의 총계, 즉 x1의 상한은, 상온 강도의 상승을 억제하여 변형, 접합의 작업 성능이 양호한 Al 배선재를 얻는 관점에서, 0.6질량％ 이하이고, 바람직하게는 0.55질량％ 이하, 보다 바람직하게는 0.5질량％ 이하이다. x1이 0.5질량％ 이하이면, 상온에서의 작업 성능이 보다 한층 양호한 Al 배선재를 실현할 수 있는 것을 확인하였다.
따라서, 적합한 일 실시 형태에 있어서, Al 배선재 중의 제1군 원소의 함유량의 총계, 즉 x1은, 0.001≤x1≤0.6을 충족하고, 보다 적합하게는 0.01≤x1≤0.5를 충족한다.
-Sc, Zr(제2군 원소)-
본 발명의 Al 배선재는, 추가로 Sc 및 Zr로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유해도 된다.
제1군 원소에 추가하여, Sc 및 Zr로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상(「제2군 원소」라고도 함)을 함유함으로써, 상온 강도의 상승을 억제하여 변형, 접합 등의 상온에서의 작업 성능을 유지하면서, 고온 환경에서 사용할 때의 강도를 더 높여서, 고온 신뢰성이 보다 한층 양호한 Al 배선재를 실현할 수 있다. 그 효과의 일례로서, 제2군 원소와 제1군 원소를 복합 첨가한 Al 배선재에서는, 더 높은 온도역에서의 강도를 개선할 수 있고, 또한 전자 기기의 고출력 동작 시의 고온과 저온을 반복하는 열 이력에 있어서의 접속부의 고온 신뢰성을 더욱 개선하는 것이 가능하다.
제2군 원소와 제1군 원소를 복합 첨가한 Al 배선재의 특성 평가의 사례를 이하에 예를 든다. 가혹한 고온 환경에서의 사용 시에 달성되는 효과로서, 제1 사례에서는, 예를 들어 400℃의 고온에서 가열한 후에도, Al 배선재의 파단 강도의 열화를 억제하고, 오히려 파단 강도를 높일 수 있다. 이것은, 제1군 원소의 단독 첨가의 경우에 비교하여, 50℃ 이상 높은 온도에서도 우수한 신뢰성을 실현할 수 있을 가능성을 나타내고 있다.
제2 사례에서는, 제2군 원소와 제1군 원소를 복합 첨가한 Al 배선재에서는, 피접속 부재와의 접속부의 고온 신뢰성이 보다 한층 향상된다. 특히 온도의 상승, 강하를 반복하는 열충격에 대해서도, 높은 접합 강도를 유지하여, 장수명을 실현할 수 있다. 여기서, 열충격을 가속 평가하는 방법의 하나로서, 파워 사이클 시험이 실시된다. 이것은 전압의 ON/OFF를 반복함으로써 급속한 가열과 냉각을 반복하는 시험이다. 이 열충격에 의해, 피접속 부재와의 접속부의 접합 강도가 저하되거나, 보다 악화되거나 하면, 접속 계면 근방에 크랙이 진전하여 박리하는 것 등이 문제가 된다. 급속한 가열과 냉각에 의해, Al 배선재의 접속부에 발생하는 열 변형에 대하여, 종래의 Al 배선재에서 문제가 되는 배선재 내부의 결정립이 성장하여 조대화하는 현상을 억제함으로써, 접속부의 고온 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다. 이 접속부의 고온 신뢰성에 대해서는, 제1군 원소를 단독 첨가한 경우에도 개선할 수 있는 것을 확인하고 있지만, 또한 제2군 원소를 복합 첨가함으로써, 보다 현저한 개선 효과를 얻을 수 있다.
제1군 원소와 제2군 원소를 복합 첨가함으로써, 원소의 고용에 추가하여, 제2군 원소, 제1군 원소의 1종 또는 2종과 Al로 이루어지는 금속 간 화합물의 석출물이 형성되고, 이 석출물이, 고온 환경에서의 배선재 및 접속부에 있어서의 결정립계의 이동이나 결정립의 조대화를 억제하기 때문에 상기의 현저한 효과를 실현할 수 있는 것이라고 생각한다. 3원계의 금속 간 화합물이 대표적이고, 예를 들어 Al3(Er, Sc), Al3(Yb, Sc), Al3(Er, Zr), Al3(Gd, Zr) 등을 들 수 있다. 또한 일부에는 2원계 석출물도 형성되고, 예를 들어 Al3Er, Al3Sc 등을 들 수 있다. 여기서 Al3(Er, Sc) 등의 조성의 표기에 대해서, Al3(Erx, Sc1-x)(식 중, x는 0<x<1을 충족함)로 표시할 수도 있지만, 본 명세서에서는 간편한 표기인 Al3(Er, Sc)를 사용한다. 또한 석출물의 조성은 상기에 한정되지 않는다.
