KR20230057390A - 초음파 복합 진동 장치 및 반도체 장치의 제조 장치 - Google Patents

초음파 복합 진동 장치 및 반도체 장치의 제조 장치 Download PDF

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KR20230057390A
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히카루 미우라
타쿠야 아사미
요시히로 미야타
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가부시키가이샤 신가와
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Abstract

초음파 복합 진동 장치(50)는 세로 진동 및 비틀림 진동을 발생시키는 진동자(58)를 가진 기단부(52)와, 상기 기단부(52)보다 큰 단면적을 가지는 확대부(54)와, 상기 확대부(54)보다 작은 단면적을 가지는 선단부(56)가 기단측으로부터 선단측을 향해 직선 모양으로 늘어서 있고, 상기 확대부(54)에 상기 비틀림 진동의 마디가 위치하고, 상기 초음파 복합 진동 장치(50)의 기단면 및 선단면에 상기 세로 진동의 배 및 상기 비틀림 진동의 배가 위치하며, 상기 확대부(54)의 축방향 위치 및 축방향 치수(W)는, 상기 세로 진동의 공진 주파수(Fa)와 상기 비틀림 진동의 공진 주파수(Fb)가 거의 동일해지는 위치 및 치수로 설정되어 있다.

Description

초음파 복합 진동 장치 및 반도체 장치의 제조 장치
본 명세서는 대상물을 진동 가공(접합, 절삭, 연마 등)하기 위한 초음파 가공기에 사용되는 초음파 복합 진동 장치를 개시한다.
종래로부터 대상물을 진동 가공하기 위해서 세로 진동 및 비틀림 진동을 발생시키는 초음파 복합 진동 장치가 제안되어 있다. 그러나, 종래의 초음파 복합 진동 장치의 대다수는 세로 진동의 공진 주파수와 비틀림 진동의 공진 주파수가 서로 크게 달라 1개 또는 근접한 주파수에서 2개의 진동을 동시에 발생시킬 수가 없었다.
그래서, 일부에서는 1개 또는 근접한 주파수에서 세로 진동 및 비틀림 진동을 발생시키는 것도 제안되어 있다. 예를 들면, 특허 문헌 1에는 단차부를 갖는 동시에 전왜진동자를 가진 진동체와, 단차부를 갖는 동시에 진동 소자를 갖지 않는 진동체를 조합해, 하나의 초음파 복합 장치를 구성하는 기술이 개시되어 있다. 이 특허문헌 1에서는, 각 진동체에 있어서 세로 진동의 배(antinode)에서부터 단차부까지의 거리를 조정하는 것에 의해 세로 진동의 공진 주파수와 비틀림 진동의 공진 주파수를 일치시키거나 또는 근접시키는 것이 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 제2005－288351호
그런데, 특허문헌 1에서는, 단차부가 비틀림 진동의 배가 되도록 조정하고 있다. 그러나, 통상 단차부에서는 진동의 감쇠가 일어나기 쉬울 수도 있어서 해당 단차부를 비틀림 진동의 배로 하기는 어렵다. 또한, 특허문헌 1에서는 2개의 진동체를 조합해서 하나의 초음파 복합 장치를 구성하고 있다. 따라서, 초음파 복합 장치 전체적으로는 2개의 단차부나 2개의 진동체의 접합면을 가지기 때문에, 그 거동이 복잡하고 치수나 주파수의 조정이 어렵다.
그래서, 본 명세서에서는 보다 간단하고 쉬운 구성이면서, 세로 진동 및 비틀림 진동을 1개 또는 근접한 주파수에서 발생시킬 수 있는 초음파 복합 장치를 개시한다.
본 명세서에서 개시하는 초음파 복합 진동 장치는, 초음파 복합 진동 장치에 있어서, 세로 진동 및 비틀림 진동을 발생시키는 진동자를 가진 기단부와, 상기 기단부보다 큰 단면적을 가지는 확대부와, 상기 확대부보다 작은 단면적을 가지는 선단부가 기단측으로부터 선단측을 향해 직선 모양으로 늘어서 있고, 상기 확대부에 상기 비틀림 진동의 마디(節; node)가 위치하고, 상기 초음파 복합 진동 장치의 기단면 및 선단면에 상기 세로 진동의 배(腹; antinode) 및 상기 비틀림 진동의 배가 위치하며, 상기 확대부의 축방향 위치 및 축방향 치수는, 상기 세로 진동의 공진 주파수와 상기 비틀림 진동의 공진 주파수가 거의 동일해지는 위치 및 치수로 설정되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 경우, 상기 확대부의 상기 선단측의 단면(端面)에서부터 상기 선단부의 상기 선단측 단면(端面)까지의 축방향 치수가 상기 비틀림 진동의 1/4 파장의 홀수배(倍)이어도 된다.
또한, 상기 선단부에는, 축방향으로 나아감에 따라 둘레 방향으로도 나아가는 경사형상의 슬릿이 형성되어 있어도 무방하다.
또한, 본 명세서에서 개시하는 반도체 장치의 제조 장치는, 상술한 초음파 복합 진동 장치와, 상기 선단부에 장착되어 와이어가 삽입 관통되는 캐필러리를 구비하며, 상기 진동자를 상기 세로 진동의 공진 주파수 및 상기 비틀림 진동의 공진 주파수와 거의 동일한 구동 주파수에서 구동한다.
본 명세서에서 개시하는 기술에 따르면, 간단하고 쉬운 구성이면서, 세로 진동 및 비틀림 진동을 1개 또는 근접한 주파수에서 발생시킬 수 있다.
도 1은 반도체 장치의 제조 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 초음파 혼(horn)으로서 기능하는 초음파 복합 진동 장치의 사시도이다.
도 3은 초음파 복합 진동 장치의 측면도 및 진동의 파형을 보여주는 도면이다.
도 4는 확대부의 축방향 치수와 공진 주파수와의 상관을 나타내는 그래프이다.
도 5는 다른 초음파 복합 진동 장치의 사시도이다.
이하, 도면을 참조해 초음파 복합 진동 장치(50) 및 이것을 탑재한 반도체 장치의 제조 장치(10)의 구성에 대해 설명한다. 도 1은 초음파 복합 진동 장치(50)를 탑재한 제조 장치(10)의 구성을 보여주는 그림이다.
제조 장치(10)는 대상물(30)에 설치된 2개의 전극 사이를 와이어(26)로 접속하는 것에 의해 반도체 장치를 제조하는 와이어 본딩 장치이다. 대상물(30)은 예를 들어 반도체 칩이 실장(mount)된 리드 프레임이다. 통상 반도체 칩 및 리드 프레임에는 각각 전극이 설치되어 있으며 이러한 전극들을 와이어(26)로 전기적으로 접속함으로써 반도체 장치가 제조된다.
제조 장치(10)는 XY스테이지(20)에 의해 수평 방향으로 이동 가능한 본딩 헤드(12)를 가진다. 이 본딩 헤드(12)에는 초음파 혼(16) 및 카메라(22)가 수직 방향으로 이동 가능하게 장착되어 있다. 초음파 혼(16)은, 혼 홀더(14)를 통해서 본딩 헤드(12)에 장착되어 있다. 초음파 혼(16)은 세로 진동 및 비틀림 진동을 발생시키고 캐필러리에 전달하는 초음파 복합 진동 장치(50)이다. 캐필러리(18)는 초음파 혼(16)의 말단에 장부착되는 동시에 와이어(26)가 삽입 관통되는 통 형상 부재이다. 세로 진동 및 비틀림 진동이 이 캐필러리(18)를 통해 와이어(26)에 전달된다. 더욱이 캐필러리(18)의 상방에는 캐필러리(18)와 함께 이동해 와이어(26)를 사이에 끼고 지지하는 클램퍼(19)가 설치되어 있다.