3원계 석출물의 원소 분포에 대해서, 내부(코어)와 외각(셸)이 다른 원소로 구성된 복합 구조(코어·쉘 구조)인 것도 고온 특성의 개선에 유효하게 작용한다. 제1군 원소와 제2군 원소를 복합 첨가한 Al 배선재에 대해서, 석출물의 내부에는 주로 제1군 원소, 외각에는 제2군 원소가 농화되는 경향이 있는 것을, 석출물의 TEM 해석 등에 의해 확인하였다. 예를 들어, Al-Er-Sc의 3원계 석출물에서는, 내부에 Er, 외각에 Sc가 농화된 구조이고, Al-Yb-Zr의 3원계 석출물에서는, 내부에 Yb, 외각에 Zr이 농화된 구조가 형성되는 경향이 있다. 이것은, 확산 속도가 빠른 제1군 원소가 빨리 응집하여 Al과의 코어 석출물을 형성하고, 그것을 핵으로 하여 주변에 제2군 원소가 석출하여 셸을 형성하는 것에 의한다고 생각된다. 석출물의 조성을 해석하는 방법으로서는, 투과형 전자 현미경(TEM)의 조성 분석(EDS 분석) 등을 이용할 수 있다.
이 코어·쉘 구조의 이점으로서, 제1군 원소가 Al로 이루어지는 코어부가 조대화하는 것과 같은 높은 온도역에서도, 셸부가 석출물의 성장을 억제함으로써, 미세한 석출물을 유지할 수 있다. 이에 의해, 상당히 높은 온도역에서도, Al 배선재의 신뢰성을 유지할 수 있다는 현저한 효과가 얻어진다. 이것이 제1군 원소와 제2군 원소를 복합 첨가했을 때에 상기의 각별히 현저한 효과가 달성되는 요인이기도 하다. 코어·쉘 구조의 석출물 형성에 대해서, 벌크 등 대형 부재에서는 시료 내부에 안정적으로 분포시키는 것은 어려운 것이 장애가 되지만, 2차원의 선재인 Al 배선재에서는, 코어·셸 구조의 석출물을 균일하게 분포시키는 것이 비교적 용이한 것을 알아내었다. 즉, 제1군 원소와 제2군 원소를 복합 첨가한 Al 배선재라면, 고온 특성을 높이는 제품으로서 양산화에도 유리하다. 이러한 석출물의 구조, 조성을 해석하는 방법으로서는, 3차원 아톰 프로브(3 Dimensional Atom Probe: 3DAP)법 등을 사용할 수 있다. 석출물 내의 원소의 농도 분포에 의해 구조를 해석할 수 있다.
제1군 원소와 제2군 원소(및 후술하는 제3군 원소) 등 복수의 원소를 동시에 첨가하는 복합 첨가에는 경제적 장점도 있고, 고가인 Sc의 함유량을 감소할 수 있는 것, 보다 소량의 제2군 원소로 요구를 충족할 수 있음으로써, 결과로서 제1군 원소의 사용량도 줄여 원료 비용을 저감하는 것이 가능하다. 또한 고온 신뢰성을 개선하기 위한 열처리 조건에 관하여, 복합 첨가에 의해 저온, 단시간에 석출물을 형성할 수 있기 때문에, 생산성이 향상된다라는 이점도 향수할 수 있다.
본 발명의 Al 배선재는, 제2군 원소로서, Sc, Zr로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 총계로 0.005 내지 0.6질량％의 범위에서 함유하는 것이 바람직하다. 즉, Al 배선재 중의 제2군 원소의 함유량의 총계를 x2[질량％]라 했을 때, 0.005≤x2≤0.6을 충족하는 것이 바람직하다.
고온 환경에서 사용할 때의 강도를 더 높이고, 고온 신뢰성이 보다 한층 양호한 Al 배선재를 얻는 관점에서, Al 배선재 중의 제2군 원소의 함유량의 총계, 즉 x2는, 바람직하게는 0.005질량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.006질량％ 이상, 0.008질량％ 이상 또는 0.009질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 0.01질량％ 이상, 0.02질량％ 이상, 0.03질량％ 이상, 0.05질량％ 이상 또는 0.1질량％ 이상이다. x2가 0.01질량％ 이상이면, 고온 신뢰성이 한층 더 양호한 Al 배선재를 실현할 수 있는 것을 확인하였다.
Al 배선재 중의 제2군 원소의 함유량의 총계, 즉 x2의 상한은, 상온 강도의 상승을 억제하여 변형, 접합 등의 상온에서의 작업 성능이 양호한 Al 배선재를 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.6질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.55질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5질량％ 이하이다. x2가 0.5질량％ 이하이면, 상온에서의 작업 성능이 보다 한층 양호한 Al 배선재를 실현할 수 있는 것을 확인하였다. 제1군 원소를 첨가하는 본 발명의 Al 배선재에 있어서는, 제2군 원소의 함유량을 억제할 수 있고, x2는, 0.45질량％ 이하, 0.4질량％ 이하, 0.35질량％ 이하, 0.3질량％ 이하, 0.25질량％ 이하, 0.2질량％ 이하, 0.15질량％ 이하 또는 0.15질량％ 미만으로 낮아도 된다.
따라서 적합한 일 실시 형태에 있어서, Al 배선재 중의 제2군 원소의 함유량의 총계, 즉 x2는, 0.005≤x2≤0.6을 충족하고, 보다 적합하게는 0.01≤x2≤0.5를 충족한다.
-Si, Fe, Ni, Ce, Y, Zn(제3군 원소)
본 발명의 Al 배선재는, 추가로 Si, Fe, Ni, Ce, Y 및 Zn으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유해도 된다.