카메라(22)는 필요에 따라서 대상물(30)을 촬상한다. 컨트롤러(32)는 이 카메라(22)로 촬상된 화상에 근거해 캐필러리(18)의 대상물(30)에 대한 위치를 특정하고 캐필러리(18)의 위치를 결정한다. 본딩 헤드(12)에는 와이어(26)가 감겨진 스풀(24)이 추가로 설치되어 있어서, 필요에 따라서 와이어(26)가 스풀(24)로부터 풀려 나간다. 컨트롤러(32)는 제조 장치(10)를 구성하는 각 부의 구동을 제어한다. 예를 들면, 컨트롤러(32)는 초음파 혼(16)(즉 초음파 복합 진동 장치(50))에 설치된 진동자(58)에 소정 주파수의 교류 전압을 인가해 소정 주파수의 진동을 발생시킨다. 한편, 이러한 제조 장치(10)의 구성은 일례로서, 나중에 상세히 설명하는 초음파 복합 진동 장치(50)는 다른 구성의 진동 가공기에 도입할 수도 있다.
다음에, 제조 장치(10)에 탑재된 초음파 복합 진동 장치(50)의 구성에 대해 설명한다. 도 2는 초음파 복합 진동 장치(50)의 사시도이다. 또한, 도 3은 초음파 복합 진동 장치(50)의 개략 측면도이다. 한편, 도 3의 상단에 있어서 실선(WVa)은 세로 진동의 파형을 나타내고, 일점 쇄선(WVb)은 비틀림 진동의 파형을 각각 나타내고 있다. 또한, 설명을 간단히 하기 위해서, 도 3에서 초음파 복합 진동 장치(50)는 단순화해 도시하고 있다. 따라서, 도 3에서는 캐필러리(18)의 장착부나 플랜지(51)의 도시는 생략되어 있다.
초음파 복합 진동 장치(50)는 상술한 바와 같이 초음파 혼(16)으로서 기능하는 것으로, 그 말단에는 캐필러리(18)가 장착되어 있다. 이 초음파 복합 진동 장치(50)는 그 기단측에서부터 말단측에 걸쳐서 기단부(52), 확대부(54), 선단부(56)가 일직선 모양으로 나란히 배열되어 있다. 기단부(52) 및 선단부(56)는 거의 동일한 지름의 둥근 막대 모양이다. 기단부(52)는 또한, 진동자(58)와, 진동자(58)와 확대부(54) 사이에 개재하는 중계부(60)로 크게 구분된다. 진동자(58)는, 전압 신호를 받아 세로 진동 및 비틀림 진동을 발생시키는 진동 발생원이다. 이 진동자(58)는 예를 들면 교류 전압을 받아 진동하는 티탄산 지르콘산 납(통칭 PZT)을 가지며, PZT를 금속의 블록으로 집어서 볼트로 단단히 조여서 압력을 가한 볼트 체결 랑제방형 진동자(통칭 BLT 또는 BL진동자)이다. 본 예의 진동자(58)는 세로 진동을 발생시키는 PZT 소자 이외에도 분극 방향을 변경함으로써 비틀림 진동을 발생시키는 PZT 소자도 가지고 있다. 따라서, 진동자(58)는 세로 진동 및 비틀림 진동의 쌍방을 발생시킬 수가 있다.
확대부(54)는 기단부(52)와 선단부(56)보다 직경이 커지는 부분이다. 이 확대부(54)의 직경(D2)은 선단부(56)의 직경(D1)보다 크면 특별히 한정되지 않는다. 다만, 확대부(54)의 직경(D2)이 클수록 비틀림 진동의 감쇠 효과가 높아져서 확대부(54)가 비틀림 진동의 마디(node)가 되기 쉬워진다. 그래서, 확대부(54)의 직경(D2)은 예를 들면, 선단부(56)의 직경(D1)의 1.5배 이상으로 해도 무방하다. 또한, 확대부(54)의 축방향 치수(W)는 세로 진동의 공진 주파수(Fa) 및 비틀림 진동의 공진 주파수(Fb)가 일치 또는 근접하도록 설정되는데 이에 대해서는 후술한다. 확대부(54) 및 중계부(60)의 사이에는 플랜지(51)가 설치되어 있다. 이 플랜지(51)는 초음파 복합 진동 장치(50)를 혼 홀더(14)에 장착할 때에 사용된다.
선단부(56)는 기단부(52)와 거의 동일한 지름의 둥근 막대 모양이고, 이 선단부(56)의 말단에는 캐필러리(18)가 장착된다. 선단부(56)의 축방향 치수(L3)는 특별히 한정되지 않지만, 통상 축방향 치수(L3)는 비틀림 진동의 1/4 파장의 홀수배와 거의 같아진다. 이는, 확대부(54)가 비틀림 진동의 마디가 되고, 선단부(56)의 말단이 비틀림 진동의 배가 되도록 선단부(56)에서 생기는 비틀림 진동의 파장(λb)과 위상이 자동으로 조정되기 때문이다. 따라서, 비틀림 진동의 파장을 λb라고 했을 경우 L3≒λb/4×(2n＋1)이 된다. 더욱이, 도 3의 상단에 도시하는 바와 같이, 본 예에서는 초음파 복합 진동 장치(50)의 기단면(50a) 및 선단면(50b)에, 세로 진동과 비틀림 진동의 배가 위치하도록 각각의 파장(λa, λb)을 설정하고 있다.
다음으로, 확대부(54)의 축방향 치수(W) 및 진동자(58)의 구동 주파수(F1)의 설정에 대해 설명한다. 진동자(58)의 축방향 치수(L1), 중계부(60)의 축방향 치수(L2), 및 초음파 복합 진동 장치(50)의 축방향 치수(Lall)를 일정하게 했을 경우, 확대부(54)의 축방향 치수(W)를 변화시킴으로써 초음파 복합 진동 장치(50)의 고유 진동수가 변화하고, 세로 진동의 공진 주파수(Fa) 및 비틀림 진동의 공진 주파수(Fb)가 변화한다. 도 4는 확대부(54)의 축방향 치수(W)와 공진 주파수(Fa, Fb)와의 상관을 나타내는 그래프이다. 도 4에 있어서, 가로축은 확대부(54)의 축방향 치수(W)를 나타내고, 세로축은 공진 주파수를 나타내고 있다. 또한, 도 4에 있어서 실선은 세로 진동의 공진 주파수(Fa)를 나타내고, 일점 쇄선은 비틀림 진동의 공진 주파수(Fb)를 각각 나타내고 있다.
도 4의 예에서는, 세로 진동의 공진 주파수(Fa)는 축방향 치수(W)의 증가에 비례해 저하되어 간다. 한편, 비틀림 진동의 공진 주파수(Fb)는 축방향 치수(W)의 증가에 비례해 증가되어 간다. 그리고, 축방향 치수(W)가 소정의 값(W1)일 때 세로 진동의 공진 주파수(Fa) 및 비틀림 진동의 공진 주파수(Fb)는 일치하고 있어 Fa=Fb=F1이 되어 있다.
본 예에서는 확대부(54)의 축방향 치수(W)를 이 Fa=Fb=F1가 될 때의 축방향 치수(W1)로 하고 있다. 즉, W=W1로 하고 있다. 또, 초음파 복합 진동 장치(50)를 구동할 때, 진동자(58)에 인가하는 교류 전압의 주파수, 즉 구동 주파수를 F1로 하고 있다. 이것에 의해, 단일 주파수(F1)에서 세로 진동 및 비틀림 진동의 공진을 발생시킬 수 있어서 초음파 복합 진동 장치(50)의 구동 제어를 간이화할 수 있다.
한편 도 4에서는 공진 주파수(Fa, Fb)가 축방향 치수(W)에 비례하는 예를 들고 있으나, 공진 주파수(Fa, Fb)와 축방향 치수(W)의 상관관계는 초음파 복합 진동 장치(50)의 형상이나 재질, 진동자(58)의 특성 등에 따라 적당히 다르다. 그 때문에, 축방향 치수(W) 및 구동 주파수(F1)는 초음파 복합 진동 장치(50)의 설계 단계에서 실험 또는 시뮬레이션에 의해 특정한다.