제1군 원소에 추가하여, Si, Fe, Ni, Ce, Y 및 Zn으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상(「제3군 원소」라고도 함)을 함유함으로써, Al 배선재와 리드 프레임이나 기판 상의 외부 전극과의 접속인 제2 접속에 있어서 고온 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 또는 고온에서의 Al 배선재의 굽힘 변형성을 개선할 수 있다. 제3군 원소와 제1군 원소를 복합 첨가함으로써, 제1군 원소를 단독 첨가하는 경우에 비하여, Al보다 고융점, 경질의 소재로 이루어지는 외부 전극과의 제2 접속에 있어서, 200℃ 이상의 고온 환경에서도 접합 강도의 열화를 억제함에 있어서 보다 높은 효과가 얻어진다.
리드 프레임이나 기판 상의 외부 전극으로서는, 특별히 한정은 되지 않지만, 예를 들어 Ni, Ag, Pd 등으로 피복된 Cu기 합금, Fe기 합금을 들 수 있다. 제2 접속에서는, 외부 전극의 사이즈, 두께가 비교적 크기 때문에, 칩측의 제1 접속보다는 신뢰성을 비교적 확보하기 쉽다. 그래도 엄격한 사용 조건에서는, 고온 환경 또는 고전압 인가 시의 동작 발열 등에 의해, 접속 계면에 공극이나 크랙이 발생하는 것이 문제가 된다. 이후, Al 배선재의 세선화가 진행하면, 외부 전극과의 접속부의 고온 신뢰성이 문제가 된다. 이것은 피접속 부재가 경질, 고융점임으로써, 접속 시에 Al 배선재의 변형이 주로 일어나고, 접속 계면에서의 금속 접합을 얻는 것이 어려운 것, 계면에서의 확산 속도가 지연되는 것 등이 관계되어 있다.
제3군 원소인 Si, Fe, Ni, Ce, Y 및 Zn은, Al 내에서는 고용 상태에서 존재하는 양이 제1군 원소보다도 많기 때문에, 고용 강화, 혹은 가공·재결정 조직 등에 영향을 미침으로써 고온 신뢰성의 추가적인 향상에 기여할 수 있다. 제3군 원소의 고용 및 제1군 원소의 석출을 조합함으로써, 경질의 피접속 부재와의 접속부에 있어서의 금속 신생면을 노출하여, 상호 확산을 촉진할 수 있다. 또한, Al 배선재를 가열 처리함으로써, Al, 제3군 원소, 제1군 원소로 구성되는 3원 합금 석출물이 형성됨으로써, 초음파를 인가하는 접속에 있어서 Al 배선재의 균일 변형을 촉진할 수 있다. 이러한 고용과 석출의 상승 작용 및 3원계의 금속 간 화합물의 형성 등에 의해, 결과로서 외부 전극과의 접속부에 있어서의 고온 신뢰성이 향상될 것으로 생각된다. 3원계의 금속 간 화합물의 조성으로서는, 예를 들어 Al3(Er, Si), Al3(Yb, Si), Al3(Er, Ni), Al3(Gd, Si) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 발명의 Al 배선재는, 제3군 원소로서, Si, Fe, Ni, Ce, Y 및 Zn으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 총계로 0.001 내지 1질량％의 범위에서 함유하는 것이 바람직하다. 즉, Al 배선재 중의 제3군 원소의 함유량 총계를 x3[질량％]이라 했을 때, 0.001≤x2≤1을 충족하는 것이 바람직하다.
제2 접속부의 고온 신뢰성이 양호한 Al 배선재를 얻는 관점에서, Al 배선재 중의 제3군 원소의 함유량 총계, 즉 x3은, 바람직하게는 0.001질량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.002질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 0.003질량％ 이상, 0.005질량％ 이상, 0.006질량％ 이상, 0.008질량％ 이상, 0.009질량％ 이상 또는 0.01질량％ 이상이다. x3이 0.003질량％ 이상이면, 제2 접속부의 고온 신뢰성이 한층 더 양호한 Al 배선재를 실현할 수 있는 것을 확인하였다.
Al 배선재 중의 제3군 원소의 함유량 총계, 즉 x3의 상한은, 상온 강도의 상승을 억제하여 변형, 접합 등의 상온에서의 작업 성능이 양호한 Al 배선재를 얻는 관점에서, 바람직하게는 1질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.9질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.8질량％ 이하이다. x3이 0.8질량％ 이하이면, 상온에서의 작업 성능이 보다 한층 양호한 Al 배선재를 실현할 수 있는 것을 확인하였다.
따라서 적합한 일 실시 형태에 있어서, Al 배선재 중의 제3군 원소의 함유량의 총계, 즉 x3은, 0.001≤x3≤1을 충족하고, 보다 적합하게는 0.003≤x3≤0.8을 충족한다.
본 발명의 Al 배선재의 잔부는, Al을 포함한다. Al 배선재를 제조할 때의 알루미늄 원료로서는, 순도가 4N(Al: 99.99질량％ 이상)의 공업적인 순Al을 사용할 수 있다. 또한 불순물량이 적은 5N(Al: 99.999질량％ 이상) 이상의 알루미늄을 사용하는 것이 보다 적합하다. 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 본 발명의 Al 배선재의 잔부는, Al 이외의 원소를 함유해도 된다. 본 발명의 Al 배선재의 잔부에 있어서의 Al의 함유량은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한에 있어서 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 98질량％ 이상, 98.5질량％ 이상, 99질량％ 이상, 99.5질량％ 이상, 99.6질량％ 이상, 99.7질량％ 이상, 99.8질량％ 이상, 또는 99.9질량％ 이상이다. 적합한 일 실시 형태에 있어서, 본 발명의 Al 배선재의 잔부는, Al 및 불가피 불순물로 이루어진다.
Al 배선재 중의 제1군 원소, 제2군 원소, 제3군 원소 등의 함유량은, 후술하는 [원소 함유량의 측정]에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
본 발명의 Al 배선재는, 해당 Al 배선재의 외주에, Al 이외의 원소를 주성분으로 하는 피복을 갖고 있어도 되고 해당 피복을 갖고 있지 않아도 된다. 적합한 일 실시 형태에 있어서, 본 발명의 Al 배선재는, 해당 Al 배선재의 외주에, Al 이외의 금속을 주성분으로 하는 피복을 갖고 있지 않다. 여기서, 「Al 이외의 금속을 주성분으로 하는 피복」이란, Al 이외의 금속의 함유량이 50질량％ 이상인 피복을 말한다.
본 발명의 Al 배선재는, 상온 강도의 상승이 억제되어 있고 장치에 대한 설치·접속 시의 작업성, 생산성을 높일 수 있음과 함께, 배선재 제조 시의 열처리 혹은 접속 후의 보충적인 가열 처리에 대해서, 저온 혹은 단시간의 처리에 의해, 또는 해당 가열 처리를 필요로 하지 않고, 고온 환경에서의 사용 시에 강도를 유지·개선하여 양호한 고온 신뢰성을 나타낼 수 있다. 따라서 본 발명의 Al 배선재는, 피 접속 부재와의 접속 시에, 상온에서의 작업 성능과 고온 신뢰성이 모두 요구되는 광범위한 용도에 사용 가능하고, 예를 들어 반송 기기, 로봇 등의 산업 기기에 있어서 피접속 부재와의 접속에 적합하게 사용할 수 있고(산업 기기용 Al 배선재), 또한 파워 반도체 장치를 비롯한 각종 반도체 장치에 있어서 피접속 부재와의 접속에 적합하게 사용할 수 있다(반도체 장치용 Al 배선재).
본 발명의 Al 배선재는, 그 구체적 사용 양태에 따라서 임의의 치수를 가져도 된다. 본 발명의 Al 배선재가, 반송 기기, 로봇 등의 산업 기기에 사용되는 Al선인 경우, 그 선 직경은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 직경은 500㎛ 내지 10mm여도 된다. 또한, 이러한 Al선을 복수 사용한, 꼬임선이어도 된다. Al조인 경우, 그 직사각형 혹은 대략 직사각형의 단면의 치수(w×t)는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 w는 500㎛ 내지 10mm여도 되고, t는 50㎛ 내지 2mm여도 된다. 또한, 본 발명의 Al 배선재가, 파워 반도체 장치를 비롯한 각종 반도체 장치에 사용되는 Al 본딩 와이어인 경우, 그 선 직경은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 직경은 50 내지 600㎛이면 된다. 또한, Al 본딩 리본인 경우, 그 직사각형 혹은 대략 직사각형의 단면 치수(w×t)는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 w는 100 내지 3000㎛이면 되고, t는 50 내지 600㎛이면 된다.
본 발명의 Al 배선재의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 압출 가공, 스웨이징 가공, 신선 가공, 압연 가공 등의 공지의 가공 방법을 사용하여 제조해도 된다. 어느 정도 선 직경이 미세한 경우, 다이아몬드 다이스를 사용한 신선 가공을 실시하는 것이 바람직하다. 신선을 실온에서 행하는 냉간 가공이, 제조 장치 등 비교적 간단한 구성이고, 작업성이 우수하다. 또한 신선 시의 저항을 낮추어서 생산성을 높이는 경우에는, 가열하여 신선하는 열간 가공을 사용해도 된다.
각 첨가 원소의 함유량이 특정 범위가 되도록, Al 및 각 첨가 원소의 순금속을 출발 원료로서 칭량한 후, 이것을 혼합하여 용융 응고시킴으로써 잉곳을 제작한다. 또는, 각 첨가 원소의 원료로서는, 첨가 원소를 고농도로 포함하는 모합금을 사용해도 된다. 이 잉곳을 만드는 용해 과정에서는, 뱃치식, 연속 주조식을 사용할 수 있다. 연속 주조식은 생산성이 우수하지만, 뱃치식은 응고의 냉각 온도 조건을 변경하는 것이 용이하다. 이 잉곳을 최종 치수가 될 때까지 가공하여, Al 배선재를 형성한다.