또한, 본 예에서는 초음파 복합 진동 장치(50)의 선단을 세로 진동 및 비틀림 진동의 배(antinode)로 하고 있기 때문에, 초음파 복합 진동 장치(50)의 선단, 즉 캐필러리(18)의 부착부에서 커다란 세로 진동 및 비틀림 진동을 얻을 수 있다. 결과적으로 캐필러리(18)를 면 형상으로 초음파 진동시킬 수 있어 와이어 본딩의 가공 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 지금까지 설명에서는 W 및 L3=Wall－L1－L2－W의 값을 변경하는 것에 의해 Fa=Fb=F1이 되는 구동 주파수(F1)를 특정하고 있다. 그러나, 공진 주파수(Fa, Fb)는 확대부(54)의 축방향 치수(W)가 아니라 확대부(54)의 축방향 위치에 따라서도 변화한다. 따라서, 구동 주파수(F1)를 특정하기 위해서 확대부(54)의 축방향 위치를 변화시킬 수도 있다.
예를 들면, 초음파 복합 진동 장치(50)의 기단면(50a)에서부터 확대부(54)의 선단측 단면까지의 거리를 Py라고 하고, 진동자(58)의 축방향 치수(L1), 초음파 복합 진동 장치(50)의 축방향 치수(Lall) 및 확대부(54)의 축방향 치수(W)를 일정하게 유지하는 경우를 생각한다. 이 경우, 중계부(60)의 축방향 치수(L2)는 L2=Py－W－L1이 되고, 선단부(56)의 축방향 치수(L3)는 L3=Lall－Py가 된다. 즉, 중계부(60) 및 선단부(56)의 축방향 치수(L2, L3)가 확대부(54)의 축방향 위치(Py)에 따라 변화한다. 그리고, 이러한 치수(L2, L3)가 변경됨으로써 초음파 복합 진동 장치(50)의 고유 진동수가 변화하고, 공진 주파수(Fa, Fb)가 변화한다. 따라서, 초음파 복합 진동 장치(50)를 설계할 때, 확대부(54)의 축방향 치수(W)가 아니라 확대부(54)의 축방향 위치(Py)를 변경해 적절한 확대부(54)의 위치 및 구동 주파수(F1)를 특정해도 된다. 한편, 이 경우 확대부(54)의 축방향 치수(W)의 값은 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 비틀림 진동의 파장(λb)의 1/4배 정도로 할 수도 있다. 즉, W≒λb/4로 해도 무방하다.
어쨌든 본 예에서 초음파 복합 진동 장치(50)에 설치되는 확대부(54)는 1개뿐이다. 그렇기 때문에 구동 주파수 F1=Fa=Fb를 특정하기 위해서 변경해야 할 파라미터의 수를 억제할 수 있다. 결과적으로, 초음파 복합 진동 장치(50)의 최적의 치수 및 구동 주파수를 용이하게 특정할 수 있다.
또한, 지금까지의 설명에서는 진동자(58)에서 발생한 세로 진동을 그대로 세로 진동으로 해서 선단에 전달하고 있다. 그러나, 선단부(56)에 세로 진동의 일부를 비틀림 진동으로 변환하는 진동 변환부를 설치할 수도 있다. 예를 들면, 도 5에 도시하는 바와 같이, 선단부(56)의 둘레면에 축방향으로 나아감에 따라 둘레 방향으로도 나아가는 경사형상의 슬릿(64)을 마련하고, 이것에 의해 세로 진동의 일부를 비틀림 진동으로 변환해도 된다. 이러한 구성으로 함으로써 선단부(56)의 말단, 나아가서는, 캐필러리(18)에 비틀림 진동을 보다 확실하게 작용시킬 수 있다. 또한, 초음파 복합 진동 장치(50)의 단면 형상도 원형에 국한되지 않고, 다른 형상, 예컨대 직사각형 등이어도 좋다.