잉곳의 상태에서, 혹은, 가공의 도중 혹은 가공 종료 후에, 각 첨가 원소를 고용시켜서, 균등하게 분포시키기 위해서, 용체화 열처리를 행하는 것이 바람직하다. 용체화 열처리에서는, 고용도가 높은 고온에서 첨가 원소를 Al 내에 고용시켜, 그 고용한 원소가 석출하는 것을 억제하기 위해서, 수랭, 공랭 등에 의해 냉각 속도를 빠르게 하여 상온으로 냉각한다. 용체화 열처리의 조건은, 예를 들어 550 내지 640℃의 온도 범위에서 1시간 내지 20시간으로 가열한 후에, 수랭, 공랭 등으로 냉각할 수 있다. 뱃치식에서 잉곳의 냉각 속도가 빠른 경우에는, 첨가 원소의 대부분은 고용하고 있기 때문에 용체화 열처리의 시간을 짧게 하는 것이 가능하다. 또는 용해도가 높은 고온 영역에서 열 처리함으로써, 잉곳의 응고 시에 발생한 석출물을 재용해시켜서, 첨가 원소가 균일하게 분포한 상태를 얻을 수 있다. 따라서 응고 시의 냉각 속도를 높임으로써 용체화 열처리를 대용할 수 있다. 예를 들어, 연속 주조 방식이라면, 뱃치 용해법의 응고보다는 응고 속도를 빠르게 할 수 있기 때문에, Al 내에서 첨가 원소를 고용시키는 것이 비교적 용이하여, 용체화 열처리를 실시하지 않는 것도 가능하다.
용체화 열처리된 Al 합금에 있어서 석출을 촉진하기 위해서, 석출 열처리를 실시하는 것이 바람직하다. 석출 열처리를 행하는 경우, 용체화 열처리 직후, 혹은 그 후의 가공 공정의 도중 혹은 가공 후에 행할 수 있다. 굵은 직경의 상태에서 뱃치식에 의해 석출 열처리를 행하는 경우, 석출 열처리는, 예를 들어 200 내지 450℃의 온도 범위에서 10분간 내지 5시간 가열함으로써 행해도 된다. 구체적으로는 예를 들어, 250℃에서 3시간의 저온 조건, 350℃에서 30분간의 고온 조건 등을 들 수 있다. 혹은, 가공된 가는 직경의 상태로 연속적으로 석출 열처리를 행하는 경우, 석출 열처리는, 예를 들어 로 내를 와이어가 연속 이동하면서 400 내지 600℃의 온도 범위에서 1초간 내지 5분간 가열함으로써 행하면 된다. 구체적으로는 예를 들어, 석출의 진행을 억제하는 경우에는 400℃에서 5초간, 석출물의 형성을 촉진하는 경우에는 500℃에서 1분간 가열하는 것 등을 들 수 있다. 이러한 열처리 조건을 참고로 온도·시간을 결정해도 된다. 보다 상세하게 조건을 적정화하고 싶은 경우에는, 이러한 열처리 조건을 참고로, 등온 열처리 또는 등시 열처리를 행함으로써, 온도, 시간 등을 용이하게 적정화할 수 있다. 예를 들어, 몇몇 시간 조건에서 등온 열처리한 Al 배선재를 시험 제작하여, 기계적 특성을 측정해 두면, 원하는 특성을 용이하게 재현할 수 있다.
Al 배선재를 가공하는 도중 혹은 최종의 선 직경에 있어서, 조질 열처리를 실시해도 된다. 조질 열처리에 의해, 가공 변형의 제거, 재결정 조직의 형성 등이 일어나고, 또한 상기 석출 열처리와 아울러 석출물을 성장시킬 수도 있다. 이 조질 열처리는, 가열로 내에서 Al 배선재를 연속 소인하면서 연속적으로 열처리하는 것이 바람직하다. 이 열처리 조건으로서는, 400 내지 600℃의 온도 범위에서 0.1초간 내지 3분간의 단시간에 가열하는 것 등으로 예시된다. 조질 열처리에서 석출을 진행시키는 것도 가능하기 때문에, 필요한 석출의 정도에 따라서는, 조질 열처리가 석출 열처리를 동시에 겸할 수 있다.
반도체 장치에 있어서, 본 발명의 Al 배선재와 피접속 부재의 접속은, 반도체 칩 상의 전극과의 제1 접속과, 리드 프레임이나 기판 상의 외부 전극과의 제2 접속 모두, 웨지 접합에 의해 실시한다. 피접속 부재와의 접속 후에, Al 배선재를 포함하는 반도체 장치의 실장 열처리를 행하는 것이 바람직하다. 실장 열처리에 의해, Al 배선재 중에 금속 간 화합물인 석출물을 형성함으로써, 석출 강화에 의해 강도를 더욱 증대시키는 것이 가능하다. 본 발명의 Al 배선재에 있어서, 형성되는 석출물의 조성, 양태에 대해서는 상술한 바와 같다.
실장 열처리의 조건으로서는, 금속 간 화합물을 형성할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 200 내지 400℃의 온도 범위에서 10 내지 60분간 가열하는 것이 적합하다. 실장 열처리 시의 분위기는 대기여도 되지만, 부재의 산화를 억제하기 위하여 질소, 아르곤 등의 불활성 분위기에서 행해도 된다.
본 발명은, 반도체 장치의 제조 방법도 제공한다. 적합한 일 실시 형태에 있어서, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은,
(A) 반도체 칩 상의 전극과, 리드 프레임 또는 기판 상의 전극을, 본 발명의 Al 배선재에 의해 접속하는 공정, 및
(B) Al 배선재에 의한 접속의 후, 실장 열처리를 행하는 공정
을 포함한다.