또한, 지금까지의 설명에서는, 초음파 복합 진동 장치(50)를 와이어 본딩 장치에 도입하고 있지만, 본 명세서에서 개시한 초음파 복합 진동 장치(50)는, 와이어 본딩 장치에 한정되지 않고, 다른 초음파 가공기, 예를 들면 초음파 용접 장치 등에 도입해도 무방하다.
10: 제조 장치 12: 본딩 헤드
14: 혼 홀더 16: 초음파 혼
18: 캐필러리 19: 클램퍼
20: XY스테이지 22: 카메라
24: 스풀 26: 와이어
30: 대상물 32: 컨트롤러
50: 초음파 복합 진동 장치 52: 기단부
54: 확대부 56: 선단부
58: 진동자 60: 중계부
64: 슬릿

Claims (4)

  1. 초음파 복합 진동 장치에 있어서,
    세로 진동 및 비틀림 진동을 발생시키는 진동자를 가진 기단부와,
    상기 기단부보다 큰 단면적을 가지는 확대부와, 상기 확대부보다 작은 단면적을 가지는 선단부가 기단측으로부터 선단측을 향해 직선 모양으로 늘어서 있고,
    상기 확대부에 상기 비틀림 진동의 마디가 위치하고, 상기 초음파 복합 진동 장치의 기단면 및 선단면에 상기 세로 진동의 배 및 상기 비틀림 진동의 배가 위치하며,
    상기 확대부의 축방향 위치 및 축방향 치수는, 상기 세로 진동의 공진 주파수와 상기 비틀림 진동의 공진 주파수가 거의 동일해지는 위치 및 치수로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 초음파 복합 진동 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 확대부의 상기 선단측의 단면(端面)에서부터 상기 선단부의 상기 선단측 단면(端面)까지의 축방향 치수가 상기 비틀림 진동의 1/4 파장의 홀수배인 것을 특징으로 하는 초음파 복합 진동 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 선단부에는, 축방향으로 나아감에 따라 둘레 방향으로도 나아가는 경사형상의 슬릿이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 초음파 복합 진동 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 초음파 복합 진동 장치와,
    상기 선단부에 장착되어, 와이어가 삽입 관통되는 캐필러리를 구비하며,
    상기 진동자를 상기 세로 진동의 공진 주파수 및 상기 비틀림 진동의 공진 주파수와 거의 동일한 구동 주파수에서 구동하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005288351A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Asahi Ems Co Ltd 超音波複合振動体とその振動体の形成方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3073207B2 (ja) 1989-08-02 2000-08-07 沖電気工業株式会社 プラズマ処理方法
JPH0373207A (ja) * 1989-08-15 1991-03-28 Taga Electric Co Ltd 超音波回転加工装置
JP3550578B2 (ja) * 1995-09-19 2004-08-04 株式会社ニコン 振動アクチュエータ
JP3550579B2 (ja) * 1995-09-20 2004-08-04 株式会社ニコン 振動アクチュエータ
JP4244260B2 (ja) 2000-02-24 2009-03-25 富士工業株式会社 超音波加工用ねじり振動装置
JP3742332B2 (ja) * 2001-11-12 2006-02-01 株式会社新川 ワイヤボンデイング装置
JP4309160B2 (ja) * 2003-03-25 2009-08-05 株式会社アサヒ・イー・エム・エス 超音波複合振動体の駆動方法
JP4657964B2 (ja) * 2005-10-07 2011-03-23 株式会社新川 超音波ホーン
JP4314313B1 (ja) * 2008-06-30 2009-08-12 株式会社新川 ボンディング装置
JP6673961B2 (ja) * 2018-03-27 2020-04-01 辻野　次郎丸 超音波複合振動加工装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005288351A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Asahi Ems Co Ltd 超音波複合振動体とその振動体の形成方法

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