공정 (A)에서 사용하는 반도체 칩, 리드 프레임 또는 기판은, 후술하는 바와 같이, 반도체 장치를 구성하기 위하여 사용할 수 있는 공지의 것을 사용해도 된다. 또한, 공정 (A)에서 사용하는 본 발명의 Al 배선재의 상세·적합한 양태는, 상술한 바와 같다. 공정 (A)에 있어서, 반도체 칩 상의 전극과의 제1 접속과, 리드 프레임 또는 기판 상의 전극과의 제2 접속 모두, 웨지 접합에 의해 실시해도 된다. 또한, 공정 (B)에 있어서, Al 배선재 중에 상술한 금속 간 화합물의 미세한 석출상을 형성할 수 있다.
[반도체 장치]
본 발명의 Al 배선재를 사용하여, 반도체 칩 상의 전극과, 리드 프레임이나 기판 상의 외부 전극을 접속함으로써, 반도체 장치를 제조할 수 있다.
본 발명의 반도체 장치는, 본 발명의 Al 배선재를 포함한다. 본 발명의 Al 배선재는, 상온 강도의 상승이 억제되어 있고 장치에 대한 설치·접속 시의 작업성, 생산성을 높일 수 있음과 함께, 배선재 제조 시의 열처리 혹은 접속 후의 보충적인 가열 처리에 대해서, 저온 혹은 단시간의 처리에 의해, 또는 해당 가열 처리를 필요로 하지 않고, 고온 환경에서의 사용 시에 강도를 유지·개선하여 양호한 고온 신뢰성을 나타낼 수 있다. 따라서, 해당 Al 배선재를 포함하는 반도체 장치는, 고온의 작동 환경 하에서도, 장기에 걸쳐 양호한 작동 신뢰성을 실현할 수 있음을 비롯하여, 피접속 부재에 대한 열영향 등을 낮게 억제할 수 있고, 많은 요구 성능을 종합적으로 충족하는 것이 가능하게 된다.
일 실시 형태에 있어서, 본 발명의 반도체 장치는, 회로 기판, 반도체 칩 및 회로 기판과 반도체 칩을 도통시키기 위한 Al 배선재를 포함하고, 해당 Al 배선재가 본 발명의 Al 배선재인 것을 특징으로 한다. 여기서, 본 발명의 반도체 장치에 대하여 말하는 「본 발명의 Al 배선재」란, 제1군 원소 및 필요에 따라 제2군 원소, 제3군 원소를 상술의 적합한 농도 범위에서 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 반도체 장치에 있어서는, 고온 환경 하에서 장시간 작동시킨 경우에도, Al과 분리한 석출물(예를 들어, 상술의 2원계나 3원계의 금속 간 화합물로 이루어지는 석출물)을 미세한 상인 채로 유지하는 것이 가능하다.
본 발명의 반도체 장치에 있어서, 회로 기판 및 반도체 칩은 특별히 한정되지 않고, 반도체 장치를 구성하기 위하여 사용할 수 있는 공지의 회로 기판 및 반도체 칩을 사용해도 된다. 그렇지 않으면, 회로 기판 대신에 리드 프레임을 사용해도 된다. 예를 들어, 일본 특허 공개 제2020-150116호 공보나 일본 특허 공개 제2002-246542호 공보에 기재되는 반도체 장치와 같이, 리드 프레임과, 해당 리드 프레임에 실장된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치의 구성으로 해도 된다.
반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라, 텔레비전, 에어컨, 태양광 발전 시스템 등) 및 탈것(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전철, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있고, 그 중에서 전력용 반도체 장치(파워 반도체 장치)가 적합하다.
실시예
이하, 본 발명에 대해서, 실시예를 나타내서 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(샘플)
먼저 샘플의 제작 방법에 대하여 설명한다. 순도 5N(99.999질량％ 이상)의 Al과, 순도 99.9질량％ 이상의 Er, Yb, Gd, Sc, Zr, Si, Fe, Ni, Ce, Y, Zn을 원료로서 용융하고, 표 1 및 표 2에 나타내는 조성의 Al 잉곳을 제작하였다. 이어서, 용체화 열처리를 550 내지 640℃의 범위에서 5시간 행하고, 급랭(수랭)하였다. 해당 잉곳을 압출 가공, 스웨이징 가공한 후, 또한 신선 가공을 행하였다. 일부의 시료에서는, 선 직경이 2mm인 단계에서, 석출 열처리를 350 내지 600℃의 범위에서 1 내지 60분간 행하였다. 그 후, 최종 선 직경을 300㎛로 하여 다이스 신선 가공을 행하고, 신선 가공 종료 후에 2초간의 열처리 시간에 있어서 조질 열처리를 행하여, Al 배선재를 얻었다.
[원소 함유량의 측정]
Al 배선재 중의 첨가 원소의 함유량은, 분석 장치로서, ICP-OES((주)히타치 하이테크 사이언스제 「PS3520UVDDII」) 또는 ICP-MS(애질런트·테크놀로지스(주)제 「Agilent 7700x ICP-MS」)를 사용하여 측정하였다.
[와이어의 기계적 특성]
-가열 후의 강도 변화-
와이어의 가열 후의 강도 변화에 대해서, 가열 처리의 전과 후에서 인장 시험을 행하고, 와이어의 파단 강도의 변화로 평가하였다. 파단 강도의 측정은, Instron제 인장 시험기를 사용하여, 표점 간 거리 100mm, 인장 속도 10mm/분, 로드셀 정격 하중 1kN의 조건에서 인장 시험을 실시하였다. 측정은 5회의 평균값을 사용하였다. 가열 처리는, 와이어를, 질소 분위기 하에서, 350℃에서 4시간 혹은 400℃에서 1시간 실시하였다. 가열 처리의 전과 후의 와이어 강도를 각각 F1, F2라 하고, 그 비율 F2/F1로 평가하였다. F2/F1의 값에 대해서, 1.2 이상이면 와이어의 고온 신뢰성의 향상이 현저하기 때문에 「◎」로 하고, 1.0 이상 1.2 미만이면 통상의 고온 환경에서는 양호하기 때문에 「○」로 하고, 0.7 이상 1.0 미만이면 통상의 사용에서는 문제는 없지만 고온 환경에서의 사용에는 주의가 필요하기 때문에 「△」로 하고, 0.7 미만이면 고온 신뢰성이 떨어지기 때문에 「Х」로 하여, 표 1 및 표 2의 「가열 후의 강도 변화」란에 기재하였다.
-경도의 측정-
Al 배선재의 길이 축선부의 비커스 경도 Hv는, 마이크로비커스 경도계를 사용하여 측정을 행하였다. Al 배선재의 길이 축선을 포함하는, 긴 변 방향에 평행한 단면(L 단면)을 측정 대상면으로 하여, 길이 축선부(즉, Al 배선재의 중심 위치)에 있어서의 경도를 측정하였다. 5군데의 측정값의 평균을, 그 샘플의 비커스 경도로서 채용하였다. 비커스 경도 Hv가 20 이상 35 미만의 범위이면 연질인 점에서 「○」로 하고, 35 이상 45 미만의 범위이면 「△」로 하고, 45 이상의 범위에서는 단단함으로써 변형성이 염려되는 점에서 「×」로 하여, 표 1 및 표 2의 「경도 Hv」란에 기재하였다.
<접속>
반도체 장치에 있어서, 반도체 칩의 전극은 Al-Cu 패드(두께 2㎛)이고, 외부 단자는 Ni 피복한 Cu제 리드 프레임을 사용하였다. 반도체 칩의 전극과 Al 배선재 사이의 제1 접속부, 외부 단자와 Al 배선재 사이의 제2 접속부 모두, 웨지 접합으로 하였다. 일부의 실시예, 비교예에 대해서는, 접속 후에, 300℃, 30분간의 실장 열처리(시효 열처리)를 행하였다.
<칩 대미지의 평가>
반도체 장치에 있어서의 칩 대미지는, 패드 표면의 금속을 산으로 녹이고, 패드 아래를 현미경으로 관찰하여 평가하였다(평가 수 N=50). 크랙 및 본딩의 흔적 등도 관찰되지 않는 양호한 경우를 「○」로 하고, 크랙은 없기는 하지만 본딩 흔적이 확인되는 개소가 있는 것(평가 수 50 중, 3군데 이하)을 「△」로 하고, 그 이외를 「×」로 하여, 표 1 및 표 2의 「칩 대미지」란에 기재하였다.
<고온 신뢰성의 평가>
-제1 접속부-
제1 접속부에 관한 고온 신뢰성의 평가는, 파워 사이클 시험에 의해 행하였다. 파워 사이클 시험은, Al 배선재가 접속된 반도체 장치에 대해서, 가열과 냉각을 교호로 반복하였다. 가열은 중온 조건과 고온 조건의 2종류를 실시하였다. 중온 조건에서는, 반도체 장치에 있어서의 Al 배선재의 접속부의 최고 온도가 약 120℃가 될 때까지 2초간에 걸쳐서 가열하고, 그 후, 접속부의 온도가 30℃가 될 때까지20초간에 걸쳐서 냉각하였다. 이 가열·냉각의 사이클을 10만회 반복하였다. 고온 조건에서는, 최고 온도가 약 140℃가 될 때까지 2초간에 걸쳐서 가열하고, 그 후, 접속부의 온도가 30℃가 될 때까지 25초간에 걸쳐서 냉각하였다. 이 가열·냉각의 사이클을 10만회 반복하였다.
-제2 접속부-
제2 접속부에 관한 고온 신뢰성의 평가는, 온도 사이클 시험(TemperatureCycle Test, 이하, TCT라고 칭함)에 의해 행하였다. TCT는, Al 배선재가 접속된 반도체 장치를, 온도 사이클 시험 장치의 로 내에 배치하여, 고온과 저온을 연속적으로 반복하여 행하는 시험이다. 고온의 온도는 125℃, 저온의 온도는 -40℃로 설정하였다. 이 고온·저온의 사이클을 1000회 반복하였다.
상기 파워 사이클 시험 후의 제1 접속부의 접합 전단 강도와, 상기 온도 사이클 시험 후의 제2 접속부의 접합 전단 강도를 각각 측정하고, 접속부의 고온 신뢰성의 평가를 행하였다. 초기의 접속부 전단 강도 S1에 대한, 파워 사이클 시험 또는 온도 사이클 시험 후의 전단 강도 S2의 비율인 S2/S1로 평가하였다. S2/S1의 값에 대해서, 0.9 이상이면 우수한 신뢰성이기 때문에 「◎」로 하고, 0.8 이상 0.9 미만이면 양호하기 때문에 「○」로 하고, 0.6 이상 0.8 미만이면 통상의 사용에서는 문제는 없지만 주의가 필요하기 때문에 「△」로 하고, 0.6 미만이면 고온 신뢰성이 떨어지기 때문에 「×」로 하여, 표 1 및 표 2의 「고온 신뢰성」란에 기재하였다.
Al 배선재의 제조 조건, 평가 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
Figure pct00001
Figure pct00002
실시예 1 내지 40의 Al 배선재는, Er, Yb, Gd의 함유량의 총계 x1이 본 발명 범위 내에 있고, 배선재 제조 시 및 접속 후의 열처리의 유무나 그 온도·시간에 구애되지 않고, 350℃ 가열 후의 강도 변화, 칩 대미지, 경도, 중온 조건의 제1 접속부의 고온 신뢰성 모두 양호한 결과였다.
실시예 2, 3, 6 내지 10, 12, 13, 15 내지 18, 20, 21, 24 내지 27, 29, 31, 33 내지 40의 Al 배선재에서는, 또한 Sc, Zr의 함유량이 본 발명의 적합 범위 내에 있고, 400℃ 가열 후의 강도 변화가 ○ 또는 ◎이고, 중온 조건 및 고온 조건 모두 제1 접속부의 고온 신뢰성이 ○ 또는 ◎이고, 양호한 결과였다.
실시예 2 내지 10, 12, 14 내지 17, 19 내지 21, 23, 24, 26 내지 32, 34 내지 37, 39, 40의 Al 배선재에서는, 또한 Si, Fe, Ni, Ce, Y, Zn의 함유량이 본 발명의 적합 범위 내에 있고, 제2 접속부의 고온 신뢰성도 양호한 결과였다.
비교예 1 내지 3, 6 내지 8의 Al 배선재는, Er, Yb, Gd의 함유량이 본 발명 범위의 하한을 벗어나고, 350℃ 가열 후의 강도 변화가 ×였다. 비교예 4, 5의 Al 배선재는, Er, Yb, Gd의 함유량이 본 발명 범위의 상한을 벗어나고, 칩 대미지, 경도가 ×였다.

Claims (5)

  1. Er, Yb 및 Gd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하고, 그 함유량의 총계를 x1[질량％]이라 했을 때,
    0.001≤x1≤0.6이고, 잔부는 Al을 포함하는, Al 배선재.
  2. 제1항에 있어서, 추가로 Sc 및 Zr로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하고, 그 함유량의 총계를 x2[질량％]라 했을 때,
    0.005≤x2≤0.6인, Al 배선재.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 추가로 Si, Fe, Ni, Ce, Y 및 Zn으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하고, 그 함유량의 총계를 x3[질량％]이라 했을 때,
    0.001≤x3≤1인, Al 배선재.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 본딩 와이어인, Al 배선재.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 Al 배선재를 포함하는 반도체 장치.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314038A (ja) 2001-04-18 2002-10-25 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP2014047417A (ja) 2012-09-03 2014-03-17 Tanaka Electronics Ind Co Ltd アルミニウム合金ボンディングワイヤ
JP2014129578A (ja) 2012-12-28 2014-07-10 Tanaka Electronics Ind Co Ltd パワ−半導体装置用アルミニウム合金細線
JP2016511529A (ja) 2012-11-22 2016-04-14 ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー ボンディング用途のアルミニウム合金ワイヤ
JP2016152316A (ja) 2015-02-17 2016-08-22 住友金属鉱山株式会社 ボンディング用アルミニウム配線材及び電子部品

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61179841A (ja) * 1985-02-04 1986-08-12 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体素子ボンデイング用アルミニウム線材
JPS62130254A (ja) * 1985-11-29 1987-06-12 Sumitomo Electric Ind Ltd ボンデイングワイヤ用アルミニウム合金
JPH0439944A (ja) * 1990-06-05 1992-02-10 Furukawa Special Metal Coated Co Ltd アルミニウムボンディングワイヤー
JP2002246542A (ja) 2001-02-15 2002-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd パワーモジュール及びその製造方法
JP5978589B2 (ja) * 2011-10-18 2016-08-24 富士電機株式会社 パワー半導体装置の製造方法
JP7126321B2 (ja) * 2018-10-10 2022-08-26 日鉄マイクロメタル株式会社 Ａｌボンディングワイヤ
JP2020150116A (ja) 2019-03-13 2020-09-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314038A (ja) 2001-04-18 2002-10-25 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP2014047417A (ja) 2012-09-03 2014-03-17 Tanaka Electronics Ind Co Ltd アルミニウム合金ボンディングワイヤ
JP2016511529A (ja) 2012-11-22 2016-04-14 ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー ボンディング用途のアルミニウム合金ワイヤ
JP2014129578A (ja) 2012-12-28 2014-07-10 Tanaka Electronics Ind Co Ltd パワ−半導体装置用アルミニウム合金細線
JP2016152316A (ja) 2015-02-17 2016-08-22 住友金属鉱山株式会社 ボンディング用アルミニウム配線材及び電子部品

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